发光二极管及其制造方法
【专利摘要】一种发光二极管，其包括间隔设置的第一电极及第二电极、设于第一电极及第二电极之间的基板、及分别设置于第一电极及第二电极上顶面的发光芯片，所述第一电极的顶面位于所述第二电极顶面所在平面的一侧上方，从而使得所述发光芯片之间具有一高度差，所述基板的顶面的相对两端分别连接第一电极的顶面及第二电极的顶面相互靠近的一端，并且所述基板的顶面自靠近第一电极的一端朝向靠近第二电极的一端倾斜延伸。本发明还涉及一种发光二极管的制造方法。
【专利说明】发光二极管及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光元件及其制造方法，特别设计一种发光二极管及其制造方法。
【背景技术】
[0002]发光二极管(发光芯片)作为一种新兴的光源，目前已广泛应用于多种照明场合之中，并大有取代传统光源的趋势。
[0003]而在目前使用的白光发光芯片中，人们通常将蓝光发光芯片作为激发光源，激发YAG(Yttrium Aluminum Garnet，钇铝石榴石)荧光粉得到黄光，黄光和蓝光发光芯片发出的剩余的蓝光再混合后得到所需要的白光，但是这种方法得到的白光色温偏高，对人眼的刺激较大，难于满足普通的照明需求。
[0004]为了解决上述问题，通常会把红色荧光粉加入到黄色荧光粉中来加强白光中的红色成分，可以降低温，但是由于目前红色荧光粉具有较低的转换效率，其光通量大大降低，很难得到实际应用。为了解决这一问题，目前通常用红光芯片代替红色荧光粉，通过分别控制通过红光芯片和蓝光芯片的电流大小来产生低色温高显色性的白光，并取得了良好的效果，但是通常情况下，人们都把蓝光发光芯片与红光发光芯片固定于同一水平面相互靠近的位置上。然而如此设置的蓝光发光芯片与红光发光芯片发出的光线在二者靠近的内侧强度较大，在远离内侧的二相对外侧强度较弱，如此导致二者发出的光线混合后容易出现不均匀的情况，进而影响了整个发光二极管的发光效率。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，有必要提供一种发光效率较高的发光二极管。
[0006]一种发光二极管，其包括间隔设置的第一电极及第二电极、设于第一电极及第二电极之间的基板、及分别设置于第一电极及第二电极上顶面的发光芯片，所述第一电极的顶面位于所述第二电极顶面所在平面的一侧上方，从而使得所述发光芯片之间具有一高度差，所述基板的顶面的相对两端分别连接第一电极的顶面及第二电极的顶面相互靠近的一端，并且所述基板的顶面自靠近第一电极的一端朝向靠近第二电极的一端倾斜延伸。
[0007]一种发光二极管的制造方法，其包括:
提供第一电极及第二电极，使第一电极的顶面位于第二电极的顶面上方，且第一电极的顶面平行于第二电极的顶面；
提供基板，将该基板结合于第一电极及第二电极，且使基板的顶面相对两端分别连接第一电极的顶面及第二电极的顶面相互靠近的一端，并且所述基板的顶面自靠近第一电极的一端朝向靠近第二电极的一端倾斜延伸；
在该基板上形成开设有收容孔的封装体，该收容孔包括第一收容孔及第二收容孔；提供至少二发光芯片，将发光芯片分别固定于第一电极及第二电极的顶面上，从而使得所述发光芯片之间具有一高度差，且所述发光芯片分别位于第一收容部及第二收容部的底部；
切割封装体形成多个独立的发光二极管。
[0008]本发明提供的发光二极管，由于收容孔的内表面及基板顶面的反射作用，使得发光芯片具有较高的发光效率，且由于发光芯片均直接贴设于第一电极、第二电极的表面，从而通过该第一电极、第二电极增强了其散热效果，再由于该第一电极及第二电极之间形成一高度差，从而减少了发光芯片之间的相互影响，从而提高了其发光效果。另外，所述基板的顶面自靠近第一电极的一端朝向靠近第二电极的一端倾斜延伸，其较竖直面具有更好的反射效果，出光效率更高。
[0009]下面参照附图，结合【具体实施方式】对本发明作进一步的描述。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明提供的发光二极管的立体图。
[0011]图2至图11为本发明第一实施例中的发光二极管制造方法的各步骤示意图。
[0012]图12为本发明第二实施例中的发光二极管制造方法中第一挡墙及第二挡墙的制造步骤示意图。
[0013]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种发光二极管，其包括间隔设置的第一电极及第二电极、设于第一电极及第二电极之间的基板、及分别设置于第一电极及第二电极上顶面的发光芯片，其特征在于:所述第一电极的顶面位于所述第二电极顶面所在平面的一侧上方，从而使得所述发光芯片之间具有一高度差，所述基板的顶面的相对两端分别连接第一电极的顶面及第二电极的顶面相互靠近的一端，并且所述基板的顶面自靠近第一电极的一端朝向靠近第二电极的一端倾斜延伸。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于:所述基板的顶面为一斜面，所述第一电极的顶面及第二电极的顶面均为平面且平行设置。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于:所述基板的顶面与第一电极、第二电极的顶面之间形成一夹角，所述夹角的角度为40至60度之间。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于:所述夹角的角度为57.5度。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于:所述第一电极顶面所在的平面上方形成第一收容部，所述第一电极顶面所在的平面与第二电极的顶面之间形成形成第二收容部，所述发光芯片分别位于第一收容部及第二收容部的底部。
6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于:所述第一收容部朝向第一电极倾斜延伸的内表面与第一电极顶面之间形成的夹角等于所述第二收容部朝向第二电极倾斜延伸的内表面与第二电极顶面之间形成夹角，且该夹角的范围为40至60度之间。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于:所述夹角为57.5度。
8.一种发光二极管的制造方法，其包括: 提供第一电极及第二电极，使第一电极的顶面位于第二电极的顶面上方，且第一电极的顶面平行于第二电极的顶面； 提供基板，将该基板结合于第一电极及第二电极，且基板的顶面相对两端分别连接第一电极的顶面及第二电极的顶面相互靠近的一端，并且所述基板的顶面自靠近第一电极的一端朝向靠近第二电极的一端倾斜延伸； 提供至少二发光芯片，将所述发光芯片分别位于第一电极及第二电极的顶面上，从而使得所述发光芯片之间具有一高度差。
9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于:所述基板的顶面为斜面，且所述斜面与第一电极、第二电极的顶面之间形成的夹角为40至60度之间。
10.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法，其特征在于:所述斜面与第一电极、第二电极的顶面之间形成的夹角为57.5度。
【文档编号】H01L33/00GK103515519SQ201210210011
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2012年6月25日 优先权日:2012年6月25日
【发明者】林新强 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司