专利名称：气相沉积装置和方法以及制造有机发光显示装置的方法
技术领域：
本发明涉及一种气相沉积装置、一种气相沉积方法和一种制造有机发光显示装置的方法。
背景技术：
半导体器件、显示装置和其它电子器件包括多个薄膜。可以使用各种方法来形成多个薄膜，其中之一是气相沉积方法。 根据气相沉积方法，使用一种或多种气体作为用于形成薄膜的源。气相沉积方法可以包括化学气相沉积(CVD)方法、原子层沉积(ALD)方法和各种其它方法。在显示装置中，由于有机发光显示装置的宽视角、优异的对比度和快速的响应速度，所以有机发光显示装置被视为下一代显示装置。有机发光显示装置包括位于彼此面对的第一电极和第二电极之间的具有有机发射层的中间层以及一个或多个薄膜。这里，可以使用沉积工艺来形成有机发光显示装置的薄膜。当有机发光显示装置的尺寸增大并需要高分辨率时，难以形成具有期望的性能的大尺寸的薄膜。另外，在提高用于形成薄膜的工艺的效率方面存在局限性。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种能够有效地执行沉积工艺并提高薄膜的特性的气相沉积装置、一种气相沉积方法和一种制造有机发光显示装置的方法。根据基于本发明的实施例的一方面，提供了一种用于在多个基底上形成薄膜的气相沉积装置，所述装置包括室，具有排放开口；架台，位于室内，并包括多个安装表面，所述多个安装表面适于将所述多个基底安装在所述多个安装表面上；注入单元，具有至少一个注入开口，所述至少一个注入开口将气体沿与所述多个基底的表面平行的方向注入到室中。所述多个安装表面可平行于重力作用的方向设置。注入单元可设置在架台上方。所述多个安装表面可包括相互平行设置的至少两个安装表面。排放开口可结合到泵。可通过注入开口顺序地注入源气和反应气体。注入单元可具有多个注入开口，通过所述多个注入开口独立地注入源气和反应气体。排放开口可比基底更靠近地面。
所述装置还可包括具有用于在基底上以期望的图案形成薄膜的掩模开口，其中，掩模设置在基底上。所述装置还可包括驱动单元，驱动单元被构造成当被安装在室内的架台上时驱动架台，以移动基底。驱动单元可沿与基底的其上将形成薄膜的表面垂直的方向传送基底。驱动单元可沿与基底的其上将形成薄膜的表面垂直的方向往复地传送基底。注入单元可具有多个注入开口，所述多个注入开口沿基底移动的方向相互分隔开以在移动基底的同时多次执行沉积工艺。
所述多个安装表面可分别位于架台的一侧和与所述一侧相对的一侧。所述多个安装表面可位于架台的所有侧。根据基于本发明的实施例的另一方面，提供了一种用于在多个基底上形成薄膜的气相沉积方法，所述方法包括以下步骤将所述多个基底分别安装在室内的架台的多个安装表面上；通过注入单元将源气沿与基底的其上将形成薄膜的表面平行的方向注入到室内；通过室的排放开口执行排放；通过注入单元将反应气体沿与基底的所述表面平行的方向注入到室内；通过室的排放开口执行排放。可通过泵来执行排放。注入单元可具有注入开口，并且可通过注入开口顺序地注入源气和反应气体。注入单元可具有多个注入开口，并且可通过所述多个注入开口中的不同的注入开口分别注入源气和反应气体。安装基底的步骤可包括将具有用于形成期望图案的薄膜的开口的掩模放置在基底上。当基底被安装在架台上时，可在沿与基底的所述表面垂直的方向移动基底时执行薄膜沉积。根据基于本发明的实施例的另一方面，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，所述有机发光显示装置包括位于多个基底上的多个薄膜，所述多个薄膜至少包括第一电极、包括有机发射层的中间层和第二电极。所述方法可以包括以下步骤将所述多个基底安装在室内的架台的多个安装表面上；通过注入单元将源气沿与基底的其上将形成薄膜的表面平行的方向注入到室内；通过室的排放开口执行排放；通过注入单元将反应气体沿与基底的所述表面平行的方向注入到室内；通过室的排放开口执行排放。 形成薄膜的步骤可包括在第二电极上形成包封层。形成薄膜的步骤可包括形成绝缘层。形成薄膜的步骤可包括形成导电层。
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其他特征和方面将会变得更加清楚，其中图I是根据本发明实施例的气相沉积装置的示意性剖视图；图2是根据本发明另一实施例的气相沉积装置的示意性剖视图；图3是从图2中的方向A观察的气相沉积装置的示图4是根据本发明另一实施例的气相沉积装置的示意性剖视图；图5是根据本发明另一实施例的气相沉积装置的示意性剖视图；图6是根据本发明另一实施例的气相沉积装置的示意性剖视图；图7是从图6中的方向A观察的气相沉积装置的示图；图8是通过 根据本发明实施例的有机发光显示装置制造方法制造的有机发光显示装置的示意性剖视图。
具体实施例方式在下文中，将参照附图将本发明的实施例描述如下。图I是根据本发明实施例的气相沉积装置100的示意性剖视图。参照图1，气相沉积装置100包括室110、架台120和注入单元130。室110包括位于室110的下部上的排放开口(例如，排放孔)111。排放开口 111是用于排放气体的出口，并可以与泵结合(或连接)，从而充分地执行排放工艺。尽管在图I中未示出，但是室110由泵控制，以保持适当的压力(例如，预定的压力)。另外，用于加热室110的内部的加热单元(未示出)可以设置在室110的内部或外部上，以提高薄膜沉积工艺的效率。架台120设置在室110内。架台120包括第一安装表面121和第二安装表面122。第一安装表面121和第二安装表面122与重力作用的方向平行地设置。即，第一安装表面121和第二安装表面122与地面垂直地设置。为此,架台120与地面垂直地设置。第一基底101和第二基底102设置在架台120上。更详细地说，第一基底101安装在架台120的第一安装表面121上，第二基底102安装在架台120的第二安装表面122上。第一安装表面121和第二安装表面122彼此平行。固定单元(未示出)可以设置在第一安装表面121和第二安装表面122上，以使基底101和102可在被安装在第一安装表面121和第二安装表面122上之后被固定。固定单元(未示出)可以是夹具、压缩单元、粘附材料或者本领域技术人员所知的其它材料或装置。注入单元130设置成结合(或连接)到室110。通过注入单元130向基底101和102注入一种或多种气体。更详细地讲，注入单元130包括第一注入开口(例如，第一注入孔)131和第二注入开口(例如，第二注入孔)132，并且第一注入开口 131和第二注入开口 132沿与基底101和102的表面方向平行的方向注入气体。即，通过第一注入开口 131和第二注入开口 132与重力作用的方向平行地注入气体。更详细地讲，使用第一注入开口 131注入源气S，并使用第二注入开口 132注入反应气体。在正通过第一注入开口 131注入源气S的同时，不通过第二注入开口 132注入反应气体，而是在通过第一注入开口 131注入源气S之后，通过第二注入开口 132注入反应气体。然而，本发明不限于此。例如，注入单元130可仅包括一个注入开口。在其它实施例中，可通过一个注入开口顺序地注入源气S和反应气体。另外，可设置多个第一注入开口 131和多个第二注入开口 132，从而可单独地将源气S和反应气体注入到第一基底101和第二基底102上(或附近)。
第一注入开口 131和第二注入开口 132可形成为具有各种形状。例如，第一注入开口 131和第二注入开口 132可形成为与第一基底101和第二基底102的宽度对应的点或线。现在将描述根据本实施例的气相沉积装置100的操作。将第一基底101和第二基底102分别安装在架台120的第一安装表面121和第二安装表面122上。之后，通过注入单元130的第一注入开口 131注入源气S。更详细地讲，源气S可为包括铝(Al)原子的气体。源气S被吸附在第一基底101和第二基底102的上表面(例如，与面向架台120的表面相对的表面)上。之后，通过排放开口 111执行排放，然后，在第一基底101和 第二基底102的上表面上形成由源气S形成的单层结构或多层结构的原子层。即，形成Al原子的单层或多层。另外，通过注入单元130的第二注入开口 132注入反应气体。作为示例，反应气体可包括氧(O)原子。反应气体被吸附在第一基底101和第二基底102的上表面上。之后，通过排放孔111执行排放，然后，在第一基底101和第二基底102的上表面上形成由反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。即，形成氧原子的单层或多层。因此，在第一基底101和第二基底102的上表面上形成由源气S和反应气体形成的具有单层结构或多层结构的原子层。即，形成氧化铝层(AlxOy，其中，可根据处理条件控制X和y)。在本实施例中，形成氧化铝层；然而，本发明不限于此。即，本发明的实施例可应用于形成氧化物层、有机层、无机层、其它绝缘层和导电层的工艺。根据本实施例，从注入单元130沿与第一基底101和第二基底102的上表面平行的方向注入气体。具体地讲，第一基底101和第二基底102沿与地面垂直的方向设置，即，沿重力作用的方向设置。因此，当通过注入单元130注入气体并且气体被吸附在基底101和102上时，可减少基底101和102上的不必要地吸附的量。即，基底101和102上的不必要地吸附的组分以及其它不均匀集中的组分由于重力而下降，因此，减少了不必要的量。另夕卜，通过设置在第一基底101和第二基底102的下部上的排放开口 111经排放工艺可容易去除不必要的气体组分。因此，在通过注入单元130的第一注入开口 131注入源气S之后，执行排放工艺而不需要利用其它吹扫气体执行吹扫工艺。之后，通过第二注入开口 132注入反应气体，执行排放工艺而不需要利用其它吹扫气体执行吹扫工艺，然后完成沉积工艺。结果，可极大地提高用于形成期望的薄膜的沉积工艺的效率。另外，可防止不必要的气体组分的吸附，并且可防止吹扫气体杂质的混合物进入到形成在基底101和102上的薄膜中。因此，可均匀地形成薄膜，并且该薄膜具有优异的物理和化学特性。根据本实施例，第一安装表面121和第二安装表面122形成在架台120的两个表面上，并且第一基底101和第二基底102并发地(例如，同时地)形成在一个架台120上。因此，可进一步提高处理效率。另外，第一基底101和第二基底102相互平行地设置在架台120上，因此，其上形成有第一基底101和第二基底102的表面被形成为不相互面对，并且用于在相应的表面上形成薄膜的薄膜沉积工艺不相互影响。因此，可在基底101和102 二者上形成均匀且优异的薄膜。图2是根据本发明另一实施例的气相沉积装置的示意性剖视图，图3是从图2中的方向A观察的气相沉积装置的示图。
参照图2和图3，气相沉积装置200包括室210、架台220、注入单元230及掩模241和 242。室210包括位于室210的下部上的排放开口(例如，排放孔)211。排放开口 211是排放气体的出口，并且可结合(或连接)到泵，从而充分地执行排放。尽管在图2和图3中未示出，但是室210由泵控制，以保持适当的压力(例如，预定的压力)。另外，用于加热室210内部的加热单元(未示出)可设置在室210的内部或外部上，以提高薄膜沉积工艺的效率。架台220设置在室210内。架台220包括第一安装表面221和第二安装表面222。第一安装表面221和第二安装表面222与重力作用的方向平行地设置。即，第一安装 表面221和第二安装表面222垂直于地面设置。为此,架台220垂直于地面设置。第一基底201和第二基底202设置在架台220上。更具体地讲，第一基底201安装在架台220的第一安装表面221上，第二基底202安装在架台220的第二安装表面222上。第一安装表面221和第二安装表面222相互平行。固定单元(未示出)可设置在第一安装表面221和第二安装表面222上，使得基底201和202可在被安装在第一安装表面221和第二安装表面222上之后被固定。第一掩模241和第二掩模242设置在第一基底201和第二基底202上。更具体地讲，第一掩模241设置在第一基底201上，第二掩模242设置在第二基底202上。图3不出了第一掩模241。第一掩模241包括掩模开口 241a,每个掩模开口 241a具有适合的形状(例如，预定的形状)，所述适合的形状在图3中为矩形，但是不限于此。掩模开口 241a具有与将形成在第一基底201上的薄膜的图案对应的形状。图3示出了六个掩模开口 241a;然而，本发明不限于此。即，可根据将形成在第一基底201上的图案的数量来确定掩模开口 241a的数量。例如，第一掩模241可形成为具有一个掩模开口 241a的开口掩模。尽管在图2和图3中未示出，但是与第一掩模241类似，第二掩模242也包括掩模开口(未不出)。因为第二掩模242的掩模开口(未不出)与第一掩模241的掩模开口 241a基本相似，所以这里将不再提供对第二掩模242的掩模开口的详细描述。注入单元230被设置成结合(或连接)到室210。通过注入单元230向基底201和202注入一种或多种气体。更详细地讲，注入单元230包括第一注入开口(例如，第一注入孔)231和第二注入开口(例如，第二注入孔)232，第一注入开口 231和第二注入开口 232沿与基底201和202的表面方向平行的方向注入气体。即，通过第一注入开口 231和第二注入开口 232与重力作用的方向平行地注入气体。更详细地讲，使用第一注入开口 231注入源气S，使用第二注入开口 232注入反应气体。在正通过第一注入开口 231注入源气S的同时，不通过第二注入开口 232注入反应气体，并且在通过第一注入孔231注入源气S之后，通过第二注入孔232注入反应气体。然而，本发明不限于此。例如，注入单元230可仅包括一个注入开口。可通过一个注入开口顺序地注入源气S和反应气体。另外，可设置多个第一注入开口 231和多个第二注入开口 232，从而源气S和反应气体可被单独地注入到第一基底201和第二基底202上(或附近)。
第一注入开口 231和第二注入开口 232可以以各种形状形成。即，第一注入开口231和第二注入开口 232可形成为与第一基底201和第二基底202的宽度对应的点或线。现在将描述本实施例的气相沉积装置200的操作。第一基底201和第二基底202分别安装在架台220的第一安装表面221和第二安装表面222上。之后，在第一基底201上设置第一掩模241，其中，第一掩模241具有与将形成在第一基底201上的薄膜 的图案对应的掩模开口 241a。在第二基底202上设置第二掩模242，其中，第二掩模242具有与将形成在第二基底202上的薄膜的图案对应的掩模开口(未示出)。之后，通过注入单元230的第一注入开口 231注入源气S。源气S被吸附在第一基底201和第二基底202的上表面(例如，与面向架台220的表面相对的表面)上。具体地讲，源气S被吸附在第一基底201和第二基底202的上表面的与掩模开口-对应的部分上。另外，通过排放开口 211执行排放工艺，然后，在第一基底201和第二基底202的上表面上形成由源气S形成的单层结构或多层结构的原子层。之后，通过注入单元230的第二注入开口 232注入反应气体。反应气体被吸附在第一基底201和第二基底202的上表面上。具体地讲，反应气体被吸附在第一基底201和第二基底202的上表面的与掩模开口对应的部分上。之后，通过排放开口 211执行排放工艺，然后，在第一基底201和第二基底202的上表面上形成单层结构或多层结构的原子层。具体地讲，原子层形成在第一基底201的上表面的与掩模开口 241a对应的部分上。同样，原子层形成在第二基底202的上表面的与第二掩模242的掩模开口(未示出)对应的部分上。因此，具有单层结构或多层结构且包括源气S和反应气体的组分的原子层形成在第一基底201和第二基底202的上表面上。在本实施例中，第一安装表面221和第二安装表面222形成在架台220的两个表面上，并且第一基底201和第二基底202并发地(例如，同时地)安装在一个架台220上。另夕卜，第一掩模241和第二掩模242设置在第一基底201和第二基底202上,从而可容易地形成期望的沉积图案。另外，第一掩模241和第二掩模242用作当源气或反应气体被注入到室210中时防止源气S组分或反应气体组分被不必要地吸附在基底201和202上的障碍物。另外，进一步改善通过气相沉积装置200形成的薄膜的特性。图4是根据本发明另一实施例的气相沉积装置300的示意性剖视图。参照图4，气相沉积装置300包括室310、架台320、注入单元330和驱动单元350。室310包括位于室310的下部上的排放开口(例如，排放孔)311。排放开口 311是排放气体的出口，并可结合(或连接)到泵，从而充分地执行排放。尽管在图4中未示出，但是室310由泵控制，以保持适当的压力(例如，预定的压力)。另外，用于加热室310的内部的加热单元(未示出)可设置在室310的内部或外部上，以提高薄膜沉积工艺的效率。架台320设置在室310内。架台320包括第一安装表面321和第二安装表面322。第一安装表面321和第二安装表面322与重力作用的方向平行地设置。即，第一安装表面321和第二安装表面322垂直于地面设置。为此,架台320垂直于地面设置。
第一基底301和第二基底302设置在架台320上。更详细地讲，第一基底301安装在架台320的第一安装表面321上，第二基底302安装在架台320的第二安装表面322上。第一安装表面321和第二安装表面322相互平行。固定单元(未示出)可设置在第一安装表面321和第二安装表面322上，使得基底301和302可在被安装在第一安装表面321和第二安装表面322上之后被固定。固定单元(未示出)可为夹具、压缩单元、粘附材料或其它材料。驱动单元350结合(或连接)到架台320。驱动单元350沿图4中示出的箭头 M指示的方向或沿与箭头M指示的方向相反的方向传送架台320。即，驱动单元350沿图4中的X轴方向传送架台320。因此，第一基底301和第二基底302可沿垂直于第一基底301和第二基底302的上表面(例如，与面向架台320的表面相对的表面)的方向移动，即，可沿垂直于其上将形成薄膜的表面的方向移动。注入单元330结合(或连接)到室310。通过注入单元330向第一基底301和第二基底302注入一种或多种气体。更详细地讲，注入单元330包括第一注入开口(例如，第一注入孔)331、第二注入开口(例如，第二注入孔)332、第三注入开口(例如，第三注入孔)333、第四注入开口(例如，第四注入孔)334、第五注入开口(例如，第五注入孔)335、第六注入开口(例如，第六注入孔)336、第七注入开口(例如，第七注入孔)337和第八注入开口(例如，第八注入孔)338。另外，沿第一基底301和第二基底302的移动方向布置第一注入开口 331至第八注入开口 338。即，第一注入开口 331至第八注入开口 338沿图4中的X轴方向布置并彼此间隔开。通过第一注入开口 331至第八注入开口 338将气体与基底301和302的表面方向平行地注入到室310中。即，通过第一注入开口 331至第八注入开口 338平行于重力作用的方向注入气体。更详细地讲，通过第一注入开口 331、第三注入开口 333、第五注入开口 335和第七注入开口 337注入源气S，通过第二注入开口 332、第四注入开口 334、第六注入开口 336和第八注入开口 338注入反应气体。在通过第一注入开口 331、第三注入开口 333、第五注入开口 335和第七注入开口337正注入源气S的同时，不通过第二注入开口 332、第四注入开口 334、第六注入开口 336和第八注入开口 338注入反应气体。在通过第一注入开口 331、第三注入开口 333、第五注入开口 335和第七注入开口 337注入源气S之后，通过第二注入开口 332、第四注入开口 334、第六注入开口 336和第八注入开口 338注入反应气体。另外，可通过第一注入开口 331、第三注入开口 333、第五注入开口 335和第七注入开口 337顺序地或并发地(例如，同时地)注入源气S。同样，可通过第二注入开口 332、第四注入开口 334、第六注入开口 336和第八注入开口 338顺序地或并发地(例如，同时地)注入反应气体。然而，本发明不限于上述示例。即，可通过注入单元330的相同的注入开口注入源气S和反应气体。例如，注入单元330可包括第一注入开口 331、第三注入开口 333、第五注入开口 335和第七注入开口 337，并且可通过第一注入开口 331、第三注入开口 333、第五注入开口 335和第七注入开口 337顺序地注入源气S，然后可注入反应气体。尽管在图4中未示出，但是第一注入开口 331至第八注入开口 338可以以规则的间隔相互间隔开。例如，在注入源气S之后，可在利用驱动单兀350移动基底301和302之后注入反应气体。另外，第一注入开口 331至第八注入开口 338可形成为具有各种形状，例如，可形成为与第一基底301和 第二基底302的宽度对应的点或线。现在将描述本实施例的气相沉积装置300的操作。将第一基底301和第二基底302分别安装在架台320的第一安装表面321和第二安装表面322上。之后，通过注入单元330的第一注入开口 331注入源气S。源气S被吸附在第一基底301和第二基底302的上表面(B卩，与面向架台320的表面相对的表面)上。之后，通过排放开口 311执行排放工艺，然后在第一基底301和第二基底302的上表面上形成由源气S形成的单层结构或多层结构的原子层。之后，通过注入单元330的第二注入孔332注入反应气体。反应气体被吸附在第一基底301和第二基底302的上表面上。然后，通过排放开口 311执行排放工艺，然后，在第一基底301和第二基底302的上表面上形成由反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。因此，在第一基底301和第二基底302的上表面上形成由源气S组分和反应气体组分形成的单层结构或多层结构的原子层。之后，通过使用驱动单元350，使架台320沿图4中的X轴方向移动，即，沿箭头M指示的方向移动。通过注入单元的第三注入开口 333注入源气S。源气S被吸附在第一基底301和第二基底302的上表面上。之后，通过排放开口 311执行排放工艺，然后，在第一基底301和第二基底302的上表面上形成由源气S形成的单层结构或多层结构的原子层。另外，通过注入单元330的第四注入开口 334注入反应气体。反应气体被吸附在第一基底301和第二基底302的上表面上。然后，通过排放开口 311执行排放工艺，然后，在第一基底301和第二基底302的上表面上形成由反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。通过上述工艺，在通过第一注入开口 331和第二注入开口 332形成在第一基底301和第二基底302的上表面上的薄膜上另外地形成包括源气S组分和反应气体组分的单层结构或多层结构的原子层。然后，通过使用驱动单元350，使架台320沿图4中的X轴方向移动，即，沿箭头M指示的方向移动。与第一注入开口 331和第二注入开口 332类似，通过使用第五注入开口335和第六注入开口 336，在第一基底301和第二基底302上另外地形成薄膜。之后，通过使用驱动单元350，使架台320又沿图4中的X轴方向移动，S卩，沿箭头M指示的方向移动。然后,与第一注入开口 331和第二注入开口 332类似，通过使用第七注入开口 337和第八注入开口 338，在第一基底301和第二基底302上又形成薄膜。另外，在通过使用驱动单元350沿图4中的X轴方向(即，沿与箭头M相反的方向)移动架台320的同时，可按照与上述工艺的顺序相反的顺序再执行沉积工艺。之后，在沿图4中的X轴方向(即，沿箭头M指示的方向)移动架台320的同时，可进一步执行沉积工艺。
通过上述工艺，可在一个室310内，在第一基底301和第二基底302上容易地形成期望厚度的薄膜。即，可根据薄膜的期望厚度来调整架台320的移动距离。尽管在图4中未示出，但根据本发明的实施例，第一注入开口 331至第八注入开口338可以以规则的间隔分隔开。根据上述布置，通过注入开口 331至338顺序地注入气体，然后，驱动单元350可沿箭头M指示的方向移动。从注入单元330沿与基底301和302的上表面平行的方向注入气体。具体地讲，第一基底301和第二基底302垂直于地面设置，即，沿重力作用的方向设置。因此，当通过注入单元330注入气体并且注入的气体被吸附在基底301和302上时，可减少基底301和302上的不必要地吸附的量。即，基底301和302上的不必要地吸附的组分以及其 它不均匀集中的组分由于重力而下降，因此，减少了不必要的量。另外，通过设置在第一基底301和第二基底302的下部上的排放开口 311经排放工艺可容易去除不必要的气体组分。因此，在通过注入单元330的第一注入开口 331注入源气S之后，执行排放工艺而不需要利用其它吹扫气体执行吹扫工艺。之后，通过第二注入开口 332注入反应气体，执行排放工艺而不需要利用其它吹扫气体执行吹扫工艺，然后完成沉积工艺。结果，可极大地提高用于形成期望的薄膜的沉积工艺的效率。另外，可减少或防止不必要的气体组分的吸附，并且可减少或防止吹扫气体杂质的混合物进入到形成在基底301和302上的薄膜中。因此，可均匀地形成薄膜，并且该薄膜具有优异的物理和化学特性。根据本实施例，第一安装表面321和第二安装表面322形成在架台320的两个表面上，并且第一基底301和第二基底302并发地(例如，同时地)形成在一个架台320上。因此，可进一步提高处理效率。另外，第一基底301和第二基底302相互平行地设置在架台320上，因此，其上形成有第一基底301和第二基底302的表面被形成为不相互面对，并且用于在每个表面上形成薄膜的薄膜沉积工艺不相互影响。因此，可在基底301和302 二者上并发地(例如，同时地)形成均匀且优异的薄膜。另外，在本实施例中，通过利用驱动单元350来移动架台320。因此，在移动第一基底301和第二基底302的同时执行沉积工艺。即，通过第一注入开口 331至第八注入开口 338顺序执行沉积工艺，因此，可极大地减少形成期望厚度的薄膜所花费的时间，并可提高相对于执行多个工艺的便利性。图5是根据本发明另一实施例的气相沉积装置400的示意性剖视图。参照图5，气相沉积装置400包括室410、架台420、注入单元430、掩模441和442以及驱动单元450。室410包括位于室410的下部上的排放开口(例如，排放孔)411。排放开口 411是排放气体的出口，并可结合(或连接)到泵，从而充分地执行排放。尽管在图5中未示出，但是室410由泵控制，以保持适当的压力(例如，预定的压力)。另外，用于加热室410的内部的加热单元(未示出)可设置在室410的内部或外部上，以提高薄膜沉积工艺的效率。架台420设置在室410内。架台420包括第一安装表面421和第二安装表面422。第一安装表面421和第二安装表面422与重力作用的方向平行地设置。即，第一安装表面421和第二安装表面422垂直于地面设置。为此,架台420垂直于地面设置。第一基底401和第二基底402设置在架台420上。更详细地讲，第一基底401安装在架台420的第一安装表面421上，第二基底402安装在架台420的第二安装表面422上。第一安装表面421和第二安装表面422相互平行。固定单元(未示出)可设置在第一安装表面421和第二安装表面422上，使得基底401和402可在被安装在第一安装表面421和第二安装表面422上之后被固定。固定单元(未示出)可为夹具、压缩单元、粘附材料或本领域技术人员所知的其它适合的材料。第一掩模441和第二掩模442设置在第一基底401和第二基底402上。更详 细地讲，第一掩模441设置在第一基底401上，第二掩模442设置在第二基底402上。如图3所示，第一掩模441和第二掩模442分别包括开口(未示出)，每个开口具有与将形成在第一基底401和第二基底402中的每个基底上的薄膜的图案对应的适合的形状(例如，预定的形状)。驱动单元450结合(或连接)到架台420。驱动单元450沿图5中示出的箭头M指示的方向或沿与箭头M指示的方向相反的方向传送架台420。即，驱动单元450沿图5中的X轴方向传送架台420。因此，第一基底401和第二基底402可沿垂直于第一基底401和第二基底402的上表面(即，将形成有薄膜的表面)的方向移动。注入单元430结合(或连接)到室410。通过注入单元430向第一基底401和第二基底402注入一种或多种气体。更详细地讲，注入单元430包括第一注入开口(例如，第一注入孔)431、第二注入开口(例如，第二注入孔)432、第三注入开口(例如，第三注入孔)433、第四注入开口(例如，第四注入孔)434、第五注入开口(例如，第五注入孔)435、第六注入开口(例如，第六注入孔)436、第七注入开口(例如，第七注入孔)437和第八注入开口(例如，第八注入孔)438。另外，沿第一基底401和第二基底402的移动方向布置第一注入开口 431至第八注入开口 438。即，第一注入开口 431至第八注入开口 438沿图5中的X轴方向布置并彼此间隔开。通过第一注入开口 431至第八注入开口 438将气体与基底401和402的表面方向平行地注入到室410中。即，通过第一注入开口 431至第八注入开口 438平行于重力作用的方向注入气体。更详细地讲，通过第一注入开口 431、第三注入开口 433、第五注入开口 435和第七注入开口 437注入源气S，通过第二注入开口 432、第四注入开口 434、第六注入开口 436和第八注入开口 438注入反应气体。在通过第一注入开口 431、第三注入开口 433、第五注入开口 435和第七注入开口437正注入源气S的同时，不通过第二注入开口 432、第四注入开口 434、第六注入开口 436和第八注入开口 438注入反应气体。在通过第一注入开口 431、第三注入开口 433、第五注入开口 435和第七注入开口 437注入源气S之后，通过第二注入开口 432、第四注入开口 434、第六注入开口 436和第八注入开口 438注入反应气体。另外，可通过第一注入开口 431、第三注入开口 433、第五注入开口 435和第七注入开口 437顺序地或并发地(例如，同时地)注入源气S。同样，可通过第二注入开口 432、第四注入开口 434、第六注入开口 436和第八注入开口 438顺序地或并发地(例如，同时地)注入反应气体。
然而，本发明不限于上述示例。即，可通过注入单元430的相同的注入开口注入源气S和反应气体。例如，注入单元430可包括第一注入开口 431、第三注入开口 433、第五注入开口 435和第七注入开口 437，并且可通过第一注入开口 431、第三注入开口 433、第五注入开口 435和第七注入开口 437顺序地注入源气S，然后可注入反应气体。现在将如下描述本实施例的气相沉积装置400的操作。将第一基底401和第二基底402分别安装在架台420的第一安装表面421和第二安装表面422上。在第一基底 401上设置第一掩模441，其中，第一掩模441具有与将形成在第一基底401上的薄膜的图案对应的掩模开口(未示出)。在第二基底402上设置第二掩模442，其中，第二掩模442具有与将形成在第二基底402上的薄膜的图案对应的掩模开口(未示出)。通过注入单元430的第一注入开口 431注入源气S。源气S被吸附在第一基底401和第二基底402的上表面上，具体地讲，源气S被吸附在与第一掩模441和第二掩模442的掩模开口(未不出)对应的部分上。之后，通过排放开口 411执行排放工艺,然后,在第一基底401和第二基底402的上表面上形成包括源气S的单层结构或多层结构的原子层。之后，通过注入单元430的第二注入开口 432注入反应气体。反应气体被吸附在第一基底401和第二基底402的上表面上，具体地讲，被吸附在与第一掩模441和第二掩模442的掩模开口(未示出)对应的部分上。然后，通过排放开口 411执行排放工艺，然后，在第一基底401和第二基底402的上表面上形成由反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。因此，在第一基底401和第二基底402的上表面上形成由源气S组分和反应气体组分形成的单层结构或多层结构的原子层，具体地讲，在与第一掩模441和第二掩模442的掩模开口(未示出)对应的部分上形成由源气S组分和反应气体组分形成的单层结构或多层结构的原子层。之后，通过使用驱动单元450，使架台420沿图5中的X轴方向移动，即，沿箭头M指示的方向移动。通过注入单元430的第三注入开口 433注入源气S。源气S被吸附到第一基底401和第二基底402的上表面上。之后，通过排放开口 411执行排放工艺，然后，在第一基底401和第二基底402的上表面上形成由源气S形成的单层结构或多层结构的原子层。另外，通过注入单元430的第四注入开口 434注入反应气体。反应气体被吸附在第一基底401和第二基底402的上表面上。然后，通过排放开口 411执行排放工艺，然后，在第一基底401和第二基底402的上表面上形成由反应气体形成的单层结构或多层结构的原子层。通过上述工艺，在通过第一注入开口 431和第二注入开口 432形成在第一基底401和第二基底402的上表面上的薄膜上在与第一掩模441和第二掩模442的掩模开口(未不出)对应的部分上另外地形成包括源气S组分和反应气体组分的单层结构或多层结构的原子层。然后，通过使用驱动单元450，使架台420沿图5中的X轴方向移动，即，沿箭头M指示的方向移动。与第一注入开口 431和第二注入开口 432类似，通过使用第五注入开口435和第六注入开口 436，在第一基底401和第二基底402上的与掩模开口(未示出)对应的部分上另外地形成薄膜。之后，通过使用驱动单元450，使架台420又沿图5中的X轴方向移动，即，沿箭头M指示的方向移动。然后,与第一注入开口 431和第二注入开口 432类似，通过使用第七注入开口 437和第八注入开口 438，在第一基底401和第二基底402上的与掩模开口(未示出)对应的部分上又形成薄膜。另外，在通过使用驱动单元450沿图5中的X轴方向(即，沿与箭头M相反的方向)移动架台420的同时，可按照与上述工艺的顺序相反的顺序再执行沉积工艺。之后，在沿图5中的X轴方向(即，沿箭头M指示的方向)移动架台420的同时，可进一步执行沉积工艺。通过上述工艺，可在一个室410内，在第一基底401和第二基底402上容 易地形成期望厚度的薄膜。即，可根据薄膜的期望厚度来调整架台420的移动距离。另外，在本实施例中，通过使用驱动单元450来移动架台420。因此，在移动第一基底401和第二基底402的同时执行沉积工艺。即，通过第一注入开口 431至第八注入开口 438顺序地执行沉积工艺，因此，极大地减少了形成期望厚度的薄膜所花费的时间，并提高了相对于执行多个工艺的便利性。第一掩模441和第二掩模442设置在第一基底401和第二基底402上，以容易形成期望的图案。另外，第一掩模441和第二掩模442用作当源气或反应气体被注入到室410中时防止源气S组分或反应气体组分被不必要地吸附在基底401和402上的障碍物。另外，可进一步改善通过气相沉积装置400形成的薄膜的特性。图6是根据本发明另一实施例的气相沉积装置500的示意性剖视图，图7是从图6中的方向A观察的气相沉积装置的示图。参照图6和图7，气相沉积装置500包括室510、架台520和注入单元530。室510包括位于室510的下部上的排放开口 511。排放开口 511是排放气体的出口，并且可结合(或连接)到泵，从而充分地执行排放。尽管在图6中未示出，但是室510由泵控制，以保持适当的压力(例如，预定的压力)。另外，用于加热室510的内部的加热单元(未示出)可设置在室510的内部或外部上，以提高薄膜沉积工艺的效率。架台520设置在室510内。架台520包括第一安装表面521、第二安装表面522、第三安装表面523和第四安装表面524。架台520具有四个侧表面，第一安装表面521至第四安装表面524分别设置在四个侧表面上。第一安装表面521至第四安装表面524平行于重力作用的方向设置。S卩，第一安装表面521至第四安装表面524垂直于地面设置。为此,架台520垂直于地面设置。参照图6和图7，架台520具有与长方体类似的形状。然而，本发明不限于此。即，架台520可形成为具有垂直于地面的多个侧表面的各种多边形，并且安装表面设置在侧表面上。第一基底501、第二基底502、第三基底503和第四基底504设置在架台520上。更详细地讲，第一基底501安装在架台520的第一安装表面521上，第二基底502安装在架台520的第二安装表面522上，第三基底503安装在架台520的第三安装表面523上，第四基底504安装在架台520的第三安装表面524上。
第一安装表面521和第二安装表面522相互平行，并且第三安装表面523和第四安装表面524相互平行。固定单元(未示出)可设置在第一安装表面521至第四安装表面524上，使得第一基底501至第四基底504可在被安装在第一安装表面521至第四安装表面524上之后被固定。固定单元(未示出)可为夹具、压缩单元、粘附材料或本领域技术人员所知的其它合适的材料。注入单元530被设置成结合(或连接)到室510。通过注入单元530向基底501和502注入一种或多种气体。更详细地讲，注入单元530包括第一注入开口(例如，第一注入孔)531和第二注入开口(例如，第 二注入孔)532，第一注入开口 531和第二注入开口 532沿与基底501和502的表面方向平行的方向注入气体。即，通过第一注入开口 531和第二注入开口 532与重力作用的方向平行地注入气体。更详细地讲，使用第一注入开口 531注入源气S，使用第二注入开口 532注入反应气体。在通过第一注入开口 531正注入源气S的同时，不通过第二注入开口 532注入反应气体，并且在通过第一注入开口 531注入源气S之后，通过第二注入开口 532注入反应气体。然而，本发明不限于此。即，注入单元530可仅包括一个注入开口。可通过一个注入开口顺序地注入源气S和反应气体。另外，可设置多个第一注入开口 531和多个第二注入开口 532，从而源气S和反应气体可被单独地注入到第一基底501至第四基底504上(或附近)。根据本实施例，从注入单元530沿与第一基底501至第四基底504的上表面平行的方向注入气体。具体地讲，第一基底501至第四基底504沿垂直于地面的方向设置，S卩，沿重力作用的方向设置。因此，当通过注入单元530注入气体并且气体被吸附在第一基底501至第四基底504上时，可减少第一基底501至第四基底504上的不必要地吸附的量。即，第一基底501至第四基底504上的不必要地吸附的组分以及其它不均匀集中的组分由于重力而下降，因此，减少了不必要的量。另外，通过设置在第一基底501至第四基底504的下部上的排放开口 511经排放工艺可容易去除不必要的气体组分。因此，在通过注入单元530的第一注入开口 531注入源气S之后，执行排放工艺而不需要利用其它吹扫气体执行吹扫工艺。之后，通过第二注入开口 532注入反应气体，执行排放工艺而不需要利用其它吹扫气体执行吹扫工艺，然后完成沉积工艺。结果，可极大地提高用于形成期望的薄膜的沉积工艺的效率。另外，可减少或防止不必要的气体组分的吸附，并且可减少或防止吹扫气体杂质的混合物进入到形成在第一基底501至第四基底504上的薄膜中。因此，可均匀地形成薄膜，并且该薄膜具有优异的物理和化学特性。另外，根据本发明的实施例，四个安装表面521至524形成在架台520的侧表面上，并且四个基底501至504并发地(例如，同时地)安装在一个架台上。因此，进一步提高了处理效率。另外，第一基底501和第二基底502相互平行地设置在一个架台520上，第三基底503和第四基底504相互平行地设置。因此，四个基底501至504的形成有薄膜的表面不相互面对，因此，分别对每个基底执行的薄膜沉积工艺不相互影响。因此，可在第一基底501至第四基底504中的每个基底上并发地(例如，同时地)形成均匀且优异的薄膜。
图8是通过根据本发明实施例的有机发光显示装置制造方法制造的有机发光显示装置10的示意性剖视图。更详细地讲，利用根据本发明实施例的气相沉积装置100、200、300,400或500制造图8中的有机发光显示装置10。参照图8，在基底30上形成有机发光显示装置10。基底30可由玻璃材料、塑料材料或金属材料形成。在基底30上形成缓冲层31，其中，缓冲层31在基底30的上部上形成平坦表面并包括用于防止湿气和杂质渗透到基底30中的绝缘材料。在缓冲层31上形成薄膜晶体管(TFT) 40、电容器50和有机发光器件60。TFT 40包括有源层41、栅极42和源极/漏极43。有机发光器件60包括第一电极61、第二电极62和中间层63。更详细地讲，在缓冲层31上形成有源层41 (例如，具有预定图案的有源层)。有 源层41可为P型或η型半导体。栅极绝缘层32形成在有源层41上。栅极42形成在栅极绝缘层32上以对应于有源层41。层间电介质33形成为覆盖栅极42。源极/漏极43形成在层间电介质33上以接触有源层41的区域(例如，预定的区域)。钝化层34形成为覆盖源极/漏极43，并且可在钝化层34上另外形成绝缘层，以使钝化层34平坦化。第一电极61形成在钝化层34上。第一电极61电连接到漏极43。另外，像素限定层35形成为覆盖第一电极61。开口(例如，预定的开口)64形成在像素限定层35中，并且包括有机发射层的中间层63形成在由开口 64限定的部分上。第二电极62形成在中间层63上。包封层70形成在第二电极62上。包封层70可包括有机或无机材料，或者可包括交替堆叠的有机和无机材料。可通过利用气相沉积装置100、200、300、400或500来形成包封层70。S卩，形成有
第二电极60的基底30被传送到室,并且执行气相沉积工艺来形成包封层70。然而，本发明不限于此。即，可通过利用根据本发明实施例的气相沉积装置来形成有机发光显示装置10的其它绝缘层，诸如缓冲层31、栅极绝缘层32、层间电介质33、钝化层34和像素限定层35。另外，可通过利用根据本发明实施例的气相沉积装置来形成各种导电薄膜，诸如有源层41、栅极42、源极/漏极43、第一电极61、中间层63和第二电极62。根据本发明实施例的气相沉积装置、气相沉积方法以及制造有机发光显示装置的方法，可有效地执行沉积工艺并可改善形成的薄膜的特性。尽管已经参照本发明的示例性实施例具体地示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在这里做出各种形式和细节上的改变。
权利要求
1.一种用于在多个基底上形成薄膜的气相沉积装置，所述装置包括 室，具有排放开口 ； 架台，位于室内，并包括多个安装表面，所述多个安装表面适于将所述多个基底安装在所述多个安装表面上； 注入单元，具有至少一个注入开口，所述至少一个注入开口将气体沿与所述多个基底的表面平行的方向注入到室中。
2.根据权利要求I所述的装置，其中，所述多个安装表面平行于重力作用的方向设置。
3.根据权利要求I所述的装置，其中，注入单元设置在架台上方。
4.根据权利要求I所述的装置，其中，所述多个安装表面包括相互平行设置的至少两个安装表面。
5.根据权利要求I所述的装置，其中，排放开口结合到泵。
6.根据权利要求I所述的装置，其中，通过注入开口顺序地注入源气和反应气体。
7.根据权利要求I所述的装置，其中，注入单元具有多个注入开口，通过所述多个注入开口独立地注入源气和反应气体。
8.根据权利要求I所述的装置，其中，排放开口比基底更靠近地面。
9.根据权利要求I所述的装置，所述装置还包括具有用于在基底上以期望的图案形成薄膜的掩模开口， 其中，掩模设置在基底上。
10.根据权利要求I所述的装置，所述装置还包括驱动单元，驱动单元被构造成当被安装在室内的架台上时驱动架台，以移动基底。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，驱动单元沿与基底的其上将形成薄膜的表面垂直的方向传送基底。
12.根据权利要求10所述的装置，其中，驱动单元沿与基底的其上将形成薄膜的表面垂直的方向往复地传送基底。
13.根据权利要求10所述的装置，其中，注入单元具有多个注入开口，所述多个注入开口沿基底移动的方向相互分隔开以在移动基底的同时多次执行沉积工艺。
14.根据权利要求I所述的装置，其中，所述多个安装表面分别位于架台的一侧和与所述一侧相对的一侧。
15.根据权利要求I所述的装置，其中，所述多个安装表面位于架台的所有侧。
16.一种用于在多个基底上形成薄膜的气相沉积方法，所述方法包括以下步骤 将所述多个基底分别安装在室内的架台的多个安装表面上； 通过注入单元将源气沿与基底的其上将形成薄膜的表面平行的方向注入到室内； 通过室的排放开口执行排放； 通过注入单元将反应气体沿与基底的所述表面平行的方向注入到室内； 通过室的排放开口执行排放。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，通过泵来执行排放。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，注入单元具有注入开口，通过注入开口顺序地注入源气和反应气体。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，注入单元具有多个注入开口，通过所述多个注入开口中的不同的注入开口分别注入源气和反应气体。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，安装基底的步骤包括将具有用于形成期望图案的薄膜的开口的掩模放置在基底上。
21.根据权利要求16所述的方法，其中，当基底被安装在架台上时，在沿与基底的所述表面垂直的方向移动基底时执行薄膜沉积。
22.一种制造有机发光显示装置的方法，所述有机发光显示装置包括位于多个基底上的多个薄膜，所述多个薄膜至少包括第一电极、包括有机发射层的中间层和第二电极，所述方法包括以下步骤 将所述多个基底安装在室内的架台的多个安装表面上； 通过注入单元将源气沿与基底的其上将形成薄膜的表面平行的方向注入到室内； 通过室的排放开口执行排放； 通过注入单元将反应气体沿与基底的所述表面平行的方向注入到室内； 通过室的排放开口执行排放。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，形成薄膜的步骤包括在第二电极上形成包封层。
24.根据权利要求22所述的方法，其中，形成薄膜的步骤包括形成绝缘层。
25.根据权利要求22所述的方法，其中，形成薄膜的步骤包括形成导电层。
全文摘要
本发明公开了气相沉积装置和方法以及制造有机发光显示装置的方法。该气相沉积装置能够执行薄膜沉积工艺并改善形成的薄膜的特性，并且该气相沉积装置包括室，具有排放开口；架台，位于室内，并包括多个安装表面，所述多个基底可安装在所述多个安装表面上；注入单元，具有至少一个注入开口，所述至少一个注入开口将气体沿与所述多个基底的表面平行的方向注入到室中。
文档编号H01L51/56GK102881548SQ201210180420
公开日2013年1月16日 申请日期2012年6月4日 优先权日2011年7月13日
发明者徐祥准, 金胜勋, 金镇圹, 宋昇勇 申请人:三星显示有限公司