Led照明灯的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种LED照明灯，包括：玻璃基板，完全包覆于所述玻璃基板外侧的化学强化层，通过气相沉积技术制备于所述化学强化层上方的导电层，固设于所述化学强化层之上的LED芯片，所述导电层与LED芯片之间通过导线电性导通。本实用新型的有益效果主要体现在：可采用普通玻璃作为LED线路板的基板；可使得光源全周发光，避免传统基板不透光致使光源只能在180°之内发光的缺陷，光线能得到充分利用，减少热量产生；采用气相沉积技术在玻璃基板上制作导电线路，确保线路具有良好的附着性和导电特性。
【专利说明】LED照明灯
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种LED照明灯，属于照明【技术领域】。
【背景技术】
[0002]LED作为一种固态半导体照明技术，实现照明的过程必须通过LED芯片固定在线路板上实现。LED线路板的材料目前均为金属基(铝、铜等)、树脂基(FR4、PI等)、陶瓷基(氧化铝、氮化铝等)，这些材料大多因为其绝缘性能良好和导热性良好而被用作以用途。
[0003]为了提高LED光效，低功率密度LED封装领域已有研究透明基板。透明基板可使LED芯片底面的光直接发出，使LED芯片可以360°发光。
[0004]透明基板多采用人造蓝宝石晶片、镁铝尖晶石透明陶瓷、和其他半透明陶瓷材料。透明基板很少采用玻璃为原料，原因是玻璃基板导热性较差、耐热性较差以及无法直接在玻璃基板上完成线路板工艺。当玻璃基板过热时，有裂开的风险。特别是低功率密度LED的光源尺寸趋向细、小、薄，玻璃基板在裁切和封装过程中易断裂。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于解决上述的技术问题，提供一种能基于玻璃基板的LED照明灯。
[0006]本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:
[0007]一种LED照明灯，包括:
[0008]一玻璃基板，
[0009]一完全包覆于所述玻璃基板外侧的化学强化层，
[0010]一通过气相沉积技术制备于所述化学强化层上方的导电层，
[0011]一固设于所述化学强化层之上的LED芯片，
[0012]所述导电层与LED芯片之间通过导线电性导通。
[0013]优选的，所述玻璃基板、化学强化层、导电层、LED芯片和导线被完全包覆于荧光胶之内。
[0014]优选的，所述导线为金线或铜线。
[0015]优选的，所述导电层为Ni涂层或ITO涂层。
[0016]优选的，所述化学强化层的厚度为50-300 μ m。
[0017]本实用新型的有益效果主要体现在:
[0018]1.可采用普通玻璃作为LED线路板的基板；
[0019]2.可以使得光源全周发光，避免传统基板不透光致使光源只能在180°之内发光的缺陷，光线能得到充分利用，减少热量产生；
[0020]3.采用气相沉积技术在玻璃基板上制作导电线路，确保线路具有良好的附着性和导电特性。【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1为本实用新型LED照明灯的结构示意图。
[0022]其中:1、玻璃基板；2、化学强化层；3、导电层；4、LED芯片；5、导线。
【具体实施方式】
[0023]如图1所示，本实用新型揭示了一种LED照明灯，包括:玻璃基板1，完全包覆于所述玻璃基板I外侧的化学强化层2，通过气相沉积技术制备于所述化学强化层2上方的导电层3，固设于所述化学强化层2之上的LED芯片4，所述导电层3与LED芯片4之间通过一导线5电性导通。所述玻璃基板1、化学强化层2、导电层3、LED芯片4和导线5被完全包覆于荧光胶之内。优选的，所述导线5为金线或铜线。所述导电层3为Ni涂层或ITO涂层。所述化学强化层2的厚度为50-300 μ m。
[0024]其中，玻璃的强化层采用化学强化的方法，基本原理是用改变玻璃表面的组成来提高玻璃的强度，其方法是的用其它碱金属离子与玻璃表层的Na+或K+离子发生交换，表面形成离子交换层，当冷却到常温后，玻璃处于内层受拉，外层受压的状态，从而达到增加强度的目的。
[0025]本实用新型中采高温型离子交换法。具体为:在玻璃的软化点与转变点之间的温度区域内，把含Na2O或K2O的玻璃侵入锂的熔盐中，使玻璃中的Na+或与它们半径小的熔盐中的Li+相交换，然后冷却至室温，由于含Li+的表层与含Na+或K+内层膨胀系数不同，表面产生残余压力而强化，同时；玻璃中和含有AL203、TiO2等成分时，通过离子交换，能产生膨胀系数极低的P—锂霞石(Li0、AL203、Si02)结晶，冷却后的玻璃表面将产生很大的压力，可得到强度高达700MPa的玻璃。
[0026]强化后的玻璃弯曲强 度提升，见下表:
[0027]
【权利要求】
1.一种LED照明灯，其特征在于:包括 一玻璃基板(I )， 一完全包覆于所述玻璃基板(I)外侧的化学强化层(2 )， 一通过气相沉积技术制备于所述化学强化层(2 )上方的导电层(3 )， 一固设于所述化学强化层(2 )之上的LED芯片(4 )， 所述导电层(3)与LED芯片(4)之间通过导线(5)电性导通。
2.根据权利要求1所述的LED照明灯，其特征在于:所述玻璃基板(I)、化学强化层(2)、导电层(3)、LED芯片(4)和导线(5)被完全包覆于荧光胶之内。
3.根据权利要求1所述的LED照明灯，其特征在于:所述导线(5)为金线或铜线。
4.根据权利要求1所述的LED照明灯，其特征在于:所述导电层(3)为Ni涂层或ITO涂层。
5.根据权利要求1所述的LED照明灯，其特征在于:所述化学强化层(2)的厚度为50-300 μ mD
【文档编号】H01L33/58GK203607450SQ201320702019
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年11月8日 优先权日:2013年11月8日
【发明者】钱涛, 张爱斌, 阮国宇 申请人:苏州热驰光电科技有限公司