一种无触点式浪涌抑制斩波调压电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及调压器技术领域，具体为一种无触点式浪涌抑制斩波调压电路。
【背景技术】
[0002]目前市场上最常见调压方式主要采用有触点，且是较常见的采用手动调压的，如碳刷在调压器表面转动调整输出电压大小，这些有触点的调压方式存在一定机械磨损，有较高的机械故障率，因此需要定期维护。且这种调压方式反应速度慢，无法实现瞬间调压输出。当一些特殊场合需要调节电压大小的情况下，如测试某项用电设备输入电压适应性的时候，特别是要创造瞬间突变电压的情况时，目前现有的常规调压设备基本无法达到要求，而且，在交流输入电源接通瞬间，滤波电路中滤波电容迅速充电，所以该峰值电流远远大于稳态输入电流，即产生浪涌电流，浪涌电流不仅缩短了滤波电容的寿命，同时也对调压电路乃至整个调压装置都有较大冲击，造成毁灭性的损伤。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种无触点式浪涌抑制斩波调压电路，以解决【背景技术】中的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]一种无触点式浪涌抑制斩波调压电路，包括与交流源连接的MOS管型浪涌抑制器和与MOS管型浪涌抑制器连接的斩波调压电路；所述的MOS管型浪涌抑制器包括分别连接在交流输入电源的火线L与零线N之间的第一分压支路和第二分压支路，该第一分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻Rl和电阻R2，该第二分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻R3和电阻R4 ;电阻Rl和电阻R2的公共端与电阻R3和电阻R4的公共端相连；第二分压支路还包括与电阻R1、电阻R3并联的电容支路，该电容支路包括串接的电容Cl和电容C2，第二分压支路连接一 P沟道型MOS管Tl ；M0S管Tl的栅极连接电阻Rl和电阻R2的公共端，源极连接交流输入电源的火线；在皿)5管Tl的源极与漏极之间设有电阻R5，电阻R5还与所述的电容支路连接；所述的斩波调压电路包括I个补偿变压器Tl、4个绝缘栅双极型晶体管、4个可控硅、I个电容和I个电感，所述MOS管Tl的漏极连接接补偿变压器Tl副边的一端，补偿变压器Tl副边的另一端接绝缘栅双极型晶体管I的集电极，并接调压输出端子，绝缘栅双极型晶体管I和绝缘栅双极型晶体管2串联，绝缘栅双极型晶体管2的集电极接电感LI和绝缘栅双极型晶体管4的集电极，电感LI的另一端分别接电容C3的一端、可控硅VS2 —端、可控硅VS4 —端，可控硅VS2和VSI串联，可控硅VS4和VS3串联，两串联电路的中间点分别接补偿变压器Tl原边的两端，可控硅VSl和VS3的另一端接零线，电容C3的另一端接零线，绝缘栅双极型晶体管4的发射极接绝缘栅双极型晶体管3的发射极，绝缘栅双极型晶体管3的集电极接零线。
[0006]进一步的，所述的4个绝缘栅双极型晶体管依次串联在MOS管型浪涌抑制器和输出电压的零线之间，其中绝缘栅双极型晶体管I和绝缘栅双极型晶体管2相向串联、绝缘栅双极型晶体管3和绝缘栅双极型晶体管4相向串联；绝缘栅双极型晶体管I和绝缘栅双极型晶体管2的工作状态相同，绝缘栅双极型晶体管3和绝缘栅双极型晶体管4的工作状态相同；且在绝缘栅双极型晶体管I和绝缘栅双极型晶体管2导通的情况下，绝缘栅双极型晶体管3和绝缘栅双极型晶体管4截止，绝缘栅双极型晶体管I和绝缘栅双极型晶体管2截止的情况下，绝缘栅双极型晶体管3和绝缘栅双极型晶体管4导通。可控硅VSl和VS4工作状态相同，可控硅VS2和VS3工作状态相同，且在可控硅VSl和VS4导通的情况下，可控硅VS2和VS3截止，可控硅VSl和VS4截止的情况下，可控硅VS2和VS3导通。
[0007]综上所述，本实用新型中当需要调节输出电压大小时，通过控制4个绝缘栅双极型晶体管的导通时间，来控制补偿变压器Tl的原边电压的大小，通过控制4个可控硅的工作状态，来控制补偿变压器Tl原边电压的方向，得到所需补偿副边电压AU，从而实现输出电压的调节，绝缘栅双极型晶体管的导通和截止时间在一个电压周期内可以随时控制，因此在需要提供瞬间变化的电压时，通过控制4个绝缘栅双极型晶体管的导通和截止时间便可以是实现，而且本实用新型通过MOS管型浪涌抑制器对MOS管型斩波调压电路提供电路保护，提高了整个调压装置的使用寿命。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型的电路原理图。
【具体实施方式】
[0009]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0010]如图1所示的一种无触点式浪涌抑制斩波调压电路，包括与交流源连接的MOS管型浪涌抑制器和与MOS管型浪涌抑制器连接的斩波调压电路；所述的MOS管型浪涌抑制器包括分别连接在交流输入电源的火线L与零线N之间的第一分压支路和第二分压支路，该第一分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻Rl和电阻R2，该第二分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻R3和电阻R4 ;电阻Rl和电阻R2的公共端与电阻R3和电阻R4的公共端相连(即电阻R3与电阻Rl并联，电阻R4与电阻R2并联);第二分压支路还包括与电阻Rl、电阻R3并联的电容支路，该电容支路包括串接的电容Cl和电容C2，第二分压支路连接一 P沟道型MOS管Tl ；M0S管Tl的栅极连接电阻Rl和电阻R2的公共端，源极连接交流输入电源的火线；在皿)5管Tl的源极与漏极之间设有电阻R5，电阻R5还与所述的电容支路连接；
[0011]MOS管Tl的正常导通驱动电压一般在12V左右，从而选择电阻Rl和电阻R2比值，使交流输入电源在工作范围内波动的情况下，在电阻R2上的分压能驱动MOS管Tl导通，上述电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，以及电容Cl和电容C2的取值影响电源电路启动至MOS管Tl的导通时间，OS晶体管Ql的导通时间越长，可以更好地抑制启动浪涌电流。
[0012]所述的斩波调压电路包括I个补偿变压器Tl、4个绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、4个可控硅、I个电容和I个电感，所述MOS管Tl的漏极连接接补偿变压器Tl副边的一端，补偿变压器Tl副边的另一端接绝缘栅双极型晶体管(IGBT)I的集电极，并接调压输出端子，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)I和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 2串联，绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 2的集电极接电感LI和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)4的集电极，电感LI的另一端分别接电容C3的一端、可控硅VS2 —端、可控硅VS4 —端，可控硅VS2和VSl串联，可控硅VS4和VS3串联，两串联电路的中间点分别接补偿变压器TI原边的两端，可控硅VSI和VS3的另一端接零线，电容C3的另一端接零线，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)4的发射极接绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 3的发射极，绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 3的集电极接零线；4个绝缘栅双极型晶体管(IG