专利名称：片式层压电容器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种片式层压电容器，该片式层压电容器能够在向其供电时降低内电极之间产生的声噪音，同时实现小型化并具备高电容。
背景技术：
随着对小体积且多功能电子设备的趋势，对嵌入电子设备中的紧凑、高电容的片式层压电容器的需求也增加。为了降低片式层压电容器的体积并增加其电容，需要使用高介电常数(highdielectric permittivity)的材料(例如,钛酸钡(barium titanate))作为形成介电层的陶瓷材料。当将交流电压和直流电压施加在包括具有高介电常数的材料形成的介电层的片式层压电容器上，内电极之间会产生压电现象并且会产生振动。基于相同的电容，在芯片相对较大并且介电层的介电常数较高的情况下，上述振动可能过大。所述振动从片式层压电容器的外电极传递至电路板，所述片式层压电容器安装在所述电路板上。在这种情况中，所述电路板振动，以产生共振。S卩，当所述电路板的振动产生的共振在听得见的频率(20至20，OOOHz)范围内时，电路板内的振动的声音可能会使人感觉不快，其中所述振动声音被称作声噪音。因此，由于使用铁电材料(ferroelectric material)的层压陶瓷电容器中的压电现象而产生的声噪音会导致一些电子设备中的严重缺陷。声噪音可能是设置有层压陶瓷电容器的电子设备中产生噪音的一个因素。
发明内容
本发明的一方面提供一种片式层压电容器,即使在介电层的介电常数和介电层的厚度降低的情况下，所述片式层压电容器仍然具有降低的声噪音。根据本发明的实施方式，提供一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括陶瓷本体，该陶瓷本体包括介电层，该介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多，并且所述介电层的厚度为3 μ m或更小；第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极形成在所述陶瓷本体的长度方向的两端；第一带部和第二带部，该第一带部和第二带部分别形成为从所述第一外电极和所述第二外电极在所述陶瓷本体的长宽(L-W)平面上沿所述长度方向向内延伸，所述第一带部和所述第二带部具有不同的长度；以及第三带部和第四带部，该第三带部和第四带部分别形成为从所述第一外电极和所述第二外电极在所述陶瓷本体的长厚(L-T)平面上沿所述长度方向向内延伸，所述第三带部和所述第四带部具有不同的长度。
第五带部和第六带部形成在所述陶瓷本体的表面上，该表面沿层压方向与所述陶瓷本体上的形成有所述第一带部和所述第二带部的一个表面相对设置，第七带部和第八带部形成在所述陶瓷本体的表面上，该表面沿宽度方向与所述陶瓷本体上的形成有所述第三带部和所述第四带部的一个表面相对设置，以及第一带部至第八带部满足以下条件(I)、
(2)、(3)和(4)中的至少一个3% ( BffaveI/L ( 40%(I)3% ( Bffave2/L ( 40%(2)3% ^ Bffave3/L ^ 40%⑶，以及3% ( Bffave4/L ( 40%(4)其中，BWavel表示所述第一带部的长度Al和所述第二带部的长度A2的平均值， Bffavel = (A1+A2)/2,Bffave2表示所述第三带部的长度BI和所述第四带部的长度B2的平均值，Bffave2=(Bl+B2)/2, Bffave3表示所述第五带部的长度Cl和所述第六带部的长度C2的平均值，BWaVe3=(Cl+C2)/2，BWaVe4表示所述第七带部的长度Dl和所述第八带部的长度D2 的平均值，Bffave4=(D l+D2)/2，以及Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，BI表示所述第三带部的长度，B2表示所述第四带部的长度，Cl表示所述第五带部的长度，C2表示所述第六带部的长度，Dl表示所述第七带部的长度，以及D2表示所述第八带部的长度。在所述陶瓷本体的一个表面上的带部的长度之间的差值的绝对值和所述BWavel至81&^4可以满足以下条件(5)、(6)、(7)和(8)中的至少一个5% 彡 I A1-A2 | /Bffavel ^ 20% (5)5% 彡 I B1-B2 | /Bffave2 ^ 20% (6)5% ( I C1-C2 I /Bffave3 ( 20% (7)，以及5% 彡 I D1-D2 | /Bffave4 ( 20% (8)其中，Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，BI表示所述第三带部的长度，B2表示所述第四带部的长度，Cl表示所述第五带部的长度，C2表示所述第六带部的长度，Dl表示所述第七带部的长度，以及D2表示所述第八带部的长度，其中Cl幸C2并且Dl幸D2。根据本发明的另一种实施方式，提供一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极形成在陶瓷本体的长度方向的两端，所述陶瓷本体具有六面体形状；以及第一带部至第八带部，该第一带部至第八带部分别从所述第一外电极和所述第二外电极沿所述陶瓷本体的长度方向向内延伸，所述第一带部至第八带部分别沿长宽(L-W)平面在第一表面和第三表面上并且沿长厚(L-T)平面在第二表面和第四表面上彼此相对形成，其中，形成在所述第一表面至所述第四表面中的至少一个上的带部的长度彼此不同，以及在所述第一表面至所述第四表面中的至少一个上的一个带部的长度与具有与所述一个带部相同的极性并且形成在与所述一个带部形成的表面连续的另一个表面上的另一个带部的长度不同。形成在所述第一表面上的所述第一带部和形成在所述第二表面上的所述第三带部可以具有不同的长度。具有相同的极性并且形成在彼此相对的表面上的带部的长度可以彼此不同。
在所述陶瓷本体的相同表面上的彼此相对的带部的高度可以彼此不同。所述介电层的厚度可以为3 μ m或更小，并且所述介电层的厚度可以为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多。所述第一带部至第八带部可以满足以下条件(1)、(2)、(3)和(4)中的至少一个3% ( BffaveI/L ( 40% (I)3% ( Bffave2/L ( 40% (2)3% ( Bffave3/L ( 40% (3)，以及3% ( Bffave4/L ( 40% (4)
其中，BWavel表示所述第一带部的长度和所述第二带部的长度的平均值，Bffavel = (Al+A2)/2，BWave2表示所述第三带部的长度和所述第四带部的长度的平均值，Bffave2=(Bl+B2)/2, Bffave3表示所述第五带部的长度和所述第六带部的长度的平均值，Bffave3=(Cl+C2)/2, BWave4表示所述第七带部的长度和所述第八带部的长度的平均值，Bffave4= (Dl+D2)/2,以及Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，BI表示所述第三带部的长度，B2表示所述第四带部的长度，Cl表示所述第五带部的长度，C2表示所述第六带部的长度，Dl表示所述第七带部的长度，以及D2表示所述第八带部的长度。在所述陶瓷本体的一个表面上的带部的长度之间的差值的绝对值和所述BWavel至81&^4可以满足以下条件(5)、(6)、(7)和(8)中的至少一个5% 彡 I A1-A2 | /Bffavel ^ 20% (5)5% ( I B1-B2 | /Bffave2 ( 20% (6)5% ( I C1-C2 I /Bffave3 ( 20% (7)，以及5% 彡 I D1-D2 | /Bffave4 ^ 20% (8)其中，Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，BI表示所述第三带部的长度，B2表示所述第四带部的长度，Cl表示所述第五带部的长度，C2表示所述第六带部的长度，Dl表示所述第七带部的长度，以及D2表示所述第八带部的长度，其中Cl幸C2并且Dl幸D2。根据本发明的还一种实施方式，提供一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括陶瓷本体，该陶瓷本体包括第一内电极和第二内电极，该陶瓷本体具有设置在所述第一内电极和所述第二内电极之间的介电层，该介电层的厚度为3μπι或更小；第一外电极，该第一外电极形成在所述陶瓷本体的长度方向的一端上并且连接于所述第一内电极，所述第一外电极包括第一带部，该第一带部形成在所述陶瓷本体的第一表面上；第三带部，该第三带部形成在所述陶瓷本体的第二表面上；第五带部，该第五带部形成在所述陶瓷本体的第三表面上，该第三表面与所述陶瓷本体的第一表面相对；以及第七带部，该第七带部形成在所述陶瓷本体的第四表面上，该第四表面与所述陶瓷本体的第二表面相对；以及第二外电极，该第二外电极形成在所述陶瓷本体的长度方向的另一端上并且连接于所述第二内电极，所述第二外电极包括第二带部，该第二带部形成在所述陶瓷本体的所述第一表面上；第四带部，该第四带部形成在所述陶瓷本体的所述第二表面上；第六带部，该第六带部形成在所述陶瓷本体的所述第三表面上；以及第八带部，该第八带部形成在所述陶瓷本体的所述第四表面上，其中，沿所述介电层的厚度方向位于在所述第一内电极和所述第二内电极之间的晶粒的数量为10或更多，形成在所述第一表面至所述第四表面中的至少一个上的带部的长度彼此不同，以及所述第一带部至第八带部满足以下条件(I)、(2)、(3)和(4)中的至少一个3% ( BffaveI/L ( 40% (I)3% ( Bffave2/L ( 40% (2)3% ( Bffave3/L ( 40% (3)，以及3% ( Bffave4/L ( 40% (4)其中，BWavel表示所述第一带部的长度和所述第二带部的长度的平均值，Bffavel = (Al+A2)/2，BWave2表示所述第三带部的长度和所述第四带部的长度的平均值，Bffave2=(Bl+B2)/2, Bffave3表示所述第五带部的长度和所述第六带部的长度的平均值，Bffave3=(Cl+C2)/2, BWave4表示所述第七带部的长度和所述第八带部的长度的平均值， Bffave4= (Dl+D2)/2。在所述陶瓷本体的一个表面上的带部的长度之间的差值的绝对值和所述BWavel至81&^4可以满足以下条件(5)、(6)、(7)和(8)中的至少一个5% 彡 I A1-A2 | /Bffavel ^ 20% (5)5% 彡 I B1-B2 | /Bffave2 ^ 20% (6)5% ( I C1-C2 I /Bffave3 ( 20% (7)，以及5% 彡 I D1-D2 | /Bffave4 ( 20% (8)Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，BI表示所述第三带部的长度，B2表示所述第四带部的长度，Cl表示所述第五带部的长度，C2表示所述第六带部的长度，Dl表示所述第七带部的长度，以及D2表示所述第八带部的长度。
本发明的上述和其它方面、特征和优点将在下面结合附图详细描述中更加清楚的理解，其中图I是显示根据本发明的实施方式的片式层压电容器的去除部分的立体示意图；图2是沿图I中的11-11’线的片式层压电容器的剖面示意图；图3A至图3D分别显示形成在图I中的片式层压电容器的外表面的外电极的带部的长度的平面示意图；图4A和图4B是图I中的A部分和B部分的放大的立体示意图；图5是外电极的带部的放大的剖面示意图；以及图6是用于测量本发明的实施方式的带部的长度的剖面示意图。
具体实施例方式现在将结合附图对本发明的实施方式进行详细描述。然而，应当注意的是，本发明的精神并不仅限于此处阐述的实施方式，并且本领域技术人员以及理解本发明的人员能够通过在本发明的范围内添加、修改和移除部件来容易地实现在本发明范围内的退步发明(retrogressive invention)或其他实施方式,但是上述退步发明或其他实施方式被视为在本发明包括的范围内。
此外，在本发明范围内的所有附图中，相同的附图标记将被用于标示具有相同功能的相同部件。片式层压陶瓷电容器图I是显示根据本发明的实施方式的片式层压电容器的去除部分的立体示意图。图2是沿图I中的11-11’线的片式层压电容器的剖面示意图。图3A至图3D分别显示形成在图I中的片式层压电容器的外表面的外电极的带部的长度的平面示意图。结合图I至图3，片式层压电容器10可以包括陶瓷本体12、第一外电极14、第二外电极 16 和带部 142、144、146、148、162、164、166 和 168。在陶瓷基板(ceramic green sheet)上涂敷导电膏，以在陶瓷基板上形成内电极20，具有形成在陶瓷基板上的内电极20的几片陶瓷基板层压然后烧结可以制造陶瓷本体12。可以通过重复地层压多个介电层40和内电极20来形成陶瓷本体12。·
陶瓷本体12可以形成为六面体形状。由于陶瓷粉末在芯片烧结时的烧结收缩，陶瓷本体12并不是具有完全直线的六面体形状，但是陶瓷本体12可以大致为六面体形状。为了更清楚地阐明本发明的实施方式，定义六面体的方向，可以将图I中的‘L’向定义为‘长度方向’。此外，‘W’向可以被定义为‘宽度方向’，并且‘T’方向可以被定义为‘厚度方向’。在这种情况下，厚度方向可以被用作与介电层的堆叠方向相同的概念，即层压方向。在图I中的实施方式中，提供了一种片式层压电容器10，该片式层压电容器10为长方体形，该长方体形的长度方向大于宽度方向或厚度方向。作为形成介电层40的材料，可以使用具有高介电常数的陶瓷粉末，以实现高电容。作为陶瓷粉末，例如，可以使用钛酸钡(BaT i O3)基粉末、钛酸锶(SrT i O3)基粉末等作为陶瓷粉末，但是并不限于此。此外，当烧结具有平均尺寸小的铁电陶瓷粉末后，其晶粒尺寸相对减小，铁电介电常数也可以减小。根据本发明的实施方式并不因介电层40的介电常数而受限。在本发明的实施方式中，单层介电层40的厚度td等于或小于3 μ m，并且形成单层介电层40的每个陶瓷晶粒42的平均粒径可以小于或等于0.3 μ m。即，烧结的片式层压陶瓷电容器10的单层介电层40的厚度可以等于或大于单层介电层40中包括的每个晶粒42的平均粒径的10倍。在这种情况下，介电层40的厚度td可以指位于内电极20之间的单层介电层40的平均厚度。如图2所示，可以通过扫描利用扫描电镜(SBO沿陶瓷本体12的长度方向扫描陶瓷本体12的纵截面获得的图像来测量介电层40的厚度。如图2所示，例如，可以通过沿长度方向在等距的30个点处测量任意一层介电层40的厚度，然后取测得厚度值的平均值，从而获得介电层40厚度的平均值。所述任意一层介电层40提取自利用扫描电镜扫描陶瓷本体12沿宽度方向W的中部剖切的长度和厚度方向(L-T)的剖面而获得的图像。可以在电容形成部确定所述等距的30个点，所述电容形成部表示第一内电极22和第二内电极24互相重叠的区域。此外，当通过扩展至测量多达10层的介电层40来测量所述介电层的厚度平均值时，各个介电层的平均厚度可能更有普遍性。此外，还可以通过利用扫描电镜(SBO扫描从长度方向的中部剖切得到宽度方向和厚度方向(W-T)的剖面所获得的图像来测量介电层40的平均厚度。在这种情况下，陶瓷本体12的宽度方向W的中部或长度方向L的中部可以被限定为陶瓷本体12的宽度方向W或长度方向L的中点开始，在陶瓷本体12的宽度或长度的30%范围内的点。同时，可以通过分析由扫描电镜(SEM)提取的介电层的截面图像来测量介电层40的各个晶粒42的平均尺寸。例如，可以利用支持美国试验材料学会(ASTM) E112所规定的晶粒平均尺寸标准测量方法的晶粒测量软件来测量介电层40的晶粒42的平均尺寸。在这种情况下，陶瓷本体12的宽度方向W的中部或长度方向L的中部可以被限定为层压本体的宽度方向W或长度方向L的中点开始，在陶瓷本体12的宽度或长度的30%范围内的点。同时，可以通过分析由扫描电镜(SEM)提取的介电层的截面图像来测量介电层40的晶粒的平均尺寸。例如，介电层40的晶粒42的平均尺寸。例如，可以利用支持美国试验 材料学会(ASTM) E112所规定的晶粒平均尺寸标准测量方法的晶粒测量软件来测量介电层40的晶粒42的平均尺寸。根据本发明的实施方式，可以通过降低晶粒42的平均尺寸来降低陶瓷的介电常数。此外，通过将各个介电层40的厚度设定为3 μ m或更小，可以将很多层的介电层40层压在尺寸相同的芯片上。因此，可以在小尺寸芯片中实现高电容。内电极20可以包括第一内电极22和第二内电极24，其中，第一内电极22和第二内电极24可以与第一外电极14和第二外电极16电连接。同时，为了降低声噪音，可以通过降低介电层40内的晶粒42的平均尺寸和降低介电层40的厚度td来实现低介电常数。如上所述，当通过降低介电层40的厚度td和晶粒的平均尺寸实现层压陶瓷电容器10的低介电常数时，可以降低噪音。然而，由于层压陶瓷电容器10被制造为陶瓷本体12内的第一内电极20和第二内电极22之间的距离(即，介电层40的厚度)被设定为3 μ m或更小且介电层40内的晶粒的数量为10个或更多，所以显著降低了噪音。通过下表可以很容易地理解上文。表I
权利要求
1.一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括 陶瓷本体，该陶瓷本体包括介电层，该介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多，并且所述介电层的厚度为3 μ m或更小； 第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极形成在所述陶瓷本体的长度方向的两端； 第一带部和第二带部，该第一带部和第二带部分别形成为从所述第一外电极和所述第二外电极在所述陶瓷本体的长宽(L-W)平面上沿所述长度方向向内延伸，所述第一带部和所述第二带部具有不同的长度；以及 第三带部和第四带部，该第三带部和第四带部分别形成为从所述第一外电极和所述第二外电极在所述陶瓷本体的长厚(L-T)平面上沿所述长度方向向内延伸，所述第三带部和所述第四带部具有不同的长度。
2.根据权利要求I所述的片式层压电容器，其中，第五带部和第六带部形成在所述陶瓷本体的表面上，该表面沿层压方向与所述陶瓷本体上的形成有所述第一带部和所述第二带部的一个表面相对设置， 第七带部和第八带部形成在所述陶瓷本体的表面上，该表面沿宽度方向与所述陶瓷本体上的形成有所述第三带部和所述第四带部的一个表面相对设置，以及 所述第一带部至第八带部满足以下条件(1)、(2)、(3)和(4)中的至少一个 3% ^ BffaveI/L ^ 40% (I) 3% ( Bffave2/L ( 40% (2) 3% ( Bffave3/L ( 40% (3)，以及 3% ( Bffave4/L ( 40% (4) 其中，Bffavel表示所述第一带部的长度Al和所述第二带部的长度A2的平均值，Bffavel= (A1+A2)/2, Bffave2表示所述第三带部的长度BI和所述第四带部的长度B2的平均值，Bffave2=(Bl+B2)/2, Bffave3表示所述第五带部的长度Cl和所述第六带部的长度C2的平均值，BWave3= (C1+C2) /2,Bffave4表示所述第七带部的长度Dl和所述第八带部的长度D2的平均值，Bffave4=(Dl+D2)/2,以及 Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，BI表示所述第三带部的长度，B2表示所述第四带部的长度，Cl表示所述第五带部的长度，C2表示所述第六带部的长度，Dl表示所述第七带部的长度，以及D2表示所述第八带部的长度。
3.根据权利要求2所述的片式层压电容器，其中，在所述陶瓷本体的一个表面上的带部的长度之间的差值的绝对值和所述BWavel至BWave4满足以下条件(5)、(6)、(7)和(8)中的至少一个5% 彡 I A1-A2 I /Bffavel ^ 20% (5)5% ( I B1-B2 I /Bffave2 ( 20% (6) 5% ( I C1-C2 I /Bffave3 ( 20% (7)，以及 5% 彡 I D1-D2 I /Bffave4 ( 20% (8) 其中，Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，BI表示所述第三带部的长度，B2表示所述第四带部的长度，Cl表示所述第五带部的长度，C2表示所述第六带部的长度，Dl表示所述第七带部的长度，以及D2表示所述第八带部的长度，其中Cl古C2并且Dl关D2。
4.一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括 第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极形成在陶瓷本体的长度方向的两端，所述陶瓷本体具有六面体形状；以及第一带部至第八带部，该第一带部至第八带部分别从所述第一外电极和所述第二外电极沿所述陶瓷本体的长度方向向内延伸，所述第一带部至第八带部分别沿长宽(L-W)平面在第一表面和第三表面上并且沿长厚(L-T)平面在第二表面和第四表面上彼此相对形成，其中，形成在所述第一表面至所述第四表面中的至少一个上的带部的长度彼此不同，以及 在所述第一表面至所述第四表面中的至少一个上的一个带部的长度与具有与所述一个带部相同的极性并且形成在与所述一个带部形成的表面连续的另一个表面上的另一个带部的长度不同。
5.根据权利要求4所述的片式层压电容器，其中，形成在所述第一表面上的所述第一带部和形成在所述第二表面上的所述第三带部具有不同的长度。
6.根据权利要求4所述的片式层压电容器，其中，具有相同的极性并且形成在彼此相对的表面上的带部的长度彼此不同。
7.根据权利要求4所述的片式层压电容器，其中，在所述陶瓷本体的相同表面上的彼此相对的带部的高度彼此不同。
8.根据权利要求4所述的片式层压电容器，其中，所述介电层的厚度为3μ m或更小，并且所述介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多。
9.根据权利要求4所述的片式层压电容器，其中，所述第一带部至第八带部满足以下条件(I)、(2)、(3)和(4)中的至少一个 3% ( BffaveI/L ( 40% (I) 3% ( Bffave2/L ( 40% (2) 3% ( Bffave3/L ( 40% (3)，以及 3% ( Bffave4/L ( 40% (4) 其中，BWavel表示所述第一带部的长度和所述第二带部的长度的平均值，Bffavel=(Al+A2)/2，BWave2表示所述第三带部的长度和所述第四带部的长度的平均值，Bffave2=(Bl+B2)/2, Bffave3表示所述第五带部的长度和所述第六带部的长度的平均值，Bffave3=(Cl+C2)/2, BWave4表示所述第七带部的长度和所述第八带部的长度的平均值，Bffave4= (Dl+D2)/2,以及 Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，BI表示所述第三带部的长度，B2表示所述第四带部的长度，Cl表示所述第五带部的长度，C2表示所述第六带部的长度，Dl表示所述第七带部的长度，以及D2表示所述第八带部的长度。
10.根据权利要求9所述的片式层压电容器，其中，在所述陶瓷本体的一个表面上的带部的长度之间的差值的绝对值和所述BWave I至BWave4满足以下条件(5 )、( 6 )、( 7 )和(8 )中的至少一个5% 彡 I A1-A2 I /Bffavel ^ 20% (5)5% ( I B1-B2 I /Bffave2 ( 20% (6)5% ≤ I C1-C2 I /Bffave3 ≤ 20% (7)，以及 5% ≤ I D1-D2 I /Bffave4 ≤ 20% (8) 其中，Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，BI表示所述第三带部的长度，B2表示所述第四带部的长度，Cl表示所述第五带部的长度，C2表示所述第六带部的长度，Dl表示所述第七带部的长度，以及D2表示所述第八带部的长度，其中Cl古C2并且Dl关D2。
11.一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括 陶瓷本体，该陶瓷本体包括第一内电极和第二内电极，该陶瓷本体具有设置在所述第一内电极和所述第二内电极之间的介电层，该介电层的厚度为3μπι或更小； 第一外电极，该第一外电极形成在所述陶瓷本体的长度方向的一端上并且连接于所述第一内电极，所述第一外电极包括 第一带部，该第一带部形成在所述陶瓷本体的第一表面上； 第三带部，该第三带部形成在所述陶瓷本体的第二表面上； 第五带部，该第五带部形成在所述陶瓷本体的第三表面上，该第三表面与所述陶瓷本体的第一表面相对；以及 第七带部，该第七带部形成在所述陶瓷本体的第四表面上，该第四表面与所述陶瓷本体的第二表面相对；以及 第二外电极，该第二外电极形成在所述陶瓷本体的长度方向的另一端上并且连接于所述第二内电极，所述第二外电极包括 第二带部，该第二带部形成在所述陶瓷本体的所述第一表面上； 第四带部，该第四带部形成在所述陶瓷本体的所述第二表面上； 第六带部，该第六带部形成在所述陶瓷本体的所述第三表面上；以及 第八带部，该第八带部形成在所述陶瓷本体的所述第四表面上， 其中，沿所述介电层的厚度方向位于所述第一内电极和所述第二内电极之间的晶粒的数量为10或更多， 形成在所述第一表面至所述第四表面中的至少一个上的带部的长度彼此不同，以及 所述第一带部至第八带部满足以下条件(I)、(2)、(3)和(4)中的至少一个 3% ≤ BffaveI/L ≤ 40% (I) 3% ≤ Bffave2/L ≤ 40% (2) 3% ≤ Bffave3/L ≤ 40% (3)，以及 3% ≤Bffave4/L ≤ 40% (4) 其中，Bffavel表示所述第一带部的长度和所述第二带部的长度的平均值，Bffavel=(Al+A2)/2，BWave2表示所述第三带部的长度和所述第四带部的长度的平均值，Bffave2=(Bl+B2)/2, Bffave3表示所述第五带部的长度和所述第六带部的长度的平均值，Bffave3=(Cl+C2)/2, BWave4表示所述第七带部的长度和所述第八带部的长度的平均值，Bffave4= (Dl+D2)/2。
12.根据权利要求11所述的片式层压电容器，其中，在所述陶瓷本体的一个表面上的带部的长度之间的差值的绝对值和所述BWavel至BWave4满足以下条件(5)、(6)、(7)和(8)中的至少一个5% 彡 I A1-A2 I /Bffavel ( 20% (5) 5% ( I B1-B2 I /Bffave2 ( 20% (6) 5% ( I C1-C2 I /Bffave3 ( 20% (7)，以及 5% 彡 I D1-D2 I /Bffave4 ( 20% (8) Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，BI表示所述第三带部的长度，B2表示所述第四带部的长度，Cl表示所述第五带部的长度，C2表示所述第六带部的长度，Dl表示所述第七带部的长度，以及D2表示所述第八带部的长度。
全文摘要
本发明提供一种片式层压电容器，包括陶瓷本体，该陶瓷本体包括介电层，该介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多，并且介电层的厚度为3μm或更小；第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极形成在陶瓷本体的长度方向的两端；第一带部和第二带部，该第一带部和第二带部分别形成为从第一外电极和第二外电极在陶瓷本体的长宽(L-W)平面上沿长度方向向内延伸，第一带部和第二带部具有不同的长度；以及第三带部和第四带部，该第三带部和第四带部分别形成为从第一外电极和第二外电极在陶瓷本体的长厚(L-T)平面上沿所述长度方向向内延伸，第三带部和第四带部具有不同的长度。
文档编号H01G4/30GK102842427SQ201210212600
公开日2012年12月26日 申请日期2012年6月21日 优先权日2011年6月23日
发明者宋永圭, 李炳华, 朴珉哲, 宋永训, 李美希 申请人:三星电机株式会社