电容耦合扁平导体连接器的制造方法
【专利摘要】一种电容耦合扁平导体连接器，设有凸出式连接器本体和凹入式连接器本体。对准插头与凸出式连接器本体相联接，对准插头的尺寸设定成用以支承内部导体的预定长度。对准插座与凹入式连接器本体相联接，对准插座的尺寸设定成用以接纳对准插头的连接器端部，以安置相对于介电间隔件的相对两侧相互平行的内部导体和内部导体迹线的重叠部分。外部导体介电间隔件隔离在凸出式和凹入式连接器之间的外部导体信号路径的接触元件，该外部导体介电间隔件可以是陶瓷涂层。
【专利说明】电容耦合扁平导体连接器
【技术领域】
[0001]本发明涉及电缆连接器。更具体地说，本发明涉及一种具有改进被动互调失真(PIM)电气性能和机械互连特性的扁平内部导体同轴连接器。
【背景技术】
[0002]同轴电缆连接器例如用在一些通信系统中，这些通信系统要求高水平的精度和可靠性。
[0003]在系统安装期间，转动力可能施加到已安装的连接器上，例如当已连结的同轴电缆朝向下个互连点被导向、被操纵就位、及/或为了与电缆支架和/或保持吊架对准而被弯曲时。同轴电缆和同轴连接器相对于彼此的转动可能损坏连接器、电缆及/或电缆/连接器互连的完整性。此外，在安装之后，随时间推移而施加到互连部分上的扭曲、弯曲及/或振动，会使连接器对电缆连接退化，并且/或者会引入PM。
[0004]PIM是电气干扰/信号传输退化的一种形式,该电气干扰/信号传输退化可能发生得比对称互连小，并且/或者当电气-机械互连随时间推移而移动或退化时，例如归因于机械应力、振动、热循环、氧化形成及/或材料退化。PM是一个重要的互连质量特性，因为来自单个低质量互连的P頂会使整个RF系统的电气性能退化。
[0005]现有同轴电缆典型地具有同轴构造，使圆形外部导体由介电支架(如聚乙烯泡沫等)与圆形内部导体均匀地间隔开。介电支架的电气性能和在内部和外部导体之间的间隔限定同轴电缆的特征阻抗。在内部和外部导体之间的间隔的圆周均匀性防止阻抗不连续性被引入到同轴电缆中，这种引入否则会使电气性能退化。
[0006]带状线是夹持在并联地互连的接地平面之间的扁平导体。带状线具有的优点是，它是非分散的，并且可以用来传输高频RF信号。带状线可以使用印刷电路板技术等，低成本地产生。然而，按较长长度/较大尺寸制造带状线将会是昂贵的。此外，在不利用固体堆叠式印刷电路型带状线结构的场合，导体夹持与同轴电缆相比一般不是自支承和/或自对准的，并且因而可能要求显著的附加支承/加强结构。
[0007]在RF电缆工业内的竞争已经将注意力集中在减少材料和降低制造成本、电气特性均匀性、缺陷减少、及整体地改进的制造质量控制上。
【发明内容】
[0008]因此，本发明的目的是，提供一种克服在这样的现有技术中的缺陷的同轴电缆和制造方法。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]并入在本说明书中并且构成其一部分的附图表明本发明的实施例，并且与以上给出的本发明的概要描述、和下面给出的实施例的详细描述一起，用来解释本发明的原理。
[0010]图1是一种例示性电缆的示意性等轴测图，该例示性电缆具有向后剥离的导体、介电间隔件及外部护套的各层。
[0011]图2是图1的电缆的示意性端视图。
[0012]图3是示意性等轴测图，表明图1的电缆的弯曲半径。
[0013]图4是一种可选择电缆的示意性等轴测图，该可选择电缆具有向后剥离的导体、介电间隔件及外部护套的各层。
[0014]图5是一种可选择实施例电缆的示意性端视图，该可选择实施例电缆利用变化的外部导体间隔来修改在电缆内的操作电流分布。
[0015]图6是一种例示性电缆和连接器的示意性等轴测图，凸出式和凹入式连接器本体奉禹合在一起。
[0016]图7是图6的电缆和连接器的示意性等轴测图，凸出式和凹入式连接器本体为了插入而对准。
[0017]图8是图7的电缆和连接器的示意性等角可选择角图。
[0018]图9是图6的电缆和连接器从电缆端部看到的示意性端视图。
[0019]图10是图6的电缆和连接器的示意性侧视图。
[0020]图11是沿图9的线A-A得到的示意性横截面图。
[0021]图12是沿图10的线C-C得到的示意性横截面图。
[0022]图13是对准插头的示意性等角斜视俯视图。
[0023]图14是对准插头的示意性等角斜视仰视图。
[0024]图15是对准插座的示意性等角斜视端视图。
[0025]图16是对准插头的示意性等轴测图，该对准插头安置在对准插座内。
[0026]图17是图16的对准插头和对准插座的示意性等轴测图，以分解图表示对准插头的底部，该对准插头具有内部导体，该内部导体安置在导体基座内。
[0027]图18是利用低带对准插头的电缆和连接器互连的示意性侧视图。
[0028]图19是利用中带对准插头的电缆和连接器互连的示意性侧视图。
[0029]图20是利用高带对准插头的电缆和连接器互连的示意性侧视图。
[0030]图21是为了插入而对准的另一个实施例的示意性等轴测图，示意性地示出外部导体介电间隔件。
[0031]图22是为了插入而对准的另一个实施例的示意性等轴测图，示意性地示出外部导体介电间隔件和锁环介电间隔件。
[0032]图23是在互连位置中图22的实施例的示意性部分剖视侧视图。
【具体实施方式】
[0033]本发明人已经认识到，同心圆形横截面设计几何形状的现有技术中的已接受的同轴电缆设计示例导致不必要地大的同轴电缆，这些同轴电缆具有减小的弯曲半径、过多金属材料成本及/或显著的附加制造工艺要求。
[0034]本发明人还已经认识到，扁平内部导体的应用，与常规圆形内部导体构造相比，能够实现用来从内部导体连接器界面互连中减少和/或消除P頂的精确可调谐电容耦合。此夕卜，也在外部导体连接器界面的互连之间的外部导体介电间隔件的应用可导致充分地电容耦合的连接界面，该连接界面可以完全消除来自连接器界面的PM产生的可能性。[0035]一种例示性带状线RF传输电缆I在图1-3中示出。如在图1中最清楚地表示的那样，电缆I的内部导体5是整体扁平金属带条，该内部导体5在一对内部导体边缘3之间延伸。外部导体25的顶部段10和底部段15可以对准成与内部导体5相平行，具有的宽度与内部导体宽度大致相等。顶部和底部段10、15在每一侧过渡成凸形边缘段20。因而，内部导体5的周缘完全地密封在包括顶部段10、底部段15及边缘段20的外部导体25内。
[0036]可以选择边缘段20的尺寸/曲率，例如为了制造容易。优选地，边缘段20和从顶部和底部段10、15到其的任何过渡是基本光滑的，而没有尖锐的角或边缘。如在图2中最清楚地表示的那样，边缘段20相对于内部导体5的每一侧可以设置成具有圆弧半径R的圆弧，该圆弧半径R与在顶部和底部段10、15与内部导体5之间的间隔等效，导致在内部导体5的周缘上的任何点与在外部导体25的最近点之间的大致相等间隔，使外部导体材料需要最小化。
[0037]在内部导体5与外部导体25之间的希望间隔可以按高精度级经具有介电性质的均匀尺寸间隔件结构的应用-该均匀尺寸间隔件结构称作介电层30、和然后用外部导体25围绕介电层30而得到。由此，电缆I可以按基本上没有限制的连续长度而设置，在沿电缆I的任何点处都具有均匀横截面。
[0038]内部导体5金属带条可以形成为固体轧制金属材料，如铜、铝、钢等。为了另外的强度和/或成本效率，内部导体5可以设置成用铜镀敷的铝或用铜镀敷的钢。
[0039]可选择地，内部导体5可以设置成基片40，如聚合物和/或纤维带条，该聚合物和/或纤维带条被金属镀敷或被金属化，例如如图4所示。本领域的技术人员将认识到，这样的可选择内部导体构造可以实现进一步的金属材料减少和/或增强强度特性，实现外部导体强度特性的对应降低。
[0040]介电层30可以绕内部导体5的外表面施加成塑料介电材料的连续壁。另外，可以将固体或泡沫化的高和/或低密度聚乙烯的膨胀混合物施加成介电层30。
[0041]外部导体25是电气连续的，完全围绕介电层30的周缘，以消除干扰电信号的辐射和/或进入。外部导体25可以是固体材料，如绕介电层作为连续部分通过缝焊等密封的铝或铜材料。可选择地，也可以利用螺旋包裹和/或重叠折叠构造，这些螺旋包裹和/或重叠折叠构造利用例如金属箔和/或编织型外部导体25。诸如聚乙烯、聚氯乙烯、聚氨酯及/或橡胶之类的聚合物材料的保护护套35可以施加到外部导体的外径上。
[0042]具有顶部和底部段的带状线型RF电缆结构的电气建模表明，通过沿电缆I的RF信号的传输而产生的电场和相对于电缆I的横截面的对应电流密度，沿在内部导体5的任一侧处的内部导体边缘3比在内部导体的中部段7处大，该顶部和底部段具有与内部导体的宽度相似的宽度(如图1-4所示)。
[0043]为介电层30选择的材料，除提供用来为了衰减减小而调谐介电层横截面介电轮廓的变化介电常数之外，也可以选择成用以增强生成电缆I的结构特性。
[0044]可选择地和/或另外地，电场强度和相应的电流密度也可以通过调整在外部导体25与内部导体5的中部段7之间的距离而平衡。例如，如图5所示，外部导体25可以设置成与每个内部导体边缘3间隔开得比与内部导体5的中部段7远，产生大致砂漏形的横截面。在外部导体25与内部导体5的中部段7之间的距离可以小于在内部导体边缘3与外部导体25之间(在边缘段20处)的距离的例如0.7。[0045]用来终止扁平内部导体带状线RF传输电缆I的电容耦合扁平导体连接器43在图6-12中示出。通过在连接界面处施加电容耦合，可以消除相对于内部导体5的产生PIM的可能性。
[0046]如在图11和12中最清楚地表示的那样，在电缆端部41处插入并且穿过其延伸以接近连接器端部42的外部导体25安置在凸出式连接器本体50的孔45内，例如经分子键合方式与凸出式连接器本体50相联接，该分子键合通过激光、摩擦或超声波焊接在外部导体25与凸出式连接器本体50之间的接合的周缘而得到，例如如在美国专利申请公开文本N0.2012-0129391中描述的那样，该公开文本的标题为“具有分子键合互连的连接器和同轴电缆”，在2012年5月24日出版，由此通过参考全部包括。
[0047]本领域的技术人员将认识到，电缆端部41和连接器端部42这里应用为用于连接器的和这里描述的连接器的离散元件的相应端部的标识符，以根据它们沿在凸出式和凹入式连接器本体50、65中的每一个的连接器端部42和电缆端部41之间的连接器的纵向轴线的对准，标识相同和它们的相应互连表面。当由连接器界面互连时，凸出式连接器本体50的连接器端部42与凹入式连接器本体65的连接器端部42相联接。
[0048]这里所利用的“分子键合”定义为互连，在该互连中，在两个元件之间的键合界面利用来自键合在一起的两个元件的每一个的材料的交换、互相混杂、融合等。来自两个元件的每一个的材料的交换、互相混杂、融合等产生界面层，在该处，共同混杂材料组合成复合材料，该复合材料包括来自键合在一起的两个元件的每一个的材料。
[0049]本领域的技术人员将认识到，分子键合可以通过足以熔化待键合在一起的两个元件的每一个的键合表面的热量的施加而产生，从而界面层变得熔化，并且两个熔融表面彼此交换材料。然后，两个元件相对于彼此保持静止，直到熔融界面层冷却到足以固化。
[0050]所生成的互连跨过界面层是连续的，消除了互连质量和/或退化问题，如材料蠕变、氧化、原电池腐蚀、水分渗入及/或互连表面移动。
[0051]内部导体5穿过孔45延伸,用于与相匹配的导体55电容I禹合,如与在印刷电路板60上的内部导体迹线电容耦合，该印刷电路板60由凹入式连接器本体65支承。因为内部导体5和相匹配的导体55是大致扁平的，所以在内部导体5与相匹配的导体55之间的电容耦合是在两个平面表面之间。由此，通过调整在各电容耦合表面之间的重叠和/或偏移，可以得到为得到希望的电容耦合水平的对准和间隔。
[0052]如在图7和8中最清楚地表示的那样，在内部导体5与相匹配的导体55之间的偏移可以通过在它们之间的介电间隔件70的插入而选择，该介电间隔件70例如粘合到相匹配的导体55上。介电间隔件70可以是具有希望厚度、强度及/或耐磨特性的任何介电材料，如用氧化钇稳定的氧化锆陶瓷材料。这样的材料是可买到的，例如呈具有薄到0.002"的高精度厚度的板片。
[0053]在内部导体5和相匹配的导体55相对于宽度彼此上下保持平行和对准的场合，在各电容耦合表面之间的表面面积由在两者之间采取的纵向重叠量而确定。关于设置成常数的偏移(所选择的介电间隔件70的厚度)，可以调整重叠，以对于待沿电缆I传输的RF信号的希望频带而调谐电容耦合。
[0054]内部导体5和相匹配的导体55的精确对准可以由对准插头75和对准插座77而促进，该对准插头75例如如图13和14所示与凸出式连接器本体50相联接，该对准插座77例如如图15所示与凹入式连接器本体65相联接，该对准插头75和对准插座77沿在对准插头75的连接器端部42上的斜坡表面79纵向地彼此接合，该对准插头75抵靠对准插座77的倾斜凹槽81而安置。由此，对准插头75进入对准插座77中的纵向前进，将内部导体5和相匹配的导体55向彼此横向驱动，直到它们抵靠彼此到底，并且由介电间隔件分离，例如如图11和12所示。
[0055]在对准插头75与对准插座77之间的对准可以通过将斜坡表面79和倾斜凹槽81施加到对准插头75和对准插座77的两侧上而进一步加强，如在图16中最清楚地表示的那样。对准插头75可以通过采用支承花键83而加强，该支承花键83与斜坡表面79正交地延伸。此外，支承花键83可以构造成另一个斜坡元件，随着对准插头75和对准插座77接近它们的完全接合位置，该另一个斜坡元件接合对准插座79的中心部分85，如在图11和16中最清楚地表示的那样。
[0056]如在图14和17中最清楚地表示的那样，在对准插头75内的内部导体5的配合可以通过采用导体基座87而被进一步控制，该导体基座87形成为在对准插头75上的沟槽，沟槽设有与在内部导体5与相匹配的导体55之间的希望重叠相对应的特定长度。
[0057]导体基座87也可以用作用于电缆端部制备的导向件。通过抵靠凸出式连接器本体50的对准插头75的试验配合，使内部导体5越过导体基座87延伸，导体基座87的连接器端部42表明沿内部导体5用于内部导体5到导体基座87中的正确配合的要求修整点，并由此表明为得到希望重叠必要的内部导体5的长度。
[0058]接近导体基座87的连接器端部42所采用的横向沟槽89，如在图14中最清楚地表示的那样，通过提供用来将内部导体5的末端远离相匹配的导体55而折叠的空腔，如图11和12所示，使这个部分相对于折叠基本上不起作用，从而减少对于内部导体5进行精确修整切割的要求。因为横向沟槽89的位置可以在对准插头75的制造期间以高精度形成，例如通过注射模制，所以即使施加低精度修整切割，也能得到内部导体5以希望的长度与相匹配的导体55相重叠，因为内部导体5的过大范围然后远离介电间隔件70折叠到横向沟槽89中。此外，内部导体5到横向沟槽89中的弯曲，产生光滑的引导内部导体边缘，以当具有内部导体5的对准插头75跨过介电间隔件70插入到对准插座77中时，减小对于介电间隔件70的损坏的可能性。
[0059]如在图11中最清楚地表示的那样，对准插头75可以经连结特征91与凸出式连接器本体50可除去地相联接，该连结特征91设置在与对准插头75的纵向轴线正交的安装正面93中，安装正面93设有内部导体切口 95，该内部导体切口 95的尺寸设定成用以在其中接纳内部导体5。连结特征可以是例如至少一个突起97,所述至少一个突起97与凸出式连接器本体50的相应联接孔眼99相匹配。通过抵靠对准插座77的外径而模压凹入式连接器本体65的环形模压凹槽109的侧壁，对准插座77可以与凹入式连接器本体65永久地相联接，例如如图11和12所示。
[0060]本领域的技术人员将认识到，因为重叠可以由导体基座87的尺寸限定，所以通过在多个对准插头75之间的选择，可以对于不同频带迅速精确地调谐电容耦合，各对准插头75中的每一个设有变化纵向长度的导体基座87，例如如图18-20所示。
[0061]如在图7和8中最清楚地表示的那样，在凸出式连接器本体50与凹入式连接器本体65之间的联接布置牢固地将对准插头75和对准插座77保持在一起。该联接可以应用在快速连接构造中，例如如在美国专利申请公开文本N0.2012-0129375中描述的那样，该公开文本的标题为“带拉片的连接器界面”，在2012年5月24日出版，由此通过参考全部包括，其中，凸出式连接器本体50的连接器端部42设有凸出式外部导体耦合表面100，该凸出式外部导体耦合表面100这里设置成在连接器端部42处的基座表面101的锥形外径。基座表面101的尺寸设定成用以抵靠凹入式外部导体耦合表面102安置，该凹入式外部导体耦合表面102这里设置成凹入式连接器本体65的环形凹槽103，环形凹槽103通到连接器端部42。凸出式连接器本体50设有锁环105，该锁环105适于接合凹入式连接器本体65的基础拉片107，以抵靠环形凹槽103而保持基座表面101。
[0062]为了形成整个电容耦合互连界面，外部导体介电间隔件111可以施加到界面的外部导体互连部分上。外部导体介电间隔件111可以相对于外部导体25，通过用介电涂层涂敷凸出式连接器本体50的连接器端部42 (基座表面101)或凹入式连接器本体65 (环形凹槽103的接触部分)的连接表面而施加，例如如图21和22所示。在应用带拉片的连接器界面的场合，可以施加外部导体介电间隔件111，该外部导体介电间隔件111覆盖基础拉片107。由此，当将凸出式连接器本体50固定在对应凹入式连接器本体65内时，形成整个电容耦合互连界面。就是说，在跨过连接界面的内部导体5或外部导体25的电气路径之间没有直接电池电流(galvanic)互连。
[0063]外部导体介电间隔件111可以设置成例如陶瓷或聚合物介电材料。具有适当耐压缩和耐热特性的介电涂层的一个例子是陶瓷涂层，
[0064]该介电涂层可以按高精度在非常薄的厚度下涂敷。陶瓷涂层可以经一定范围的沉积过程，如物理蒸气沉积(PVD)等，直接涂敷到希望表面上。陶瓷涂层具有高硬度特性的进一步优点，由此保护涂敷表面免于在互连之前损坏，并且/或者阻止由在互连时存在的压缩力造成的厚度变化。涂敷极薄介电涂层(例如薄达0.5微米)的能力，可以减小分离导体表面的表面面积要求，使连接界面的整体尺寸能够减小。
[0065]可选择地，电容耦合可以应用于具有常规螺纹锁环构造的连接界面。例如，如图22和23所示，标准DIN连接器界面的外部导体元件的变化在基座表面101与环形凹槽103之间施加可伸缩匹配，其中，将外部导体介电间隔件111施加到凸出式外部导体基座表面100上，该凸出式外部导体基座表面100这里设置成在凸出式连接器本体50的连接器端部42的内径和凹入式连接器本体65的环形凹槽103的内侧壁上的基座表面101。
[0066]锁环105已经表明成由介电材料形成，例如由纤维-加强聚合物形成。因此，锁环105在凸出式连接器本体50与凹入式连接器本体65之间不产生原电池电气-机械耦合。在希望金属材料锁环105的另外磨损和/或强度特性的场合，例如在锁环105是常规带螺纹锁环(该常规带螺纹锁环与凹入式连接器本体65的螺纹113联接，以将凸出式和凹入式连接器本体50、65拉在一起并且保证它们在互连位置中)的场合，锁环介电间隔件115 (见图22)可以施加在锁环105和凸出式连接器本体50的安置表面之间，以将锁环105与凸出式连接器本体50电气隔离，例如如图22和23所示。
[0067]本领域的技术人员将认识到，电缆I和电容耦合连接器43提供优于常规圆形横截面同轴电缆和连接器实施例的多个优点。扁平内部导体5构造实现到平面元件的直接过渡，如到在印刷电路板和/或天线上的迹线的直接过渡。电容耦合连接器43可以消除关于内部和外部导体5、25的PM，并且为了关于不同频带范围的操作经对准插头75的简单更换而容易地组装。
[0068]零件的表格
[0069]
【权利要求】
1.一种电容耦合扁平导体连接器，其用于与凹入式连接器本体和对准插座互连，该凹入式连接器本体在连接器端部处设有凹入式外部导体耦合表面，该对准插座与所述凹入式连接器本体相联接；所述连接器包括: 凸出式连接器本体，其设有孔和凸出式外部导体I禹合表面，该凸出式外部导体I禹合表面设置在所述凸出式连接器本体的连接器端部处； 外部导体介电间隔件，其尺寸设定成用以覆盖所述凸出式外部导体耦合表面； 对准插头，其与所述凸出式连接器本体相联接；所述对准插头的尺寸设定成用以对安置在所述孔内的内部导体的预定长度进行支承； 所述凸出式外部导体耦合表面的尺寸设定成用以抵靠所述凹入式外部导体耦合表面而安置，由所述外部导体介电间隔件间隔开； 所述对准插座的尺寸设定成用以接纳所述对准插头的连接器端部，以靠着介电间隔件的相对两侧安置相互平行的所述内部导体和相匹配的导体的重叠部分。
2.如权利要求1所述的连接器，其中，所述凸出式外部导体耦合表面在所述连接器端部处设有锥形外径基座表面； 所述基座表面的尺寸设定成用以抵靠所述凹入式外部导体耦合表面的环形凹槽而安置。
3.如权利要求2 所述的连接器，还包括锁环，该锁环适于接合所述凹入式连接器本体的基础拉片，以抵靠所述环形凹槽保持所述基座表面。
4.如权利要求1所述的连接器，其中，所述凸出式外部导体耦合表面设有基座表面，该基座表面设置在接近所述连接器端部的所述凸出式连接器本体的内径上；该基座表面的尺寸设定成用以抵靠所述凹入式外部导体耦合表面的环形凹槽的内侧壁而安置。
5.如权利要求4所述的连接器，还包括锁环，该锁环适于接合所述凹入式连接器本体的螺纹，以抵靠所述环形凹槽保持所述基座表面。
6.如权利要求1所述的连接器，其中，所述外部导体按分子键合方式与所述凸出式连接器本体相联接。
7.如权利要求1所述的连接器，还包括在所述对准插头上的斜坡表面，该斜坡表面抵靠所述对准插座的倾斜凹槽而安置，借此所述对准插头到所述对准插座中的纵向前进将所述内部导体和内部导体迹线向彼此横向驱动。
8.如权利要求7所述的连接器，其中，所述斜坡表面和倾斜凹槽设置在所述对准插头和对准插座的第一侧和第二侧上。
9.如权利要求1所述的连接器，在所述对准插头的底部上还包括导体基座；所述导体基座的尺寸设定成用以接纳所述内部导体的预定长度。
10.如权利要求9所述的连接器，在所述导体基座中还包括横向沟槽，该横向沟槽接近所述导体基座的连接器端部。
11.如权利要求1所述的连接器，在所述对准插头上还包括支承花键；所述支承花键与所述导体基座正交地延伸。
12.如权利要求1所述的连接器，其中，所述对准插头经至少一个突起与所述凸出式连接器本体相联接，所述至少一个突起与所述凸出式连接器本体的相应联接孔眼相匹配。
13.如权利要求1所述的连接器，其中，所述对准插头具有与所述对准插头的纵向轴线正交的安装正面，所述安装正面设有内部导体切口，该内部导体切口的尺寸设定成用以在其中接纳所述内部导体。
14.如权利要求1所述的连接器，其中，所述锁环是介电材料。
15.如权利要求1所述的连接器，其中，所述锁环借助于锁环介电间隔件而与所述凸出式连接器本体电气隔离。
16.一种电容耦合扁平导体连接器，其用于与凹入式连接器本体互连，该凹入式连接器本体在连接器端部处设有凹入式外部导体耦合表面；所述连接器包括: 凸出式连接器本体，其设有孔和凸出式外部导体I禹合表面，该凸出式外部导体I禹合表面设置在所述凸出式连接器本体的连接器端部处； 外部导体介电间隔件，其尺寸设定成用以覆盖所述凸出式外部导体耦合表面； 所述凸出式外部导体耦合表面的尺寸设定成用以抵靠所述凹入式外部导体耦合表面而安置，由所述外部导体介电间隔件间隔开； 所述凸出式连接器本体和所述凹入式连接器本体的对准元件支承内部导体和相匹配的导体，所述内部导体和相匹配的导体相互平行并且沿纵向相互重叠，并且由介电间隔件分离。
17.如权利要求16所述的连接器，其中，所述对准元件是对准插座和对准插头，该对准插座与所述凹入式连接器本体相联接，该对准插头与所述凸出式连接器本体相联接； 所述对准插头的尺寸设定成用以支承安置在所述孔内的所述内部导体的预定长度； 所述对准插座的尺寸设定成用以接纳所述对准插头的连接器端部，以安置所述内部导体相对于所述相匹配的导体的重叠部分。
18.一种用来制造如权利要求1所述的连接器的方法，包括如下步骤: 将所述外部导体介电间隔件形成为在所述凸出式外部导体耦合表面上的陶瓷材料层。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述陶瓷材料通过物理蒸汽沉积而施加在安置表面上。
20.一种用来制造如权利要求1所述的连接器的方法，包括如下步骤: 将所述外部导体介电间隔件形成为在所述凹入式外部导体耦合表面上的陶瓷材料层。
【文档编号】H01R9/05GK103907246SQ201280053468
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年11月10日 优先权日:2011年11月11日
【发明者】K·范斯韦林根, F·哈瓦斯, J·佩因特, J·弗雷明 申请人:安德鲁有限责任公司