专利名称：一种防止oj芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法
技术领域：
本发明涉及的是一种防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法，应用于OJ产品碱洗iu晶粒表面的处理。
背景技术：
OJ产品在使用前需用混酸或碱对PN结表面进行处理，然后将PN结用有机树脂保护；但是在使用碱液对PN进行处理的过程中，由于焊接孔洞及晶粒合金层孔洞(一般的芯片正反面都合金层后才进行处理)的存在，碱液会从侧面结合缝处易渗透到晶粒台面，并与Si反应，导致晶粒表面金属合金层脱落。碱洗时间越长，温度越高越易对晶粒台面形成腐蚀，台面被腐蚀就使得焊接有效面积减少，给后续产品电性带来很大的危害。腐蚀情况如图 I所示，芯片I的顶面和底面分别设有镍金层2 ;将带有镀覆镍金层2的芯片I置入碱液进 行处理时，会在芯片I顶面边缘处形成腐蚀区域3 ;腐蚀反应(碱与硅反应)的化学方程式如下
Si +20!Γ+Η2 O— S i O广+ 2 H2。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可控制性好、工艺简单，能有效防止腐蚀现象发生的防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法。本发明的技术方案是按以下步骤进行
1)、用去离子水配制KOH溶液，溶液质量比为去离子水K0H=101 ；
2)、将配置的碱溶液加热至50-110°C，保温；
3)、将所述芯片置于恒温槽中，芯片表面析出气泡，反应1-20分钟后气泡变少后取出晶片用清水冲洗、晾干；
4)、对芯片的顶面和底面镀覆镍金层；
5)、碱洗，完毕。本发明用硅片在碱性条件下腐蚀是各向异性、即化学腐蚀速率与晶向(晶格排列方向)有关，且腐蚀速度逐渐降低的原理，在晶片加工合金层之前将晶片表面使用碱液腐蚀，大大降低晶粒在后续碱洗制程中Si与碱的反应速率，起到近似钝化的效果，最终实现防止OJ晶粒碱洗时侧向腐蚀的现象。
图I是本发明背景技术的原理示意图，
图中I是芯片，2是镍金层，3是腐蚀区域。
具体实施例方式本发明的技术方案是按以下步骤进行1)、用去离子水配制KOH溶液，溶液质量比为去离子水K0H=101 ；
2)、将配置的碱溶液加热至50-110°C，保温；
3)、将所述芯片置于恒温槽中，芯片表面析出气泡，反应1-20分钟后气泡变少后取出晶片用清水冲洗、晾干；
4)、对芯片的顶面和底面镀覆镍金层； 5)、碱洗，完毕。本发明在镀合金、碱洗工序前增加了一道浓碱腐蚀步骤，区别于本领域一直惯用的工艺流程。针对目前客户对半导体元件性能的高要求，先行“腐蚀钝化”，避免后续碱洗对成品品质的影响，提升了元器件的品质。
权利要求
1.一种防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法，其特征在于，按以下步骤进行 1)、用去离子水配制KOH溶液，溶液质量比为去离子水K0H=101-10 ； 2)、将配置的碱溶液加热至50-110°C，保温； 3)、将所述芯片置于恒温槽中，芯片表面析出气泡，反应1-20分钟后气泡变少后取出晶片用清水冲洗、晾干； 4)、对芯片的顶面和底面镀覆镍金层； 5)、碱洗，完毕。
全文摘要
一种防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法。涉及的是一种应用于OJ产品碱洗前晶粒表面的处理。提供一种可控制性好、工艺简单，能有效防止腐蚀现象发生的防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法。按以下步骤进行1)、用去离子水配制KOH溶液，溶液质量比为去离子水KOH=101；2)、将配置的碱溶液加热至50-110℃，保温；3)、将所述芯片置于恒温槽中，芯片表面析出气泡，反应1-20分钟后气泡变少后取出晶片用清水冲洗、晾干；4)、对芯片的顶面和底面镀覆镍金层；5)、碱洗，完毕。本发明大大降低晶粒在后续碱洗制程中Si与碱的反应速率，最终实现防止OJ晶粒碱洗时侧向腐蚀的现象。
文档编号H01L21/306GK102664149SQ20121018084
公开日2012年9月12日 申请日期2012年6月4日 优先权日2012年6月4日
发明者游佩武, 王毅, 裘立强 申请人:扬州杰利半导体有限公司