一种节省布线的sram单元的设计方法
【专利摘要】本发明用于SRAM类电路的设计和制造，提出了一种节省布线的SRAM单元的设计方法，即：通过N井为单元提供供电，能减少一根金属线，有助于减少芯片面积和降低成本。
【专利说明】一种节省布线的SRAM单元的设计方法
【技术领域】
[0001]本发明用于SRAM类电路的设计和制造，提出了一种节省布线的SRAM单元的设计方法，即:通过N井为单元提供供电，能减少一根金属线，有助于减少芯片面积和降低成本。
【背景技术】
[0002]通常的SRAM单元，其存储核心由2个反接的反相器，由电源和地两根总线供电。对应的，需要提供两根总线的接触点。这占用了宝贵的面积。
【发明内容】
[0003]本发明的用意在于，在每个SRAM单元内减少一个接触点和电源总线相连。达到这个目的的方法是把反相器的供电转移到硅表面以上。其基本原理是:将DMOS管的源极(P+)通过矽化物与N井通过N+连接起来，而N井在整个内核阵列都是连续的。
【专利附图】
【附图说明】
[0004]图1是传统的SRAM单元电路。
[0005]图2是本发明的SRAM单元的等效电路。
【具体实施方式】
[0006]本发明在具体实现上，要充分考虑到N井电阻值对单元工作的影响，这需要在设计工作中建立等效电路，把N井带来的电阻网络充分考虑进去。
[0007]当单元阵列达到一定大小后，应当放tapping cell (加强单元),用金属导线练到电源总线，将N井电阻的影响降低到可承受的地步。
【权利要求】
1.一种节省布线的SRAM单元的设计方法。
2.一种符合权利要求1的设计，其特征在于，通过N井为每个单元供电，有利于减少电路的面积和降低成本。
3.一种符合权利要求1的设计，其特征在于，在每个SRAM单元内减少一个接触点和电源总线相连。
4.一种符合权利要求1及权利要求3的设计，其特征在于，把反相器的供电转移到硅表面以上。
5.一种符合权利要求4的设计，其特征在于，其基本原理是:将DMOS管的源极(P+)通过矽化物与N井通过N+连接起来，而N井在整个内核阵列都是连续的。
6.一种符合权利要求2的设计，其特征在于，具体实现上需充分考虑到N井电阻值对单元工作的影响，这需要在设计工作中建立等效电路，把N井带来的电阻网络充分考虑进去。
7.—种符合权利要求2的设计及权利要求6的设计,其特征在于，当单元阵列达到一定大小后，应当放tapping cell (加强连接的单元)，用金属导线连到电源总线，将N井电阻的影响降低到可承受的地步。
【文档编号】H01L27/11GK103515389SQ201210210013
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2012年6月25日 优先权日:2012年6月25日
【发明者】李煜文 申请人:上海摩晶电子科技有限公司