专利名称：共模滤波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种共模滤波器，特别是涉及一种薄膜共模滤波器的构造。
背景技术：
近年来，USB标准或IEEE1394标准作为高速的信号传输接口而广泛地普及，并使用在个人计算机或数码相机等多数数字机器中。在这些接口中，采用了使用一对信号线传输差动信号(差分信号，differential signal)的差动传输方式,并实现了比现有的单端传输方式更高速的信号传输。对于用于除去高速差动传输通道上的噪声的滤波器，广泛使用了共模滤波器。共模滤波器具有对在一对信号线传输的信号的差动成分的阻抗低而对同相成分(共模噪声)的阻抗高这样的特性。因此，通过将共模滤波器插入在一对信号线上，能够使差分模信号实质上不衰减而阻断共模噪声。在现有的共模滤波器中，已知有例如像专利文献I所记载的那样，在由铁氧体等磁性陶瓷构成的上下磁性基板间形成共模滤波器元件而成的共模滤波器。在共模滤波器元件中，一对平面螺旋形导体在上下方向重叠而彼此磁耦合，能够实现非常薄型且高性能的元件。在专利文献2中，记载了以下的共模滤波器:省略由磁性陶瓷材料构成的上下的磁性基板中的一个，代之设置含有磁性粉的树脂层，并且使用凸点(bump)电极作为外部端子电极。根据该结构，可以不需要利用溅射等在各个芯片部件的表面形成微小的平面电极而高精度地形成端子电极。在专利文献3中，提出了通过将由2个螺旋形导体的串联连接图案构成的滤波器部在上下方向重叠使之磁耦合，从而使2个共模滤波器元件的串联连接形成单个芯片。根据这样的结构，由于2个共模滤波器元件一体化，因此可以不发生部件个数的增大或特性的偏差而获得良好的频率特性。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2009-218644号公报专利文献2:日本特开2011-14747号公报专利文献3:日本特开2007-181169号公报
发明内容
发明所要解决的问题在专利文献3所记载的现有的共模滤波器中，由于在一个芯片所限制的平面区域内并列配置2个螺旋形导体，因此存在螺旋形导体的圈的大小变小这样的问题。特别是由于用于连接螺旋形导体的外周端与外部端子电极的引出导体与螺旋形导体设置在同一平面上，因此存在占用了线圈形成区域的一部分且不能增大圈的大小这样的问题。此外，还存在上下的螺旋形导体的不重叠部分的面积大，泄漏电感大这样的问题。本发明是为了解决上述问题而做出的，本发明的目的在于，提供一种可以有效地布置2个螺旋形导体的串联连接图案，由此在维持圈的大小的同时缩小线圈形成区域的共模滤波器。另外，本发明的另一个目的在于，提供一种能够减少上下的螺旋形导体不重叠部分的面积，且能够减少泄漏电感的共模滤波器。解决问题的手段为了解决上述问题，本发明所涉及的共模滤波器，其特征在于，具备:基板、设置在所述基板上的薄膜线圈层、设置在所述薄膜线圈层的表面的第I至第4凸点电极、以及设置在所述薄膜线圈层的所述表面且除了所述第I至第4凸点电极以外的区域的树脂层，所述薄膜线圈层包含:包含彼此串联连接的第I和第2螺旋形导体的第I平面线圈层，设置在与所述第I平面线圈层不同的层、且包含彼此串联连接的第3和第4螺旋形导体的第2平面线圈层，以及与所述第I和第2平面线圈层相比更接近于所述第I至第4凸点电极而设置、且包含第I至第4引出导体的引出导体层，所述第I螺旋形导体与所述第3螺旋形导体彼此磁耦合，所述第2螺旋形导体与所述第4螺旋形导体彼此磁耦合，所述第I至第4螺旋形导体的内周端经由所述第I至第4引出导体而分别与所述第I至第4凸点电极连接，所述第I和第2螺旋形导体的外周端彼此相互连接，所述第3和第4螺旋形导体的外周端彼此相互连接。根据本发明，能够有效地布置2个螺旋形导体的串联连接图案，由此能够在维持圈的大小的同时缩小线圈形成区域。因此，能够利用由于缩小线圈形成区域所产生的空白区域来增大圈的大小，或者能够谋求节省仅空白区域的面积(元件的小型化)。另外，由于可以经由引出导体而连接螺旋形导体的内周面与端子电极，因此能够在适当的位置形成大小适当的凸点电极。另外，能够减少上下的螺旋形导体不重叠部分的面积，由此能够减少泄漏电感。此外，根据本发明，通过2个螺旋形导体的串联连接而能够减小螺旋形导体的寄生电容，由此能够提高在高频区域的共模噪声的抑制效果。在本发明中，优选，第I螺旋形导体的卷绕方向与第2螺旋形导体相反，第3螺旋形导体的卷绕方向与第4螺旋形导体相反，第I螺旋形导体的卷绕方向与第3螺旋形导体相同，第2螺旋形导体的卷绕方向与第4螺旋形导体相同。根据该结构，能够容易地形成彼此串联连接的2个螺旋形导体的两端均构成为内周端的平面线圈图案。因此，能够省略用于连接螺旋形导体的外周端与端子电极的引出导体，并且能够缩小线圈形成区域。此外，能够减小上下螺旋形导体不重叠部分的面积，由此能够减少泄漏电感。在本发明中，优选，所述薄膜线圈层还具备:依次层叠的第I至第3绝缘层、贯通所述第2和第3绝缘层的第I和第2接触孔导体、贯通所述第3绝缘层的第3和第4接触孔导体，在所述第I绝缘层的表面设置有所述第I平面线圈层，在所述第2绝缘层的表面设置有所述第2平面线圈层，在所述第3绝缘层的表面设置有所述引出导体层，所述第I至第4螺旋形导体的内周端经由所述第I至第4接触孔导体和所述第I至第4引出导体而分别与所述第I至第4凸点电极连接。在本发明中，优选所述第I至第4凸点电极的各个具有与所述基板的主面平行的第I露出面、以及与所述基板的主面正交的第2露出面。在本发明中，优选所述基板的材料是镁橄榄石。根据该结构，能够确保基板所希望的机械强度，并且降低介电常数，由此能够减少螺旋形导体的寄生电容。本发明的效果根据本发明，能够提供一种能够有效地布置2个螺旋形导体的串联连接图案，由此在维持圈的大小的同时缩小线圈形成区域的共模滤波器。另外，本发明的其他目的能够提供一种能够减少上下的螺旋形导体不重叠部分的面积，且能够减少泄漏电感的共模滤波器。
图1是表示本发明的第I实施方式所涉及的共模滤波器100的结构的概略立体图。图2是表示共模滤波器100的结构的电路图。图3是详细地表示共模滤波器100的层构造的概略分解立体图。图4是第I和第2平面线圈层21A、21B的概略平面图，(a)是第I平面线圈层21A的概略平面图，(b)是第2平面线圈层21B的概略平面图。图5是表示2个螺旋形导体的串联连接电路的电路图。图6是用于说明共模滤波器的自谐振频率的图。图7是表示共模滤波器100的制造工序的流程图。图8是详细地表示本发明的第2实施方式所涉及的共模滤波器200的层构造的概略分解立体图。图9是表示引出导体26a 26d和凸点电极13a 13d的概略平面图。图10是表示凸点电极的变形例的概略平面图。符号说明IOa层叠体的上面IOb层叠体的底面IOc IOf层叠体的侧面(外周面)11 基板12薄膜线圈层13a 13d凸点电极14磁性树脂层16A共模滤波器元件16B共模滤波器元件17a 17d电感器元件18a 18d端子电极20a 20d绝缘层21A、21B平面线圈层2IC引出导体层22 25螺旋形导体 26d引出导体
27a 27d接触孔导体
28a 28d端子电极100、200共模滤波器
具体实施例方式以下，一边参照附图，一边详细地说明本发明的优选实施方式。图1是表示本发明的第I实施方式所涉及的共模滤波器100的结构的概略立体图。如图1所示，共模滤波器100具备:基板11、设置在基板11的一个主面的薄膜线圈层12、设置在薄膜线圈层12的主面的4个凸点电极13a 13d、以及设置在除了凸点电极13a 13d的形成位置以外的薄膜线圈层12的主面的磁性树脂层14。共模滤波器100是大致长方体状的表面安装型芯片部件，具有上面10a、底面IOb和4个侧面IOc IOf (外周面)。再有，在图1的共模滤波器100中，底面IOb (安装面)是朝上的状态，在实际安装时上下翻转并使凸点电极13a 13d侧朝下来使用。基板11确保共模滤波器100的机械强度，并且在使用磁性体的情况下起到作为共模滤波器的闭合磁路的作用。作为基板11的材料，可以使用镁橄榄石(forsterite)。镁橄榄石的相对介电常数ε =7，由于是比铁氧体(ε =14)更低的介电常数，因此在使用镁橄榄石的情况下能够降低寄生电容成分，由此能够提高自谐振频率(Self-ResonantFrequency:SRF)。作为相对介电常数在10以下的低介电常数的基板也可以使用氧化铝基板等。虽然没有特别地限定，但芯片尺寸为0.9X0.7X0.4 (mm)时，基板11的厚度可以为
0.25 0.3mm 左右。薄膜线圈层12是包含共模滤波器元件的层，设置在基板11与磁性树脂层14之间。详细内容在后面叙述，薄膜线圈层12具有交替地层叠绝缘层和导体图案而形成的多层构造。如此，本实施方式所涉及的共模滤波器100是所谓的薄膜型，与具有将导线卷绕在磁芯的构造的卷线型有区别。凸点电极13a 13f是共模滤波器元件的外部端子电极，以使不但从由基板11、薄膜线圈层12和磁性树脂层14构成的层叠体的底面IOb而且还从外周面露出的方式形成。其中，2个凸点电极13a、13c从与层叠体的长度方向平行的第I侧面IOc露出，其他的2个凸点电极13b、13d从与第I侧面IOc相对的第2侧面IOd露出。如此，第I 第4凸点电极13a 13d的各个具有与层叠体的主面(底面)平行的第I露出面、以及与层叠体的主面正交的第2露出面。再有，本说明书中的“凸点电极”与通过使用倒片焊接器(flip-chip bonder)热压接Cu、Au等金属球而形成的电极不同，其是指由电镀处理形成的厚膜镀层电极。虽然没有特别地限定，但优选使用Cu作为凸点电极的材料。凸点电极的厚度与磁性树脂层14的厚度相当或在其以上，可以为0.08 0.1mm左右。即，凸点电极13a 13d的厚度比薄膜线圈层12内的导体图案厚，特别地，具有薄膜线圈层12内的导体图案的5倍以上的厚度。磁性树脂层14是构成共模滤波器100的安装面(底面)的层，与基板11 一起保护薄膜线圈层12，并且起到作为构成共模滤波器的线圈的闭合磁路的作用。但是，由于磁性树脂层14的机械强度比基板11小，因此是在强度面起到辅助的作用的程度。磁性树脂层14设置成填埋凸点电极13a 13d的周围。作为磁性树脂层14，可以使用含有铁氧体粉的环氧树脂(复合铁氧体)。虽然没有特别地限定，但在芯片尺寸为0.9X0.7X0.4 (mm)时，磁性树脂层14的厚度可以为0.08 0.13mm左右。图2是表示共模滤波器100的结构的电路图。如图2所示，共模滤波器100具备4个电感器元件17a 17d。第I和第2电感器元件17a、17b彼此串联连接，第3和第4电感器元件17c、17d也彼此串联连接。第I和第3电感器元件17a、17c彼此磁耦合，构成第I共模滤波器元件16A。另夕卜，第2和第4电感器元件17b、17d也彼此磁耦合，构成第2共模滤波器元件16B。通过以上结构，在共模滤波器100中，构成了第I共模滤波器元件16A与第2共模滤波器元件16B的串联连接。第I 第4电感器兀件17a 17d的一端分别与第I 第4端子电极18a 18d连接。再有，第I 第4端子电极18a 18d分别与图1中的第I 第4凸点电极13a 13d相对应。图3是详细地表示共模滤波器100的层构造的概略分解立体图。如图3所示，薄膜线圈层12具备:从基板11侧朝着磁性树脂层14侧依次层叠的第I 第4绝缘层20a 20d、形成在第I绝缘层20a上的第I平面线圈层21A、形成在第2绝缘层20b上的第2平面线圈层21B、以及设置在第3绝缘层20c上的引出导体层21C。引出导体层21C的上面被第4绝缘层20d覆盖。第I 第4绝缘层20a 20d起到使设置于不同层的导体图案间绝缘分隔，并且确保形成有导体图案的平面的平坦性的作用。特别地，第I绝缘层20a起到缓和基板11的表面的凹凸、提高螺旋形导体图案的加工精度的作用。作为绝缘层20a 20d的材料，优选使用电和磁绝缘性优良且加工容易的树脂，虽然没有特别地限定，但可以使用聚酰亚胺树脂或环氧树脂。图4是第I和第2平面线圈层21A、21B的概略平面图，(a)是第I平面线圈层21A的概略平面图，(b)是第2平面线圈层21B的概略平面图。如图4 (a)所示，第I平面线圈层21A包含彼此串联连接的第I和第2螺旋形导体22、23。第I和第2螺旋形导体22、23分别与图2中的第I和第2电感器元件17a、17b相对应。第I螺旋形导体22的内周端22a经由贯通第2和第3绝缘层20b、20c的第I接触孔导体27a而连接于第I引出导体26a的一端，第I引出导体26a的另一端连接于贯通绝缘层20d的第I端子电极28a。第2螺旋形导体23的内周端23a经由贯通第2和第3绝缘层20b、20c的第2接触孔导体27b而连接于第2引出导体26b的一端，第2引出导体26b的另一端连接于贯通绝缘层20d的第2端子电极28b。在第I螺旋形导体22的内侧设置有接触垫(contact pad) 22b，在第2螺旋形导体23的内侧设置有接触垫23b。接触垫22b位于第3接触孔导体27c的正下方，两者在平面视图上重合，但不电连接。同样地，接触垫23b位于第4接触孔导体27d的正下方，两者在平面视图上重合，但不电连接。这些接触垫22b、23b是为了提高形成为覆盖它们的绝缘层20b、20c的平坦性而设置的。在没有接触垫22b、23b的情况下，只是在绝缘层的上面产生高度差，而在设置有接触垫22b、23b的情况下，可以抑制这样的高度差，并且可以确保绝缘层上面的平坦性。第I螺旋形导体22与第2螺旋形导体23的外周端彼此在P点位置相互连接，由此，两者串联连接。但是，第I和第2螺旋形导体22、23是没有接缝的连续图案。第I螺旋形导体22与第2螺旋形导体23接近，两者的距离与螺旋形图案的间距相等。如此，由于第I和第2螺旋形导体22、23非常接近地配置，因此能够谋求共模滤波器元件的面积的节省。如图4 (b)所示，第2平面线圈层21B包含彼此串联连接的第3和第4螺旋形导体24、25。第3和第4螺旋形导体24、25分别与图2中的第3和第4电感器元件17c、17d相对应。第3螺旋形导体24的内周端24a经由贯通第3绝缘层20c的第3接触孔导体27c而连接于第3引出导体26c的一端，第3引出导体26c的另一端连接于贯通绝缘层20d的第3端子电极28c。第4螺旋形导体25的内周端25a经由贯通第3绝缘层20c的第4接触孔导体27d而连接于第4引出导体26d的一端，第4引出导体26d的另一端连接于贯通绝缘层20d的第4端子电极28d。第3螺旋形导体24与第4螺旋形导体25的外周端彼此在P点位置相互连接，由此，两者串联连接。再有，第3和第4螺旋形导体24、25是没有接缝的连续的图案。第3螺旋形导体24与第4螺旋形导体25接近，两者的距离与螺旋形图案的间距相等。如此，由于第3和第4螺旋形导体24、25非常接近地配置，因此能够谋求共模滤波器元件的面积的节省。第I和第3螺旋形导体22、24具有实质上相同的平面形状，而且在平面视图上设置在相同的位置。因为第I和第3螺旋形导体22、24在平面视图上彼此重合，因此在两者之间产生强的磁耦合。通过以上的结构，第I和第3螺旋形导体22、24构成图2所示的第I共模滤波器元件16A。第2和第4螺旋形导体23、25具有实质上相同的平面形状，而且在平面视图上设置在相同的位置。因为第2和第4螺旋形导体23、25在平面视图上彼此重合，因此在两者之间产生强的磁耦合。通过以上的结构，第2和第4螺旋形导体23、25构成图2所示的第2共模滤波器元件16B。第I 第4螺旋形导体22 25的外形均是长圆形螺旋。长圆形螺旋与矩形螺旋相比在高频的衰减少，因此可以优选作为高频用电感使用。再有，本实施方式所涉及的螺旋形导体的外径可以是正圆图案，也可以是椭圆图案。另外，作为矩形图案也无妨。在本实施方式中，第I螺旋形导体22的卷绕方向与第2螺旋形导体23的卷绕方向相反，第3螺旋形导体24的卷绕方向与第4螺旋形导体25的卷绕方向相反。根据该结构，可以容易地形成以使彼此串联连接的2个螺旋形导体的两端均成为内周端的方式构成的平面线圈图案。另外，能够尽可能地增加由第I和第2螺旋形导体22、23构成的平面线圈图案与由第3和第4螺旋形导体24、25构成的平面线圈图案的重叠，能够提高两者的磁耦合。此外，由于第I和第3螺旋形导体22、24所产生的磁通量的方向与第2和第4螺旋形导体23、25所产生的磁通量的方向会彼此相反，因此不会使磁通量相互抵消。第I和第2平面线圈层21A、21B的平面线圈图案的两端构成为螺旋形导体的内周端，它们经由引出导体层21C的引出导体26a 26d而连接于凸点电极13a 13d。因此，在第I绝缘层20a上，不需要在由第I和第2螺旋形导体22、23构成的平面线圈图案的外侧设置引出导体或端子电极等其他导体图案。同样地，在第2绝缘层20b上，不需要在由第3和第4螺旋形导体24、25构成的导体图案的外侧设置引出导体或端子电极等其他导体图案。其结果是，能够在平面线圈图案的外侧确保宽的空白区域，或者，能够增大各螺旋形导体的圈(loop)的大小。另外，能够加宽螺旋形导体的线宽或间距，并且能够在加宽了螺旋形导体的线宽的情况下降低直流电阻Rdc。另外，也可以增加螺旋形导体22、23的圈数，在该情况下能够增大共模阻抗Zc。第I 第4引出导体26a 26d在薄膜线圈层12的第3绝缘层20c的表面形成。第I 第4引出导体26a 26d经由贯通第4绝缘层20d的第I 第4端子电极28a 28d而分别与第I 第4凸点电极13a 13d连接。图5是表不2个螺旋形导体的串联连接电路的电路图。如图5所示，在由2个电感器元件串联连接而构成电感L的情况下，各电感器引起的寄生电容也串联连接，合成电容为C/2。如此，通过不是I个大的螺旋形导体而是2个小的螺旋形导体的串联连接，可以谋求电容的降低。图6是用于说明共模滤波器的自谐振频率的图。如图6所示，共模滤波器的自谐振频率可以根据电感成分的特性图(线LI)与电容成分的特性图(线Cl)的合成求得。这里，若减少共模滤波器的电容成分，则其特性曲线Cl向上方移动，两者的交点移到右侧、即高频侧。虽然也可以通过减少电感成分使两者的交点移到高频侧，但在这种情况下，阻抗也会一起降低。然而，在减少电容成分的情况下，能够不使阻抗降低而提高共模滤波器的自谐振频率。如以上说明的那样，在本实施方式中，不是通过形成由I个大的圈的大小的螺旋形导体构成的平面线圈图案，而是通过形成由2个小的螺旋形导体的串联连接构成的平面线圈图案，从而在不改变电感的情况下减小电容，由此能够谋求串联共振频率的提高。接下来，说明共模滤波器100的制造方法。在共模滤波器100的制造中，在一块大的基板(晶片)上形成多个共模滤波器元件(线圈导体图案)之后，实施通过分别切断各元件来制造多个芯片部件的量产处理。图7是表示共模滤波器100的制造工序的流程图。如图7所示，在共模滤波器100的制造中，准备基板11 (晶片)(步骤SI I )，在基板11上形成布置(layout)有多个共模滤波器元件的薄膜线圈层12 (步骤S12 S18)。薄膜线圈层12通过所谓的薄膜工艺形成。这里，薄膜工艺是指以下的方法:通过例如旋涂法来涂布感光性树脂，对其进行曝光和显影而形成绝缘层之后，在绝缘层的表面重复形成导体图案的工序，由此形成交替形成有绝缘层和导体层的多层膜。以下，详细地说明薄膜线圈层12的形成工序。在薄膜线圈层12的形成中，首先在形成绝缘层20a之后(步骤S12)，在绝缘层20a的表面形成由第I和第2螺旋形导体22、23的串联连接构成的第I平面线圈图案(步骤S13)。作为导体图案的材料，可以使用Cu等，可以在通过蒸镀法或者溅射法形成导体层之后，在其上形成图案化了的抗蚀层，对其实施电解镀层，通过除去抗蚀层等而形成。接着，在绝缘层20a的表面形成绝缘层20b，并且形成贯通绝缘层20b的2个接触孔(步骤S14)。其后，在绝缘层20b上形成第3和第4螺旋形导体24、25的串联连接图案，并且用导体填埋接触孔的内部而形成接触孔导体27a、27b (步骤S15)。接着，在绝缘层20b的表面形成绝缘层20c，并且形成贯通绝缘层20b的4个接触孔(步骤S16)。其后，在绝缘层20c上形成第I至第4引出导体26a 26d，并且用导体填埋接触孔的内部而形成接触孔导体27a 27d (步骤S17)。最后,在绝缘层20c的表面形成绝缘层20d,并且形成贯通绝缘层20d的4个开口图案而完成薄膜线圈层12 (步骤S18)。接着，在作为薄膜线圈层12的表层的绝缘层20d上形成凸点电极13a 13d (步骤S19)。在凸点电极13a 13d的形成方法中，首先通过溅射法在整个绝缘层20d上形成基底导电膜。作为基底导电膜的材料，可以使用Cu等。其后，通过粘附干膜并进行曝光和显影，有选择地除去位于要形成凸点电极13a 13d的位置的干膜而形成干膜层，并露出基底导电膜。接着，通过进行电解镀层而使基底导电膜的露出面生长，形成厚的凸点电极13a 13d。此时，用电镀材料填埋用于形成端子电极28a 28d的开口的内部，由此同时形成端子电极28a 28d (步骤S19)。其后，通过除去干膜层，刻蚀整个面而除去不要的基底导电膜，完成大致柱状的凸点电极13a 13d。接着，在形成有凸点电极13a 13d的薄膜线圈层12上填充复合铁氧体的膏体，使其固化，形成磁性树脂层14 (步骤S20)。此时，为了确实形成磁性树脂层14而填充大量的膏体，由此使凸点电极13a 13d处于掩埋在磁性树脂层14内的状态。因此，研磨磁性树脂层14直至凸点电极13a 13d的上面露出而形成为规定的厚度，并且使表面平滑。此外，对于磁性晶片也研磨成规定的厚度。此外，进行芯片部件的滚筒研磨(barrel-polishing)而除去边缘之后，进行电镀，使在薄膜线圈层12的侧面露出的凸点电极13a 13d的表面平滑。如此，通过滚筒研磨芯片部件的外表面，可以制造芯片缺陷等破损不容易产生的共模滤波器。另外，由于对在芯片部件的外周面露出的凸点电极13a 13d的表面进行镀层处理，因此能够使凸点电极13a 13d的表面成为平滑面。如以上说明的那样，本实施方式所涉及的共模滤波器100的制造方法省略了现有技术中所使用的上下基板中的一个，代之形成磁性树脂层14，因此，能够简单且低成本地制造共模滤波器。另外，由于在凸点电极13a 13d的周围形成磁性树脂层14，因此能够加固凸点电极13a 13d，并且能够防止凸点电极13a 13d的剥离等。另外，在本实施方式所涉及的共模滤波器100的制造方法中，由于通过镀层形成凸点电极13a 13d，因此与例如利用溅射形成的情况相比，能够提供加工精度更高且更稳定的外部端子电极。图8是详细地表示本发明的第2实施方式所涉及的共模滤波器200的层构造概略分解立体图。另外，图9是表示引出导体26a 26d和凸点电极13a 13d的概略平面图。如图8和图9所示，该共模滤波器200的特征在于，省略了第4绝缘层20d而在第3绝缘层20c的表面形成有凸点电极13a 13d，并且第I至第4引出导体26a 26d与凸点电极13a 13d—体形成。由于其他结构与第I实施方式所涉及的共模滤波器100实质上相同，因此对相同的构成要素赋予相同的符号，省略详细的说明。在本实施方式所涉及的共模滤波器200的制造工序中，到形成第3绝缘层20c的工序(图7的步骤S16)为止，与第I实施方式所涉及的共模滤波器100相同。接着，在第3绝缘层20c的表面形成第I 第4引出导体26a 26d与凸点电极13a 13d的合成图案。此外，在整个面上粘附薄层抗蚀剂，有选择地除去位于凸点电极13a 13d的形成区域的薄层抗蚀剂而露出基底导电膜。接着，通过进行电镀而使基底导电膜的露出面生长，形成厚的凸点电极13a 13d。凸点电极13a 13d和引出导体26a 26d也可以通过以下的方法形成。S卩，在整个第3绝缘层20c上形成基底导电膜，在其上形成薄层抗蚀剂，对其进行图案化并有选择地除去位于凸点电极13a 13d和引出导体26a 26d的形成区域的薄层抗蚀剂，露出基底导电膜。其后，通过进行电解镀层而使基底导电膜的露出面生长，形成厚的凸点电极13a 13d，并且形成引出导体26a 26d。这里，引出导体26a 26d虽然也与凸点电极13a 13d —起进行镀层生长，但是与凸点电极13a 13d相比镀层生长面的线宽更窄，因此镀层生长会不完全，其高度会比凸点电极13a 13d低。引出导体26a 26d的高度根据其位置多少会不同，越靠近凸点电极越高，但平均上是凸点电极的十分之三至十分之五左右。再有，虽然通过调整镀层条件可以有意地使弓I出导体26a 26d的高度接近于凸点电极13a 13d，但是在本实施方式中不需要这样的控制。其后，在第3绝缘层20c的表面形成磁性树脂层14。此时，由于第I 第4引出导体26a 26d的高度比凸点电极13a、13c低，因此不会在埋在磁性树脂层14之下的表面露出。因此，可以提供与第I实施方式所涉及的共模滤波器100具有相同外观的端子电极图案。如以上说明地那样，根据共模滤波器200，除了与第I实施方式所涉及的共模滤波器100相同的发明效果以外，还能够省略第4绝缘层20d，由此能够谋求芯片的薄型化。另夕卜，能够使引出导体26a 26d与凸点电极13a 13d均形成在同一平面上,并能够谋求工时的减少和低成本化。图10是表示凸点电极13a 13d的变形例的概略平面图。图10 (a)所示的凸点电极13a 13d设置在矩形状的安装区域的角部，在上面以及正交的2个侧面具有露出面。即，凸点电极13a的各个具有3面的露出面。因此，能够确保宽的圆角(fillet)面，并能够提高焊接接合强度。图10 (b)所示的凸点电极13a 13d仅在底面具有露出面，在芯片的侧面不具有露出面。各凸点电极13a 13d的形状是圆形，且被绝缘树脂层14围着，因此能够提高凸点电极的固着强度。如此，本发明所涉及的共模滤波器可以采用各种的凸点电极形状，由于螺旋形导体22 25与凸点电极13a 13d的连接经由绝缘层20c上的引出导体26a 26d而进行，因此，无论在哪个位置设置哪种形状的凸点电极都可以使两者容易且确实地连接。以上，说明了本发明的优选的实施方式，但本发明不限于上述实施方式，在不偏离本发明的主旨的范围内可以添加各种变更，不言而喻，这些均包含于本发明。例如，在上述实施方式中，举出第I螺旋形导体的卷绕方向与第2螺旋形导体的卷绕方向相反，第3螺旋形导体的卷绕方向与第4螺旋形导体的卷绕方向相反的情况为例，但令第I和第2螺旋形导体的卷绕方向相同且第3和第4螺旋形导体的卷绕方向相同也无妨。另外，在上述实施方式中，第I 第4引出导体设置在同一平面上，但例如也可以使第I和第3引出导体的形成层与第2和第4引出导体的形成层不同。 另外，在上述实施方式中，在除了凸点电极13a 13d的形成位置以外的薄膜线圈层12的主面上设置磁性树脂层14，但也可以形成不具有磁性的树脂层。即，也可以使用不含有铁氧体粉的非磁性的环氧树脂等。
权利要求
1.一种共模滤波器，其特征在于， 具备: 基板； 薄膜线圈层，设置在所述基板上； 第I至第4凸点电极，设置在所述薄膜线圈层的表面；以及 树脂层，设置在所述薄膜线圈层的所述表面且除了所述第I至第4凸点电极以外的区域， 所述薄膜线圈层包含:包含彼此串联连接的第I和第2螺旋形导体的第I平面线圈层；设置在与所述第I平面线圈层不同的层，且包含彼此串联连接的第3和第4螺旋形导体的第2平面线圈层；以及与所述第I和第2平面线圈层相比更接近于所述第I至第4凸点电极而设置，且包含第I至第4引出导体的引出导体层， 所述第I螺旋形导体与所述第3螺旋形导体彼此磁耦合， 所述第2螺旋形导体与所述第4螺旋形导体彼此磁耦合， 所述第I至第4螺旋形导体的内周端，经由所述第I至第4引出导体而分别与所述第I至第4凸点电极连接， 所述第I和第2螺旋形导体的外周端彼此相互连接， 所述第3和第4螺旋形导体的外周端彼此相互连接。
2.根据权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于， 所述第I螺旋形导体的卷绕方向与所述第2螺旋形导体相反， 所述第3螺旋形导体的卷绕方向与所述第4螺旋形导体相反， 所述第I螺旋形导体的卷绕方向与所述第3螺旋形导体相同， 所述第2螺旋形导体的卷绕方向与所述第4螺旋形导体相同。
3.根据权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于， 所述薄膜线圈层还具备:依次层叠的第I至第3绝缘层、贯通所述第2和第3绝缘层的第I和第2接触孔导体、贯通所述第3绝缘层的第3和第4接触孔导体， 在所述第I绝缘层的表面，设置有所述第I平面线圈层， 在所述第2绝缘层的表面，设置有所述第2平面线圈层， 在所述第3绝缘层的表面，设置有所述引出导体层， 所述第I至第4螺旋形导体的内周端，经由所述第I至第4接触孔导体和所述第I至第4引出导体而分别与所述第I至第4凸点电极连接。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的共模滤波器，其特征在于， 所述第I至第4凸点电极的各个具有与所述基板的主面平行的第I露出面、以及与所述基板的主面正交的第2露出面。
5.根据权利要求1 3中任一项所述的共模滤波器，其特征在于， 所述基板的材料是镁橄榄石。
全文摘要
有效布置2个螺旋形导体的串联连接图案并确保宽的线圈形成区域。共模滤波器(100)具备设置在基板(11)上的薄膜线圈层(12)、设置在薄膜线圈层(12)的表面的凸点电极(13a～13d)和磁性树脂层(14)。薄膜线圈层(12)包含彼此串联连接的螺旋形导体(22、23)；彼此串联连接的螺旋形导体(24、25)；以及引出导体(26a～26d)，螺旋形导体(22、24)彼此磁耦合，螺旋形导体(23、25)彼此磁耦合。螺旋形导体(22～25)的内周端经由引出导体(26a～26d)而分别与凸点电极(13a～13d)电气连接，螺旋形导体(22、23)的外周端彼此相互连接，螺旋形导体(24、25)的外周端彼此相互连接。
文档编号H01F17/00GK103093922SQ20121041984
公开日2013年5月8日 申请日期2012年10月29日 优先权日2011年10月28日
发明者中川贤史, 奥村武史, 伊藤知一, 中込晶 申请人:Tdk株式会社