一种容量为16M×16bit的立体封装NOR FLASH存储器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种容量为16M×16bit的立体封装NOR?FLASH存储器，其特征在于，包括四个4Mb×16bit的NOR?FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，四个NAND?FLASH芯片分别一一对应地设于四个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
【专利说明】—种容量为16MX16bit的立体封装NOR FLASH存储器
【【技术领域】】
[0001]本实用新型涉及存储设备，尤其涉及一种容量为16MX16bit的立体封装N0RFLASH存储器。
【【背景技术】】
[0002]目前，很多印刷电路板(PCB)上都需要装有NOR FLASH存储芯片，由于每一 NORFLASH存储芯片的容量有限，如果在某一应用是要使用很大的NOR FLASH存储空间，那么就要扩充印刷电路板的面积，然后在上面贴置多个NOR FLASH存储芯片。
[0003]由于在一些特定场所，对某些使用印刷电路板的设备所占用的平面空间有一定的限制，可能就需要降低印刷电路板的平面面积；这样的话，相对较难地扩充NOR FLASH印刷电路板(PCB)上的存储空间。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型要解决的技术问题是提供一种容量为16MX16bit的立体封装NORFLASH存储器， 其能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
[0005]上述技术问题通过以下技术方案实现:
[0006]一种容量为16MX16bit的立体封装NOR FLASH存储器，其特征在于，包括四个4MbX16bit的NOR FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，四个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于四个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
[0007]四个NOR FLASH芯片的字节/字选择信号线、忙信号输出信号线、数据线分别对应复合；四个NOR FLASH芯片的片选信号线、写保护/加速线分别并置。
[0008]所述NOR FLASH芯片采用存储容量为4Mb、数据总线宽度为16位的TS0P-48的封装NOR FLASH芯片。
[0009]由四个4GX8bit的NAND FLASH芯片之间连接成容量为16GX8bit的N0RFLASH存储器的技术可以采用本【技术领域】人员通常掌握的技术，本实用新型的首要创造点是利用四个芯片层来置放NOR FLASH芯片，然后通过堆叠、灌封、切割后在外表面设置镀金连接线以将置芯片的四个芯片层和一个引线框架层的引脚接线连接成一个NOR FLASH存储器。可见，本实用新型通立体封装方式避免在一个芯片层上进行并置所有NOR FLASH芯片，减少了占用印刷电路板的平面空间，从而减少了印刷电路板的平面空间，尤其适合应用于航空、航天领域。本实用新型进一步具体了本申请自身设计的四个4GX8bit的NOR FLASH芯片之间的连接关系。【【专利附图】
【附图说明】】
[0010]图1为实施例一的本实用新型的截面图；
[0011]图2为实施例一的本实用新型的四个NOR FLASH芯片连接示意图。
【【具体实施方式】】
[0012]实施例一
[0013]如图1和图2所示，本实施例提供的一种容量为16MX 16bit的立体封装N0RFLASH存储器，包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层:一设有用于对外连接的引脚11的引线框架层I，一贴装有NOR FLASH芯片21的第一芯片层2，一贴装有NOR FLASH芯片31的第二芯片层3，一贴装有NOR FLASH芯片41的第三芯片层4，一贴装有NOR FLASH芯片51的第四芯片层5 ；N0R FLASH芯片21、31、41、51均采用存储容量为4Mb、数据总线宽度为16位的TS0P-48(48个引脚)的封装NOR FLASH芯片；堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将引线框架层和芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接以形成一个存储容量达256Mb、数据总线宽度 达16位、引脚封装为TS0P-54(54个引脚)封装的立体封装NOR FLASH存储器，引线框架层I的引脚11作为立体封装NOR FLASH存储器的对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
[0014]其中，四个NOR FLASH芯片的字节/字选择信号线、忙信号输出信号线、数据线分别对应复合；四个NOR FLASH芯片的片选信号线、写保护/加速线分别并置。
[0015]上述立体封装NOR FLASH存储器的制备过程如下:
[0016](I)将引脚11焊接在引线框架层I上；将NOR FLASH芯片21、31、41、51分别对应地设置在芯片层2、3、4、5上；
[0017](2)将引线框架层1、第一芯片层2、第二芯片层3、第三芯片层4、第四芯片层5从下至上进行堆叠；
[0018](3)使用环氧树脂对一个引线框架层和四个芯片层进行灌封，对灌封后的一个引线框架层和四个芯片层进行切割，以让一个引线框架层和四个芯片层在各自的周边上露出电气连接引脚；
[0019](4)对一个引线框架层和四个芯片层进行表面镀金以形成镀金层，此时，镀金层与四个芯片层在各自的周边上露出的电气连接引脚连接，露出的电气连接引脚之间都相互连接且同时也连接引脚；
[0020](5)为了把该分离的信号结点分割开，对镀金层进行表面连线雕刻以形成镀金连接线，镀金连接线将引线框架层和芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接以形成一个存储容量达256Mb、数据总线宽度达16位、引脚封装为TS0P-54 (54个引脚)封装的立体封装NOR FLASH存储器，引线框架层I的引脚11作为立体封装NOR FLASH存储器的对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
[0021]本立体封装NOR FLASH存储器的各引脚的具体用途如表1。
[0022]表1引脚的具体用途
[0023]
【权利要求】
1.一种容量为16MX16bit的立体封装NOR FLASH存储器，其特征在于，包括四个4MbX16bit的NOR FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，四个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于四个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
2.根据权利要求1所述的一种容量为16MX16bit的立体封装NOR FLASH存储器，其特征在于，四个NOR FLASH芯片的字节/字选择信号线、忙信号输出信号线、数据线分别对应复合；四个NOR FLASH芯片的片选信号线、写保护/加速线分别并置。
3.根据权利要求1或2所述的一种容量为16MX16bit的立体封装NORFLASH存储器，其特征在于，所述NOR FLASH芯片采用存储容量为4Mb、数据总线宽度为16位的TS0P-48的封装NOR FLASH芯片。
【文档编号】H01L25/065GK203760449SQ201320682874
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年10月30日 优先权日:2013年10月30日
【发明者】王烈洋, 叶振荣, 黄小虎, 蒋晓华, 颜军 申请人:珠海欧比特控制工程股份有限公司