一种晶闸管芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种晶闸管芯片，包括硅片，硅片正反面分别设置有焊锡片；所述焊锡片的外表面设置有铜片。本实用新型解决了传统铁片散热慢，导通率低的问题，同时，解决了六角芯片尖端放电的问题，且同等体积下比六角芯片通流面积大，膨胀系数低。可广泛应用于晶闸管芯片领域。
【专利说明】—种晶闹管芯片
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种晶闸管芯片。
【背景技术】
[0002]晶闸管芯片通常由硅片构成的长基区N，阴极区和阳极区以及设置在最外层的方便焊接的铁片构成，加上中间的焊锡层共7层结构，且通常采用六角结构。由于铁片存在锈蚀的问题，因此，长时间存放或使用中遇水容易导致芯片的失效。且铁片电流导通率差，质量重，散热慢。六角结构同等体积小，导通率小，且存在放电尖端，使芯片存在静电干扰。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的是提供一种晶闸管芯片，解决现有晶闸管芯片单位体通流面积小，散热慢的问题。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种晶闸管芯片，包括硅片，硅片正反面分别设置有焊锡片；所述焊锡片的外表面设置有铜片。
[0005]进一步的，所述硅片、焊锡片和铜片均为面积相同的圆片。
[0006]进一步的，所述硅片、焊锡片和铜片的直径为34_。
[0007]更进一步的，所述铜片(3)的厚度为0.5?1.5mm。
[0008]本实用新型的有益效果:在焊锡片的外表面设置有铜片，方便与配套件的焊接，且减少了芯片的层数，减小芯片的体积。且铜片散热比铁片快，膨胀系数低，芯片不容易变形，导通率高。所述硅片、焊锡片和铜片均为面积相同的圆片，能够提高芯片的通流面积，且与TK角芯片相比，没有放电尖端，提闻芯片的稳定性。
[0009]下面结合附图和实施例，对本实用新型作进一步详细说明。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型中晶闸管芯片剖面图【具体实施方式】
[0011]实施例，如图1所示，一种晶闸管芯片，包括硅片1，硅片I正反面分别设置有焊锡片2 ;所述焊锡片2的外表面设置有铜片3。所述焊锡片2和铜片3的直径为34mm。所述铜片3的厚度为0.5?1.5mm,优选1mm。
[0012]所述硅片1、焊锡片2和铜片3均为面积相同的圆片。
[0013]在焊锡片的外表面设置有铜片，方便与配套件的焊接，且减少了芯片的层数，减小芯片的体积。且铜片散热比铁片快，膨胀系数低，芯片不容易变形，导通率高。所述硅片、焊锡片和铜片均为面积相同的圆片，能够提高芯片的通流面积，且与六角芯片相比，没有放电尖端，提闻芯片的稳定性。
【权利要求】
1.一种晶闸管芯片，包括硅片(1)，硅片(I)正反面分别设置有焊锡片(2);其特征在于:所述焊锡片(2)的外表面设置有铜片(3);所述硅片(I)、焊锡片(2)和铜片(3)均为面积相同的圆片。
2.根据权利要求1所述的晶闸管芯片，其特征在于:所述硅片(I)、焊锡片(2)和铜片(3)的直径为34mm。
3.根据权利要求1或2所述的晶闸管芯片，其特征在于:所述铜片(3)的厚度为0.5?.1.5mm。
【文档编号】H01L29/74GK203456469SQ201320465142
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2013年7月31日 优先权日:2013年7月31日
【发明者】黄发良, 黄祥旺, 黄志和, 俞汇鸿 申请人:祁门华泰电子厂