半导体装置的制造方法以及半导体制造装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种能够使半导体芯片不产生损伤和/或破损而仅将合格芯片高效率地从粘合片剥离的半导体装置的制造方法以及半导体制造装置。根据本发明，将粘贴了粘合片的半导体晶片切断为单独的半导体芯片。然后，在未达到期望的电气特性的不合格芯片的背面从粘合片的上方标记不合格记号。然后，通过紫外线照射使得粘合片的粘合层与合格芯片的粘接力降低。然后，使粘合片侧为下侧将半导体芯片载置于台的形成了沟槽的面。然后，将粘合片以及沟槽所包围的空间减压，从粘合片剥离合格芯片。接着，利用夹头拾取合格芯片。其后，从台将粘贴有不合格芯片的粘合片卸下回收。
【专利说明】半导体装置的制造方法以及半导体制造装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体制造装置。
【背景技术】
[0002]近年来，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极型晶体管)由于高性能化以及低成本化等的需要，推进了半导体晶片的薄型化。因此，例如有需要使半导体晶片的厚度减薄为50μπι?100 μ m左右，或其以下的厚度。
[0003]作为晶片厚度很薄的半导体装置(以下，称作薄型半导体装置)的制造方法，提出有以下方法。首先，在半导体晶片的正面形成元件结构之后，研磨半导体晶片的背面直至达到预定的厚度。并且，按照每个元件结构切割半导体晶片，切断为单独的半导体芯片。
[0004]另外，作为薄型半导体装置的另一种制造方法，提出有以下方法。首先，在半导体晶片的正面形成元件结构之后，在半导体晶片的正面，例如沿着切割线形成比完成后的半导体装置的厚度深的沟槽。并且，通过研磨半导体晶片的背面直至达到预定的厚度，从而形成按照每个元件结构切断的单独的半导体芯片。
[0005]更进一步，作为薄型半导体装置的另一种制造方法，提出有以下方法。首先，在半导体晶片的正面形成元件结构之后，形成凸缘结构晶片。即，从半导体晶片背面研磨半导体晶片的中央部使其变薄，将半导体晶片的外周部按照预定的宽度予以保留使其较厚，将保留的外周部作为增强部。并且，以保留了半导体晶片的增强部的状态，或者去除增强部之后，按照每个元件结构切割半导体晶片，切断为单独的半导体芯片。
[0006]上述的薄型半导体装置的制造方法中，为了使因切割而被切断的半导体芯片不分散，在切割半导体晶片之前，将切割片等的粘合片粘贴于半导体晶片。并且，切割半导体晶片将其切断为单独的半导体芯片之后，保持将半导体芯片固定于粘合片的状态，进入从粘合片拾取半导体芯片的工序(拾取工序)。
[0007]作为将粘合片粘贴于凸缘结构晶片的方法，提出有以下方法。针对在背面的中央部形成了比外周部薄的凹部的凸缘构造晶片，仅将其正面侧的外周部通过晶片支撑台进行支撑。使片粘贴装置内的第I密闭空间成为真空状态之后，在第I密闭空间内，向凸缘结构晶片和晶片支撑台之间形成的第2密闭空间通过加压装置导入压力。与此同时，在凸缘结构晶片的上方使隔着粘合胶带以能够升降的状态设置的粘贴构件下降，将粘合片压入凸缘结构晶片的背面的凹部进行粘贴(例如，参照以下专利文献I)。
[0008]作为凸缘结构晶片的切割方法，提出有以下方法。配合设置于切割台的晶片的背面侧的形状，在外周端部比中央部厚的基础部设置环状的第一台和圆柱状的比第一台高度高的第二台。在由该第一台和第二台形成的凸部，以凸缘结构晶片的背面侧的凹部与其重叠的方式进行设置。并且，从凸缘结构晶片的正面侧，使凸缘部不被切掉而将凸缘结构晶片的整面切断实现芯片化(例如，参照以下专利文献2 )。
[0009]作为半导体芯片的拾取方法，已知有从粘合片侧将半导体芯片利用针向上方顶起，从而使得半导体芯片和粘合片的接触面积减少之后，由夹头吸引而从粘合片拾取半导体芯片，移送至芯片基板等的晶片托盘的方法。但是，利用针顶起存在使半导体芯片的背面产生伤痕，或者使半导体芯片破损的担忧。
[0010]作为不进行利用针顶起的操作的半导体芯片的拾取方法，提出有以下方法。固定夹具由在一个面上具有多个突起物和侧壁的夹具基座，以及层叠在夹具基座的具有突起物的面上、在侧壁的上表面接合的粘接层构成。在夹具基座的具有突起物的面由粘接层、突起物、以及侧壁形成划分空间，通过通孔连接于真空源。通过通孔吸引划分空间内的空气使粘接层变形，并且吸附夹头从芯片的上表面侧吸引芯片，将芯片从粘接层拾取(例如，参照以下专利文献3)。
[0011]专利文献1:日本特开2012-084563号公报
[0012]专利文献2:日本特开2009-206417号公报
[0013]专利文献3:日本特开2008-103493号公报
[0014]但是，上述专利文献3公开的技术中，由于固定于夹具基座的全部的半导体芯片与粘合片的粘接面积降低，因而不仅降低了达到期望的电气特性的半导体芯片(合格芯片)与粘合片的粘接力，也降低了未达到期望的电气特性的的半导体芯片(不合格芯片)与粘合片的粘接力。因此，从粘合片拾取不合格芯片以外的半导体芯片的情况下，在粘合片上残留的不合格芯片成为几乎从粘合片被剥离的状态。
[0015]在不合格芯片成为从粘合片几乎被剥离的状态的情况下，从夹具基座拆卸粘合片时，另外，搬运回收从夹具基座拆卸了的粘合片时，存在不合格芯片从粘合片被剥离，掉落于拾取装置内，对拾取装置产生不良影响的隐患。这样的问题可以通过将包括不合格芯片的全部半导体芯片从粘合片拾取的方法来解决。但是，在将全部的半导体芯片从粘合片拾取的情况下，产生了生产率降低的新问题。
【发明内容】
[0016]本发明的目的在于提供一种为了解决由上述现有技术带来的问题，能够使半导体芯片不产生损伤和/或破损而将半导体芯片从粘合片剥离的半导体装置的制造方法以及半导体制造装置。另外，本发明的目的在于提供一种为了解决由上述现有技术带来的问题，在粘贴于粘合片的全部的半导体芯片中，能够将特性不合格的半导体芯片以外的半导体芯片高效率地从粘合片剥离的半导体装置的制造方法以及半导体制造装置。
[0017]为了解决上述问题，实现本发明的目的，本发明的半导体装置的制造方法具有以下特征。首先，进行粘贴工序，在半导体晶片的背面粘贴粘合片。然后，进行切断工序，将处于粘贴于上述粘合片的状态的上述半导体晶片切断为单独的半导体芯片。然后，进行记号形成工序，在预定的上述半导体芯片的背面从上述粘合片的上方形成预定的记号，预定的上述半导体芯片是基于针对上述半导体芯片的电气特性的检查结果而确定的。然后，进行粘接力降低工序，使形成了上述记号的部分以外的上述粘合片与上述半导体芯片的粘接力降低。然后，进行拾取工序，从上述粘合片拾取通过上述粘接力降低工序而降低了与上述粘合片的粘接力的上述半导体芯片。
[0018]另外，本发明的半导体装置的制造方法，在上述发明中，其特征在于，在上述拾取工序中，首先进行载置工序，在设置了多个沟槽的台的设有上述沟槽的面，使粘贴了上述粘合片的面位于上述台侧而载置上述半导体芯片。然后，进行剥离工序，将由上述沟槽以及上述粘合片所包围的空间减压，从上述半导体芯片剥离形成了上述记号的部分以外的上述粘合片。然后进行吸引工序，吸引并取出剥离了上述粘合片的上述半导体芯片。
[0019]另外，本发明的半导体装置的制造方法，在上述发明中，其特征在于，在上述记号形成工序中，形成宽度比上述沟槽的配置间隔宽的上述记号。
[0020]另外，本发明的半导体装置的制造方法，在上述发明中，其特征在于，在上述拾取工序之后，进行拆卸工序，从上述台卸下上述粘合片。在上述拆卸工序中，将上述粘合片连同粘贴于上述粘合片的形成了上述记号的部分的上述半导体芯片一起卸下。
[0021]另外，本发明的半导体装置的制造方法，在上述发明中，其特征在于，在上述粘贴工序中，使用具有与其他构件的粘接力在紫外线照射下会降低的粘合层的上述粘合片。并且，在上述粘接力降低工序中，从上述半导体芯片的背面侧向上述粘合片照射紫外线，使与形成了上述记号的部分以外的上述粘合片接触的上述粘合层固化。
[0022]另外，本发明的半导体装置的制造方法，在上述发明中，其特征在于，还包括检查工序，在上述切断工序之后，上述记号形成工序之前，检查上述半导体芯片是否达到期望的电气特性。而且，在上述记号形成工序中，在由上述检查工序而得到的上述检查结果为未达到期望的电气特性的上述半导体芯片的背面，从上述粘合片的上方形成上述记号。
[0023]另外，本发明的半导体装置的制造方法，在上述发明中，其特征在于，在上述记号形成工序中，基于在上述半导体芯片的正面预先形成的、根据上述检查结果得到的记号，在上述半导体芯片的背面形成上述记号。
[0024]另外，本发明的半导体装置的制造方法，在上述发明中，其特征在于，在上述粘贴工序之前，首先，进行元件结构形成工序，在上述半导体晶片的正面形成元件结构。然后，进行薄型化工序，研磨上述半导体晶片的背面的中央部，使上述半导体晶片的中央部的厚度比外周部的厚度薄。而且，在上述粘贴工序中，以沿着上述半导体晶片的背面的中央部和外周部的阶差的方式粘贴上述粘合片。
[0025]另外，本发明的半导体装置的制造方法，在上述发明中，其特征在于，在上述切断工序中，以保留了上述半导体晶片的比中央部的厚度厚的外周部的状态，将上述半导体晶片载置于切割用台，在上述切割用台上切断上述半导体晶片。
[0026]另外，为了解决上述问题，实现本发明的目的，本发明的半导体制造装置具备粘贴装置、切断装置、检查装置、记号形成装置、粘接力降低装置、以及拾取装置。上述粘贴装置，其在半导体晶片的背面粘贴粘合片。上述切断装置，其将处于粘贴在上述粘合片的状态的上述半导体晶片切断为单独的半导体芯片。上述检查装置，其检查上述半导体芯片的电气特性。上述记号形成装置，其基于上述检查装置的检查结果，在预定的上述半导体芯片的背面从上述粘合片的上方形成预定的记号。上述粘接力降低装置，其使形成了上述记号的部分以外的上述粘合片与上述半导体芯片的粘接力降低。上述拾取装置的特征在于，其将与上述粘合片的粘接力降低了的上述半导体芯片从上述粘合片取出。
[0027]根据上述发明，粘贴在紫外线固化型的粘合片的多个半导体芯片中，被检测出特性不合格的半导体芯片的背面的粘合片上标记不合格记号，从而为使粘合片与半导体芯片的粘接力降低而向粘合片照射紫外线时，紫外线在粘合片的形成了不合格记号的部分被不合格记号遮蔽。据此，能够不使粘合片和不合格芯片的粘接力降低，而使粘合片和合格芯片的粘接力降低。因此，不由针等顶起合格芯片，仅通过夹头的吸引力就能够拾取合格芯片。[0028]另外，能够在不降低与粘合片的粘接力的情况下将不合格芯片残留在粘合片上，因此卸下回收粘合片时，能够防止不合格芯片从粘合片剥离而飞散、掉落。另外，能够在粘贴了不合格芯片的状态下卸下回收粘合片，因此能够比拾取粘合片上的全部的半导体芯片的情况提闻生广率。
[0029]根据本发明的半导体装置的制造方法以及半导体制造装置，取得能够使半导体芯片不产生损伤和/或破损而将半导体芯片从粘合片剥离的效果。另外，根据本发明的半导体装置的制造方法以及半导体制造装置，取得能够在粘贴于粘合片的全部的半导体芯片中，高效地将特性不合格的半导体芯片以外的半导体芯片从粘合片剥离的效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0030]图1是表示由实施方式的半导体制造装置处理的半导体晶片的正面侧的结构的俯视图。
[0031]图2是表示图1的半导体晶片的背面侧的结构的立体图。
[0032]图3是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的俯视图。
[0033]图4是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的截面图。
[0034]图5是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的截面图。
[0035]图6是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的俯视图。
[0036]图7是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的截面图。
[0037]图8是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的截面图。
[0038]图9是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的截面图。
[0039]图10是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的截面图。
[0040]图11是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的截面图。
[0041]图12是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的截面图。
[0042]图13是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的截面图。
[0043]符号说明:
[0044]I半导体晶片
[0045]2芯片区域
[0046]2a切割线
[0047]3a半导体晶片的中央部
[0048]3b半导体晶片的增强部
[0049]4粘合片
[0050]4a粘合片的基材
[0051]4b粘合片的粘合层
[0052]5切割架
[0053]6切割用台
[0054]6a切割用台的凸部
[0055]6b切割用台的凸部以外的面
[0056]7半导体芯片
[0057]7a不合格芯片[0058]7b合格芯片
[0059]8不合格记号
[0060]10紫外线产生灯
[0061]11紫外线
[0062]12夹头
[0063]20拾取装置
[0064]21台
[0065]22台的沟槽
[0066]23台的突起部
[0067]24台的通气孔[0068]25密闭空间
[0069]t沟槽的配置间隔
[0070]w不合格记号的宽度
【具体实施方式】
[0071]以下，参照附图来详细说明本发明的半导体装置的制造方法以及半导体制造装置的优选的实施方式。另外，在以下的实施方式的说明以及附图中，同样的结构用同一符号表示，并省略重复的说明。
[0072](实施方式)
[0073]首先说明由实施方式的半导体装置的制造方法处理之前的半导体晶片。图1是表示由实施方式的半导体制造装置处理的半导体晶片的正面侧的结构的俯视图。图2是表示图1的半导体晶片的背面侧的结构的立体图。如图1、2所示，在半导体晶片I的正面侧，在对应于形成半导体芯片的区域(以下称作芯片区域)2的部分，按照每个芯片区域2形成装置的表面结构(未图示)。芯片区域2，例如被等间隔地设置成矩阵状。
[0074]相邻的芯片区域2之间形成切割线或者芯片分割线(以下称作切割线2a)等的记号。在半导体晶片I的背面形成使半导体晶片I的中央部3a的厚度变薄，半导体晶片I的外周部按照预定的宽度保留较厚的部分而形成的增强部3b。增强部3b位于最外侧的芯片区域2的外侧。即，全部的芯片区域2配置于比半导体晶片I的外周部厚度薄的半导体晶片I的中央部3a。
[0075]然后，说明实施方式的半导体装置的制造方法。图3、6是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的俯视图。图4、5、7~13是表示实施方式的半导体装置的制造过程中的状态的截面图。图3、4表示在图1的半导体晶片I粘贴粘合片4的状态。图4是沿图3的剖线A-A'的截面图。图6表示图1的半导体晶片I的切割后的状态。首先，如图1所示，在半导体晶片I的正面侧针对每个芯片区域2形成装置的表面结构(未图示)。
[0076]接下来，研磨半导体晶片I的背面，使半导体晶片I的厚度减薄至预定的厚度。这时，半导体晶片I可以是背面为平坦的晶片，也可以是如图2所示使背面侧的中央部3a变薄，将外周部按照预定的宽度保留较厚而形成增强部3b的凸缘结构晶片。以下，以半导体晶片I成为凸缘结构晶片为例进行说明。接下来，如图3、4所示，在被薄型化了的半导体晶片I的背面粘贴粘合片(切割片)4。粘合片4，例如用于防止由于切割而分离了的半导体芯片飞散。
[0077]作为在半导体晶片I的背面粘贴粘合片4的方法的一例，例如，使半导体晶片I的正面侧和背面侧产生气压差，由于该气压差，可以将半导体晶片按压在配置于半导体晶片I的背面侧的粘合片4上。据此，能够在由半导体晶片I的背面的中央部3a和增强部3b构成的凹部(以下，仅称作凹部)不产生气泡地粘贴粘合片4。粘合片4由在基材4a设置紫外线固化型的粘合层4b而制成，基材4a作为支撑构件发挥功能。对于粘合片4，粘合层4b侧被粘接。
[0078]接下来，在粘合片4的半导体晶片I侧的面粘贴切割架5，将半导体晶片I固定于切割架5。然后，如图5所示，以半导体晶片I的背面的凹部与切割用台6的凸部6a重叠的方式，将处于固定在切割架5的状态的半导体晶片I载置于切割用台6。据此，半导体晶片I的中央部3a被切割用台6的凸部6a支撑。半导体晶片I的增强部3b被切割用台6的凸部6a外侧的凸部6a以外的面6b支撑。切割用台6的凸部6a具有，例如能够与半导体晶片I的背面的凹部几乎没有间隙地嵌合的直径以及高度。
[0079]然后，如图6所示，从半导体晶片I的正面侧，沿着切割线2a切割半导体晶片1，将其切断为单独的半导体芯片7。这时，由切割导致的切痕，最好不贯通粘合片4。其理由是因为由于粘合片4没有被分断，因此易于将粘合片4从台拆卸，也易于将拆卸了的粘合片4搬运回收。另外，由切割导致的切痕，最好不要到达半导体晶片I的侧面。其理由是因为能够将成为未形成元件结构的半导体晶片I的残留部的外周部保留为圆周状，易于与粘合片4 一起回收。
[0080]然后，保持固定于粘合片4的状态，利用通常的方法，检查各半导体芯片7的电气特性。然后，固定于粘合片4的多个半导体芯片7中，在未达到期望的电气特性的半导体芯片(以下，称作不合格芯片)7a的背面的中心从粘合片4的上方标记不合格记号8。另外，不合格记号8的标记也可以是在半导体晶片I的背面粘贴粘合片4之前，用通常的方法检测出半导体晶片I的正面的各芯片区域2预先标记了的不合格记号，对应于半导体晶片I的正面的不合格记号，在作为相反侧的半导体晶片I的背面形成不合格记号8。
[0081]不合格记号8的形状可以做各种变形。例如，图6表示了具有圆形的平面形状的不合格记号8。后面叙述有关不合格记号8的宽度w (例如圆形的不合格记号8的情况下为直径)的尺寸。不合格记号8的标记，也可以是例如使用对粘合片4、半导体晶片I具有强接合力的墨水的墨水标记。不合格记号8的颜色没有特别的限定，优选为黑色。其理由是因为在后面的向粘合片4的紫外线照射工序中，能够使得形成了不合格记号8的部分针对照在粘合片4的紫外线的透过率降低，能够更进一步提高本发明的效果。以下，固定于粘合片4的多个半导体芯片7中，将不合格芯片7a以外的达到期望的电气特性的半导体芯片称为合格芯片7b。
[0082]如此，在不合格芯片7a的背面标记了不合格记号8之后，如图7所示，利用紫外线产生灯10，以充分固化粘合片4的粘合层4b的紫外线量，从半导体芯片7的背面对粘合片4照射紫外线11。在图7中，图示省略不合格记号8。这时，如作为图7的局部放大图的图8所示，形成了不合格记号8的部分以外的粘合片4的粘合层4b-l，由于紫外线11照射而固化，与不合格芯片7a以外的全部的半导体芯片7 (合格芯片7b)的粘接力降低。另一方面，形成了不合格记号8的部分的粘合片4的粘合层4b-2，由于不合格记号8遮挡了紫外线11而没有被固化，因此与半导体芯片7 (不合格芯片7a)的粘接力没有降低。在图8中删除了粘合层4b的与半导体芯片7的粘接力降低了的部分的影线(图9、11?13中也是如此)。
[0083]然后，如图9、10所示，使粘合片4侧为下侧(台21侧)将半导体芯片7载置于用于从粘合片4拾取半导体芯片7的拾取装置20的台21。图9是图10所示的拾取装置20的局部放大图，表示了即将半导体芯片7载置于台21上之前的状态。图10中图示省略不合格记号8、粘合层4b-l、4b-2。拾取装置20的台21具有能够与半导体晶片I的背面的凹部几乎无间隙地嵌合的直径，或者夹持半导体晶片1，与全部的芯片区域2对置那样的直径。台21中，在半导体芯片7被载置侧的面(以下，称作上表面)设置了以预定的配置间隔t配置的多个沟槽22和由相邻沟槽22的侧壁构成的突起部23。
[0084]沟槽22例如被配置为网格形状，突起部23被配置为矩阵形状。另外，例如，沟槽22形成为V字形状和/或矩形(图9?12中表示V字状的沟槽22)，突起部23成为棱锥体形状、棱锥台形状或者棱柱形状。因此，在半导体芯片7被载置于台21上时，粘合片4以及不合格标记8成为与突起部23的顶点部点接触(锥体形状的情况)或者面接触(棱锥台形状或者棱柱形状的情况)的状态。突起部23的底面的边的长度与沟槽22的配置间隔t相等。不合格记号8的宽度w比沟槽22的配置间隔t大。因此，各不合格记号8在半导体芯片7被载置于台21上时，从分别对置的沟槽22露出一部分。
[0085]优选的是，不合格记号8的宽度w达到在台21上载置半导体芯片7时能够阻塞沟槽22的程度。从沟槽22露出的不合格记号8的宽度w越宽，越能保证与不合格芯片7a的粘接力高的粘合层4b-2介由基材4a与沟槽22对置，因此如后述那样台21的上表面侧的空气被吸引时，能够抑制粘接于不合格芯片7a的粘合片4被剥离。沟槽22经由设置于台21内的通气孔24与减压装置(未图示)连接。通过由减压装置抽真空(实线箭头)使得台21的上表面侧的空气被吸引。据此，粘合片4以及台21的沟槽22所包围的空间(以下，称作密闭空间)25被减压。
[0086]由于粘合片4的粘合层4b_l和合格芯片7b的粘接力降低，因此密闭空间25被减压使得粘合片4和合格芯片7b的粘接面积减少，合格芯片7b成为从粘合片4几乎被剥离的状态。具体地，如图11所示，施加于粘合片4的负压导致粘合片4沿着沟槽22的侧壁变形，粘合片4从合格芯片7b被剥离。另一方面，粘合片4的粘合层4b-2与不合格芯片7a的粘接力在紫外线11的照射前后无变化，因此即使在粘合片4施加了负压，粘合片4与不合格芯片7a的粘接面积也几乎无变化，维持不合格芯片7a的背面的几乎整面与粘合片4粘接的状态。
[0087]然后，如图12所示，保持密闭空间25被减压的状态，利用配置于台21的上方的夹头12，吸引合格芯片7b，将其从粘合片4拾取。这时，例如可以是读出存储在存储装置的不合格记号8的位置信息，基于该位置信息拾取合格芯片7b，也可以基于由照相机等拍摄的图像检测出不合格记号8，基于该检测结果拾取合格芯片7b。其后，拾取了的合格芯片7b例如通过搬运装置向用于进行后续工序的例如台等搬运。
[0088]拾取了全部的合格芯片7b之后，例如通过搬运装置(未图示)从台21将粘合片4卸下回收。这时，如图13所示，粘合片4的表面保留了未拾取的不合格芯片7a、未形成元件结构的半导体晶片I的外周部(包括增强部3b)，卸下粘合片4时或者搬运卸下的粘合片4时，不合格芯片7a、增强部3b不会从粘合片4剥离掉落。
[0089]不合格芯片7a不会从粘合片4剥离掉落是因为如上所述通过形成不合格记号8，使得不合格芯片7a和粘合片4的粘接面积几乎没有被减少。增强部3b不会从粘合片4剥离掉落是因为切割时未将半导体晶片I的外周部切断而保留为圆周状，从而能够使半导体晶片I的外周部和粘合片4的粘接面积较大。
[0090]具备上述的台21、减压装置以及夹头12等的拾取装置20、搬运装置、检查半导体芯片7的电气特性的检查装置、在不合格芯片7a标记不合格记号8的标记装置、以及检测不合格记号8的检测装置的控制，例如通过使用被存储在拾取装置20中的R0M、RAM、磁盘、光盘等的程序和/或数据，由CPU执行预定的程序来进行。
[0091]如以上说明，根据实施方式，粘贴在紫外线固化型的粘合片的多个半导体芯片中，被检测出特性不合格的半导体芯片的背面的粘合片上标记不合格记号，从而为使粘合片和半导体芯片的粘接力降低而向粘合片照射紫外线时，紫外线在粘合片的形成了不合格记号的部分被不合格记号遮蔽。据此，能够不使粘合片和不合格芯片的粘接力降低，而使粘合片和合格芯片的粘接力降低。因此，不由针等顶起合格芯片，仅通过夹头的吸引力就能够拾取合格芯片，能够防止合格芯片的损伤或破损。
[0092]另外，能够在不降低与粘合片的粘接力的情况下将不合格芯片残留在粘合片上，因此卸下回收粘合片时，能够防止不合格芯片从粘合片剥离而飞散、掉落。另外，能够在粘贴了不合格芯片的状态下卸下回收粘合片，因此能够比拾取粘合片上的全部的半导体芯片的情况提高生产率。据此，在粘贴于粘合片的全部的半导体芯片中，能够高效地将不合格芯片以外的半导体芯片从粘合片剥离。
[0093]以上的本发明不限于如上所述的实施方式，只要不脱离本发明的精神的范围，就可以进行各种各样的变更。例如，虽然举例说明了使用具有上述的实施方式的紫外线固化型的粘合层的粘合片的情况，只要在不合格芯片的背面的粘合片上形成的不合格记号使得不合格芯片和粘合片的粘接力不降低，构成粘合片的材料和构成不合格记号的材料的组合可以进行各种各样的变更。另外，上述实施方式中，虽然举例说明了在台上网格状地设置沟槽的结构，也可以采用以沿着与沟槽排列方向垂直的方向延伸的条纹形状设置沟槽的结构。另外，本发明不限于应用于薄型化了的半导体晶片的情况，应用于未被薄型化的较厚的半导体晶片的情况下也能够获得同样的效果，能够将合格芯片安全地向下一个工序搬运。
[0094]产业上的可利用性
[0095]如上，本发明的半导体装置的制造方法以及半导体制造装置用于将切割了的半导体芯片从粘合片拾取，分离成为单独的半导体芯片的情况。
【权利要求】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括: 粘贴工序，在半导体晶片的背面粘贴粘合片； 切断工序，将处于粘贴在上述粘合片的状态的上述半导体晶片切断为单独的半导体芯片; 记号形成工序，在预定的上述半导体芯片的背面从上述粘合片的上方形成预定的记号，预定的上述半导体芯片是基于针对上述半导体芯片的电气特性的检查结果而确定的；粘接力降低工序，使形成了上述记号的部分以外的上述粘合片与上述半导体芯片的粘接力降低； 拾取工序，从上述粘合片拾取由上述粘接力降低工序而降低了与上述粘合片的粘接力的上述半导体芯片。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 上述拾取工序包括: 载置工序，在设置了多个沟槽的台的设有上述沟槽的面，使粘贴了上述粘合片的面位于上述台侧而载置上述半导体芯片； 剥离工序，将由上述沟槽以及上述粘合片所包围的空间减压，从上述半导体芯片剥离形成了上述记号的部分以外的上述粘合片； 吸引工序，吸引并取出剥离了上述粘合片的上述半导体芯片。
3.如权利要求2所述的 半导体装置的制造方法，其特征在于， 在上述记号形成工序中，形成宽度比上述沟槽的配置间隔宽的上述记号。
4.如权利要求1~3任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括拆卸工序，在上述拾取工序之后，从上述台卸下上述粘合片， 在上述拆卸工序中，将上述粘合片连同粘贴于上述粘合片的形成了上述记号的部分的上述半导体芯片一起卸下。
5.如权利要求1~4任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 在上述粘贴工序中，所使用的上述粘合片具有与其他构件的粘接力在紫外线照射下会降低的粘合层， 在上述粘接力降低工序中，从上述半导体芯片的背面侧向上述粘合片照射紫外线，使与形成了上述记号的部分以外的上述粘合片接触的上述粘合层固化。
6.如权利要求1~5任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 还包括检查工序，在上述切断工序之后，上述记号形成工序之前，检查上述半导体芯片是否达到期望的电气特性， 在上述记号形成工序中，在由上述检查工序而得到的上述检查结果为未达到期望的电气特性的上述半导体芯片的背面，从上述粘合片的上方形成上述记号。
7.如权利要求1~5任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 在上述记号形成工序中，基于在上述半导体芯片的正面预先形成的、根据上述检查结果得到的记号，在上述半导体芯片的背面形成上述记号。
8.如权利要求1~7任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 在上述粘贴工序之前，还包括: 元件结构形成工序，在上述 半导体晶片的正面形成元件结构；薄型化工序，研磨上述半导体晶片的背面的中央部，使上述半导体晶片的中央部的厚度比外周部的厚度薄； 在上述粘贴工序中，以沿着上述半导体晶片的背面的中央部和外周部的阶差的方式粘贴上述粘合片。
9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 在上述切断工序中，以保留了上述半导体晶片的比中央部的厚度厚的外周部的状态，将上述半导体晶片载置于切割用台，在上述切割用台上切断上述半导体晶片。
10.一种半导体制造装置，其特征在于，具备: 粘贴装置，其在半导体晶片的背面粘贴粘合片； 切断装置，其将处于粘贴在上述粘合片的状态的上述半导体晶片切断为单独的半导体-H-* I I心片； 检查装置，其检查上述半导体芯片的电气特性， 记号形成装置，其基于上述检查装置的检查结果，在预定的上述半导体芯片的背面从上述粘合片的上方形成预定的记号； 粘接力降低装置，其使形成了上述记号的部分以外的上述粘合片与上述半导体芯片的粘接力降低； 拾取装置，其将与上述粘合片的粘接力降低了`的上述半导体芯片从上述粘合片取出。
【文档编号】H01L21/301GK103871863SQ201310616809
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2013年11月27日 优先权日:2012年12月10日
【发明者】田中阳子 申请人:富士电机株式会社