浪涌电流抑制装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种浪涌电流抑制装置。
【背景技术】
[0002] 在现有的支持热插拔的电子装置中，如个人电脑的USB接口、音频接口或其它类 型的接口在使用过程中容易产生浪涌电流。浪涌电流是指电脑周边设备在与电脑接口相连 接的过程中，若电脑周边设备和电脑接口之间的电压差过大时会产生过大的电流。浪涌电 流会对电脑周边设备造成损坏，甚至对人体造成伤害。
【发明内容】
[0003] 鉴于以上内容，有必要提供一种可避免产生浪涌电流的浪涌电流抑制装置。
[0004] -种浪涌电流抑制装置，包括一电压比较电路、一电阻控制电路、一电容控制电路 及一开关电路，所述电压比较电路电性连接一电压输入端和一电压输出端以分别接收一输 入电压和一输出电压，并将所述输入电压和所述输出电压进行比较后以输出一第一控制信 号，所述电阻控制电路用以接收一直流驱动电压，所述电阻控制电路和所述电容控制电路 分别用以接收所述第一控制信号，所述电阻控制电路根据接收到的第一控制信号通过所述 直流驱动电压给所述电容控制电路充电，所述电容控制电路在充满电后输出一第二控制信 号，所述开关电路接收所述第二控制信号，并根据所述第二控制信号将所述电压输入端和 所述电压输出端电性连通。
[0005] 与现有技术相比，在上述浪涌电流抑制装置中，所述电阻控制电路根据接收到的 第一控制信号通过所述直流驱动电压给所述电容控制电路充电，所述电容控制电路在充满 电后输出一第二控制信号，所述开关电路接收所述第二控制信号，并根据所述第二控制信 号将所述电压输入端和所述电压输出端电性连通，避免了所述电压输入端和所述电压输出 端相接触的过程中产生浪涌电流。
【附图说明】
[0006] 图1是本发明浪涌电流抑制装置的一较佳实施方式的一框图。
[0007] 图2是图1中的浪涌电流抑制装置的电路图。
[0008] 主要元件符号说明
如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0009] 请参阅图1，在本发明的一较佳实施方式中，一浪涌电流抑制装置包括一电压比较 电路100、一电阻控制电路200、一电容控制电路300及一开关电路400。所述电压比较电 路100电性连接一电压输入端Vin和一电压输出端Vout以分别接收一输入电压和一输出 电压，并将所述输入电压和所述输出电压进行比较后以输出一第一控制信号。所述电阻控 制电路200用以接收一直流驱动电压Vcc，所述电阻控制电路200和所述电容控制电路300 分别用以接收所述第一控制信号。所述电阻控制电路200根据接收到的第一控制信号通过 所述直流驱动电压Vcc给所述电容控制电路300充电。所述电容控制电路300在充满电后 输出一第二控制信号。所述开关电路400接收所述第二控制信号，并根据所述第二控制信 号将所述电压输入端Vin和所述电压输出端Vout电性连通。
[0010] 请参阅图2，所述电压比较电路100包括一第一电阻R1、一第二电阻R2及一比较 器U。所述比较器U包括一同相输入端、一反相输入端及一输出端。所述第一电阻R1的一 端电性连接所述电压输入端Vin，所述第一电阻R1的另一端经由所述第二电阻R2接地。所 述比较器U的同相输入端电性连接所述第一电阻R1和所述第二电阻R2之间的连接节点。 所述比较器U的反相输入端电性连接所述电压输出端Vout。所述比较器U的输出端用以输 出所述第一控制信号。
[0011] 所述电阻控制电路200包括一第一场效应晶体管Q1、一第三电阻R3及一第四电阻 R4。所述第一场效应晶体管Q1包括一栅极、一源极及一漏极。所述第一场效应晶体管Q1 的栅极电性连接所述比较器U的输出端用以接收所述第一控制信号。所述第一场效应晶体 管Q1的源极经由所述第三电阻R3电性连接所述第一场效应晶体管Q1的漏极。所述第一 场效应晶体管Q1的漏极经由所述第四电阻R4接收所述直流驱动电压Vcc。
[0012] 所述电容控制电路300包括一第二场效应晶体管Q2和一电容C。所述第二场效应 晶体管Q2包括一栅极、一源极及一漏极。所述第二场效应晶体管Q2的栅极电性连接所述 比较器U的输出端用以接收所述第一控制信号。所述第二场效应晶体管Q2的源极经由所 述电容C接地。所述第二场效应晶体管Q2的漏极电性连接所述第一场效应晶体管Q1的源 极。所述第二场效应晶体管Q2的漏极用以输出所述第二控制信号。
[0013] 所述开关电路400包括一第三场效应晶体管Q3。所述第三场效应晶体管Q3包括 一栅极、一源极及一漏极。所述第三场效应晶体管Q3的栅极电性连接所述第二场效应晶体 管Q2的漏极以接收所述第二控制信号。所述第三场效应晶体管Q3的源极电性连接所述电 压输出端Vout。所述第三场效应晶体管Q3的漏极电性连接所述电压输入端Vin。其中，所 述第一场效应晶体管Q1为P沟道场效应晶体管，所述第二场效应晶体管Q2和所述第三场 效应晶体管Q3为N沟道场效应晶体管。
[0014] 工作时，所述第一电阻R1和所述第二电阻R2将所述输入电压分压为一较低的输 入电压。当所述较低的输入电压和所述输出电压之间的电压差大于一参考电压时，所述比 较器U的输出端输出一较高电位的第一控制信号。所述第一场效应晶体管Q1截止。所述 第二场效应晶体管Q2导通。所述直流驱动电压Vcc顺次经由所述第四电阻R4、所述第三电 阻R3及所述第二场效应晶体管Q2给所述电容C充电。当所述电容C充满电后，所述第二 场效应晶体管Q2的漏极输出一高电位的第二控制信号。所述第三场效应晶体管Q3导通。 所述电压输入端Vin的输入电压被输出给所述电压输出端Vout。
[0015] 由于所述电容C的充电时间与所述第三电阻R3和所述第四电阻R4的阻值之和成 正比，所述电容C在经过较