专利名称：显示装置的制作方法
技术领域：
所描述的技术总体上涉及一种显示装置。更具体地说，所描述的技术总体上涉及一种包括有机发光二极管的显示装置。
背景技术：
显示装置是一种用于显示图像的装置，近来，包括有机发光二极管(OLED)显示器的显示装置已经引起重视。不同于液晶显示器(IXD)，OLED显示器是自发射的并且不需要光源，所以整个显示装置的厚度和质量可以减小，以增强显示装置的柔性特性。另外，OLED显示器展示出诸如低功耗、高亮度以及高响应速度的高品质特性。传统OLED显示器设置在基底上，并且包括:栅极布线，栅极布线沿预定方向延伸；数据布线，数据布线延伸为与栅极布线交叉，绝缘层在数据布线和栅极布线之间；像素，像素连接到栅极布线和数据布线并且包括0LED。在该背景部分中公开的上述信息 仅意在增强对所描述技术的背景的理解，因此，它可能包含对本领域普通技术人员而言未形成在本国已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
所描述的技术致力于提供一种控制因栅极布线与数据布线交叉的部分处的静电使绝缘层击穿的显示装置。—个示例性实施提供一种显示装置，所述显示装置包括:第一绝缘层，位于基底上；栅极布线，位于第一绝缘层上，栅极布线沿第一方向延伸；第二绝缘层，位于栅极布线上；数据布线，位于第二绝缘层上，数据布线沿与第一方向交叉的第二方向延伸；像素，分别位于栅极布线和数据布线的交叉区域处，像素连接到相应的栅极布线和数据布线；数据引导二极管，具有岛状形式并且连接到数据布线，数据引导二极管被构造为当外部静电穿过数据布线时引发第一绝缘层的击穿。每个数据引导二极管可以包括:具有岛状形式的第一引导图案，与栅极布线位于同一层上，第一引导图案连接到相应的数据布线；具有岛状形式并且面向第一引导图案的第二引导图案，第一绝缘层位于第一引导图案与第二引导图案之间。第一引导图案可以包括:叠置区域，与相应的数据布线叠置；非叠置区域，与相应的数据布线不叠置，第二引导图案与第一引导图案的非叠置区域叠置。每个像素可以包括连接到相应的栅极布线和数据布线的薄膜晶体管以及连接到薄膜晶体管的有机发光二极管。薄膜晶体管可以包括:有源层，与第二引导图案位于同一层上；栅电极，与栅极布线位于同一层上；源电极和漏电极，与数据布线位于同一层上。显示装置还可以包括具有岛状形式并且连接到相应的栅极布线的栅极引导二极管，栅极引导二极管被构造为当外部静电穿过栅极布线时引发第一绝缘层的击穿。
每个栅极引导二极管可以包括:第三引导图案，位于栅极布线上并且连接到栅极布线；第四引导图案，与第三引导图案叠置，第一绝缘层位于第三引导图案和第四引导图案之间。第三引导图案可以包括从栅极布线延伸的延伸区域，第四引导图案与第三引导图案的延伸区域重叠。第一绝缘层可以比第二绝缘层薄。第二绝缘层可以位于栅极布线与数据布线之间，第一绝缘层的一部分在数据引导二极管的内部。第二绝缘层可以位于数据弓丨导二极管与数据布线之间，每个数据弓I导二极管通过第二绝缘层连接到相应的数据线。一个示例性实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括:第一绝缘层，位于基底上；栅极布线，位于第一绝缘层上，栅极布线沿第一方向延伸；第二绝缘层，位于栅极布线上；数据布线，位于第二绝缘层上，数据布线沿与第一方向交叉的第二方向延伸；像素，分别位于栅极布线和数据布线的交叉区域处，像素连接到相应的栅极布线和数据布线；栅极引导二极管，具有岛状形式并且连接到栅极布线，栅极引导二极管构造为当外部静电穿过栅极布线时引发第一绝缘层的击穿。
图1示出根据第一示例性实施例的显示装置。图2示出图1中的A部分的详细布局。图3示出图2中示出的薄膜晶体管、电容器和OLED的剖视图。图4示出沿图2的IV-1V线的剖视图。图5示出根据第二示例性实施例的显示装置。图6示出图5中的B部分的详细布局。图7示出沿图6的VI1-VII线的剖视图。图8示出根据第三示例性实施例的显示装置。
具体实施例方式在下文中，将参照附图更加全面地描述示例实施例。如本领域技术人员将认识到的，在全都不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式来修改所描述的实施例。为了清晰起见，会省略与描述不相关的部件，在整个说明书中相同的标号指示相同的元件。在附图中，为了清晰起见，可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。将理解的是，当元件(诸如层、膜、区域或者板)被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以是直接在其他元件上，或者也可以存在中间元件。此外，除非明确地进行相反的描述，否则词语“包括”和诸如“包含”的各种变型将被理解为意味着包括所陈述的元件，但不排除任何其他元件。此外，附图示出了具有2Tr_lCap结构的有源矩阵(AM)显示装置，在2Tr_lCap结构中，一个像素具有两个薄 膜晶体管(TFT)和一个电容器，但是本发明不限于此。因此，针对每个像素，OLED显示器可以包括至少三个TFT以及至少两个电容器，并且还可以具有用于各种构造的额外的布线。在此情况下，像素代表显示图像的最小单元，并且OLED显示器通过多个像素呈现图像。现在将参照图1到图4描述第一示例性实施例的显示装置。图1示出根据第一示例性实施例的显示装置。如图1所示，显示装置1000包括基底(SUB)、栅极驱动器(⑶)、栅极布线(GW)、数据驱动器(DD)、数据布线(DW)、像素(PE)以及数据引导二极管(DLD，data leading diode)。这里，像素(PE)代表显示图像的最小单元，显示装置1000通过多个像素(PE)来显示图像。基底(SUB)被形成为由例如玻璃、石英、陶瓷或塑料制成的透明绝缘基底。然而，第一示例性实施例不限于此，基底(SUB)可以被形成为由例如不锈钢制成的金属基底。此夕卜，当基底(SUB)由塑料制成时，显示装置1000可以是柔性的或者可以被卷曲。栅极驱动器(GD)对应于由控制电路(未示出)(例如，时序控制器)提供的控制信号而将扫描信号顺序地施加到栅极布线(GW)。像素(PE)通过扫描信号进行选择，以顺序地接收数据信号。栅极布线(GW)设置在具有第一绝缘层(140)(图3到图4)的基底(SUB)上，并且栅极布线(GW)沿第一方向延伸。栅极布线(GW)包括连接到栅极驱动器(GD)的扫描线Sl-Sn，以从栅极驱动器(⑶)接收扫描信号。显示装置1000的栅极布线(GW)包括扫描线(Sn)，根据另一示例性实施例的显示装置的栅极布线还可以包括额外的扫描线、复位电源线以及发射控制线。在这种情况下，显示装置可以是具有6Tr-2Cap结构的有源矩阵(AM)型OLED显示器。数据驱 动器(DD)对应于由时序控制器提供的控制信号而将数据信号施加到数据布线(DW)中的数据线Dm。提供到数据线Dm的数据信号被提供给每当扫描信号被提供到扫描线(Sn)时由扫描信号选择的像素(PE)。像素(PE)被充以与数据信号对应的电压并且发出具有相应亮度的光。数据布线(DW)设置在栅极布线(GW)上，第二绝缘层(170)(图3到图4)位于数据布线(DW)与栅极布线(GW)之间，并且数据布线(DW)沿着与第一方向交叉的第二方向延伸。数据布线(DW)包括数据线Dl-Dm以及驱动电源线(Un)。数据线Dm连接到数据驱动器(DD)并从数据驱动器(DD)接收数据信号。驱动电源线(Un)连接到外部第一电源(ELVDD)，并从第一电源(ELVDD)接收驱动功率。像素(PE)设置在栅极布线(GW)与数据布线(DW)交叉的点处，并且连接到栅极布线(GW)和数据布线(DW)。每个像素(PE)包括连接到第一电源(ELVDD)、栅极布线(GW)和数据布线(DW)的TFT和电容器以及连接在TFT与第二电源(ELVSS)之间的0LED。当通过扫描线(Sn)提供扫描信号时，选择像素(PE)，该像素(PE)通过数据线Dm充以与数据信号对应的电压，并且发出具有与被充入的电压对应的预定亮度的光。随后将描述像素(PE)的详细设置。数据引导二极管(DLD)具有岛状的形状(例如，圆形的形状或多边形的形状)并且连接到数据布线(DW)。当外部静电穿过数据布线(DW)时，数据引导二极管(DLD)引发第一绝缘层140的击穿。随后将描述数据引导二极管(DLD)的详细设置。将参照图2描述像素(PE)的设置。图2示出图1中的A部分的详细布局。
如图2所示，像素(PE)具有2Tr_lCap的结构，在该结构中，设置有一个OLED 70、两个TFT 10和20以及一个电容器90。然而，在另一示例性实施例中，一个像素可以具有设置有至少三个TFT和至少两个电容器的结构。OLED 70包括:第一电极，第一电极是作为空穴注入电极的阳极；第二电极，第二电极是作为电子注入电极的阴极；有机发射层，有机发射层设置在第一电极与第二电极之间。详细地说，在第一示例性实施例中，显示装置包括用于每个像素(PE)的第一 TFT10和第二 TFT 20。第一 TFT 10包括栅电极153、有源层133、源电极184和漏电极185，第二 TFT 20包括栅电极156、有源层136、源电极187和漏电极188。第一 TFT 10的源电极184连接到数据线(Dl)，第一 TFT 10的栅电极153连接到扫描线(Sn)。在第一 TFT 10的漏电极185与电容器90之间形成节点，所以第一 TFT 10的漏电极185连接到电容器90的第一电容器电极139。另外，第一 TFT 10的漏电极185连接到第二 TFT 20的栅电极156。驱动电源线(Un)连接到第二 TFT 20的源电极187，第一电极(是OLED 70的阳极)连接到漏电极188。第一 TFT 10用作用于选择发光的像素(PE)的开关。当一旦导通第一 TFT 10时，电容器90立即被充电，并且电荷量与从数据线(Dl)施加的电压成比例。当第一 TFT 10截止时，第二 TFT 20的栅极电势根据充在电容器90中的电势而升高。当栅极电势超过阀值电压时，第二 TFT 20导通。施加到驱动电源线(Un)的电压通过第二 TFT 20被施加到OLED70，并且OLED 70发光。上述像素(PE)的构造不限制于说明书，并且可以在通过本领域技术人员容易修改的范围内以许多方式变化。现在将参照图3根据堆叠顺序详细描述包括在根据第一示例性实施例的显示装置1000的像素(PE)中的TFT 10和20、OLED 70以及电容器90的构造。图3示出了在图2中示出的TFT、电容器和OLED的剖视图。如图3所示，缓冲层120形成在基底(SUB)上。通过利用化学气相沉积法或物理气相沉积法由包括至少一个绝缘层(诸如氧化硅层和氮化硅层)的单个层或多层形成缓冲层120。在形成有源层的晶化工艺期间，缓冲层120防止水分或杂质扩散或渗透到基底(SUB)中、使表面光滑并且控制传热速度。可以根据基底(SUB)类型和工艺条件省略缓冲层120。有源层133和136以及第一电容器电极139形成在缓冲层120上。通过在缓冲层120上形成非晶硅层、使该非晶硅层晶化、形成多晶硅膜并且图案化多晶硅膜来形成有源层133和136以及第一电容器电极139。然而，第一示例性实施例不局限于此。如果需要，第一电容器电极139可以由与有源层133和136的材料不同的材料形成。第一绝缘层140形成在有源层133和136以及第一电容器电极139上。详细地说，第一绝缘层140形成为覆盖位于缓冲层120上的有源层133和136以及第一电容器电极139。第一绝缘层140由至少一种绝缘材料(例如，原硅酸四乙酯(TEOS)、氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2))形成。栅电极153和156以及OLED 70的第一电极710形成在(例如，直接形成在)同一层上(例如，第一绝缘层140上)。应该注意到的是，栅电极153和156以及第一电极710与扫描线(SI到Sn)形成在(例如，直接形成在)同一层上(例如，第一绝缘层140上)。因此，扫描线(SI到Sn)(即，栅极布线(GW))形成在(例如，直接形成在)第一绝缘层140上。栅电极153和156、第一电极710以及栅极布线(GW)由相同的材料形成。栅电极153和156形成在有源层133和136上，从而栅电极153和156可以分别与有源层133的沟道区域1333和有源层136的沟道区域1366叠置。有源层133和136包括没有杂质掺杂的沟道区域1333和1366、设置在沟道区域1333和1336的相应侧上的并且掺杂有杂质的源极区域1334和1367以及漏极区域1335和1368。栅电极153和156可以在杂质被掺杂到源极区域1334和1367中以及漏极区域1335和1368中的同时防止杂质被掺杂到沟道区域1333和1366中。另外，可以在将杂质分别掺杂到有源层133的源极区域1334和漏极区域1335以及有源层136的源极区域1367和漏极区域1368中的同时将杂质掺杂到第一电容器电极139中。此外，栅电极153和156由包括栅极透明层和形成在栅极透明层上的栅极金属层的双层形成。例如，栅极金属层由包括至少一种金属的材料(例如，钥(Mo)、铬(Cr)、铝(Al)、银(Ag)、钛(Ti)、钽(Ta)和/或钨(W))形成。例如，栅极透明层包括至少一种透明导电层，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铟锡(ZITO)、氧化镓铟锡(GITO)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化镓铟锌(GIZO)、氧化镓锌(GZO)、氟锡氧化物(FTO)和铝掺杂氧化锌(AZO)。例如，OLED 70的第一电极710与栅电极153和156的栅极透明层形成在同一层上并且由与栅电极153和156的栅极透明层的材料相同的材料形成。无机绝缘层160形成在栅电极153和156上。无机绝缘层160包括氧化硅层和氮化硅层中的至少一种。即，无机绝缘层160可以由用氧化硅或氮化硅制成的单层形成或者可以由用氧化硅层和氮化硅层堆叠的多层形成。另外，无机绝缘层160可以包括氢。具体地说，根据工艺条件，氮化硅层可以容易地包含氢。除了起到绝缘的作用，无机绝缘层160可以在有源层133和136经历退火工艺的同时通过将氢供应到有源层133和136来支持退火工艺。然而，第一示例性实施例不限制于此。因此，可以省略无机绝缘层160。S卩，将要描述的第二绝缘层170 可以形成在栅电极153和156上。另外，无机绝缘层160不在第一电极710上形成。S卩,无机绝缘层160形成为暴露第一电极710。第二绝缘层170形成在无机绝缘层160上。第二绝缘层170可以容易地形成为比无机绝缘层160相对厚。因此，第二绝缘层170可以形成得足够厚，以获得稳定的层间绝缘性。例如，第二绝缘层170可以形成为大约3 iim厚。第二绝缘层170比第一绝缘层140厚，所以第一绝缘层140比第二绝缘层170薄。此外，以与无机绝缘层160的方式相同的方式，第二绝缘层170不在第一电极710上形成。即，第二绝缘层170形成为暴露第一电极710。多条导电布线(例如，导电布线184、185、187、188和189)与数据线(Dl到Dm)(即，数据布线(DW))形成在同一层，并且由相同的材料形成。导电布线，即，源电极184和187、漏电极185和188以及第二电容器189，由与数据布线(DW)的材料相同的材料形成，并且与数据布线(DW)形成在(例如，直接形成在)同一层上，例如，直接形成在第二绝缘层170上。导电布线还可以包括数据线Dm和驱动电源线(Un)。另外，以与栅电极153和156的方式相同的方式，导电布线184、185、187、188和189可以由包括至少一种金属的材料形成。源电极184和187通过形成在无机绝缘层160和第二绝缘层170中的接触孔接触有源层133和136的源极区域1334和1367，漏电极185和188通过形成在无机绝缘层160和第二绝缘层170中的接触孔接触有源层133和136的漏极区域1335和1368。另外，第二电容器电极189与源电极184和187以及漏电极185和188形成在相同的位置处，但是第一示例性实施例不限制于此。因此，第二电容器电极189可以与栅电极153和156形成在同一层上。像素限定层190形成在导电布线184、185、187、188和189上。即，像素限定层190设置在数据线(Dl到Dm)上。像素限定层190包括像素开口 195，以暴露第一电极710的一部分。像素限定层190可以由任意适合的有机材料形成。例如，像素限定层190被图案化为光敏有机层，并且在热或光的作用下固化后而形成。有机发射层720形成在第一电极710上，第二电极730形成在有机发射层720上。第一电极710、有机发射层720以及第二电极730构成OLED 70。第二绝缘层190的其上顺序地堆叠有第一电极710、有机发射层720和第二电极730的像素开口 195成为OLED 70的发光区域。现在，将参照图2和图4描述数据引导二极管(DLD)的设置。图4示出沿图2的IV-1V线截取的剖视图。如图2和图4所示，数据引导二极管(DLD)以岛状形式连接到数据布线(DW)。详细地说，数据引导二极管(DLD)连接到数据线Dm(数据布线(DW))和驱动电源线(Un)。数据引导二极管(DLD)包括第一引导图案151和第二引导图案131。第一引导图案151以岛状形式与栅极布线(GW)设置在同一层上，并且连接到数据线Dm(数据布线(DW))和驱动电源线(Un)。第一引导图案151包括与数据布线(DW)叠置的叠置区域Al和与数据布线(DW)不叠置的非叠置区域A2。例如，叠置区域Al和非叠置区域A2彼此是一体的并且是连续的。如图2所示，与数据布线(DW)相比，第一引导图案151沿预定方向移动。例如，第一引导图案151例如，沿第一方向移位，以相对于数据布线(DW)偏移，所以仅第一图案151的一部分，例如，叠置区域Al，与相应的数据布线(DW)叠置。第一引导图案151与扫描线(SI到Sn)和栅极布线(GW)形成在同一层上，并且由与扫描线(SI到Sn)和栅极布线(GW)的材料相同的材料形成。第一引导图案151通过用来形成栅极布线(GW)的工艺与栅极布线(GW)例如同时形成。岛状形式的第二引导图案131面向第一引导图案151，第一绝缘层140在第一引导图案151与第二引导图案131之间。第二引导图案131面向第一引导图案151的非叠置区域A2，并且与第一引导图案151的非叠置区域A2叠置。例如，第二引导图案131可以仅与第一引导图案151的非叠置区域A2叠置，所以第二引导图案131不会与数据布线(DW)叠置。因此，第一引导图案151的叠置区域Al和非叠置区域A2可以位于相对于基底(SUB)不同的高度上。第二引导图案131与有源层133和136形成在同一层上，并且由与有源层133和136的材料相同的材料形成。第二引导图案131通过形成有源层133和136以及第一电容器电极139的工艺与有源层133和136例如同时地形成。另外，当将杂质掺杂到有源层133和136的源极区域1334和1367以及漏极区域1335和1368中时，可以用该杂质掺杂第二引导图案13 1。例如，第一引导图案151在第二引导图案131与数据布线(DW)之间。如上所述，对于显示装置1000，包括第一引导图案151和第二引导图案131的数据引导二极管(DLD)连接到数据布线(DW)，所以当静电穿过数据布线(DW)时，设置在第一引导图案151与第二引导图案131之间的第一绝缘层140击穿，而不是位于栅极布线(GW)与数据布线(DW)之间交叉处的第二绝缘层170击穿。因此，可以防止栅极布线(GW)与数据布线(DW)的短路，或者基本上使其最小化。相反，传统的OLED显示器，例如，不具有连接到数据布线的数据引导二极管的显示器，可以包括位于栅极布线和数据布线之间的绝缘层以及位于栅极布线和数据布线交叉处的绝缘层上的电容器。因此，当外部静电穿过栅极布线或者数据布线时，其上形成有电容器的绝缘层会击穿，从而造成栅极布线与数据布线之间的短路。应该注意到的是,根据第一实施例的显示装置1000是包括OLED的OLED显示器。然而，示例实施例不限制于此，例如，显示装置可以是栅极布线与数据布线交叉的LCD装置、等离子显示面板(rop)或者电泳显示器(Ero)。还应该注意到的是，根据第一示例性实施例的显示装置1000的数据引导二极管(DLD)邻近最外面的像素(PE)。然而，示例实施例不限制于此，例如，显示装置的数据引导二极管可以位于相邻的像素之间。现在将参照图5到图7描述根据第二示例性实施例的显示装置。应该注意的是，将仅描述与第一示例性实施例不同的部分，而将省略与第一示例性实施例的部分等同的部分。图5示出根据第二示例性实施例的显示装置。如图5中所示,显示装置1002包括基底(SUB)、栅极驱动器(GD)、栅极布线(GW)、数据驱动器((DD)、数据布线(DW)、像素(PE)、数据引导二极管(DLD)和栅极引导二极管(GLD)。栅极引导二极管(GLD)以岛状形式连接到相应的栅极布线(GW)，当外 部静电穿过栅极布线(GW)时，栅极引导二极管(GLD)引发第一绝缘层140的击穿。图6示出图5中的B部分的详细布局。图7示出沿图6的VI1-VII线截取的剖视图。如图6和图7所不,栅极引导二极管(GLD)包括第三引导图案152和第四引导图案132。第三引导图案152从相应的栅极布线(GW)延伸，并且与栅极布线(GW)设置在同一层上并且连接到栅极布线(GW)中的扫描线(Sn)。第三引导图案152包括从栅极布线(GW)中的扫描线(Sn)延伸的延伸区域A3。即，如图6所示，第三引导图案152沿预定的方向相对于栅极布线(GW)中的扫描线(Sn)延伸。第三引导图案152与扫描线(SI至Sn)形成在同一层上，并且由与扫描线(SI至Sn)的材料相同的材料形成。第三引导图案152通过形成栅极布线(GW)的工艺与栅极布线(GW)例如同时地形成。岛状形式的第四引导图案132面向第三引导图案152，第一绝缘层140位于第四引导图案132与第三引导图案152之间。第四引导图案132面向第三引导图案152的延伸区域A3，并且其与第三引导图案152的延伸区域A3叠置。第四引导图案132与有源层132和136形成在同一层上，并且由与有源层132和136相同的材料形成。第四引导图案132通过形成有源层133和136以及第一电容器电极139的工艺与有源层133和136例如同时地形成。此外，可以在将杂质掺杂到有源层133和136的源极区域1334和1367以及漏极区域1335和1368的同时，将该杂质掺杂到第四引导图案132。如所述的，关于显示装置1002，包括第一引导图案151和第二引导图案131的数据引导二极管(DLD)连接到数据布线(DW)，包括第三引导图案152和第四引导图案132的栅极引导二极管(GLD)连接到栅极布线(GW)。因此，当外部静电穿过栅极布线(GW)或数据布线(DW)时，设置在第一引导图案151与第二引导图案131之间或者在第三引导图案152与第四引导图案132之间的第一绝缘层140击穿，而不是设置在栅极布线(GW)和数据布线(DW)交叉处的部位上的第二绝缘层170击穿。因此，可以防止或者基本上最小化设置在栅极布线与数据布线交叉处的部位上的绝缘层的潜在击穿，这种击穿反过来可使栅极布线(GW)和数据布线(DW)短路。此外，根据第二实施例的显示装置1002的栅极引导二极管(GLD)与最外面的像素(PE)相邻。然而，可以在例如相邻的像素之间设置栅极引导二极管(GLD)。现在将参照图8描述根据第三示例性实施例的显示装置。应该注意的是，将仅描述不同于第一示例性实施例的部分，同时将省略等同于第一示例性实施例的那些部分。图8示出根据第三示例性实施例的显示装置。如图8中所示,显示装置1003包括基底(SUB)、栅极驱动器(⑶)、栅极布线(GW)、数据驱动器(DD)、数据布线(DW)、像素(PE)和数据引导二极管(DLD)。栅极引导二极管(GLD)以岛状形式连接到栅极布线(GW)，当外部静电穿过栅极布线(GW)时，栅极引导二极管(GLD)引发第一绝缘层140的击穿。例如，显示装置1003可以仅包括栅极引导二极管(GLD)而不包括数据引导二极管(DLD)。如所述的，关于根据第三示例性实施例的显示装置1003，栅极引导二极管(GLD)连接到栅极布线(GW)，所以当外部静电穿过栅极布线(GW)时，对应于栅极引导二极管(GLD)的第一绝缘层140击穿，而不是设置在栅极布线(GW)和数据布线(DW)交叉处的部位上的第二绝缘层170击穿。如此，可以控制设置在`栅极布线(GW)与数据布线(DW)交叉处的部位上的绝缘层的击穿以及栅极布线(GW)和数据布线(DW)短路的问题。虽然已经结合当前被认为是实际的示例性实施例描述了本公开，但是应该理解的是，本发明不限制于公开的实施例，而是相反，本发明意在覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种变形和等同布置。
权利要求
1.一种显示装置，所述显示装置包括: 第一绝缘层，位于基底上； 栅极布线，位于第一绝缘层上，栅极布线沿第一方向延伸； 第二绝缘层，位于栅极布线上； 数据布线，位于第二绝缘层上，数据布线沿与第一方向交叉的第二方向延伸； 像素，分别位于栅极布线和数据布线的交叉区域处，像素连接到相应的栅极布线和数据布线； 数据引导二极管，具有岛状形式并且连接到数据布线，数据引导二极管被构造为当外部静电穿过数据布线时引发第一绝缘层的击穿。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，每个数据引导二极管包括: 具有岛状形式的第一引导图案，与栅极布线位于同一层上，第一引导图案连接到相应的数据布线； 具有岛状形式并且面向第一引导图案的第二引导图案，第一绝缘层位于第一引导图案与第二引导图案之间。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，第一引导图案包括: 叠置区域，与相应的数据布线叠置； 非叠置区域，与相应的数据布线不叠置，第二引导图案与第一引导图案的非叠置区域叠置。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中，每个像素包括连接到相应的栅极布线和数据布线的薄膜晶体管以及连接到薄膜晶体管的有机发光二极管。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，薄膜晶体管包括: 有源层，与第二引导图案位于同一层上； 栅电极，与栅极布线位于同一层上； 源电极和漏电极，与数据布线位于同一层上。
6.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括具有岛状形式并且连接到相应的栅极布线的栅极引导二极管，栅极引导二极管被构造为当外部静电穿过栅极布线时引发第一绝缘层的击穿。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，每个栅极引导二极管包括: 第三引导图案，位于栅极布线上并且连接到栅极布线； 第四引导图案，与第三引导图案叠置，第一绝缘层位于第三引导图案和第四引导图案之间。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，第三引导图案包括从栅极布线延伸的延伸区域，第四引导图案与第三引导图案的延伸区域重叠。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，第一绝缘层比第二绝缘层薄。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中，第二绝缘层位于栅极布线与数据布线之间，第一绝缘层的一部分在数据引导二极管的内部。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中，第二绝缘层位于数据引导二极管与数据布线之间，每个数据引导二极管通过第二绝缘层连接到相应的数据布线。
12.—种显示 装置，所述显示装置包括:第一绝缘层，位于基底上； 栅极布线，位于第一绝缘层上，栅极布线沿第一方向延伸； 第二绝缘层，位于栅极布线上； 数据布线，位于第二绝缘层上，数据布线沿与第一方向交叉的第二方向延伸； 像素，分别位于栅极布线和数据布线的交叉区域处，像素连接到相应的栅极布线和数据布线； 栅极引导二极管，具有岛状形式并且连接到栅极布线，栅极引导二极管构造为当外部静电穿过栅极布线 时引发第一绝缘层的击穿。
全文摘要
本发明提供一种显示装置。所述显示装置包括第一绝缘层，位于基底上；栅极布线，位于第一绝缘层上，栅极布线沿第一方向延伸；第二绝缘层，位于栅极布线上；数据布线，位于第二绝缘层上，数据布线沿与第一方向交叉的第二方向延伸；像素，分别位于栅极布线和数据布线交叉区域处，像素连接到相应的栅极布线和数据布线；数据引导二极管，具有岛状形式并且连接到数据布线，数据引导二极管被构造为当外部静电穿过数据布线时引发第一绝缘层的击穿。
文档编号H01L27/32GK103247619SQ201210342460
公开日2013年8月14日 申请日期2012年9月14日 优先权日2012年2月8日
发明者金广海, 崔宰凡, 郑宽旭, 金武镇, 吴在焕, 李俊雨 申请人:三星显示有限公司