钬掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用的制作方法

钬掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用的制作方法
【专利摘要】一种钬掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料，其化学式为aGaF3-bInF3-cCdF2-dPbF2-eZnF2-fSnF4：xHo3+，其中，a为0.15～0.25，b为0.1～0.2，c为0.15～0.25，d为0.1～0.2，e为0.15～0.25，f为0.05～0.15，x为0.005～0.03。该钬掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的光致发光光谱中，钬掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的激发波长为643nm，在483nm波长区由Ho3+离子5F3→5I8的跃迁辐射形成发光峰，可以作为蓝光发光材料。本发明还提供该钬掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的制备方法及使用该钬掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的有机发光二极管。
【专利说明】钬掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用

【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料、制备方法及有机发光二极 管。

【背景技术】
[0002] 有机发光二极管（0LED)由于组件结构简单、生产成本便宜、自发光、反应时间短、 可弯曲等特性，而得到了极广泛的应用。但由于目前得到稳定高效的0LED蓝光材料比较困 难，极大的限制了白光0LED器件及光源行业的发展。
[0003] 上转换荧光材料能够在长波(如红外）辐射激发下发射出可见光，甚至紫外光，在 光纤通讯技术、纤维放大器、三维立体显示、生物分子荧光标识、红外辐射探测等领域具有 广泛的应用前景。但是，可由红外，红绿光等长波辐射激发出蓝光发射的钦掺杂氟化镓铟玻 璃上转换发光材料，仍未见报道。


【发明内容】

[0004] 基于此，有必要提供一种可由长波辐射激发出蓝光的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换 发光材料、制备方法及使用该钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的有机发光二极管。
[0005] -种钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料，其化学式为aGaF3-bInF 3-cCdF2-dPbF2-eZnF2-fSnF4:xHo3+，其中，a 为 0· 15 ?0.25，b 为 0· 1 ?0.2，c 为 0· 15 ?0.25，d 为 0· 1 ? 0· 2, e 为 0· 15 ?0· 25, f 为 0· 05 ?0· 15, X 为 0· 005 ?0· 03。
[0006] 所述 a 为 0· 2, b 为 0· 15, c 为 0· 2, d 为 0· 15, e 为 0· 2, f 为 0· 09, X 为 0· 01。
[0007] -种钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的制备方法，包括以下步骤
[0008] 步骤一、根据aGaF3-bInF3-cCdF2-dPbF2_eZnF 2-fSnF4 :xHo3+各元素的化学计量比称 取GaF3，InF3，CdF2，PbF2，ZnF 2，SnF4和HoF3粉体，其中，a为0·15?0·25，b为0·l?0·2，c 为 0· 15 ?0· 25，d 为 0· 1 ?0· 2，e 为 0· 15 ?0· 25，f 为 0· 05 ?0· 15，x 为 0· 005 ?0· 03 ;
[0009] 步骤二、将所述步骤一中称取的粉体混合均匀得到前驱体；
[0010] 步骤三、将所述步骤二中的前驱体在800°C?1000°C下灼烧0. 5小时?5小时；
[0011] 步骤四、将所述步骤三中处理后的前躯体冷却到l〇〇°C?500°C，再保温0. 5小 时?3小时，冷却到室温，得到化学通式为aGaF3-bInF3-cCdF2-dPbF 2-eZnF2-fSnF4 :xHo3+的 钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料。
[0012] 所述 GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4 和 HoF3 粉体各组分摩尔比为（0. 15 ?0. 25): (0· 1 ?0· 2) : (0· 15 ?0· 25) : (0· 1 ?0· 2) : (0· 15 ?0· 25) : (0· 05 ?0· 15) : (0· 005 ? 0· 03)。
[0013] 所述GaF3，InF3，CdF2，PbF 2，ZnF2，SnF4和HoF3粉体各组分摩尔比为0.2 :0.15:0.2:0. 15 ：0. 2 ：0. 09 ：0. 01〇
[0014] 步骤二中所述混合是将所述粉体在刚玉钵中研磨20分钟?60分钟。
[0015] 步骤三中将所述前驱体在950°C下灼烧3小时。
[0016] 步骤四中的冷却温度为250°C，保温时间为2小时。
[0017] 一种有机发光二极管，包括依次层叠的基板、阴极、有机发光层、阳极及透明封装 层，其特征在于，所述透明封装层中分散有钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料，所述钦掺 杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的化学式为aGaF3-bInF3-cCdF2-dPbF 2-eZnF2-fSnF4 :xHo3+， 其中，a 为 0· 15 ?0· 25, b 为 0· 1 ?0· 2, c 为 0· 15 ?0· 25, d 为 0· 1 ?0· 2, e 为 0· 15 ? 0· 25, f 为 0· 05 ?0· 15, X 为 0· 005 ?0· 03。
[0018] a 为 0· 2, b 为 0· 15, c 为 0· 2, d 为 0· 15, e 为 0· 2, f 为 0· 09, X 为 0· 01。
[0019] 上述钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的制备方法较为简单，成本较低，同时 反应过程中无三废产生，较为环保；制备的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的光致发 光光谱中，钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的激发波长为643nm，在483nm波长区由 Ho3+离子5F3 - 518的跃迁辐射形成发光峰，可以作为蓝光发光材料。

【专利附图】

【附图说明】
[0020] 图1为一实施方式的有机发光二极管的结构示意图。
[0021] 图2为实施例1制备的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的光致发光谱图。
[0022] 图3为实施例1制备的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的拉曼光谱。
[0023] 图4为实施例1制备的透明封装层中掺杂有钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料 形成发白光的有机发光二极管的光谱图。

【具体实施方式】
[0024] 下面结合附图和具体实施例对钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料及其制备方 法进一步阐明。
[0025] -实施方式的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料，其化学式为aGaF3-bInF 3-cCd F2-dPbF2-eZnF2-fSnF4 :xHo3+，其中，a 为 0· 15 ?0· 25, b 为 0· 1 ?0· 2, c 为 0· 15 ?0· 25, d 为 0· 1 ?0· 2, e 为 0· 15 ?0· 25, f 为 0· 05 ?0· 15, X 为 0· 005 ?0· 03。
[0026] 优选的，a 为 0· 2, b 为 0· 15, c 为 0· 2, d 为 0· 15, e 为 0· 2, f 为 0· 09, X 为 0· 01。
[0027] 该钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的光致发光光谱中，钦掺杂氟化镓铟玻璃 上转换发光材料的激发波长为643nm，当材料受到长波长(如643nm)的辐射的时候，Ho3+离 子就处于了 5F3激发态，然后向518跃迁，就发出483nm的蓝光，可以作为蓝光发光材料。
[0028] 上述钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的制备方法，包括以下步骤：
[0029] 步骤 S11、根据 aGaF3-bInF3-cCdF2-dPbF2_eZnF 2-fSnF4 :xHo3+ 各元素的化学计量 比称取 GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4 和 HoF3 粉体，其中，a 为 0· 15 ?0· 25, b 为 0· 1 ? 0· 2，c 为 0· 15 ?0· 25，d 为 0· 1 ?0· 2，e 为 0· 15 ?0· 25，f 为 0· 05 ?0· 15，x 为 0· 005 ? 0· 03。
[0030] 该步骤中，所述GaF3，InF3，CdF2，PbF 2，ZnF2，SnF4和HoF3粉体各组分摩尔比为 (0· 15 ?0· 25) : (0· 1 ?0· 2) : (0· 15 ?0· 25) : (0· 1 ?0· 2) : (0· 15 ?0· 25) : (0· 05 ? 0. 15) :(0. 005 ?0. 03)。
[0031] 该步骤中，优选的，GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4和HoF3粉体各组分摩尔比为 0. 2 :0. 15 :0. 2 :0. 15 :0. 2 :0. 09 :0. 01。
[0032] 步骤S13、将步骤S11中称取的粉体混合均匀得到前驱体。
[0033] 该步骤中，将粉体在刚玉钵中研磨20分钟?60分钟得到混合均匀的前驱体，优选 的研磨40分钟。
[0034] 步骤S15、将前驱体在800°C?1000°C下灼烧0. 5小时?5小时，
[0035] 优选的，前驱体在950°C下灼烧3小时。
[0036] 步骤S17、将步骤S15中处理后的前躯体之后冷却到100°C?500°C，再保温0. 5小 时?3小时，冷却到室温，得到化学通式为aGaF3-bInF3-cCdF2-dPbF 2-eZnF2-fSnF4 :xHo3+的 钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料，其中，a为0. 15?0.25，b为0. 1?0.2, c为0. 15? 0· 25, d 为 0· 1 ?0· 2, e 为 0· 15 ?0· 25, f 为 0· 05 ?0· 15, X 为 0· 005 ?0· 03。
[0037] 优选的，将步骤S15中处理后的前躯体冷却到250°C，再保温2小时。
[0038] 上述钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的制备方法较为简单，成本较低，同时 反应过程中无三废产生，较为环保；制备的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的光致发 光光谱中，钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的激发波长为643nm，在483nm波长区由 Ho3+离子5F3 - 518的跃迁辐射形成发光峰，可以作为蓝光发光材料。
[0039] 请参阅图1，一实施方式的有机发光二极管100,该有机发光二极管100包括依次 层叠的基板1、阴极2、有机发光层3、透明阳极4以及透明封装层5。透明封装层5中分散有 钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料6,钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的化学式为 aGaF3-bInF3-cCdF2-dPbF2-eZnF 2-fSnF4 :xHo3+，其中，a 为 0· 2，b 为 0· 15，c 为 0· 2，d 为 0· 15， e为0. 2, f为0. 09, X为0. 01，该器件中的有机发光层3发出红绿光，部分红绿光激发透明 封装层5中分散有钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料6发出蓝色光，最后红绿蓝三色就 混成白光。
[0040] 下面为具体实施例。
[0041] 实施例1
[0042] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4 和 HoF3 粉体各组 分按摩尔比为〇. 2 :0. 15 :0. 2 :0. 15 :0. 2 :0. 09 :0. 01在刚玉研钵中研磨40分钟使其均匀 混合，然后在马弗炉中950°C下灼烧3小时，然后冷却到250°C保温2小时，再随炉冷却到室 温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为0.2GaF3-0.15InF3-0.2CdF 2-0.15PbF2-0· 2ZnF2-0. 09SnF4 :0. 01H〇3+ 上转换荧光粉。
[0043] 有机发光二极管制备的过程
[0044] 依次层叠的基板1使用钠钙玻璃、阴极2使用金属Ag层、有机发光层3使用 Ir (piq) 2 (acac)中文名叫二（1-苯基-异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（III)、透明阳极4使用 氧化铟锡ΙΤ0,以及透明封装层5聚四氟乙烯。透明封装层5中分散有钦掺杂氟化镓铟玻璃 上转换发光材料6,钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的化学式为0. 2GaF3-0. 15InF3-0. 2CdF2-0. 15PbF2-0. 2ZnF2-〇. 09SnF4 ：0. 01Ho3+〇
[0045] 请参阅图2,图2所示为得到的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的光致发光 光谱图。由图2可以看出，本实施例得到的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的激发波 长为643nm，在483nm波长区由Ho3+离子5F3 - 518的跃迁福射形成发光峰，该钦掺杂氟化镓 铟玻璃上转换发光材料可作为蓝光发光材料。
[0046] 请参阅图3,图3中曲线为实施1制备的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的拉 曼光谱，图中的拉曼峰所示为钦掺杂氟化镓铟玻璃特征峰，没有出现掺杂元素以及其它杂 质的峰，说明掺杂元素与基质材料形成了良好的键合。
[0047] 请参阅图4,图4曲线1为透明封装层中掺杂有钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材 料形成发白光的有机发光二极管的光谱图，曲线2为透明封装层中未掺杂有钦掺杂氟化镓 铟玻璃上转换发光材料料的对比。图中可看出，钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料可以 由长波的红色光，激发出短波的蓝色光，蓝光与红光混合后形成白光。
[0048] 实施例2
[0049] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4 和 HoF3 粉体各组 分按摩尔比为〇. 15 :0. 2 :0. 25 :0. 195 :0. 15 :0. 05 :0. 005在刚玉研钵中研磨20分钟使其 均匀混合，然后在马弗炉中800°C下灼烧5小时，然后冷却到KKTC保温3小时，再随炉冷却 到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为0. 15GaF3-0. 2InF3-0. 25CdF2-0. 195P bF2-0. 15ZnF2-0. 05SnF4 :0. 005H〇3+ 的上转换荧光粉。
[0050] 实施例3
[0051] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4 和 HoF3 粉体各组 分按摩尔数为〇. 25 :0. 1 :0. 15 :0. 07 :0. 25 :0. 15 :0. 03,在刚玉研钵中研磨60分钟使其均 匀混合，然后在马弗炉中l〇〇〇°C下灼烧3小时，然后冷却到250°C保温0. 5小时，再随炉冷 却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式0. 25GaF3-0. lInF3-0. 15CdF2-0. 07Pb F2-0. 25ZnF2-0. 15SnF4 :0. 03H〇3+ 的上转换荧光粉。
[0052] 实施例4
[0053] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4 和 HoF3 粉体各组 分按摩尔数为〇. 22 :0. 13 :0. 15 :0. 08 :0. 23 :0. 15 :0. 04在刚玉研钵中研磨30分钟使其均 匀混合，然后在马弗炉中900°C下灼烧3小时，然后冷却到250°C保温2小时，再随炉冷却到 室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为0. 22GaF3-0. 13InF3-0. 15CdF2-0. 08PbF2-0. 23ZnF2-0. 15SnF4 :0. 04H〇3+ 的上转换荧光粉。
[0054] 实施例5
[0055] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4 和 HoF3 粉体各组 分按摩尔数为〇. 25 :0. 18 :0. 15 :0. 07 :0. 17 :0. 13 :0. 05,在刚玉研钵中研磨60分钟使其均 匀混合，然后在马弗炉中800°C下灼烧2小时，然后冷却到KKTC保温3小时，再随炉冷却到 室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为0. 25GaF3-0. 18InF3-0. 15CdF2-0. 07PbF2-0· 17ZnF2-0. 13SnF4 :0· 05H〇3+ 的上转换荧光粉。
[0056] 实施例6
[0057] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4 和 HoF3 粉体各组 分按摩尔数为〇. 16 :0. 15 :0. 19 :0. 1 :0. 24 :0. 15 :0. 01，在刚玉研钵中研磨60分钟使其均 匀混合，然后在马弗炉中l〇〇〇°C下灼烧0. 5小时，然后冷却到500°C保温0. 5小时，再随炉 冷却到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为0. 16GaF3-0. 15InF3-0. 19CdF2-0 .lPbF2-0. 24ZnF2-0. 15SnF4 :0. 01H〇3+ 的上转换荧光粉。
[0058] 实施例7
[0059] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4 和 HoF3 粉体各组 分按摩尔数为〇. 21 :0. 18 :0. 23 :0. 07 :0. 16 :0. 13 :0. 02,在刚玉研钵中研磨40分钟使其均 匀混合，然后在马弗炉中950°C下灼烧3小时，然后冷却到250°C保温2小时，再随炉冷却到 室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为0. 21GaF3-0. 19InF3-0. 23CdF2-0. 07PbF2-0. 16ZnF2-0. 13SnF4 :0. 02H〇3+ 的上转换荧光粉。
[0060] 实施例8
[0061] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4 和 HoF3 粉体各组 分按摩尔数为〇. 24 :0. 11 :0. 14 :0. 08 :0. 25 :0. 145 :0. 035,在刚玉研钵中研磨20分钟使其 均匀混合，然后在马弗炉中800°C下灼烧2小时，然后冷却到KKTC保温3小时，再随炉冷却 到室温取出，得到块体材料，粉碎后可得到化学通式为0. 24GaF3-0. llInF3-0. 14CdF2-0. 08P bF2-0. 25ZnF2-0. 145SnF4 :0. 035H〇3+ 的上转换荧光粉。
[0062] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1. 一种钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料，其特征在于：其化学通式为aGaF3-bIn F3-cCdF2-dPbF2-eZnF2-fSnF 4 :xHo3+，其中，a 为 0· 15 ?0· 25, b 为 0· 1 ?0· 2, c 为 0· 15 ? 0· 25, d 为 0· 1 ?0· 2, e 为 0· 15 ?0· 25, f 为 0· 05 ?0· 15, X 为 0· 005 ?0· 03。
2. 根据权利要求1所述的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料，其特征在于，所述a为 0· 2, b 为 0· 15, c 为 0· 2, d 为 0· 15, e 为 0· 2, f 为 0· 09, X 为 0· 01。
3. -种钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步 骤： 步骤一、根据aGaF3-bInF3-cCdF2-dPbF2_eZnF 2-fSnF4 :xHo3+各元素的化学计量比称取 GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4 和 HoF3 粉体，其中 a 为 0· 15 ?0· 25, b 为 0· 1 ?0· 2, c 为 0· 15 ?0· 25, d 为 0· 1 ?0· 2, e 为 0· 15 ?0· 25, f 为 0· 05 ?0· 15, X 为 0· 005 ?0· 03 ;步骤二、将所述步骤一中称取的粉体混合均匀得到前驱体；步骤三、将所述前驱体在800°C?1000°C下灼烧0. 5小时?5小时；步骤四、将所述步骤三中处理后的前躯体冷却到l〇〇°C?500°C，再保温0. 5小时?3 小时，冷却到室温，得到化学通式为aGaF3-bInF3-cCdF2-dPbF 2-eZnF2-fSnF4 :xHo3+的钦掺杂 氟化镓铟玻璃上转换发光材料。
4. 根据权利要求3所述的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征 在于，所述GaF3, InF3, CdF2, PbF2, ZnF2, SnF4和HoF3粉体各组分摩尔比为（0. 15?0. 25): (0· 1 ?0· 2) : (0· 15 ?0· 25) : (0· 1 ?0· 2) : (0· 15 ?0· 25) : (0· 05 ?0· 15) : (0· 005 ? 0· 03)。
5. 根据权利要求3所述的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在 于，所述GaF3，InF3，CdF2，PbF2，ZnF 2，SnF4和HoF3粉体各组分摩尔比为0.2:0.15 :0.2:0.15: 0. 2 ：0. 09 ：0. 01〇
6. 根据权利要求3所述的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在 于，步骤二中所述混合是将所述粉体在刚玉钵中研磨20分钟?60分钟。
7. 根据权利要求3所述的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在 于，步骤三中将所述前驱体在950°C下灼烧3小时。
8. 根据权利要求3所述的钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的制备方法，其特征在 于，步骤四中的冷却温度为250°C，保温时间为2小时。
9. 一种有机发光二极管，该有机发光二极管包括依次层叠的基板、阴极、有机发光层、 阳极及透明封装层，其特征在于，所述透明封装层中分散有钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发 光材料，所述钦掺杂氟化镓铟玻璃上转换发光材料的化学式为aGaF3-bInF3-cCdF 2-dPbF2-e ZnF2-fSnF4 :xHo3+，其中，a 为 0· 15 ?0· 25, b 为 0· 1 ?0· 2, c 为 0· 15 ?0· 25, d 为 0· 1 ? 0· 2, e 为 0· 15 ?0· 25, f 为 0· 05 ?0· 15, X 为 0· 005 ?0· 03。
10. 根据权利要求9所述的有机发光二极管，其特征在于，所述a为0.2, b为0.15, c 为 0· 2, d 为 0· 15, e 为 0· 2, f 为 0· 09, X 为 0· 01。
【文档编号】H01L51/54GK104059645SQ201310091664
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2013年3月21日 优先权日:2013年3月21日
【发明者】周明杰, 王平, 陈吉星, 黄辉 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司