专利名称：一种气体激光器可控硅电源的制作方法
技术领域：
本发明涉及激光电源技术领域，具体涉及一种高功率横流CO2激光器的高压发生器，是专门用于高功率横流CO2激光器中作为气体放电高压激励源。
背景技术：
CO2激光器是用途最广泛的气体激光器之一。高功率CO2激光器加工技术应用范围持续拓展，而其在先进制造加工领域的地位越来越重要，而在高功率CO2激光器设备中，电源技术对激光器的可控性、长期运行的稳定性、可靠性起到至关重要的作用，而常见高功率横流CO2激光器的高压发生器如图1所示，由交流接触器1，可控硅交流调压装置2，升压变压器3，三相桥式整流器4产生直流高压，经LC组件5滤波后，负极经电阻箱6限流后接到放电盒7阴极，正极直接接到放电盒7阳极。其缺点是，随高压发生器功率越高，无功功率越大，谐波分量越多，功率因数低，对电网干扰越大，同时整流后高压直流纹波也越大。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足，本发明的目的是提供一种气体激光器可控硅电源，该电源的功率因数高，谐波分量较小，并可以有效降低纹波。为实现上述发明的目的，本发明的高功率横流CO2激光器的高压发生器采用双路同容量调压电源串联，而升压变压器采用三绕组结构组成十二相整流。双路交流接触器8、11，分别连接在两个可控硅交流调压装置上9、12，两个可控硅交流调压装置均分别连接在两个三绕组升压变压器上10、13，随即通过同一高压整流器14，经过LC组件，LC组件负极经电阻箱16接到放电盒17的阴极，正极直接接到放电盒17的阳极。使用中，一 路电路由交流接触器8，可控硅交流调压装置9调压，三绕组升压变压器10升压，到高压整流器14 ;另一路由交流接触器11，可控硅交流调压装置12调压，三绕组升压变压器13升压，到高压整流器组14。两路经高压整流器组14整流串联产生直流高压，经LC组件15滤波后产生正负高压，负极经电阻箱16限流后接到放电盒17阴极，正极直接接到放电盒17阳极，激励气体放电。根据实际负载情况也可使一路可控硅交流调压处于最大状态，既直通。本发明设计的气体激光器可控硅电源克服了现有高功率横流CO2激光器的高压发生器存在随高压发生器功率越高，无功功率越大，谐波分量越多，功率因数低，对电网干扰越大等缺点，具有以下几个优点。1.在同等电源容量下采用双路调压电源串联，从而减小了一半可控硅容量，相应提高了功率因数。2.采用十二相整流电路，从而减少了直流纹波，使气体放电更平稳，减少对电网的干扰。
图1为现有高功率横流C02激光器高压发生器方框 图2为本发明电路方框图方框图。
具体实施例方式如图2所示，双路调压电源串联，一路由交流接触器8，连接可控硅交流调压装置9，可控硅交流调压装置9连接在三绕组升压变压器10上，另一路由交流接触器11连接在可控硅交流调压装置12上，可控硅交流调压装置12连接在三绕组升压变压器13上，两三绕组升压变压器10、13连接到高压整流器组14。高压整流器组14经LC组件15，LC组件15负极经电阻箱16接到放电盒17阴极，正极直接接到放电盒17阳极。使用中，一路电路由交流接触器8，可控硅交流调压装置9调压，三绕组升压变压器10升压，到高压整流器14 ;另一路由交流接触器11，可控硅交流调压装置12调压，三绕组升压变压器13升压，到高压整流器组14。两路经高压整流器组14整流串联产生直流高压，经LC组件15滤波后产生正负高压，负极经电阻箱16限流后接到放电盒17阴极，正极直接接到放电盒17阳极，激励气体放电。根据实际负载情况也可使一路可控硅交流调压处于最大状态，既 直通。
权利要求
1.一种气体激光器可控硅电源，其特征在于采用同结构容量三绕组变压器的双路调压电源，和高压整流器组组成双路 十二相整流电路串联。
全文摘要
本发明提供了一种气体激光器可控硅电源功率，包括双路调压电源串联，采用两个同结构容量三绕组变压器，从而有效提高了气体激光器可控硅电源功率因数，高压整流器组组成双路十二相整流电路串联，有效降低了整流后直流纹波，使气体放电更平稳。
文档编号H01S3/09GK103236635SQ20131013354
公开日2013年8月7日 申请日期2013年4月17日 优先权日2013年4月17日
发明者陶兴启, 鄂永平, 董容刚 申请人:武汉点金激光科技有限公司