一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆，由主导体和副导体组成，主导体外包覆有主复合绝缘层，副导体外包覆有副复合绝缘层，主复合绝缘层和副复合绝缘层外设有隔离层，隔离层外包覆有复合屏蔽层，复合屏蔽层外包覆有护套层，护套层上涂覆有防护层。所述的一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆，采用复合型屏蔽层，能够有效屏蔽外界强的电磁干扰，使外界的电磁干扰对电缆不会产生任何影响，保证了电缆的正常使用，提高了设备的稳定性。
【专利说明】—种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆
【技术领域】
[0001]本发明涉及核电电缆的领域，尤其是一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆。【背景技术】
[0002]核电站使用环境要求核电站用电缆具有高电性能、高阻燃性和抗辐射性。核电站用电缆产品按用途分为核电站电力电缆、核电站控制电缆、核电站仪表测量电缆、核电站补偿电缆；按安装区域分为Kl类电缆、K2类电缆、K3类电缆，Kl类和K3类电缆属于IE级核电站用电缆。
[0003]目前使用的电缆的屏蔽层均为单一结构，其屏蔽性能差，对于一些存在强的干扰源，则无法有效地全部阻挡，其不能保证产品性能的稳定性。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是:为了克服上述中存在的问题，提供了一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆，其设计结构合理并且屏蔽效果好。
[0005]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆，由主导体和副导体组成，所述的主导体外包覆有主复合绝缘层，副导体外包覆有副复合绝缘层，主复合绝缘层和副复合绝缘层外设有隔离层，隔离层外包覆有复合屏蔽层，复合屏蔽层外包覆有护套层，护套层上涂覆有防护层。
[0006]为了提高绝缘性能，所述的主复合绝缘层和副复合绝缘层均是交联聚乙烯绝缘层。
[0007]为了提高抗干扰能力，提高屏蔽性能，所述的复合屏蔽层是由镀锡铜丝和铝塑带编织而成的屏蔽层。
[0008]进一步地，可以根据实际使用需求，所述的主导体横截面直径大于副导体横截面直径。
[0009]本发明的有益效果是:所述的一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆，采用复合型屏蔽层，能够有效屏蔽外界强的电磁干扰，使外界的电磁干扰对电缆不会产生任何影响，保证了电缆的正常使用，提高了设备的稳定性。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
[0011]图1是本发明所述的一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆的整体结构示意图。
[0012]附图中标记分述如下:1、主导体，2、副导体，3、主复合绝缘层，4、副复合绝缘层，5、隔离层，6、复合屏蔽层，7、护套层，8、防护层。
【具体实施方式】[0013]现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
[0014]如图1所示的一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆，由主导体I和副导体2组成，主导体I横截面直径大于副导体2横截面直径，在主导体I外包覆有主复合绝缘层3，副导体2外包覆有副复合绝缘层4，在主复合绝缘层3和副复合绝缘层4外设有隔离层5，隔离层5外包覆有由镀锡铜丝和铝塑带编织而成的复合屏蔽层6，复合屏蔽层6外包覆有护套层7，护套层7上涂覆有防护层8。
[0015]本发明的一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆，设有用镀锡铜丝和铝塑带编织而成的复合屏蔽层6，在电缆中起到了很好的屏蔽作用，有效地屏蔽了外界的电磁干扰，使外界的电磁干扰对电缆不会影响，能够保证电缆正常运行，从而保证了整个信号的精确传输和传输过程的稳定性。
[0016]以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
【权利要求】
1.一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆，其特征是:由主导体(I)和副导体(2)组成，所述的主导体(I)外包覆有主复合绝缘层(3)，副导体(2)外包覆有副复合绝缘层(4)，主复合绝缘层(3)和副复合绝缘层(4)外设有隔离层(5)，隔离层(5)外包覆有复合屏蔽层(6)，复合屏蔽层(6)外包覆有护套层(7)，护套层(7)上涂覆有防护层(8)。
2.根据权利要求1所述的一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆，其特征是:所述的主复合绝缘层(3)和副复合绝缘层(4)均是交联聚乙烯绝缘层。
3.根据权利要求1所述的一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆，其特征是:所述的复合屏蔽层(6)是由镀锡铜丝和铝塑带编织而成的屏蔽层。
4.根据权利要求1所述的一种耐辐射复合屏蔽型核电双芯控制电缆，其特征是:所述的主导体(I)横截面的直径大于副导体(2)横截面直径。
【文档编号】H01B7/02GK103545030SQ201210235238
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2012年7月8日 优先权日:2012年7月8日
【发明者】吴翰 申请人:金坛沃德丰电子科技有限公司