基板处理方法以及基板处理装置的制作方法

专利名称：基板处理方法以及基板处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。作为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED (Field EmissionDisplay:场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术：
在半导体装置和液晶显示装置的制造工序中，通过向半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等基板供给氢氟酸，进行从基板除去不需要的膜的蚀刻工序或从基板除去颗粒的清洗工序。例如，在日本专利申请公开2001-15481号公报中，公开了向基板的表面供给氢氟酸的蒸气来对基板进行蚀刻的蚀刻装置。在该蚀刻装置中，将充满在容置基板的腔室内的氢氟酸的蒸气供给至基板的表面。在从腔室排出腔室内的环境气体的状态下，向基板供给氢氟酸的蒸气。在通过HF蒸气(包括氟化氢的蒸气)进行的蒸气蚀刻中，存在与所谓湿式蚀刻中的气体供给不同的问题。即，HF蒸气在基板上凝聚，从而从气体变为液体。由于凝聚而形成的液体集中，由此在基板上形成包含氟化氢和水的凝聚相(HF凝聚相)。因此，若在基板的整个区域上进行凝聚，则在基板的整个区域上形成薄膜状的HF凝聚相。基板上的水分、腔室内的环境气体中所含有的水分的一部分溶解于该HF凝聚相中。通过HF蒸气对基板的处理时间因HF浓度和处理对象不同而不同，为数十秒至数分钟左右，通过持续向基板供给HF蒸气，来进行基板的蚀刻。在蚀刻处理中消耗HF蒸气中所含有的HF成分，因此需要向基板上供给新的HF蒸气。因此，为了均匀地对基板的整个区域进行蚀刻，需要在基板上的HF蒸气的流动速度均匀的状态下，向基板供给HF蒸气。在日本专利申请公开2001-15481号公报的蚀刻装置中，总是以恒定的排气压从腔室内排出HF蒸气。因此，基板上的HF蒸气的流动容易变得不均匀，腔室内的HF浓度容易产生梯度。因此，在基板上形成的凝聚相会变得不均匀，这可能会引发基板处理不均的现象。尤其在基板的周缘部进行的蚀刻会变慢，可能会降低处理的均匀性。这样的处理的均匀性低不仅在利用氢氟酸的蒸气处理基板的情况下产生，也可能在利用包含除氢氟酸之外的处理成分的蒸气处理基板的情况下产生。

发明内容
本发明的目的在于提供能够提高处理的均匀性的基板处理方法以及基板处理装置。本发明的一个实施方式提供一种基板处理方法，包括:前处理工序，一边以前处理排气流量从配置有基板的密闭空间抽吸气体，一边向上述密闭空间供给非活性气体；蚀刻工序，在进行了上述前处理工序之后，一边以比上述前处理排气流量小的蚀刻排气流量从上述密闭空间排出气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气，利用因处理蒸气凝聚在上述基板上而形成在上述基板上的液膜，对上述基板进行蚀刻；后处理工序，在进行了上述蚀刻工序之后，一边以比上述蚀刻排气流量大的后处理排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边向上述密闭空间供给非活性气体。上述基板处理方法可以是对基板进行蚀刻的蚀刻方法，可以是通过对附着于基板的异物进行蚀刻来清洗基板的清洗方法，还可以是利用蒸气处理基板的其它的处理方法。即，处理蒸气可以是含有蚀刻成分的蚀刻蒸气，也可以是含有清洗成分的清洗蒸气，还可以是含有其它成分的蒸气。处理蒸气可以是处理成分的蒸气(使固体或者液体的处理成分蒸发的气体)，也可以是除了处理成分的蒸气或者雾之外，还含有载气(例如为非活性气体)的气体。根据该方法，将从密闭空间抽吸气体的动作和向密闭空间供给非活性气体的动作并行地进行。由此，降低环境气体中的水分量以及氧浓度。在该状态下，并行地进行从密闭空间排出气体的动作和向密闭空间供给处理蒸气的动作。由此，在被处理蒸气充满密闭空间且环境气体中的水分量以及氧浓度低的状态下高效地向基板供给处理蒸气。因此，在基板的处理品质依赖于环境气体中的水分量和氧浓度的情况下，能够控制基板的处理品质。然后，并行地进行从密闭空间抽吸气体的动作和向密闭空间供给非活性气体的动作。由此，密闭空间的处理蒸气置换为非活性气体。因此，能够防止在开放密闭空间时处理蒸气从密闭空间漏出的情况。在利用处理蒸气进行的基板的处理中，在基板上流动的处理蒸气的浓度梯度对处理的均匀性的影响大。因此，为了均匀地处理基板，需要使基板上的处理蒸气的浓度维持在一定的浓度以上，并且使基板上的处理蒸气的浓度梯度均匀。在上述的前处理工序、蚀刻工序以及后处理工序中，从密闭空间排出气体。蚀刻工序中的排气流量(体积流量)比前处理工序以及后处理工序中的排气流量小。因为若排气流量大，则密闭空间的气体高速地流动，因此基板上的气体的流动速度的偏差可能变大。相对于此，在蚀刻工序中排气流量小，因此基板上的气体的流动速度的偏差小。因此，向基板的表面的整个区域均匀地供给处理蒸气。由此，能够均匀地对基板的表面的整个区域进行处理。上述蚀刻工序可以包括包括弱排气工序和抽吸停止工序中的至少一个，其中，在上述弱排气工序中，一边以上述蚀刻排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气，在上述抽吸停止工序中，在停止从上述密闭空间抽吸气体的状态下，一边以上述蚀刻排气流量从上述密闭空间排出气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气。S卩，蚀刻工序可以包括一边积极地排出密闭空间的气体，一边向基板供给处理蒸气的工序，也可以包括在停止积极地从密闭空间排出气体(抽吸气体)的状态下，向基板供给处理蒸气的工序。当然，蚀刻工序可以包括弱排气工序以及抽吸停止工序这两者。即，蚀刻工序可以在进行了弱排气工序以及抽吸停止工序中的一个工序之后，再进行另一工序。无论在哪种情况下，由于在蚀刻工序中的排气流量小，因此在基板上的气体的流动速度的偏差小。因此，能够将处理蒸气均匀地供给至基板的表面的整个区域，能够均匀地对基板的表面的整个区域进行处理。上述基板处理方法可以在上述前处理工序之后且上述蚀刻工序之前还包括置换工序，在上述置换工序中，一边以比上述蚀刻排气流量大的置换排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气。根据该方法，一边积极地排出密闭空间的气体，一边向密闭空间供给处理蒸气。然后，在将来自密闭空间的排气流量降低的状态下，向密闭空间供给处理蒸气。并行地进行从密闭空间积极地排出气体的动作和向密闭空间供给处理蒸气的动作，因此能够在短时间内将密闭空间的气体置换为处理蒸气。因此，能够使基板与处理蒸气立即开始反应。而且，在密闭空间的气体置换为处理蒸气之后，以排气流量低的状态向密闭空间供给处理蒸气，因此能够均匀地对基板的表面的整个区域进行处理。上述基板处理方法可以包括在进行上述后处理工序之前使上述置换工序和上述蚀刻工序交替地进行多次的反复工序。根据该方法，一边积极地排出密闭空间的气体，一边向密闭空间供给处理蒸气。然后，在将来自密闭空间的排气流量降低的状态下，向密闭空间供给处理蒸气。然后，重新进行这些工序。由此，能够将密闭空间的处理蒸气置换为新的处理蒸气。因此，能够将活性低的处理蒸气置换为活性高的处理蒸气。因此，能够提高处理的效率性。上述蚀刻工序可以包括如下工序:在基板被形成有使流体在内部空间与外部空间之间流通的流通孔且配置于上述密闭空间中的处理容器覆盖的状态下，一边从上述处理容器的上述外部空间排出气体，一边向上述处理容器的上述内部空间供给处理蒸气。根据该方法，在通过处理容器覆盖基板的状态下，向处理容器的内部(内部空间)供给处理蒸气。由此，处理容器内的气体经过流通孔被推向处理容器的外部(外部空间)。然后，被推出至处理容器的外部的气体与密闭空间内的气体一起从密闭空间排出。由此，处理容器内的气体置换为处理蒸气，向基板供给处理蒸气。在处理容器的内部，处理容器的内表面阻碍气体的流动，因此使气体的流动速度进一步降低。因此，能够进一步降低基板上的气体的流动速度的偏差。因此，能够进一步均匀地对基板的表面的整个区域进行处理。上述蚀刻工序可以包括如下工序:在基板被环状的防护壁包围的状态下，一边从上述密闭空间排出气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气。根据该方法，在通过环状的防护壁包围基板的状态下，向密闭空间供给处理蒸气。供给至基板的处理蒸气沿着基板的表面流动。由于通过防护壁包围基板，因此通过防护壁阻碍气体从基板的周缘部向外方流动。因此，基板上的气体的流动速度进一步降低，基板上的气体的流动速度的偏差进一步降低。因此，能够进一步均匀地对基板的表面的整个区域进行处理。通过该方法处理的基板可以是在表面上形成有氮化膜的基板(氮化膜露出的基板)。当然，也可以在表面上形成有除了氮化膜之外的薄膜的基板和未形成薄膜的基板(裸晶片)为处理对象的基板。另外，上述基板处理方法可以包括基板旋转工序，该基板旋转工序与上述蚀刻工序并行地进行，围绕穿过基板的表面的旋转轴线使该基板旋转。根据该方法，能够将处理蒸气进一步均勻地供给至基板。由此，能够进一步提高处理的均勻性。本发明的其它实施方式提供一种基板处理装置，包括:处理室，在内部设置有密闭空间；基板保持单元，在上述密闭空间中保持基板；处理蒸气供给单元，向上述密闭空间供给处理蒸气；非活性气体供给单元，向上述密闭空间供给非活性气体；排气单元，从上述密闭空间抽吸气体；控制装置(controller),控制上述处理蒸气供给单元、上述非活性气体供给单元以及上述排气单元。上述控制装置执行:前处理工序，一边通过上述排气单元以前处理排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边通过上述非活性气体供给单元向上述密闭空间供给非活性气体；蚀刻工序，在进行了上述前处理工序之后，一边以比上述前处理排气流量小的蚀刻排气流量从上述密闭空间向上述排气单元排出气体，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气，利用因处理蒸气凝聚在上述基板上而形成在上述基板上的液膜，对上述基板进行蚀刻；后处理工序，在进行了上述蚀刻工序之后，一边通过上述排气单元以比上述蚀刻排气流量大的后处理排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边通过上述非活性气体供给单元向上述密闭空间供给非活性气体。根据该结构，能够产生与上述的效果同样的效果。上述控制装置可以执行包括弱排气工序和抽吸停止工序中的至少一个的上述蚀刻工序，其中，在上述弱排气工序中，一边通过上述排气单元以上述蚀刻排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气；在上述抽吸停止工序中，在停止通过上述排气单元抽吸气体的状态下，一边以上述蚀刻排气流量使气体从上述密闭空间排出至上述排气单元，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气。根据该结构，能够产生与上述的效果同样的效果。上述控制装置可以在上述前处理工序之后且上述蚀刻工序之前还执行置换工序，在该置换工序中，一边通过上述排气单元以比上述蚀刻排气流量大的置换排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气。根据该结构，能够产生与上述的效果同样的效果。上述控制装置可以执行在进行上述后处理工序之前使上述置换工序和上述蚀刻工序交替地进行多次的反复工序。根据该结构，能够产生与上述的效果同样的效果。还包括处理容器，该处理容器形成有使流体在内部空间和外部空间之间流通的流通孔，且配置于上述密闭空间中，并且覆盖被上述基板保持单元保持的基板；上述控制装置执行包括如下工序的上述蚀刻工序:一边使气体从上述处理容器的上述外部空间排出至上述排气单元，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述处理容器的上述内部空间供给处理蒸气。根据该结构，能够产生与上述的效果同样的效果。上述基板处理装置可以还包括包围被上述基板保持单元保持的基板的周围的环状的防护壁。在该状况下，上述控制装置可以执行包括特定工序的上述蚀刻工序，在该特定工序中，在通过上述防护壁包围基板的状态下，一边使气体从上述密闭空间排出至上述排气单元，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气。根据该结构，能够产生与上述的效果同样的效果。参照附图，通过在下面叙述的实施方式的说明来明确本发明中的上述或者另外的其它目的、特征以及效果。


图1是水平地观察本发明的第一实施方式的基板处理装置的局部的示意图。图2是用于说明通过基板处理装置进行的第一处理例的示意图。图3是用于说明通过基板处理装置进行的第二处理例的示意图。图4A是用于说明在蚀刻工序中减少排气流量的情况下和未减少排气流量的情况下的蚀刻的均匀性的曲线图。图4B是示出在蚀刻工序中减少排气流量的情况下和未减少排气流量的情况下的基板上的HF的浓度梯度的示意图。图4C是示出在后处理工序中减少排气流量的情况下和未减少排气流量的情况下的基板上的凝聚相的状态的示意图。图5是水平地观察本发明的第二实施方式的基板处理装置的局部的示意图。图6是用于说明通过基板处理装置进行的第三处理例的示意图。图7是水平地观察本发明的第三实施方式的基板处理装置的局部的示意图。图8是水平地观察本发明的第四实施方式的基板处理装置的局部的示意图。
具体实施例方式图1是沿着水平方向观察本发明的第一实施方式的基板处理装置I的局部的示意图。基板处理装置I是逐张地处理半导体晶片等圆板状的基板W的单张式的基板处理装置。基板处理装置I具有:处理单元2，用于处理基板W ;控制装置3，用于控制基板处理装置I所具有的装置的动作和阀的开闭。处理单元2是将作为处理蒸气的一例的含有氟化氢的蒸气供给至基板W的蒸气处理单元。处理单元2包括:HF蒸气发生容器4 (处理蒸气供给单元、非活性气体供给单元)，用于贮存氢氟酸(液体)；腔室5 (处理室)，在内部设置有容置HF蒸气发生容器4的密闭空间SI。HF蒸气发生容器4内的氢氟酸的浓度被调整为成为所谓准共沸组成的浓度(例如在I气压且室温下，为大约39.6%)。HF蒸气发生容器4内的氢氟酸被内置于HF蒸气发生容器4中的HF加热器6加热。HF蒸气发生容器4内的氢氟酸的温度由控制装置3控制。处理单元2包括:冲压板(perforated plate) 7,配置于HF蒸气发生容器4的下方；加热板8，配置于冲压板7的下方。加热板8是保持基板W的基板保持单元的一例，并且也是加热基板W的基板加热器的一例。加热板8在基板W的上表面与冲压板7相向的基板保持位置(图1所示的位置)上水平地保持该基板W。基板W—边被加热板8加热，一边被加热板8支撑。通过控制装置3使基板W的温度维持在规定的范围内(例如，30°C 100°C )的恒定的温度。加热板8与旋转轴9的上端部相连接。包括马达等的旋转驱动机构10与旋转轴9相连接。当旋转驱动机构10使旋转轴9旋转时，加热板8与旋转轴9 一起围绕铅垂轴线旋转。由此，被加热板8保持的基板W围绕穿过基板W的中心的铅垂的旋转轴线Al旋转。处理单元2还包括:筒状的波纹管11，配置于加热板8的周围；伸缩单元(未图示)，使波纹管11上下伸缩；挡板13，开闭形成在腔室5的侧壁上的开口 12 ;开闭单元(未图示)，使挡板13移动。加热板8配置于波纹管11的内侧。开口 12配置于加热板8的侧方。伸缩单元使波纹管11在密闭位置(实线所示的位置)和退避位置(双点划线所示的位置)之间伸缩，其中，上述密闭位置指，波纹管11的上端缘与冲压板7相抵接而加热板8的周围的空间被密闭的位置，上述退避位置指，波纹管11的上端缘退避至加热板8的上表面的下方的位置。另外，开闭单元使挡板13在开口 12打开的打开位置和开口 12关闭的关闭位置(图1所示的位置)之间移动。
HF蒸气发生容器4包括:蒸气发生空间S2，充满了氢氟酸的蒸气(使氢氟酸蒸发产生的气体);流路15，经由连通阀14与蒸气发生空间S2连接。HF蒸气发生容器4与安装有第一流量控制器16以及第一阀17的第一配管18相连接。HF蒸气发生容器4经由第一配管18与第一氮气供给源19连接。将作为非活性气体的一例的氮气经由第一配管18供给至蒸气发生空间S2。同样地，流路15与安装有第二流量控制器20以及第二阀21的第二配管22相连接。流路15经由第二配管22与第二氮气供给源23连接。将氮气经由第二配管22供给至流路15。通过控制装置3使连通阀14、第一阀17以及第二阀21进行开闭。在打开连通阀14以及第一阀17的状态下，通过来自第一氮气供给源19的氮气的气流，使漂浮在蒸气发生空间S2内的氢氟酸的蒸气经由连通阀14供给至流路15。因此，在打开所有的阀14、17、21的状态下，通过来自第二氮气供给源23的氮气的气流，将供给至流路15的HF蒸气(包括氢氟酸的蒸气和氮气的气体)引导至冲压板7。由此，HF蒸气经过形成于冲压板7的多个贯通孔吹送至被加热板8保持的基板W的上表面。另外，在仅打开第二阀21的状态下，仅将氮气引导至冲压板7。由此，向基板W的上表面吹送氮气。基板处理装置I还包括排出腔室5内的气体的排气单元24。排气单元24包括:排气管25，与腔室5内的空间(密闭空间SI)相连接；排气装置(泵)26，与排气管25相连接；压力表27，在排气装置26的上游侧(靠腔室5 —侧)测定排气管25内的气压；溢流阀28，与排气管25相连接。排气装置26经由排气管25与腔室5内的空间(波纹管11内的空间)相连接。在排气装置26被驱动的状态下，借助排气装置26的吸引力，腔室5内的气体被排出到腔室5的外部。排气装置26以控制装置3所设定的吸引力(排气压(表压))抽吸腔室5的气体。控制装置3根据压力表27的测定值控制排气装置26的吸引力。排气装置26例如以表压为_500Pa以上且小于OPa的排气压抽吸排气管25内的气体。排气压的绝对值越大，排气装置26的吸引力越强。当排气装置26的吸引力变强时，来自腔室5的排气流量(体积流量)增加，当排气装置26的吸引力变弱时，来自腔室5的排气流量减少。在排气装置26以规定的排气压抽吸排气管25内的气体的状态下，排气管25内的气压维持为排气装置26的排气压。溢流阀28在排气装置26的上游侧与排气管25相连接。在腔室5内的气压小于溢流阀28的设定压(大气压以上的压力)的状态下，溢流阀28关闭。当腔室5内的气压上升至设定压时，溢流阀28打开，使波纹管11内的气体排出。由此，腔室5内的气压降低至小于设定压，溢流阀28关闭。因此，通过溢流阀28使腔室5内的气压维持在设定压以下。接着，对通过基板处理装置I进行的基板W的处理例进行说明。具体地讲，对如下处理进行说明，即，向形成有作为氮化膜的一例的LP-SiN (Low Pressure-SiliconNitride:低压-氮化娃)的薄膜的娃基板的表面供给含有氟化氢的蒸气，对LP-SiN的薄膜进行蚀刻。图2是用于说明通过基板处理装置I进行的第一处理例的示意图。下面，参照图1以及图2。在通过处理单元2处理基板W时，进行将基板W搬入至腔室5内的搬入工序。具体地讲，在控制装置3使波纹管11位于退避位置并使挡板13位于打开位置的状态下，通过搬运机械手(未图示)将基板W搬入至腔室5内。然后，控制装置3在使搬运机械手从腔室5内退避之后，使波纹管11移动至密闭位置，并使挡板13移动至关闭位置。接着，进行将腔室5内的环境气体置换为氮气的前处理工序。具体地讲，控制装置3通过旋转驱动机构10使被加热板8保持的基板W旋转。然后，在波纹管11配置于密闭位置且排气装置26以前处理排气压抽吸排气管25内的气体的状态下，控制装置3使第二阀21打开。前处理排气压例如为_500Pa以上且-300Pa以下的范围内的恒定的压力，例如为-300Pa。由于第二阀21打开，从第二配管22向流路15供给氮气，将该氮气从冲压板7供给至波纹管11内。波纹管11内的环境气体因排气装置26抽吸气体而向排气管25排出，并且被供给至波纹管11内的氮气推向排气管25。由此，将腔室5内的环境气体置换为氮气，从而降低腔室5内的水分量以及氧浓度。在将腔室5内的环境气体置换为氮气之后，控制装置3使第二阀21关闭。接着，进行将HF蒸气供给至基板W的蚀刻工序。具体地讲，控制装置3使排气装置26的吸引力减弱，从而使来自腔室5的排气流量比前处理工序时的排气流量少。此时，控制装置3可以使排气装置26的排气压(吸引力)变为比前处理排气压小的蚀刻排气压(例如在_300Pa以上且小于OPa的范围内的恒定的压力，例如为_50Pa)，也可以使排气装置26不具有吸引力。在使排气流量减少的状态下，控制装置3使连通阀14、第一阀17以及第二阀21打开。由此，HF蒸气经过冲压板7的贯通孔，吹送至通过加热板8维持为恒定的温度的旋转状态的基板W。在排气装置26被驱动的情况下，借助排气装置26的吸引力将吹送至基板W的HF蒸气抽吸至排气管25。另外，在排气装置26停止动作的情况下，由于供给HF蒸气，腔室5内的气压上升至溢流阀28的设定压(例如在表压为OPa以上且IOOPa以下的范围内的恒定值)，从而溢流阀28打开。由此，吹送至基板W的HF蒸气经过排气管25排出至腔室5的外部。因此，向基板W供给HF蒸气，并且将波纹管11内的氮气置换为HF蒸气。在从连通阀
14、第一阀17以及第二阀21打开起经过了规定时间之后，控制装置3使连通阀14、第一阀17以及第二阀21关闭，从而停止向基板W供给HF蒸气。接着，进行将腔室5内的环境气体置换为氮气的后处理工序。具体地讲，控制装置3使排气装置26的吸引力变强，或者使排气装置26再次抽吸气体，从而使来自腔室5的排气流量比蚀刻工序时的排气流量大。即，控制装置3使排气装置26的排气压(吸引力)变为比蚀刻排气压大的后处理排气压(例如在_500Pa以上且-300Pa以下的范围内的恒定值，例如为-300Pa)。然后，在排气流量增加的状态下，控制装置3使第二阀21打开。由此，波纹管11内的含有HF蒸气的环境气体，借助排气装置26的吸引力向排气管25排出，并且被供给至波纹管11内的氮气推向排气管25。因此，将波纹管11内的环境气体置换为氮气。在将波纹管11内的环境气体置换为氮气之后，控制装置3使第二阀21关闭。然后，控制装置3使基板W停止旋转。接着，进行从腔室5内搬出基板W的搬出工序。具体地讲，控制装置3使波纹管11从密闭位置移动至退避位置，使挡板13从关闭位置移动至打开位置。然后，在波纹管11以及挡板13分别位于密闭位置以及打开位置的状态下，控制装置3通过搬运机械手将基板W从腔室5内搬出。然后，控制装置3使挡板13移动至关闭位置。在蚀刻工序中，HF蒸气经过冲压板7均匀地吹送至基板W的上表面。蚀刻工序中的排气流量比前处理工序以及后处理工序中的排气流量小。因此，就在腔室5内的气流的速度而言，蚀刻工序时比前处理工序以及后处理工序时小。因此，在蚀刻工序中，基板W的上表面中央部的气体的流动速度与基板W的上表面周缘部的气体的流动速度之差小，基板W上的流动速度的偏差小。因此，经过了冲压板7的HF蒸气均匀地供给至基板W的上表面的整个区域。由此，HF蒸气在基板W上凝聚，在基板W的上表面的整个区域上均匀地形成含有氟化氢和水的凝聚相。因此，在基板W上形成厚度极薄的液膜，基板W的上表面的整个区域被该液膜覆盖。这样，氟化氢和水均匀地供给至基板W的上表面的整个区域，从而均匀地蚀刻形成于基板W的表面的氮化膜。图3是用于说明通过基板处理装置I进行的第二处理例的示意图。下面，参照图1以及图3。第一处理例与第二处理例的主要的不同点在于在进行蚀刻工序之前，进行置换工序(参照图3)，在该置换工序中，一边以与前处理工序相同的排气压排出腔室5内的气体，一边向腔室5内供给HF蒸气，从而在短时间内将腔室5的环境气体置换为HF蒸气。具体地讲，在第二处理例中，与第一处理例同样地，依次进行搬入工序以及前处理工序。然后，进行将腔室5内的环境气体置换为HF蒸气的置换工序。具体地讲，控制装置3在使排气装置26的排气压维持在前处理排气压的状态下，使连通阀14、第一阀17以及第二阀21打开。因此，HF蒸气供给至波纹管11内，并且波纹管11内的含有氮气的环境气体以与前处理工序相同的排气流量排出。由此，波纹管11内的环境气体在短时间内置换为HF蒸气。在波纹管11内的环境气体置换为HF蒸气之后，控制装置3进行上述的蚀刻工序、后处理工序以及搬出工序。控制装置3可以在蚀刻工序的结束时接着立即进行后处理工序，也可以在蚀刻工序之后重新依次进行置换工序以及蚀刻工序，然后进行后处理工序。即，控制装置3可以在进行了前处理工序之后，使从置换工序到蚀刻工序的一个循环反复进行多次。然后，控制装置3也可以在进行了反复工序之后，进行后处理工序。通过在进行了蚀刻工序之后进行置换工序，能够将活性降低的HF蒸气置换为活性高的HF蒸气。由此，能够提高处理的效率性。这样，在第一处理例以及第二处理例中，通过供给氮气等非活性气体，腔室5内的气体被从腔室5内排出(前处理工序)。然后，在来自腔室5的排气流量比前处理工序时的排气流量小的状态下，将HF蒸气供给至腔室5内(蒸气蚀刻工序)。然后，通过供给氮气等非活性气体，腔室5内的HF蒸气被从腔室5内排出(后处理工序)。前处理工序、蚀刻工序以及后处理工序的处理时间根据HF浓度、处理对象、蚀刻内容的不同而不同，但是前处理工序以及后处理工序的时间都是30秒至I分钟左右，蚀刻工序的时间为数分左右。在前处理工序中，排出腔室5内的气体，并且为了防止结露也进行温度管理。进行结露防止处理，以防止腔室5的内表面和腔室5内的构件淋湿，或者防止蚀刻工序中的蚀刻速度的偏差。在前处理工序中，为了缩短前处理工序的时间，例如以_500Pa -300Pa的排气压进行排气。在蚀刻工序中，HF蒸气以均匀的流动速度在基板W上流动，且应该向基板W供给新鲜的HF蒸气。因此，在蚀刻工序中，例如以_300Pa OPa的排气压进行排气。其中，在排气压为OPa的情况下，HF蒸气排出少许。排出HF蒸气的主要理由如下，S卩，在基板W上进行蚀刻处理而消耗HF成分，因此总是需要向基板W上供给新的HF蒸气。在后处理工序中，需要快速地从整个基板W上排除残留的HF。因为，若HF蒸气残留在基板W上的局部位置，则有可能会产生处理不均的现象。因此，需要在蚀刻结束之后尽早地将残留的HF蒸气置换为非活性气体的环境气体，在基板的整个面上停止蚀刻处理。另夕卜，也有缩短后处理工序的时间的要求。在后处理工序中，例如以_500Pa -300Pa的排气压进行排气。这样，通过在前处理、蚀刻处理以及后处理中切换排气压，来提高VPC (vaporphase cleaning:汽相清洗)中处理基板W的均勻性。S卩，以前处理、蚀刻处理以及后处理的顺序进行的一系列的处理过程有助于处理的均匀性。由此，均匀地对基板W的表面的整个区域进行处理。即，对基板W的表面的整个区域均匀地进行蚀刻。图4A是用于说明在蚀刻工序中减少排气流量的情况下和未减少排气流量的情况下的蚀刻的均匀性的曲线图。图4A表示直径为300_的圆形基板的半径(横轴)和各半径处的蚀刻量(纵轴)间的关系。单点划线表示的测定值是实施例的测定值，双点划线表示的测定值是比较例的测定值。两个测定值都是按照上述的第一处理例处理基板W时的测定值。除了在蚀刻工序中的排气装置26的排气压之外，处理条件都相同。即，单点划线表示的测定值是，仅在蚀刻工序时使排气变弱的情况(排气压为OPa)下的测定值，双点划线表示的测定值是，在从前处理工序到后处理工序为止以恒定的排气压(_300Pa)连续排气的情况下的测定值。如图4A所示，无论在实施例中还是在比较例中，基板W的中央部(半径为Omm的附近)的蚀刻量都比基板W的周缘部(半径为150mm的附近)的蚀刻量大。但是，就基板W的中央部的蚀刻量和基板W的周缘部的蚀刻量之差而言，实施例比比较例小。因此，就蚀刻的均匀性而言，实施例比比较例高。而且，无论在基板W内的哪个位置上，实施例的蚀刻量都比比较例的蚀刻量大。因此，通过减少蚀刻工序中的排气流量，能够提高蚀刻的均匀性以及效率性。图4B是示出在蚀刻工序中减少排气流量的情况(右栏)和未减少排气流量的情况(左栏)的基板上的HF的浓度梯度的示意图。图4C是示出在后处理工序中减少排气流量的情况(右栏)和未减少排气流量的情况(左栏)的基板上的凝聚相的状态的示意图。如图4B的左栏所示，若排出腔室内的气体的吸引力强，则由于基板的周缘部的HF蒸气的流速比周缘部的内侧的区域的流速大，因此基板的周缘部的凝聚相的厚度比周缘部的内侧的区域的凝聚相的厚度薄。即，含有HF和水的凝聚相的厚度不均匀。因此，基板的周缘部的HF的浓度比周缘部的内侧的区域的HF的浓度小。但是，如图4B的右栏所示，若排气流量少时，则腔室内的气体的流速降低，因此基板的周缘部的凝聚相的厚度和周缘部的内侧的区域的凝聚相的厚度之差变小，从而形成均匀厚度的凝聚相。由此，使基板上的HF浓度的偏差降低，从而提高蚀刻的均匀性。另外，通过HF蒸气进行蚀刻处理之后，需要立即将HF环境气体置换为非活性气体的环境气体。如图4C的右栏所示，若排气流量少，则从流速大的基板的周缘部开始除去HF的凝聚相，处于仅在周缘部的内侧的区域存在凝聚相的状态。因此，在置换HF环境气体的期间也进行蚀刻。但是，如图4C的左栏所示，若排出腔室内的气体的吸引力强，则瞬间除去凝聚相，因此能够均匀地使蚀刻停止。因此，在后处理工序中，以比蚀刻工序中的吸引力强的吸引力排出腔室内的气体。由此，能够提高处理的均匀性。如上所述，在第一实施方式中，在进行蚀刻工序时使排气装置26的吸引力(排气压)减弱，从而降低腔室5内的气体的流动速度。由此，使基板W上的气体的流动速度的偏差减小。在利用HF蒸气的蚀刻技术中，在基板W上流动的HF蒸气的浓度梯度对处理的均匀性的影响很。因此，为了均匀地蚀刻形成于基板W的SiN膜等薄膜和基板W本身，需要将基板W上的HF蒸气的浓度维持在一定的浓度以上，并且使基板W上的HF蒸气的浓度梯度均匀。因此，通过减小基板W上的气体的流动速度的偏差，能够将HF蒸气均匀地供给至基板W的表面的整个区域。由此，能够对基板W的表面的整个区域均匀地进行处理。S卩，通过进行控制腔室5内的气体的流动速度的流动控制，能够提高处理的均匀性。[第二实施方式]接着，对本发明的第二实施方式进行说明。在下面的图5和图6中，对于与上述的图1至图4所示的各部分同等的结构部分，标注与图1等相同的参照附图标记并省略说明。图5是水平地观察本发明的第二实施方式的基板处理装置201的局部的示意图。基板处理装置201具有与第一实施方式的基板处理装置I同样的结构。即，基板处理装置201包括处理单元202，来代替第一实施方式的处理单元2。处理单元202包括多个HF蒸气发生容器4、腔室5、冲压板7、加热板8、排气单元24。而且，处理单元202包括:处理容器229，配置于腔室5内；容器移动单元230，使处理容器229在腔室5内移动。处理容器229是帽(hood)状。处理容器229以开口朝下的倒立姿势被容器移动单元230支撑。处理容器229包括:圆板状的上壁232，形成有多个流通孔231 (贯通孔)；筒状的周壁233，从上壁232的外周部向下方延伸。周壁233的内径比基板W的直径大。周壁233发挥阻碍气体向基板W的周围流动的防护壁的功能。容器移动单元230使处理容器229在处理位置和退避位置之间移动，其中，处理位置指，周壁233的下端在基板W (基板保持位置)的周围与加热板8的上表面接触的位置，退避位置指，周壁233的下端退避至基板W (基板保持位置)的上方的位置。当处理容器229配置于处理位置时，处理容器229的内部(内部空间)被密闭。而且，在加热板8上保持有基板W的状态下，当处理容器229配置于处理位置时，基板W被处理容器229覆盖，从而基板W配置于处理容器229的内部。HF蒸气发生容器4配置于处理容器229的周围。HF蒸气发生容器4与周壁233相连接。HF蒸气发生容器4从周壁233向处理容器229的内部供给气体(HF蒸气或者氮气)。在处理容器229位于处理位置的状态下，当将来自HF蒸气发生容器4的气体供给至处理容器229的内部时，处理容器229的内部被来自HF蒸气发生容器4的气体充满。而且，由于在上壁232上形成有多个流通孔231，因此供给至处理容器229的内部的气体经过流通孔231向处理容器229的外部排出。因此，在处理容器229的内部形成上升气流。图6是用于说明通过基板处理装置201进行的第三处理例的示意图。下面，参照图5以及图6。当通过处理单元202处理基板W时，进行将基板W搬入至处理单元202的搬入工序。具体地讲，控制装置3在使处理容器229位于退避位置并使挡板13位于打开位置的状态下，通过搬运机械手将基板W搬入至处理单元202内。然后，控制装置3在使搬运机械手从腔室5内退避之后，使处理容器229移动至处理位置并使挡板13移动至关闭位置。由此，被加热板8保持的基板W被处理容器229覆盖，配置于密闭的处理容器229的内部。接着，进行将腔室5内的环境气体置换为氮气的前处理工序。具体地讲，在排气装置26以前处理排气压抽吸排气管25内的气体的状态下，控制装置3使第二阀21打开。由此，将来自HF蒸气发生容器4的氮气供给至处理容器229内，处理容器229内的气体经过流通孔231排出到处理容器229的外部。然后，排出至处理容器229的外部的气体借助排气装置26的吸引力向排气管25排出。由此，将处理容器229内的环境气体置换为氮气。另夕卜，由于从处理容器229排出的氮气借助排气装置26的吸引力排出至排气管25，因此处理容器229的外部(外部空间)的环境气体也置换为氮气。在处理容器229的内部空间以及外部空间的环境气体置换为氮气之后，控制装置3使第二阀21关闭。接着，进行将HF蒸气供给至基板W的蚀刻工序。具体地讲，控制装置3使排气装置26的吸引力降弱，使来自腔室5的排气流量比前处理工序时的排气流量少。此时，控制装置3可以使排气装置26的排气压(吸引力)变为比前处理排气压小的蚀刻排气压，也可以使排气装置26没有吸引力。控制装置3在使排气流量减少的状态下，使连通阀14(参照图1)、第一阀17以及第二阀21打开。由此，将来自HF蒸气发生容器4的HF蒸气供给至处理容器229内。因此，向基板W供给HF蒸气，并且将处理容器229内的氮气置换为HF蒸气。同样地，将从处理容器229排出的HF蒸气供给至处理容器229的外部，从而腔室5内的环境气体置换为HF蒸气。这样，向基板W供给HF蒸气来对基板W进行蚀刻。在从打开连通阀14、第一阀17以及第二阀21起经过规定时间之后，控制装置3使连通阀14、第一阀17以及第二阀21关闭，从而停止向基板W供给HF蒸气。接着，进行将腔室5内的环境气体置换为氮气的后处理工序。具体地讲，控制装置3使排气装置26的吸引力变强，或者通过排气装置26再次抽吸气体，从而使来自腔室5的排气流量比蚀刻工序时的排气流量大。即，控制装置3使排气装置26的排气压(吸引力)变为比蚀刻排气压大的后处理排气压。然后，控制装置3在使排气流量增加的状态下，使第二阀21打开。由此，处理容器229的内部空间以及外部空间的环境气体置换为氮气。然后，控制装置3使第二阀21关闭，从而停止向处理容器229内供给氮气。接着，进行从腔室5内搬出基板W的搬出工序。具体地讲，控制装置3使处理容器229从处理位置移动至退避位置，并使挡板13从关闭位置移动至打开位置。然后，在处理容器229以及挡板13分别位于密闭位置以及打开位置的状态下，控制装置3通过搬运机械手将基板W从腔室5内搬出。然后，控制装置3使挡板13移动至关闭位置。如上所述，在第二实施方式中，不仅在进行蚀刻工序时使排气装置26的吸引力减弱，在通过处理容器229覆盖基板W的状态下，向处理容器229的内部(内部空间)供给HF蒸气。在处理容器229的内部，气体的流动被处理容器229的内表面阻挡，因此能够进一步降低处理容器229内的气体的流动速度。因此，能够进一步减小基板W上的气体的流动速度的偏差。因此，能够进一步均匀地对基板W的表面的整个区域进行处理。[第三实施方式]接着，对本发明的第三实施方式进行说明。在下面的图7中，对于与上述的图1至图6所示的各部分等同的结构部分，标注与图1等相同的参照附图标记并省略说明。
图7是水平地观察本发明的第三实施方式的基板处理装置301的局部的示意图。基板处理装置301具有与第一实施方式的基板处理装置I同样的结构。即，基板处理装置301包括处理单元302，来代替第一实施方式的处理单元2。处理单元302包括HF蒸气发生容器4、腔室5、冲压板7、加热板8、旋转轴9、旋转驱动机构10、排气单元24。而且，处理单元302包括处理容器229和容器移动单元230。HF蒸气发生容器4配置于处理容器229的上方。容器移动单元230使处理容器229在处理位置和退避位置之间移动，其中，上述处理位置指，周壁233的下端以与基板W以及加热板8非接触的状态在基板W的周围接近加热板8的上表面的位置，上述退避位置指，周壁233的下端退避至基板W的上方的位置。控制装置3与上述的第一处理例以及第二处理例同样地对基板W进行处理。在蚀刻工序中，控制装置3使来自腔室5的排气流量比前处理工序以及后处理工序时的排气流量少。而且，在蚀刻工序中，在基板W被加热板8保持且处理容器229位于处理位置的状态下，控制装置3使HF蒸气发生容器4喷出HF蒸气。从HF蒸气发生容器4喷出的HF蒸气经过多个流通孔231流入处理容器229内。流入至处理容器229内的HF蒸气在处理容器229内向下方流动，从而将处理容器229内的气体推出。因此，如图7的箭头所示，处理容器229内的气体在周壁233的下端与加热板8之间经过，排出至处理容器229的外部。这样，腔室5内的含有氮气的环境气体置换为HF蒸气，HF蒸气充满处理容器229内。因此，向基板W供给HF蒸气，从而对基板W进行蚀刻。如上所述，在第三实施方式中，在进行蚀刻工序时使排气装置26的吸引力减弱，而且在通过处理容器229覆盖基板W的状态下，向处理容器229的内部(内部空间)供给HF蒸气。流入至处理容器229内的HF蒸气经过周壁233的下端与加热板8之间的窄的间隙排出，因此使处理容器229内的气体的流动速度进一步降低。因此，能够进一步降低基板W上的气体的流动速度的偏差。因此，能够进一步均匀地对基板W的表面的整个区域进行处理。[第四实施方式]接着，对本发明的第四实施方式进行说明。在下面的图8中，对于与上述的图1至图7所示的各部分等同的结构部分，标注与图1等相同的参照附图标记，并省略说明。图8是水平地观察本发明的第四实施方式的基板处理装置401的局部的示意图。基板处理装置401具有与第一实施方式的基板处理装置I同样的结构。即，基板处理装置401包括处理单元402，来代替第一实施方式的处理单元2。处理单元402具有HF蒸气发生容器4、腔室5、加热板8、旋转轴9、旋转驱动机构10、排气单元24。而且，处理单元402包括:环状的防护壁434，配置于腔室5内；防护壁移动单元435，使防护壁434在腔室5内移动。防护壁434以同心圆状包围被加热板8保持的基板W的周围。优选为，防护壁434在整周上连续。即，防护壁434可以由沿着周向隔开间隔配置的多个分割体(dividedmember)构成。防护壁434从加热板8的上表面向上方延伸。防护壁434被加热板8支撑。通过搬运机械手搬运的基板W，在加热板8上通过使基板W升降的未图示的支撑销转接，载置于加热板8上。控制装置3与上述的第一处理例以及第二处理例同样地对基板W进行处理。在蚀刻工序中，控制装置3使来自腔室5的排气流量比前处理工序以及后处理工序时的排气流量少。而且，在蚀刻工序中，在基板W被加热板8保持的状态下，控制装置3使HF蒸气发生容器4喷出HF蒸气。从HF蒸气发生容器4喷出的HF蒸气流入至防护壁434的内侧的空间。因此，防护壁434内的气体被排出至防护壁434的外部。这样，处理容器229内的含有氮气的环境气体置换为HF蒸气，HF蒸气充满防护壁434内。因此，向基板W供给HF蒸气，从而对基板W进行蚀刻。如上所述，在第四实施方式中，在进行蚀刻工序时使排气装置26的吸引力减弱之外，而且在通过防护壁434包围基板W的状态下至向防护壁434的内侧的空间供给HF蒸气。由此，向基板W供给HF蒸气。供给至基板W的HF蒸气沿着基板W的表面流动。通过防护壁434包围基板W，因此如图8的箭头所示，可以通过防护壁434阻碍气体从基板W的周缘部向外方流动。因此，使基板W上的气体的流动速度进一步降低，使基板W上的气体的流动速度的偏差进一步减小。因此，能够进一步均匀地对基板W的表面的整个区域进行处理。[其它实施方式]本发明的第一至第四实施方式的说明如上，但是本发明并不限定于上述的第一至第四实施方式的内容，能够在权利要求书的范围内进行各种变更。例如，在第一以及第二处理例中，对向旋转状态的基板供给HF蒸气的情况进行了说明，但是也可以向非旋转状态的基板供给HF蒸气。对在第三以及第四实施方式中说明的处理例也相同。另外，在第三处理例中，对在进行蚀刻工序之前不进行在第二处理例中说明的置换工序的情况进行了说明，但是也可以在进行蚀刻工序之前进行置换工序。在该情况下，可以在置换工序以及蚀刻工序各进行了一次之后进行后处理工序，也可以在将从置换工序到蚀刻工序为止的一个循环进行了多次之后进行后处理工序。在第三以及第四实施方式中同样，可以在进行蚀刻工序之前进行置换工序。另外，在第一至第四实施方式中，对将作为处理蒸气的HF蒸气(氢氟酸的蒸气和载气的混合流体)供给至基板的情况进行了说明。但是，也可以向基板供给氟化氢不被水稀释而被作为载体的溶剂稀释的无水氢氟酸的蒸气，或者供给无水氢氟酸的蒸气和载气的混合流体。另外，处理蒸气并不限定于利用氢氟酸或者无水氢氟酸生成的蒸气，可以是含有用于蚀刻SiN的氟的蒸气，也可以是使用氨以及双氧水的至少一个生成的蒸气(清洗蒸气)。另外，在第一至第四实施方式中，对处理蒸气(HF蒸气)以及非活性气体(氮气)从共用的单元(HF蒸气发生容器)供给至腔室内(密闭空间)的情况进行了说明，但是也可以处理蒸气以及非活性气体分别从各自的单元供给至腔室内。另外，在第一至第四实施方式中，对基板处理装置为处理圆板状的基板的装置的情况进行了说明。但是，基板处理装置也可以是处理液晶显示装置用基板等多边形的基板的装置。另外，能够在权利要求书所记载的范围内，进行各种设计和变更。对本发明的实施方式详细地进行了说明，但是上述内容仅是用于明确本发明的技术内容的具体例，不应当认为本发明限定并解释为上述的具体例，本发明的精神以及范围仅由权利要求书来限定。本申请与在2011年12月22日向日本专利局提出的特愿2011-281688号和在2012年8月9日向日本专利局提出的特愿2012-177220号对应，在此通过引用编入了上述申请的全部公开内容。
权利要求
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括: 前处理工序，一边以前处理排气流量从配置有基板的密闭空间抽吸气体，一边向上述密闭空间供给非活性气体； 蚀刻工序，在进行了上述前处理工序之后，一边以比上述前处理排气流量小的蚀刻排气流量从上述密闭空间排出气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气，利用因处理蒸气凝聚在上述基板上而形成在上述基板上的液膜，对上述基板进行蚀刻； 后处理工序，在进行了上述蚀刻工序之后，一边以比上述蚀刻排气流量大的后处理排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边向上述密闭空间供给非活性气体。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，上述蚀刻工序包括弱排气工序和抽吸停止工序中的至少一个，其中，在上述弱排气工序中，一边以上述蚀刻排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气，在上述抽吸停止工序中，在停止从上述密闭空间抽吸气体的状态下，一边以上述蚀刻排气流量从上述密闭空间排出气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，在上述前处理工序之后且上述蚀刻工序之前，还包括置换工序，在上述置换工序中，一边以比上述蚀刻排气流量大的置换排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，包括在进行上述后处理工序之前使上述置换工序和上述蚀刻工序交替地进行多次的反复工序。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，上述蚀刻工序包括如下工序:在基板被形成有使流体在内部空间与外部空间之间流通的流通孔且配置于上述密闭空间中的处理容器覆盖的 状态下，一边从上述处理容器的上述外部空间排出气体，一边向上述处理容器的上述内部空间供给处理蒸气。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，上述蚀刻工序包括如下工序:在基板被环状的防护壁包围的状态下，一边从上述密闭空间排出气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，上述基板是在表面形成有氮化膜的基板。
8.一种基板处理装置，其特征在于， 包括: 处理室，在内部设置有密闭空间， 基板保持单元，在上述密闭空间中保持基板， 处理蒸气供给单元，向上述密闭空间供给处理蒸气， 非活性气体供给单元，向上述密闭空间供给非活性气体， 排气单元，从上述密闭空间抽吸气体， 控制装置，控制上述处理蒸气供给单元、上述非活性气体供给单元以及上述排气单元; 上述控制装置执行如下工序: 前处理工序，一边通过上述排气单元以前处理排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边通过上述非活性气体供给单元向上述密闭空间供给非活性气体，蚀刻工序，在进行了上述前处理工序之后，一边以比上述前处理排气流量小的蚀刻排气流量使气体从上述密闭空间排出至上述排气单元，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气，利用因处理蒸气凝聚在上述基板上而形成在上述基板上的液膜，对上述 基板进行蚀刻， 后处理工序，在进行了上述蚀刻工序之后，一边通过上述排气单元以比上述蚀刻排气流量大的后处理排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边通过上述非活性气体供给单元向上述密闭空间供给非活性气体。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制装置执行包括弱排气工序和抽吸停止工序中的至少一个的上述蚀刻工序，其中，在上述弱排气工序中，一边通过上述排气单元以上述蚀刻排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气，在上述抽吸停止工序中，在停止通过上述排气单元抽吸气体的状态下，一边以上述蚀刻排气流量使气体从上述密闭空间排出至上述排气单元，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制装置在上述前处理工序之后且上述蚀刻工序之前还执行置换工序，在该置换工序中，一边通过上述排气单元以比上述蚀刻排气流量大的置换排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制装置执行在进行上述后处理工序之前使上述置换工序和上述蚀刻工序交替地进行多次的反复工序。
12.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其特征在于， 还包括处理容器，该处理容器形成有使流体在内部空间和外部空间之间流通的流通孔，且配置于上述密闭空间中，并且覆盖被上述基板保持单元保持的基板， 上述控制装置执行包括如下工序的上述蚀刻工序:一边使气体从上述处理容器的上述外部空间排出至上述排气单元，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述处理容器的上述内部空间供给处理蒸气。
13.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其特征在于， 还包括包围被上述基板保持单元保持的基板的周围的环状的防护壁， 上述控制装置执行包括如下工序的上述蚀刻工序:在基板被上述防护壁包围的状态下，一边使气体从上述密闭空间排出至上述排气单元，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气。
全文摘要
本发明涉及处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。进行一边从配置有基板的密闭空间抽吸气体，一边向密闭空间供给非活性气体的前处理工序。然后进行蚀刻工序，在蚀刻工序中，一边以比前处理工序的排气流量小的排气流量从密闭空间排出气体，一边向密闭空间供给处理蒸气。然后进行后处理工序，在后处理工序中，一边以比蚀刻工序的排气流量大的排气流量从密闭空间抽吸气体，一边向密闭空间供给非活性气体。
文档编号H01L21/306GK103177953SQ20121055722
公开日2013年6月26日 申请日期2012年12月20日 优先权日2011年12月22日
发明者太田乔, 桥诘彰夫, 山口贵大, 赤西勇哉 申请人:大日本网屏制造株式会社