湿膜处理装置、系统和方法与流程

本发明涉及光学
技术领域：
，具体而言，涉及一种湿膜处理装置、系统和方法。
背景技术：
：QLED(量子点发光二极管)器件一般包括多层结构，如阴极、电子注入层、电子传输层、量子点层、空穴传输层、空穴注入层、阳极、以及其他一些功能层，各个膜层都比较薄，其制作是整个QLED器件制作的关键步骤，均匀平整的膜层的制备(尤其是量子点膜层的制备)是QLED器件具有良好发光性能的保障，但实际在喷墨打印制备的各个膜层的过程中，常会出现墨滴在被打印到基板上后分布不均匀的现象，以打印量子点墨水为例，湿膜干燥成膜后量子点层表面常会出现褶皱、或者出现中间厚边缘薄的现象，并且由于量子点墨水中的溶剂挥发速度很快，使得量子点墨水在像素坑中还没完全铺展开时，就已经干燥定形，这无疑更加剧了量子点墨水的不均匀程度，同样的问题也出现于其他膜层的制备中，这些都严重影响了最终QLED器件的发光质量。因此，通过喷墨打印得到的湿膜不均匀问题亟待解决。技术实现要素：本发明的主要目的在于提供一种湿膜处理装置、系统和方法，以解决现有技术制作的发光器件膜层均匀性差的问题。为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种湿膜处理装置，该湿膜处理装置包括：一密封腔体，所述密封腔体包括底部和气体接入口，所述底部设置有至少一个通孔，用于将通入所述气体接入口的气体从所述密封腔体内排出至待处理湿膜表面；一超声发生器，所述超声发生器固定地设置于所述密封腔体内，所述超声发生器发出的超声振动经由所述密封腔体和所述气体传递至所述待处理湿膜。进一步地，所述通孔中的至少一个还用于将从所述密封腔体排出的所述气体从所述待处理湿膜所在的空间移除。进一步地，所述湿膜处理装置内还设置有一个或多个第一抽气口，用于将从所述密封腔体排出的所述气体从所述待处理湿膜所在的空间移除。进一步地，所述第一抽气口设置于所述湿膜处理装置的底部。进一步地，所述底部为平面结构，所述第一抽气口位于所述底部的第一区域，所述通孔位于所述底部的第二区域，所述第一区域环绕在所述第二区域的外侧。进一步地，所述超声发生器对应设置于所述底部的通孔的上方。进一步地，所述通孔包括多个，优选所述通孔在所述底部成蜂窝结构排列。进一步地，所述湿膜处理装置还包括：离子发生器，设置于所述密封腔体内或与进气管道连接，用于使流经所述密封腔体的所述气体携带正和/或负电荷，其中，所述进气管道与所述气体接入口连接。进一步地，所述湿膜处理装置还包括：溶剂储液装置，设置于所述密封腔体内或与进气管道连接，用于为所述待处理湿膜提供气态溶剂，其中，所述进气管道与所述气体接入口连接。为了实现上述目的，根据本发明的另一个方面，提供了一种湿膜处理系统，该湿膜处理系统包括：载物平台，所述载物平台的上表面用于承载具有待处理湿膜的基板；上述的湿膜处理装置，设置于所述载物平台上的所述待处理湿膜上方位置。进一步地，所述湿膜处理系统为在密封[除了王兵提的都设置在密封腔体内之外，没有更好地想法，如果要加这个密封腔体的话，可如下，我认为是公知的，没有必要：进一步地，所述湿膜处理系统还包括：密封罩，所述密封罩具有容纳所述湿膜处理装置和所述载物平台的密封空间。]环境下工作，所述载物台的第三区域上设置有一个或多个第二抽气口，其中，所述载物台表面包括所述第三区域和用于放置所述基板的第四区域。为了实现上述目的，根据本发明的再一个方面，提供了一种湿膜处理方法，该湿膜处理方法包括：在载物平台的基板上设置墨水，所述基板上形成待处理湿膜；对所述待处理湿膜进行气体吹扫，并在所述待处理湿膜上方以所述气体为传递介质对所述待处理湿膜进行超声振动处理。进一步地，在对所述待处理湿膜进行气体吹扫，并在所述待处理湿膜上方以所述气体为传递介质对所述待处理湿膜进行超声振动处理之前，所述湿膜处理方法还包括：对气体进行负离子处理，得到带有正/负电荷的所述气体；对所述待处理湿膜进行气体吹扫包括：将所述带有正/负电荷的气体通入所述待处理湿膜的上方空间，以减少所述待处理湿膜的表面离子量。进一步地，对所述待处理湿膜进行气体吹扫包括：控制所述气体在距离所述待处理湿膜表面0.2mm至5mm的上方对所述待处理湿膜吹扫。进一步地，在对所述待处理湿膜进行气体吹扫，并在所述待处理湿膜上方以所述气体为传递介质对所述待处理湿膜进行超声振动处理之后，所述湿膜处理方法还包括：将吹扫后的所述气体从所述待处理湿膜所在的空间移除。进一步地，在对所述待处理湿膜进行气体吹扫，并在所述待处理湿膜上方以所述气体为传递介质对所述待处理湿膜进行超声振动处理同时，所述湿膜处理方法还包括：根据所述墨水中的溶剂种类准备同种溶剂；控制所述气体与气态的所述同种溶剂混合，以获得具有所述同种溶剂的气体；对所述待处理湿膜进行气体吹扫包括：将具有所述同种溶剂的气体通入所述待处理湿膜的上方空间。应用本发明的技术方案，提供了一种湿膜处理装置，该湿膜处理装置包括一密封腔体和一超声发生器，由于该密封腔体包括底部和气体接入口，其底部设置有至少一个通孔，从而可以将从气体接入口通入到密封腔体内的气体从该密封腔体内排出至待处理湿膜表面，并且该超声发生器固定地设置于密封腔体内，从而该超声发生器发出的超声振动可以经由密封腔体和气体传递至待处理湿膜，进而该待处理湿膜可在该超声振动的作用下，内部材料分布更加均匀，提高了湿膜干燥成膜后膜层的均匀性，解决了现有技术制作的发光器件膜层均匀性差的问题，实现了提高发光器件的发光质量的效果。另外，由于是在湿膜上方非接触的处理该待处理湿膜，避免了对其下面的其他制作好的膜层的损坏，保证了各个膜层的均匀性和完整度。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。附图说明构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：图1示出了本发明实施方式所提供的湿膜处理装置的剖面结构示意图；图2示出了本发明实施方式所提供的湿膜处理装置的底部结构示意图；图3示出了本发明实施方式所提供的湿膜处理系统的基板上的第二抽气口的示意图；图4示出了利用本发明实施例1所提供的湿膜处理装置处理后的膜层轮廓的示意图；以及图5示出了利用本发明对比例1所提供的湿膜处理装置处理后的膜层轮廓的示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：20、密封腔体；21、气体接入口；211、进气管道；22、底部；221、通孔；222、第一抽气孔；223、第二抽气口；224、第一区域；225、第二区域；23、抽气管道；24、离子发生器；26、溶剂储液装置；40、超声发生器；60、载物平台；602、第三区域；603、第四区域；62、基板；64、待处理湿膜；80、支撑结构；100、湿膜处理装置。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。为了使本
技术领域：
的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。正如
背景技术：
中所介绍的，现有技术中通过喷墨打印等方法制作的湿膜，由于溶剂挥发速率不同的原因，在干燥成膜时常出现均匀性差的问题，严重影响了最后制成的发光器件的质量。本申请的发明人针对上述问题进行研究，提出了一种湿膜处理装置，如图1所示，该湿膜处理装置包括：一密封腔体20和一超声发生器40，其中，该密封腔体20包括底部22和气体接入口21，底部22设置有至少一个通孔221(如图2所示)，用于将通入气体接入口21的气体从密封腔体20内排出至待处理湿膜64表面；该超声发生器40固定地设置于密封腔体20内，超声发生器40发出的超声振动经由密封腔体20和气体传递至待处理湿膜。本发明的湿膜处理装置包括一密封腔体和一超声发生器，由于该密封腔体包括底部和气体接入口，其底部设置有至少一个通孔，从而可以将从气体接入口通入到密封腔体内的气体从该密封腔体内排出至待处理湿膜表面，并且该超声发生器固定地设置于密封腔体内，从而该超声发生器发出的超声振动可以经由密封腔体和气体传递至待处理湿膜，进而该待处理湿膜可在该超声振动的作用下，内部材料分布更加均匀，提高了湿膜干燥成膜后膜层的均匀性，解决了现有技术制作的发光器件膜层均匀性差的问题，实现了提高发光器件的发光质量的效果。并且，由于是在湿膜上方非接触的处理该待处理湿膜，避免了在对最上面的待处理湿膜进行处理的同时对其下面的其他制作好的膜层的损坏，保证了包括待处理湿膜形成的膜层在内的各个膜层的均匀性和完整度。上述湿膜处理可以用于待处理湿膜干燥成膜之前的预干燥过程中，由于底部的通孔的气体也会吹扫在待处理湿膜的表面，这样有助于加快待处理湿膜的干燥速度，从而实现了使待处理湿膜既均匀又快速的干燥成膜的效果。在一个可选的实施例中，上述湿膜处理装置可以处理溶液法制作电致发光器件的各个膜层，这些膜层在未干燥成膜之前的湿膜即为上述的待处理湿膜，利用超声发生器发出的超声振动对各个待处理湿膜进行处理时，可选地，该超声发生器的声波频率范围为20KHZ～160MHZ，功率范围为30W～120KW，湿膜处理装置中的密封腔体底部与待处理湿膜之间的距离范围为1mm～50mm。优选地，在处理发光器件中的各个待处理膜层时可以选用不同的声波频率和功率的超声振动对其进行处理，例如，在处理空穴注入层(聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐，简称PEDOT：PSS)时，可以选用频率130KZ、功率为280W的超声振动进行处理，此时密封腔体与待处理湿膜之间的距离以2mm为宜，且该密封腔体底部与待处理膜层之间可以相对的水平和竖直移动，其中，相对水平移动的速度以100mm/min为宜；而在处理设置在空穴注入层上的空穴传输层(PVK)时、以及设置在空穴传输层上面的发光层(QDs)时，该湿膜处理装置宜采用频率95KZ、功率230W的超声振动对其进行处理，密封腔体与待处理膜层的间距以2.3mm为宜，且密封腔体底部与待处理膜层的相对移动速度以80mm/min为宜。在本发明提供的上述湿膜处理装置中，为了保证待处理膜层不受污染或空气中氧气和水的腐蚀，延长湿膜干燥成膜后的寿命，进而保证发光器件的发光质量，上述流经密封腔体后吹至待处理膜层表面的气体可以采用不与该待处理湿膜中的材料反应的气体，比如采用惰性气体或者氮气等。在上述气体对待处理膜层进行处理后，为保证待处理湿膜所在空间的环境不被污染，以及操作该湿膜处理装置的人员的安全，在一个可选的实施例中，上述通孔221除了在第一时间段用于从密封腔体中排出气体外，上述通孔221中的至少一个还可以在第二时间段中用于将从密封腔体20排出的气体从待处理湿膜所在的空间移除，从而保证了待处理膜湿膜所在空间的气体的流动。在另一个可选的实施例中，该湿膜处理装置内还设置有一个或多个第一抽气口222，用于将从密封腔体20排出的气体从待处理湿膜所在的空间移除。第一抽气口222可以设置于湿膜处理装置的非底面或底面，也可以设置于其他位置，比如用于放置待处理湿膜的载物台上，从而可以有效的将排出到待处理湿膜的气体抽走，并可以将该气体在回收过滤后实现循环利用。优选地，第一抽气口222设置于湿膜处理装置的底部22时，可以更好地对排出的气体进行移除，并且，当底部22为平面结构时，且第一抽气口222位于底部22的第一区域224，通孔221位于底部22的第二区域225，该第一区域224环绕在第二区域225的外侧，也即将第一抽气口222设置于底部22平面的通孔221的外侧，这样设置既确保了气体在待处理湿膜上表面的流动性，也使得排出的气体更彻底地通过第一抽气口抽走。上述可选实施例中的通孔221可以为一个，也可以为多个，并且优选地该多个通孔221可以在底部22成蜂窝结构排列，如图2所示，第一抽气口222可以设计成环状环绕在蜂窝结构排列的通孔221的外侧，具体的，第一抽气口222位于底部22的第一区域224，通孔221位于底部22的第二区域225(如图2所示的虚线所围的区域)，该第一区域224环绕在第二区域225的外侧，此时，可以使得排出的气体可以几乎全部的被抽走，同时各个方向上的气体的流动速度相同，确保了湿膜干燥成膜的均匀性。在上述湿膜处理装置中，为了保证超声振动可以更加有效地传递到待处理湿膜表面，超声发生器40可以对应设置于底部22的通孔221的上方，这样超声发生器发出的超声波产生的超声振动带动密封腔体的振动，从而提高流经其中的气体振动能量，设置在气体流出密封腔体的通孔的上方，可以使得大部分气体超声振动，并且振动的强度较高，有利于将更多的振动能量传递给待处理湿膜，进而提高了成膜的均匀性。在上述的湿膜处理装置中，为了更好地控制气体的流量，该湿膜处理装置还包括：气体流量阀，设置于气体接入口21上或者设置于密封腔体20外且与进气管道211连接，用于控制通入密封腔体20内的气体的流量，其中，进气管道211与气体接入口21连接；或者，设置于至少一个通孔221或抽气管道23上，用于控制排出密封腔体20的气体的流量，其中，抽气管道23与抽气孔222连接。通过上述实施例，可以控制气体接入到密封腔体的流量和气体排出密封腔体吹至待处理湿膜表面的流量，以及气体从待处理湿膜表面抽走的流量，从而可以根据实际的生产需要，精确控制气体的流动速度，以及是否需要气体流动，更好地控制湿膜处理装置，提高了装置的实用性。在本发明的湿膜处理装置中，为了能够让湿膜成膜更加均匀，湿膜处理装置还包括：离子发生器24，设置于密封腔体20内或与进气管道211连接，用于使流经密封腔体20的气体携带正和/或负电荷，其中，进气管道211与气体接入口21连接。通过上述实施例，气体经过离子发生器处理之后，可以携带正电荷、或负电荷、或同时具有正电荷和负电荷，经过具有电荷的气体吹扫过后，待处理膜层表面的静电被减弱或消除，保证了湿膜干燥成膜的过程中不受静电的干扰，从而使得成膜更加均匀，该离子发生器处理后的气体也可以在基板未设置待处理湿膜之前就开始吹扫，这样可以确保整个成膜的过程都免于静电的干扰。在本发明的湿膜处理装置中，为了能够在待处理湿膜干燥成膜的过程中保证湿膜铺展均匀，以及使得待处理湿膜的中间和边缘部分干燥速度趋于一致，该湿膜处理装置还可以包括：溶剂储液装置26，设置于密封腔体20内或与进气管道211连接，用于为待处理湿膜提供气态溶剂，其中，进气管道211与气体接入口21连接。上述实施例中溶剂储液装置可以储存溶剂，并且还可以为溶剂进行加热或者搅拌的操作，使溶剂可以更快地挥发，形成气态溶剂，并且上述待处理湿膜包括溶质和溶剂，其中的溶剂可以为一种或多种，上述的同种溶剂可以是与待处理湿膜中的一种溶剂相同，也可以是与待处理湿膜中的多种溶剂都相同，或者部分种类的溶剂相同的溶剂。通过上述实施例，可以将气体中具有溶剂液滴(气态溶剂)，使得气体处理待处理湿膜表面时，形成溶剂氛围，与湿膜中的溶剂同种的溶剂液滴可以减缓湿膜的干燥速度，从而使得湿膜有时间可以铺展的更开，并且湿膜中的溶质可以在溶剂中变得均匀。根据本发明的另一个方面，提供了一种湿膜处理系统，该湿膜处理系统包括：载物平台60，载物平台60的上表面用于承载具有待处理湿膜的基板62；以及上述实施例中的湿膜处理装置100，设置于载物平台60上的待处理湿膜64上方位置。本发明的湿膜处理系统包括载物平台和上述的湿膜处理装置，该载物平台上承载基板，基板上设置有待处理湿膜，该湿膜处理装置设置在载物平台的待处理湿膜的上方位置，该装置包括一密封腔体和一超声发生器，由于该密封腔体包括底部和气体接入口，其底部设置有至少一个通孔，从而可以将从气体接入口通入到密封腔体内的气体从该密封腔体内排出至待处理湿膜表面，并且该超声发生器固定地设置于密封腔体内，从而该超声发生器发出的超声振动可以经由密封腔体和气体传递至待处理湿膜，进而该待处理湿膜可在该超声振动的作用下，内部材料分布更加均匀，提高了湿膜干燥成膜后膜层的均匀性，解决了现有技术制作的发光器件膜层均匀性差的问题，实现了提高发光器件的发光质量的效果。并且，由于是在湿膜上方非接触的处理该待处理湿膜，避免了在对最上面的待处理湿膜进行处理的同时对其下面的其他制作好的膜层的损坏，保证了包括待处理湿膜形成的膜层在内的各个膜层的均匀性和完整度。为了可以使得上述的湿膜处理系统中的湿膜处理装置和载物平台更好地固定，该湿膜处理系统还可以包括：支撑结构80，与湿膜处理装置100和载物平台60连接，用于支撑湿膜处理装置100于载物平台60上方位置。可选的，该支架结构还具有调节机构，可以用来调节湿膜处理装置和载物平台之间的距离。在一个优选的实施例中，湿膜处理装置100的密封腔体20的底部与载物平台60上的待处理湿膜的基板62上表面之间的距离大于零且小于等于预设距离，其中，预设距离选自1mm～50mm。通过上述实施例，将湿膜处理装置和载物台之间设置合适的距离，可以使得载物台上的待处理湿膜可以更好地铺展、接受气体传递的超声振动的能量，有助于提高待处理湿膜干燥成膜的均匀性。上述的湿膜处理系统可以是开放的，也可以是密封的，若该湿膜处理系统在密封环境下工作时，比如可以在一密封罩内工作，该密封罩具有容纳湿膜处理装置和载物平台的密封空间，其通过湿膜处理装置中的通孔排出到待处理湿膜上表面的气体，可以通过一个或多个第一抽气口222或第二抽气口223移除出该湿膜处理系统所处的密封环境中，该第一抽气口222可以设置于湿膜处理装置的非底面或者底部；第二抽气口223可以设置于载物平台60上的第三区域602，其中，该载物台60表面包括第三区域602和用于放置该基板的第四区域603，如图3所示；或者设置于该湿膜处理系统中的其他位置。根据本发明的再一个方面，提供了一种湿膜处理方法，该湿膜处理方法包括：在载物平台的基板上设置墨水，基板上形成待处理湿膜；对待处理湿膜进行气体吹扫，并在待处理湿膜上方以气体为传递介质对待处理湿膜进行超声振动处理。通过采用本发明上述实施例，可以采用以气体为传递介质从上方对待处理湿膜进行超声振动处理的方式，使得该待处理湿膜也进行超声振动，其内部材料(包括溶剂和溶质)分布更加均匀，从而提高了湿膜干燥成膜后膜层的均匀性，解决了现有技术制作的发光器件膜层均匀性差的问题，实现了提高发光器件的发光质量的效果。并且在上方对待处理湿膜进行处理，可以避免超声振动对其他已经做好的膜层的损坏，从而提高了各个膜层的成膜的完整度和均匀性。在本发明的湿膜处理方法中，为了能够让湿膜成膜更加均匀，在对待处理湿膜进行气体吹扫，并在待处理湿膜上方以气体为传递介质对待处理湿膜进行超声振动处理之前，该湿膜处理方法还包括：对气体进行负离子处理，得到带有正/负电荷的气体；并且，对待处理湿膜进行气体吹扫可以包括：将带有正/负电荷的气体通入待处理湿膜的上方空间，以减少待处理湿膜的表面离子量。通过上述实施例，气体经过离子发生器处理之后，可以具有正电荷、或负电荷、或同时具有正电荷和负电荷，经过具有电荷的气体吹扫过后，待处理膜层表面的静电被减弱或消除，实现了湿膜干燥成膜的过程中不受静电的干扰的效果，从而使得成膜更加均匀，该离子发生器处理后的气体也可以在基板未设置待处理湿膜之前就开始吹扫，这样可以使得整个成膜的过程都免于静电的干扰。为使得待处理湿膜所在空间的环境不被污染，以及操作该湿膜处理装置的人员的安全，上述的湿膜处理方法中，在对待处理湿膜进行气体吹扫，并在待处理湿膜上方以气体为传递介质对待处理湿膜进行超声振动处理之后，该湿膜处理方法还可以包括：将吹扫后的气体从待处理湿膜所在的空间移除。在一个优选的实施例中，对待处理湿膜进行气体吹扫可以包括：控制气体在距离待处理湿膜表面0.2mm至5mm的上方对待处理湿膜吹扫。通过上述实施例，设置合适的距离进行气体吹扫，可以使得载物台上的待处理湿膜更好地铺展、接受气体传递的超声振动的能量，有助于提高待处理湿膜干燥成膜的均匀性。在本发明的湿膜处理方法中，为了能够在待处理湿膜干燥成膜的过程中保证湿膜铺展均匀，以及使得待处理湿膜的中间和边缘部分干燥速度趋于一致，在对待处理湿膜进行气体吹扫，并在待处理湿膜上方以气体为传递介质对待处理湿膜进行超声振动处理同时，湿膜处理方法还包括：根据墨水中的溶剂种类准备同种溶剂；控制气体与气态的同种溶剂混合，以获得具有同种溶剂的气体；并且，对待处理湿膜进行气体吹扫包括：将具有同种溶剂的气体通入待处理湿膜的上方空间。通过上述实施例，可以先让气体具有与待处理湿膜同种的溶剂，并通过将气体吹扫在待处理湿膜上方，使得待处理湿膜处于溶剂氛围中，并且随着气体的流动，使得溶剂氛围更加均匀，从而使得在这种溶剂氛围中的待处理膜层可以铺展的较开，并且能够减缓待处理膜层的溶剂蒸发速率，使得待处理湿膜中的溶质能够充分的分散均匀，从而提高了湿膜干燥成膜后的膜层的均匀性和发光器件的质量。下面将结合实施例进一步说明本发明提供的湿膜处理装置、湿膜处理系统以及湿膜处理方法。实施例1本实施例提供的湿膜处理装置包括：一密封腔体，该密封腔体包括底部和气体接入口，底部设置有一个通孔；该装置还包括一超声发生器，该超声发生器固定地设置于密封腔体内。实施例2本实施例提供的湿膜处理装置与实施例1的区别在于：底部设置有六个通孔，其中三个通孔还用于将从密封腔体排出的气体从待处理湿膜所在的空间移除。实施例3本实施例提供的湿膜处理装置与实施例1的区别在于：底部设置有六个通孔；还设置有四个第一抽气口，位于密封腔体表面上，用于将从密封腔体排出的气体从待处理湿膜所在的空间移除。实施例4本实施例提供的湿膜处理装置与实施例3的区别在于：通孔在底部成蜂窝结构排列；设置有四个第一抽气口，位于密封腔体底部，底部为平面结构，第一抽气口位于底部的第一区域，通孔位于底部的第二区域，第一区域环绕在第二区域的外侧。超声发生器对应设置于底部的通孔的上方。实施例5本实施例提供的湿膜处理装置与实施例3的区别在于：该湿膜处理装置还包括：离子发生器，设置于密封腔体内，用于使流经密封腔体的气体具有正电荷，其中，进气管道与气体接入口连接。实施例6本实施例提供的湿膜处理装置与实施例5的区别在于：该湿膜处理装置还包括：溶剂储液装置，设置与进气管道连接，用于为待处理湿膜提供气态溶剂。实施例7本实施例提供的湿膜处理系统包括：载物平台，载物平台的上表面用于承载具有待处理湿膜的基板；湿膜处理装置，设置于载物平台上的待处理湿膜上方位置。湿膜处理装置的密封腔体的底部与载物平台上的待处理湿膜的基板上表面之间的距离等于5mm。实施例8本实施例提供的湿膜处理系统与实施例7的区别在于：该湿膜处理系统还包括：支撑结构，与湿膜处理装置和载物平台连接，用于支撑湿膜处理装置于载物平台上方位置，湿膜处理装置的密封腔体的底部与载物平台上的待处理湿膜的基板上表面之间的距离等于0.2mm。该湿膜处理系统为密封系统，一个或多个第一抽气口设置于载物平台上。实施例9本实施例提供的湿膜处理方法包括如下步骤：S01，提供具有像素隔离结构的TFT基板，像素隔离结构具有50×50个相互隔离的子像素区域，该TFT基板为有阳极层的基板，且阳极层为ITO阳极；S02，采用喷墨打印工艺使作为空穴注入层墨水的PEDOT:PSS的水溶液进入对应的子像素区域中，形成待处理湿膜；S03，将子像素区域中的待处理湿膜(空穴注入层墨水)放置在实施例7中的湿膜处理系统中的载物平台上，并采用实施例1中的湿膜处理装置通过设置在底部的通孔对待处理湿膜进行惰性气体吹扫，并在待处理湿膜上方以该惰性气体为传递介质对待处理湿膜进行超声振动处理，以使待处理膜层干燥后形成均匀的空穴注入层，其中，超声振动处理的频率为20KHZ，功率范围为30W；S04，再次执行步骤S02至S03，在上述重复过程的步骤S02中采用空穴传输层对应的墨水，且空穴传输层对应的墨水为聚(9-乙烯基)咔唑(PVK)的甲苯溶液，以在步骤S03中形成空穴传输层；S05，再次执行步骤S02至S03，在上述重复过程的步骤S02中采用量子点材料墨水，且量子点材料墨水为CdSe/ZnS的癸烷溶液，以在步骤S03中形成发光层；S06，再次执行步骤S02至S03，在上述重复过程的步骤S02中采用电子传输层对应的墨水和电子注入层对应的墨水，且电子传输层对应的墨水和电子注入层对应的墨水为ZnO的丁醇溶液，以在步骤S03中形成电子传输层及电子注入层；S07，在电子注入层的远离第一电极基板的一侧蒸镀第二电极，形成阴极层的材料为Ag。实施例10本实施例提供的湿膜处理方法与实施例9的区别在于：在步骤S03中采用实施例2中的湿膜处理装置通过设置于底部的通孔对待处理湿膜进行气体吹扫，并在待处理湿膜上方以气体为传递介质对待处理湿膜进行超声振动处理，并在吹扫一段时间后停止吹扫，通过底面的三个通孔将吹扫后的气体从待处理湿膜所在的空间移除，然后再停止移除，进行吹扫，这样反复操作。实施例11本实施例提供的湿膜处理方法与实施例9的区别在于：在步骤S03中采用实施例3中的湿膜处理装置通过设置于密封腔体底面上的六个通孔对待处理湿膜进行惰性气体吹扫，并在待处理湿膜上方以惰性气体为传递介质对待处理湿膜进行超声振动处理，该超声发生器的声波频率范围为160MHZ，功率范围为120KW，与此同时，还通过设置于密封腔体表面上的四个第一抽气口将从密封腔体排出的惰性气体从待处理湿膜所在的空间移除。实施例12本实施例提供的湿膜处理方法与实施例11的区别在于：在步骤S03中采用实施例4中的湿膜处理装置通过设置于密封腔体底面上的成蜂窝结构排列的六个通孔对待处理湿膜进行惰性气体吹扫，并在待处理湿膜上方以惰性气体为传递介质对待处理湿膜进行超声振动处理，与此同时，还通过设置于密封腔体底面上且在六个通孔所在区域的外侧的四个第一抽气口将从密封腔体排出的惰性气体从待处理湿膜所在的空间移除，其中，在处理空穴注入层时，选用频率130KZ、功率为280W的超声振动进行处理，此时密封腔体与待处理湿膜之间的距离为2mm，且该密封腔体底部与待处理膜层的相对水平移动速度为100mm/min；在处理设置在空穴注入层上的空穴传输层、以及设置在空穴传输层上面的发光层时，该湿膜处理装置采用频率95KZ、功率230W的超声振动进行处理，密封腔体与待处理膜层的间距为2.3mm，且密封腔体底部与待处理膜层的相对移动速度为80mm/min。。实施例13本实施例提供的湿膜处理方法与实施例12的区别在于：在步骤S03中采用实施例5中的湿膜处理装置，在利用惰性气体进行吹扫之前，对该惰性气体进行负离子处理，使惰性气体经过设置于密封腔体内的离子发生器后得到带有正电荷的惰性气体，以除去该待处理湿膜表面的负电荷。实施例14本实施例提供的湿膜处理方法与实施例13的区别在于：在步骤S03中将子像素区域中的待处理湿膜(空穴注入层墨水)放置在实施例8中的湿膜处理系统中的载物平台上，并采用实施例6中的湿膜处理装置对待处理湿膜进行惰性气体吹扫，以及通过设置与载物平台上的第一抽气口将惰性气体从待处理膜层所在空间移除，并在待处理湿膜上方以气体为传递介质对待处理湿膜进行超声振动处理，与此同时，在惰性气体进行吹扫之前，通过设置与进气管连接的装有与湿膜具有同种溶剂的溶液储液装置，使得经过该溶液储液装置后的惰性气体混合有气态的同种溶剂，该溶液储液装置具有加热和搅拌的功能，再将具有同种溶剂的气体通入待处理湿膜的上方空间。对比例1本对比例提供的湿膜处理方法包括以下步骤：S001，提供具有像素隔离结构的TFT基板，像素隔离结构具有50×50个相互隔离的子像素区域，TFT基板为有阳极层的基板，且阳极层为ITO阳极；S002，采用喷墨打印工艺使作为空穴注入层墨水的PEDOT:PSS的水溶液进入对应的子像素区域中，形成待处理湿膜；S003，将子像素区域中的待处理湿膜(空穴注入层墨水)在喷墨打印的机台上常温常压下自然干燥，形成空穴注入层；S004，再次执行步骤S002至S003，在上述重复过程的步骤S002中采用空穴传输层对应的墨水，且空穴传输层对应的墨水为聚(9-乙烯基)咔唑(PVK)的甲苯溶液，在形成待处理湿膜(空穴传输层对应的墨水)后，在喷墨打印的机台上使待处理湿膜在常温常压下自然干燥，在步骤S003中形成空穴传输层；S005，再次执行步骤S002至S003，在上述重复过程的步骤S002中采用量子点材料墨水，且量子点材料墨水为CdSe/ZnS的癸烷溶液，在形成待处理湿膜(量子点材料墨水)后，在喷墨打印的机台上使待处理湿膜在常温常压下自然干燥，溶液自然干燥后，以在步骤S003中形成发光层；S006，再次执行步骤S002至S003，在上述重复过程的步骤S002中采用电子传输层对应的墨水和电子注入层对应的墨水，且电子传输层对应的墨水和电子注入层对应的墨水为ZnO的丁醇溶液，在形成待处理湿膜(ZnO的丁醇溶液)后，在喷墨打印的机台上使待处理湿膜在常温常压下自然干燥，以在步骤S003中形成电子传输及注入层；S007，在电子注入层的远离第一电极基板的一侧蒸镀第二电极，形成阴极层的材料为Ag。对比例2本对比例提供的湿膜处理方法与对比例1的区别在于：在上述步骤S002至步骤S005中，在形成待处理湿膜之后，在打印机台下面设置超声振动装置，超声振动装置通过打印机台的传递，从下方依次对步骤S002至步骤S005中的待处理膜层进行超声振动。对上述实施例和对比例中发光器件的亮度均匀度进行测试，测试方法为：采用PHOTORESEARCH公司生产的PR670光谱光度/色度/辐射度计，在电流密度为2mA/cm2的条件下，测试实施例中的发光器件中平均分配的21个点的亮度(单位Cd/m2)，并通过计算公式算出亮度均匀度＝(Max-Min)/(2Ave)，且Ave＝(L1+L2+L3+……+L20+L21)/21，其中Max是指21个数据中亮度最大的值，Min指其中亮度最小的值，Ave是指各点的亮度平均值，L1、L2……L21代表各点的亮度值。亮度均匀度的值越小，表示其发光越均匀，膜层的厚度均匀度越好，测结果如表1所示：表1名称亮度均匀度％实施例947.2实施例1047.6实施例1147.8实施例1248.0实施例1348.1实施例1448.3对比例123.5对比例240.2从上述测试结果可以看出，采用本发明提供的湿膜处理装置对待处理湿膜(包括未干燥成膜的发光层和各功能层)进行处理得到的发光器件，其光电性能远大于未利用上述湿膜处理装置进行前期处理的发光器件的光电性能，并且也大于仅利用超声处理装置在湿膜下方进行超声振动处理的发光器件的光电性能。并且，通过台阶仪对利用上述实施例1和对比例1处理后的量子点墨水干燥后的膜层进行测量，得到的膜层轮廓分别如图4和图5所示。从图4和图5中可以看出，图4所示的实施例1中的利用本发明的湿膜处理装置处理后的膜层均匀度较好，而图5中的直接对量子点墨水进行自然干燥的情况下，干燥后的膜层出现了两边高中间低的咖啡环现象，由上述对比可知，湿膜处理装置能够实现有效减弱甚至消除膜层干燥后的咖啡环现象的效果。从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：1、由于本发明提供的湿膜处理装置采用近距离非接触的处理模式对湿膜表面进行处理，解决了湿膜的各个区域因溶剂挥发速率不同而导致的干燥后膜层形貌不均匀的问题，且相比于现有的设置在打印基台下面的超声装置，避免了从下方接触式的超声振动处理对待处理湿膜下面已制备好的膜层或基板的破坏，以及解决了从下方超声振动导致干燥后的各个膜层间的粘接牢固程度下降的问题，从而实现了在保证发光器件中各个膜层的完整度的情况下，提高各个膜层的均匀性和发光器件的发光质量的效果。2、采用本发明提供的湿膜处理装置可通入具有电荷的气体，有效地减少了每一层湿膜中的有害电荷，避免了待处理湿膜成膜时受到静电因素的影响，提高了待处理湿膜干燥成膜后的均匀性和发光器件的发光质量。3、本发明提供的湿膜处理装置由于具有独立的腔体，从而无需在打印设备上改进，成本较低，且操作灵活。4、本发明提供的湿膜处理装置的密封腔体上或者湿膜处理系统中的载物平台上设置有用于抽气的第一抽气口，有助于在湿膜处理时将用于吹扫的气体和湿膜里挥发出来的溶剂彻底排出，防止污染环境。以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。当前第1页1 2 3