专利名称：一种半导体整流桥的制备方法
技术领域：
本发明涉及半导体整流桥，特别是ー种半导体整流桥的制备方法。
背景技术：
目前半导体整流桥的制备方法，主要是在下焊接舟上放置下框架；在下框架内依次放入焊片；整流芯片；再放入焊片；然后放上框架上焊接舟合模；将合模后的焊接舟放入焊接炉，使整流芯片与框架形成欧姆接触；取出焊接好的具有整流芯片的框架，再通过模压机浇注整流桥环氧树脂，最終形成半导体整流桥，其中在放置整流芯片的焊接过程中，国内大多采用手工筛选整流芯片的方式来使整流芯片正极向上或负极向上。然后放置在框架预定位置。这种方法在筛选整流芯片时利用整流芯片正负极形状不一，通过上下左右晃动将整流芯片的凸面嵌入筛选盘。但在晃动中会造成整流芯片的损伤，且由于是一大批芯片进行晃动，有一定的认错率，使整流芯片的一致性得不到保证，一般认错率在1%⑴2%者，这样直接影响了产品质量，也造成极大的浪费。
发明内容
本发明的目的是提供一种可以使整流芯片能直接准确焊接在框架上，大大提高了整流芯片的可靠性的半导体整流桥的制备方法。为实现上述目的，本发明采用的技术方案是ー种半导体整流桥的制备方法，其创新在干所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片，所述上框架和下框架均设有凸点和平台，所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间，其制备方法依次包括如下エ序
①将下框架放置在下焊接舟上；
②将放有下框架的下焊接舟放置在点胶机上；
③使用点胶机在下框架的凸点和平台分别点涂上焊接粘连剂；
④将装有点好焊接粘连剂的下框架的下焊接舟，放入固晶机的料盒，固晶机推动料盒将焊接舟推入固晶位，所述固晶机设有吸嘴摆臂，使用固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起，放置在下框架平台上，负极向上的整流芯片，取出并放置在下框架凸点上，采用两种整流芯片常温下同时固晶，一种正极向上，ー种为负极向上。将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上，将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上；
⑤将固好晶的整流芯片、下框架及下焊接舟从固晶机的料盒中取出，放置在点胶机上，在整流芯片上涂上焊接粘连剂；
⑥从点胶机上取出下焊接舟，将上框架对准下框架放置完好，再将上焊接舟盖在下焊接舟上，合模完毕；
⑦将合模的焊接舟放入焊接炉，控制温度在330°C 360°C，时间为20 60秒，使整流芯片与上、下框架形成欧姆接触，使整流芯片粘结在上框架和下框架之间；⑧取出焊接后为ー个整体的具有整流芯片的上、下框架，再通过模压机浇注整流桥环氧树脂，最終形成半导体整流桥。所述焊接粘连剂为焊锡膏Pb92. 5Sn5Ag2. 5。所述点胶机为TS-300B点胶机。所述固晶机为DB382ml固晶机。
采用本发明的制备方法制造的半导体整流桥，由于采用了将下框架放置在下焊接舟上；将放有下框架的下焊接舟放置在点胶机上；使用点胶机在下框架的凸点和平台分别点涂上焊接粘连剂；将装有点好焊接粘连剂的下框架的下焊接舟，放入固晶机的料盒，固晶机推动料盒将焊接舟推入固晶位，所述固晶机设有吸嘴摆臂，使用固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起，放置在下框架平台上，负极向上的整流芯片，取出并放置在下框架凸点上，采用两种整流芯片常温下同时固晶，ー种正极向上，ー种为负极向上。将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上，将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上。将固好晶的整流芯片、下框架及下焊接舟从固晶机的料盒中取出，放置在点胶机上，在整流芯片上涂上焊接粘连剂；从点胶机上取出下焊接舟，将上框架对准下框架放置完好，再将上焊接舟盖在下焊接舟上，合模完毕；将合模的焊接舟放入焊接炉，控制温度在330°C 360°C，时间为20 60秒，使整流芯片与上、下框架形成欧姆接触，使整流芯片粘结在上框架和下框架之间；取出焊接后为ー个整体的具有整流芯片的上、下框架，再通过模压机浇注整流桥环氧树脂，最終形成半导体整流桥。由于使用固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起，放置在下框架平台上，负极向上的整流芯片，取出并放置在下框架凸点上，采用两种整流芯片常温下同时固晶，一种正极向上，ー种为负极向上。将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上，将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上；因此使整流芯片直接准确焊接在框架上，減少了中间环节，大大提高了芯片的可 性，降低了废品率，提闻广品的合格率。提闻了广品质量。
具体实施例方式以下结合具体的实施例对本发明的半导体整流桥的制备方法作进ー步详细说明。ー种DB107半导体整流桥的制备方法，其创新点在于所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片，所述上框架和下框架均设有凸点和平台，所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间，其制备方法依次包括如下エ序
①将下框架放置在下焊接舟上；
②将放有下框架的下焊接舟放置在TS-300B点胶机上；
③使用TS-300B点胶机在下框架的凸点和平台分别点涂上焊锡膏Pb92.5Sn5Ag2. 5 ；
④将装有点涂上焊锡膏Pb92.5Sn5Ag2. 5的下框架的下焊接舟，放入DB382ml固晶机的料盒，DB382ml固晶机推动料盒将焊接舟推入固晶位，使用固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起，放置在下框架平台上，负极向上的整流芯片，取出并放置在下框架凸点上，采用两种整流芯片常温下同时固晶，一种正极向上，ー种为负极向上。将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上，将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上；⑤将固好晶的整流芯片、下框架及下焊接舟从DB382ml固晶机的料盒中取出，放置在TS-300B点胶机上，在整流芯片上涂上焊接粘连剂；
⑥从TS-300B点胶机上取出下焊接舟，将上框架对准下框架放置完好，再将上焊接舟盖在下焊接舟上，合模完毕；
⑦将合模的焊接舟放入焊接炉，控制温度在330°C 360°C，时间为20 60秒，使整流芯片与上、下框架形成欧姆接触，使整流芯片粘结在上框架和下框架之间；
⑧取出焊接后为ー个整体的具有整流芯片的上、下框架，再通过模压机浇注整流桥环氧树脂，最終形成半导体整流桥。采用本发明的制备方法制造的半导体整流桥，由于利用了固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起，放置在下框架平台上，负极向上的整流芯片，取出并放置在下框架凸点上，因此使放置在框架上的芯片一致性好，降低了废品率，提高了产品质量。采用两种整流芯片常温下同时固晶，一种正极向上，ー种为 负极向上。将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上，将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上，大大提高产品的合格率。
权利要求
1.一种半导体整流桥的制备方法，其特征在于所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片，所述上框架和下框架均设有凸点和平台，所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间，其制备方法依次包括如下工序 ①将下框架放置在下焊接舟上； ②将放有下框架的下焊接舟放置在点胶机上； ③使用点胶机在下框架的凸点和平台分别点涂上焊接粘连剂； ④将装有点好焊接粘连剂的下框架的下焊接舟，放入固晶机的料盒，固晶机推动料盒将焊接舟推入固晶位，所述固晶机设有吸嘴摆臂，使用固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置 在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起，放置在下框架平台上，负极向上的整流芯片，取出并放置在下框架凸点上，采用两种整流芯片常温下同时固晶，一种正极向上，一种为负极向上。
2.将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上，将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上； ⑤将固好晶的整流芯片、下框架及下焊接舟从固晶机的料盒中取出，放置在点胶机上，在整流芯片上涂上焊接粘连剂； ⑥从点胶机上取出下焊接舟，将上框架对准下框架放置完好，再将上焊接舟盖在下焊接舟上，合模完毕； ⑦将合模的焊接舟放入焊接炉，控制温度在330°C 360°C，时间为20 60秒，使整流芯片与上、下框架形成欧姆接触，使整流芯片粘结在上框架和下框架之间； ⑧取出焊接后为一个整体的具有整流芯片的上、下框架，再通过模压机浇注整流桥环氧树脂，最终形成半导体整流桥。
3.根据权利要求I所述的半导体整流桥的制备方法，其特征在于所述焊接粘连剂为焊锡膏 Pb92. 5Sn5Ag2. 5。
4.根据权利要求I所述的半导体整流桥的制备方法，其特征在于所述点胶机为TS-300B点胶机。
5.根据权利要求I所述的半导体整流桥的制备方法，其特征在于所述固晶机为DB382ml固晶机。
全文摘要
本发明涉及一种半导体整流桥的制备方法，依次包括如下工序将放有下框架的下焊接舟放置在点胶机上；使用点胶机在下框架的凸点和平台分别点涂上焊接粘连剂；使用固晶机的吸嘴直接将整流芯片中将正极向上的整流芯片放置在下框架平台上，负极向上的整流芯片放置在下框架凸点上；采用两种整流芯片常温下同时固晶；利用点胶机在固好晶的整流芯片上涂上焊接粘连剂；将上框架对准下框架放置，再将上焊接舟盖在下焊接舟上合模；将合模的焊接舟放入焊接炉焊接；最后取出焊接后为一个整体的具有整流芯片的上、下框架，通过模压机浇注整流桥环氧树脂，形成半导体整流桥。本发明制备方法制造半导体整流桥废品率低，提高了产品质量，合格率高。
文档编号H01L21/60GK102651326SQ20121015548
公开日2012年8月29日 申请日期2012年5月18日 优先权日2012年5月18日
发明者刘军, 唐永洪 申请人:常州银河世纪微电子有限公司