专利名称：单次湿膜制线方法
技术领域：
本发明涉及一种单次湿膜制线方法，属于触控面板线路制程技术领域。
背景技术：
单片式玻璃触控可以减少贴合次数、节省材料成本，同时可以减轻应用装置的重量，而这一点对平板电脑来说尤其重要。从感应线路的良率成本看来，面板内嵌式触控方案成本显然较高。单片式玻璃触控方案，在感应线路过程中出现不良品，所产生的损失仅是表面玻璃而已，但是面板内嵌式触控方案就是整块面板报废掉。若是采用单片式玻璃触控方案，品牌对于触控控制芯片的掌控权会比较完整，不仅可以选择合适的触控控制芯片以求搭配、与终端的操作系统平台优化；也可以因应不同的终端机构设计作触控效能的微调，而且在触控控制芯片与面板的供货商选择上也较为自由。玻璃材料的好处是可以承受较高的制程温度、耐受性高，也因此在进行透明导电材料触控感应层溅镀时，往往可以有较好的阻抗值；玻璃材料可以应用于蚀刻印刷的方式实现感应线路。本发明创造正是利用玻璃基材的优良物理特性，采用半透光罩方法曝光显影减少湿膜次数，提高线路良率，降低材料成本，进一步简化制程。
发明内容
技术问题本发明针对玻璃基材触控方式，采用半透光罩曝光显影蚀刻减少湿膜次数，提出一种线路良率高，可以简化制程，能降低触控面板体的厚度和生产成本，不要再次大资本投入新技术设备的单次湿膜制线方法。技术方案本发明公开了一种单次湿膜制线方法，包括如下步骤在千级无尘室中进行；玻璃基膜、氧化铟锡镀膜、金属镀膜依次堆叠；采用湿膜方式将正型光阻涂布在金属镀膜上；视窗内预设感应线路区域做半透光罩，视窗周边预设金属线路区域做不透光罩， 剩余区域全透光设置；整个光阻面曝光30秒钟 45秒钟；浓度3 %的氢氧化钾溶液第一次显影30秒钟 45秒钟，使感应线路区域的光阻厚度被显影掉一半；浓度4. 0摩尔/升 5. 0摩尔/升的氯化铜第一次蚀刻掉全透光区域内金属和氧化铟锡；浓度5 %的氢氧化钾溶液第二次显影35秒钟 50秒钟，使视窗感应线路区域内光阻被全部显影掉；金属线路上残留一半厚度的光阻；浓度0. 5摩尔/升 1. 0摩尔/升的氯化铁蚀刻金属，清除视窗区内的金属，在视窗周边形成金属线路，蚀刻面脱膜。上述光阻厚度为8微米 12微米，金属为铜钛合金。
有益效果本发明公开了单次湿膜制线方法，通过采用半透光罩曝光显影蚀刻减少湿膜次数，实现产品良率和触控精准度高，还可以简化制程降低触控面板体的厚度和生产成本，不要再次大资本投入新技术设备。
图1是本发明的制作流程示意框图。
具体实施例方式下面是本发明的具体实施例来进一步描述图1所示，本发明的单次湿膜制线方法，包括如下步骤在千级无尘室中进行；玻璃基膜、氧化铟锡镀膜、金属镀膜依次堆叠；采用湿膜方式将正型光阻涂布在金属镀膜上；视窗内预设感应线路区域做半透光罩，视窗周边预设金属线路区域做不透光罩， 剩余区域全透光设置；整个光阻面曝光30秒钟 45秒钟；浓度3 %的氢氧化钾溶液第一次显影30秒钟 45秒钟，使感应线路区域的光阻厚度被显影掉一半；浓度4. 0摩尔/升 5. 0摩尔/升的氯化铜第一次蚀刻掉全透光区域内金属和氧化铟锡；浓度5 %的氢氧化钾溶液第二次显影35秒钟 50秒钟，使视窗感应线路区域内光阻被全部显影掉；金属线路上残留一半厚度的光阻；浓度0. 5摩尔/升 1. 0摩尔/升的氯化铁蚀刻金属，清除视窗区内的金属，在视窗周边形成金属线路，蚀刻面脱膜。上述光阻厚度为8微米 12微米，金属为铜钛合金。实施例1 单次湿膜制线方法，包括如下步骤在千级无尘室中进行；玻璃基膜、氧化铟锡镀膜、金属镀膜依次堆叠；采用湿膜方式将正型光阻涂布在金属镀膜上；视窗内预设感应线路区域做半透光罩，视窗周边预设金属线路区域做不透光罩， 剩余区域全透光设置；整个光阻面曝光30秒钟；浓度3%的氢氧化钾溶液第一次显影30秒钟，使感应线路区域的光阻厚度被显影
掉一半；浓度4. 0摩尔/升的氯化铜第一次蚀刻掉全透光区域内金属和氧化铟锡；浓度5%的氢氧化钾溶液第二次显影35秒钟，使视窗感应线路区域内光阻被全部显影掉；金属线路上残留一半厚度的光阻；浓度0. 5摩尔/升的氯化铁蚀刻金属，清除视窗区内的金属，在视窗周边形成金属线路，蚀刻面脱膜。上述光阻厚度为8微米，金属为铜钛合金。
4
实施例2 单次湿膜制线方法，包括如下步骤在千级无尘室中进行；玻璃基膜、氧化铟锡镀膜、金属镀膜依次堆叠；采用湿膜方式将正型光阻涂布在金属镀膜上；视窗内预设感应线路区域做半透光罩，视窗周边预设金属线路区域做不透光罩， 剩余区域全透光设置；整个光阻面曝光45秒钟；浓度3%的氢氧化钾溶液第一次显影45秒钟，使感应线路区域的光阻厚度被显影
掉一半；浓度5. 0摩尔/升的氯化铜第一次蚀刻掉全透光区域内金属和氧化铟锡；浓度5%的氢氧化钾溶液第二次显影50秒钟，使视窗感应线路区域内光阻被全部显影掉；金属线路上残留一半厚度的光阻；浓度1. 0摩尔/升的氯化铁蚀刻金属，清除视窗区内的金属，在视窗周边形成金属线路，蚀刻面脱膜。上述光阻厚度为12微米，金属为铜钛合金。实施例3 单次湿膜制线方法，包括如下步骤在千级无尘室中进行；玻璃基膜、氧化铟锡镀膜、金属镀膜依次堆叠；采用湿膜方式将正型光阻涂布在金属镀膜上；视窗内预设感应线路区域做半透光罩，视窗周边预设金属线路区域做不透光罩， 剩余区域全透光设置；整个光阻面曝光38秒钟；浓度3%的氢氧化钾溶液第一次显影37秒钟，使感应线路区域的光阻厚度被显影
掉一半；浓度4. 5摩尔/升的氯化铜第一次蚀刻掉全透光区域内金属和氧化铟锡；浓度5%的氢氧化钾溶液第二次显影38秒钟，使视窗感应线路区域内光阻被全部显影掉；金属线路上残留一半厚度的光阻；浓度0. 7摩尔/升的氯化铁蚀刻金属，清除视窗区内的金属，在视窗周边形成金属线路，蚀刻面脱膜。上述光阻厚度为10微米，金属为铜钛合金。
权利要求
1.一种单次湿膜制线方法，包括如下步骤，其特征在于所述步骤在千级无尘室中进行；玻璃基膜、氧化铟锡镀膜、金属镀膜依次堆叠； 将正型光阻涂布在金属镀膜上；视窗内预设感应线路区域做半透光罩，视窗周边预设金属线路区域做不透光罩，剩余区域全透光设置；整个光阻面曝光30秒钟 45秒钟；浓度3%的氢氧化钾溶液第一次显影30秒钟 45秒钟，使感应线路区域的光阻厚度被显影掉一半；浓度4. 0摩尔/升 5. 0摩尔/升的氯化铜第一次蚀刻掉全透光区域内金属和氧化铟锡；浓度5%的氢氧化钾溶液第二次显影35秒钟 50秒钟，使视窗感应线路区域内光阻被全部显影掉；金属线路上残留一半厚度的光阻；浓度0. 5摩尔/升 1. 0摩尔/升的氯化铁蚀刻金属，清除视窗区内的金属，在视窗周边形成金属线路，蚀刻面脱膜。
2.如权利要求1所述单次湿膜制线方法，其特征在于所述光阻厚度为8微米 12微米。
3.如权利要求1所述单次湿膜制线方法，其特征在于所述金属为铜钛合金。
全文摘要
本发明公开了一种单次湿膜制线方法，属于触控面板线路制程技术领域。发明通过采用半透光罩曝光显影蚀刻减少湿膜次数，实现产品良率和触控精准度高，还可以简化制程降低触控面板体的厚度和生产成本，不要再次大资本投入新技术设备。
文档编号H05K3/06GK102548227SQ20121000242
公开日2012年7月4日 申请日期2012年1月6日 优先权日2012年1月6日
发明者陈栋南 申请人:牧东光电(苏州)有限公司