专利名称：台面型晶闸管浪涌抑制器芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种微型半导体器件，尤其与晶闸管浪涌抑制器芯片有关。
背景技术：
现有的晶闸管浪涌抑制器芯片分为平面型和台面型，平面型管芯是利用二 氧化硅或气相沉积形成的绝缘层作为钝化层，台面型管芯是在芯片四周挖槽，
使主PN结暴露于槽壁，槽壁用玻璃覆盖，平面工艺使用的硅基片为抛光片，釆 用扩散或离子注入实现杂质的掺杂，存在着工艺复杂，制造成本高等不足。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种结构合理，工艺简单，制造成本低廉的台面 型晶闸管浪涌抑制器芯片。
为达到上述目的，本实用新型是通过以下技术方案实现的。台面型晶闸管 浪涌抑制器芯片，包括硅基片，短基区及发射区，在硅基片的边缘设有台面， 在台面上还覆盖有高温玻璃，硅基片采用研磨片。
所述的台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，其发射区图形采用化学腐蚀法形成。
所述的台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，其短基区及发射区均采用叠片式高 温扩散实现，芯片表面镀镍。
本实用新型由于釆用了上述技术方案，与现有技术相比具有以下优点 (一)是使用的硅基片采用研磨片而不用双面抛光片大幅度降低了原材料成本；(二)是发射区采用叠片式高温扩散方法实现，比采用离子注入方式工艺 简单，设备成本低廉；(三)是结构布置合理，使用可靠。
图1是本实用新型台面型晶闸管浪涌抑制器芯片的主视结构示意图。
图2是本实用新型台面型晶闸管浪涌抑制器芯片的侧视结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步详细的描述。 实施例l:如图1及图2所示，台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，包括硅基片 4,短基区1及发射区2,在硅基片4的边缘设有台面3，在台面3上还覆盖有 高温玻璃5，硅基片4采用研磨片，发射区2图形采用化学腐蚀法形成，短基区 l及发射区2均采用叠片式高温扩散实现，芯片表面镀镍。本实用新型台面型晶
实施例2:如图1及图2所示，在N型硅基片4两面对称扩散P型短基区1, 再用同样方法在短基区1上掺入比N型硅基片4浓度更高的N型杂质，在短基 区1上形成N+型导电层2和发射结，利用光刻技术和化学腐蚀法将部分发射区 除去以形成符合实际要求的发射区图形，然后用光刻、化学腐蚀方法形成台面3, 并在台面3四周做一层高温玻璃5使主结与外界隔离，最后，利用本行业通用
的化学镀镍方法完成表面金属化，其余同实施例l。
权利要求1、一种台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，包括硅基片(4)，短基区(1)及发射区(2)，其特征在于在硅基片(4)的边缘设有台面(3)，在台面(3)上还覆盖有高温玻璃(5)，硅基片(4)采用研磨片。
2、 根据权利要求1所述的台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，其特征在于发射区 (2)图形釆用化学腐蚀法形成。
3、 根据权利要求1或2所述的台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，其特征在于短 基区(1)及发射区(2)均采用叠片式高温扩散实现，芯片表面镀镍。
专利摘要本实用新型公开了一种台面型晶闸管浪涌抑制器芯片。它包括硅基片，短基区及发射区，在硅基片的边缘设有台面，在台面上还覆盖有高温玻璃，硅基片采用研磨片。本实用新型具有结构合理，可靠性好，制造成本低廉等优点。
文档编号H01L27/082GK201360004SQ20092011407
公开日2009年12月9日 申请日期2009年2月20日 优先权日2009年2月20日
发明者保爱林, 谢晓东, 邓爱民 申请人:绍兴旭昌科技企业有限公司