专利名称：一种采用纯铜和银合金的双复合触点的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子元器件用触点领域，特别是涉及一种采用纯铜和银合金的双复合触点。
背景技术：
触点是各种电子元器件中常用的元件，它体积虽小，但对其性能的要求很高，复合触点应用范围广泛且常常用到贵金属材料，一般采用手工铆接和自动铆接。目前市场上是用纯银的复合触点，但纯银强度低、硬度低、抗熔焊性及耐电弧烧损性能低，且用量大、价格昂贵，生产成本高，只能应用在无线电、通讯用微型开关及小电流电器等领域。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种采用纯铜和银合金的双复合触点，采用了纯铜和细晶银复合成型，生产成本低，材料强度大，抗熔焊性及耐电弧烧损性能高。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种采用纯铜和银合金的双复合触点，包括银合金复合层和纯铜基体，所述的纯铜基体由圆柱状头部和圆柱状脚部组成，所述的圆柱状头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银合金复合层复合于纯铜基体的圆柱状头部一端。所述的银合金复合层的厚度为O. 2mm O. 6mm。所述的银合金复合层是由细晶银(FAg)组成。细晶银(FAg)为在银中添加少量合金元素形成的银合金，含有细化了银基体的晶粒，提高了材料的强度、抗熔焊性及耐电弧烧损性能。有益.效果本实用新型涉及提供一种采用纯铜和银合金的双复合触点，采用了纯铜和细晶银材料复合成型，生产成本低，材料强度大，抗熔焊性及耐电弧烧损性能高，导电率高，接触电阻低，适用于工作电流IOA以下的低压电器，能代替纯银材料的触点应用到多种场合。
图I是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。如图I所示，本实用新型的实施方式涉及一种采用纯铜和银合金的双复合触点，包括银合金复合层I和纯铜基体2，所述的纯铜基体2由圆柱状头部和圆柱状脚部组成，所述的圆柱状头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银合金复合层I复合于纯铜基体2的圆柱状头部一端，所述的银合金复合层I的厚度为O. 2mm O. 6mm，所述的银合金复合层I是由细晶银组成。本实用新型主要的加工工艺是复合冷镦，细晶银(FAg)和纯铜两种材料的丝材在冷镦机冲击力下，两种金属形成径向塑性变形形成镦形状。
权利要求1.一种采用纯铜和银合金的双复合触点，包括银合金复合层(I)和纯铜基体(2)，其特征在于所述的纯铜基体(2)由圆柱状头部和圆柱状脚部组成，所述的圆柱状头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银合金复合层(I)复合于纯铜基体(2)的圆柱状头部一端。
2.根据权利要求I所述的一种采用纯铜和银合金的双复合触点，其特征在于，所述的银合金复合层(I)的厚度为O. 2mm O. 6mm。
3.根据权利要求I所述的一种采用纯铜和银合金的双复合触点，其特征在于，所述的银合金复合层(I)是由细晶银组成。
专利摘要本实用新型及一种采用纯铜和银合金的双复合触点，包括银合金复合层(1)和纯铜基体(2)，所述的纯铜基体(2)由圆柱状头部和圆柱状脚部组成，所述的圆柱状头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银合金复合层(1)复合于纯铜基体(2)的圆柱状头部一端。本实用新型采用了纯铜和细晶银复合成型，生产成本低，材料强度大，抗熔焊性及耐电弧烧损性能高，导电率高，接触电阻低，适用于工作电流10A以下的低压电器，能代替纯银材料的触点应用到多种场合。
文档编号H01B5/00GK202487193SQ20122005511
公开日2012年10月10日 申请日期2012年2月20日 优先权日2012年2月20日
发明者王海涛 申请人:宁波电工合金材料有限公司