共模滤波器的制造方法
【专利摘要】共模滤波器（1）具备以相同的匝数分别卷绕于卷芯部（11a）的第1以及第2绕线（W1,W2）。绕线（W1,W2）分别以匝数（m1）卷绕于第1卷绕区域（AR1），以匝数（m2）卷绕于第2卷绕区域（AR2）。卷绕区域（AR1）内的绕线（W2）的第n1匝（1≤n1≤m1-1）与绕线（W1）的第n1+1匝之间的线间距离（D1）短于绕线（W1）的第n1匝与绕线（W2）的第n1+1匝之间的线间距离（D2）。另外，卷绕区域（AR2）内的绕线（W1）的第n2匝（m1+1≤n2≤m1+m2-1）与绕线（W2）的第n2+1匝之间的线间距离（D3）短于绕线（W2）的第n2匝与绕线（W1）的第n2+1匝之间的线间距离（D4）。
【专利说明】共模滤波器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及共模滤波器，特别是涉及共模滤波器的绕线构造。
【背景技术】
[0002]已知有分别设置于构成差动传输方式的传输线路的2根信号线并且由互相磁耦合的2个电感构成的共模滤波器。通过将共模滤波器插入到差动传输方式的传输线路，从而能够选择性地只除去共模的噪声电流。
[0003]作为共模滤波器的具体的构造，已知有使用环形芯的构造和使用鼓形芯的构造。在使用环形芯的情况下，因为在芯内部没有间隙并且具有高的实效导磁率，因而能够获得高的噪声除去性能，另一方面，由于自动绕线困难而不得不依赖于手动绕线，所以特性的偏差变大。相对于此，在使用鼓形芯的情况下，获得如环形芯那样程度的高的噪声除去性能是困难的，另一方面，能够使用自动绕线工艺方法，所以能够减小特性的偏差。另外，因为能够利用自动绕线工艺方法，所以鼓形芯型的共模滤波器适合于量产。
[0004]在日本专利第4789076号公报以及日本专利第3973028号公报中，公开有使用鼓形芯构成的共模滤波器的例子。在日本专利第4789076号公报的例子中，构成各个电感的2个绕线以2层构造被卷绕。另一方面，在日本专利第3973028号公报的例子中，构成各个电感的2个绕线作为配对线而被同时地卷绕。一般来说，前者的绕线方法被称为层绕法，后者的绕线方法被称为双线绕组法。另外，在日本专利第4737268号公报中，公开有为了进行对鼓形芯的绕线的卷绕而使用的自动绕线机的例子。
[0005]可是,近年来,不断采用车载用LAN中的以太网(Ethernet)。对于用于车载用以太网的共模滤波器来说，比现有更要求稳定的特性和高的噪声降低性能。与此相关，鼓形芯型的共模滤波器如以上所述在能够减小特性的偏差的方面具有特长。因此，如果能够改善鼓形芯型的共模滤波器的噪声降低性能的话，则能够获得作为车载用以太网用的最适合的共模滤波器。
[0006]作为高的噪声减低性能而具体地追求的是在被输入到共模滤波器的差分信号(differential signal)成分中、表示被转换成共模噪声而被输出的比例的模式转换特性(Scd)的降低。因此，本实用新型的发明人为了解决该技术问题而进行了悉心的研究，其结果判明了对于共模滤波器中的模式转换特性的降低来说很大程度上牵涉到在一对绕线的互相不同的匝(turn)间所产生的电容(以下，称为“不同匝间电容”)的平衡。另外，还要求高电感值，因此，其上策是增多线圈的匝数。
实用新型内容
[0007]因此，本实用新型的目的之一是在于提供一种既能够通过取得分别在一对线圈上所产生的不同匝间电容的平衡来实现模式转换特性的降低又能够实现高电感的鼓形芯型的共模滤波器。
[0008]为了解决上述技术问题，本实用新型的第I侧面所涉及的共模滤波器的特征在于，具备:卷芯部，在长边方向的一端侧以及另一端侧分别具有第I以及第2卷绕区域；第I线圈，由被卷绕于所述卷芯部的第I绕线所构成；第2线圈，由以与所述第I绕线相同的匝数被卷绕于所述卷芯部的第2绕线所构成；所述第I绕线具有以第I匝数mi U1为正数)被卷绕于所述第I卷绕区域的第I绕线图案、以第2匝数m2 Cm2为正数)被卷绕于所述第2卷绕区域的第2绕线图案，所述第2绕线具有以所述第I匝数％被卷绕于所述第I卷绕区域的第3绕线图案、以所述第2匝数m2被卷绕于所述第2卷绕区域的第4绕线图案，在所述第I卷绕区域，所述第2绕线的第Ii1匝U1为I以上Hi1-1以下的任意的数)与所述第I绕线的第h+l匝之间的第I线间距离D1短于所述第I绕线的第II1匝与所述第2绕线的第叫+1匝之间的第2线间距离D2,在所述第2卷绕区域，所述第I绕线的第n2匝(n2为mjl以上HiJm2-1以下的任意的数)与所述第2绕线的第n2+l匝之间的第3线间距离D3短于所述第2绕线的第n2匝与所述第I绕线的第n2+l匝之间的第4线间距离D4。
[0009]在第I卷绕区域横跨第2绕线的第Ii1匝与第I绕线的第叫+1匝之间所产生的分布电容变大，但是因为在第2卷绕区域横跨第I绕线的第n2匝与第2绕线的第n2+l匝之间所产生的分布电容变大，所以相对于第I以及第2绕线的双方能够均匀地产生不同匝间电容，并且能够抑制第I以及第2绕线的阻抗的不平衡。因此，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0010]在本实用新型中，所述第I以及第2绕线优选被双线绕组于所述卷芯部。在此情况下，优选，在所述第I卷绕区域，所述第I绕线和所述第2绕线的同一匝彼此分别位于所述卷芯部的所述一端侧以及所述另一端侧，在所述第2卷绕区域，所述第I绕线和所述第2绕线的同一匝彼此分别位于所述卷芯部的所述另一端侧以及所述一端侧。根据该结构，在采用了双线绕组的共模滤波器中能够降低模式转换特性Scd，并且能够实现高品质的共模滤波器。 [0011]在本实用新型中，优选，所述第I以及第2绕线构成被直接卷绕于所述卷芯部的表面的第I层绕线层和被重叠卷绕于所述第I层绕线层的第2层绕线层，在所述第I卷绕区域，所述第I绕线的第I~第Hi1匝被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层，所述第2绕线的第I~第Hi1-1匝被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层，所述第2绕线的第Hl1匝一边邻接于所述第I绕线的第Hl1匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面，在所述第2卷绕区域，所述第I绕线的第!^+:~第mi+m2匝被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层，所述第2绕线的第mi+l匝一边邻接于所述第I绕线的第mjl阻一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面,所述第2绕线的第π^+2~第1?+!? Bi被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层。在此情况下，优选所述第2绕线的第I~第Hi1-1匝一边嵌入到由所述第I绕线的同一匝和下一匝形成的所述第I层绕线层的山谷之间一边被卷绕，所述第2绕线的第mi+2~第HiJm2匝一边嵌入到由所述第I绕线的同一匝和前一匝形成的所述第I层绕线层的山谷之间一边被卷绕。根据该结构，在采用了 2层层绕的共模滤波器中，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。另外，根据该结构，在第I以及第2卷绕区域的双方中，因为主要以第I绕线构成第I层绕线层并且主要以第2绕线构成第2层绕线层，所以绕线构造比较简单并且能够容易地卷绕第I以及第2绕线。
[0012]在本实用新型中，优选，所述第I以及第2绕线构成被直接卷绕于所述卷芯部的表面的第I层绕线层和被重叠卷绕于所述第I层绕线层的第2层绕线层，在所述第I卷绕区域，所述第I绕线的第I~第Hi1匝被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层，所述第2绕线的第I匝一边邻接于所述第I绕线的第I匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面，所述第2绕线的第2~第mi匝被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层，在所述第2卷绕区域，所述第I绕线的第mi+l~第mi+m2匝被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层，所述第2绕线的第mi+l~第匝被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层，所述第2绕线的第mi+m2匝一边邻接于所述第I绕线的第叫+!!!,匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面。在此情况下，优选所述第2绕线的第2~第Hi1匝一边嵌入到由所述第I绕线的同一匝和前一匝形成的所述第I层绕线层的山谷之间一边被卷绕，所述第2绕线的第mjl~第HiJm2-1匝一边嵌入到由所述第I绕线的同一匝和下一匝形成的 所述第I层绕线层的山谷之间一边被卷绕。根据该结构，在采用了 2层层绕的共模滤波器中，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。另外，根据该结构，在第I以及第2卷绕区域的双方中，因为主要以第I绕线构成第I层绕线层并且主要以第2绕线构成第2层绕线层，所以绕线构造比较简单并且能够容易地卷绕第I以及第2绕线。
[0013]在本实用新型中，优选，所述第I以及第2绕线构成被直接卷绕于所述卷芯部的表面的第I层绕线层和被重叠卷绕于所述第I层绕线层的第2层绕线层，在所述第I卷绕区域，所述第I绕线的第I~第Hi1匝被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层，所述第2绕线的第I~第Hi1-1匝被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层，所述第2绕线的第Hl1匝一边邻接于所述第I绕线的第Hl1匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面，在所述第2卷绕区域，所述第2绕线的第mi+l~第mi+m2匝被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层，所述第I绕线的第叫+丨~第HiJm2-1匝被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层，所述第I绕线的第mi+m2匝一边邻接于所述第2绕线的第H^m2匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面。在此情况下，优选所述第2绕线的第I~第Hi1-1匝一边嵌入到由所述第I绕线的同一匝和下一匝形成的所述第I层绕线层的山谷之间一边被卷绕，所述第I绕线的第叫+1~第HiJm2-1匝一边嵌入到由所述第2绕线的同一匝和下一匝形成的所述第I层绕线层的山谷之间一边被卷绕。根据该结构，在采用了 2层层绕的共模滤波器中，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0014]在本实用新型中，优选，所述第I以及第2绕线构成被直接卷绕于所述卷芯部的表面的第I层绕线层和被重叠卷绕于所述第I层绕线层的第2层绕线层，在所述第I卷绕区域，所述第I绕线的第I~第Hi1匝被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层，所述第2绕线的第I匝一边邻接于所述第I绕线的第I匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面，所述第2绕线的第2~第mi匝被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层，在所述第2卷绕区域，所述第2绕线的第mi+l~第mi+m2匝被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层，所述第I绕线的第mi+l匝一边邻接于所述第2绕线的第mjl阻一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面,所述第I绕线的第π^+2~第1?+!?阻被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层。在此情况下，优选所述第2绕线的第2~第Hi1匝一边嵌入到由所述第I绕线的同一匝和前一匝形成的所述第I层绕线层的山谷之间一边被卷绕，所述第2绕线的第mi+2~第mi+m2匝一边嵌入到由所述第I绕线的同一匝和前一匝形成的所述第I层绕线层的山谷之间一边被卷绕。根据该结构，在采用了2层层绕的共模滤波器中，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0015]在本实用新型中，所述卷芯部优选进一步包含位于所述第I卷绕区域与所述第2卷绕区域之间的空间区域(space area)。在将空间区域设置于第I卷绕区域与第2卷绕区域之间的情况下，在该空间区域内能够使第I以及第2绕线进行交叉。因此，能够容易地实现第I以及第2绕线的位置关系互相倒过来的2个绕线块，并且能够充分减少不同匝间电容的影响。
[0016]在本实用新型中，所述第I匝数Hi1与所述匝数m2的差优选为第I绕线Wl或者第2绕线W2的总匝数的1/4以下。在此情况下，所述第I匝数Hi1与所述第2匝数m2的差优选为2匝以下，所述第I匝数Hi1与所述第2匝数m2的差更加优选为I匝以下，特别优选所述第I匝数Hl1和所述第2匝数Hl2相同(Hl1=Hl2)15
[0017]在本实用新型中，优选，所述第I以及第3绕线图案构成第I绕线块，所述第2以及第4绕线图案构成第2绕线块，在所述卷芯部设置有多个由所述第I以及第2绕线块的组合构成的单位绕线构造。在第I以及第2绕线的匝数非常多的情况下并且在将其细细地进行分割的情况下，比粗分割的情况更加能够提高不同匝间电容的平衡。因此，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0018]在本实用新型中，优选，所述第I以及第3绕线图案构成第I绕线块、被配置于比所述第I绕线块更靠近所述卷芯部的轴向的中央并且具有与所述第I绕线块不同的绕线构造的第3绕线块，所述第2以及第4绕线图案构成第2绕线块、被配置于比所述第2绕线块更靠近所述卷芯部的轴向的中央并且具有与所述第2绕线块不同的绕线构造的第4绕线块，所述第I以及第2绕线块 具有2层层绕构造，所述第3以及第4绕线块具有单层双线绕组构造，所述第I绕线块和所述第3绕线块被第I子空间(subspace)分割，所述第2绕线块和所述第4绕线块被第2子空间分割。根据该结构，能够零零碎碎地将多个空间设置于第I绕线块与第2绕线块之间，当在第I卷绕区域与第2卷绕区域的边界上使第I绕线和第2绕线进行交叉的时候能够缩短从交叉前的匝到交叉后的匝的移动距离。即，能够缩窄第I卷绕区域与第2卷绕区域之间的空间宽度，并且在绕线的卷绕操作过程中能够减小刚刚使第I绕线和第2绕线进行交叉之后的匝的卷绕开始位置的偏差。
[0019]在本实用新型中，优选，所述第3绕线块的至少一个邻接匝被第3子空间分割，所述第4绕线块的至少一个邻接匝被第4子空间分割。根据该结构，能够进一步零零碎碎地将多个空间设置于第I绕线块与第2绕线块之间，当在第I卷绕区域与第2卷绕区域的边界上使第I绕线和第2绕线进行交叉的时候能够进一步缩短从交叉前的匝到交叉后的匝的移动距离。即，能够进一步缩窄第I卷绕区域与第2卷绕区域之间的空间宽度，并且在绕线的卷绕操作过程中能够进一步减小刚刚使第I绕线和第2绕线进行交叉之后的匝的卷绕开始位置的偏差。
[0020]为了解决上述技术问题，本实用新型的第2侧面所涉及的共模滤波器的特征在于，具备:卷芯部，在长边方向的一端侧以及另一端侧分别具有第I以及第2卷绕区域；第I线圈，由被卷绕于所述卷芯部的第I绕线所构成?’第2线圈，由以与所述第I绕线相同的匝数被卷绕于所述卷芯部的第2绕线所构成；所述第I绕线具有被卷绕于所述第I卷绕区域的第I绕线图案、被卷绕于所述第2卷绕区域的第2绕线图案，所述第2绕线具有被卷绕于所述第I卷绕区域的第3绕线图案、被卷绕于所述第2卷绕区域的第4绕线图案，由所述第I以及第3绕线图案构成的第I绕线块的绕线构造和由所述第2以及第4绕线图案构成的第2绕线块的绕线构造相对于所述第I以及第2绕线区域的边界为互相对称形状，所述长边方向上的所述第I以及第3绕线图案的同一匝的位置互相不同，所述长边方向上的所述第2以及第4绕线图案的同一匝的位置互相不同。
[0021]由第I以及第2绕线得到的绕线构造在包含绕线的位置关系而成为左右对称的情况下，因为不同匝间电容相对于第I以及第2绕线的双方均匀地产生，所以能够抑制第I以及第2绕线的阻抗的不平衡。因此，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0022]在本实用新型中，所述卷芯部优选进一步包含位于所述第I卷绕区域与所述第2卷绕区域之间的空间区域。在将空间区域设置于第I卷绕区域与第2卷绕区域之间的情况下，能够将2个卷绕区域的边界作为基准来容易地实现左右对称的绕线构造，并且能够充分地减少不同匝间电容的影响。因此，能够充分地降低Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0023]在本实用新型中，所述第I绕线优选被卷绕于所述卷芯部上的第I层，所述第2绕线优选被卷绕于所述第I层上的第2层。根据该结构，能够在所谓层绕的绕线构造中降低Scd并且能够实现闻品质的共|旲滤波器。
[0024]本实用新型的共模滤波器优选在将所述第I至第4绕线图案的匝数设为η匝(η为正数)的时候，在所述第I卷绕区域，在所述第I层卷绕有η匝的所述第I绕线图案并且卷绕有I匝的所述第3绕线图案，在所述第2层卷绕有η-1匝的所述第3绕线图案，在所述第2卷绕区域，在所述第I层卷绕有η匝的所述第2绕线图案并且卷绕有I匝的所述第4绕线图案，在所述第2层卷绕有η-1匝的所述第4绕线图案。根据该结构，在预先考虑了第2层的卷绕溃塌的现实的绕线构造中能够实现左右对称。因此，能够谋求Scd的降低并且能够实现闻品质的共1旲滤波器。
[0025]在本实用新型中，优选被卷绕于所述第I卷绕区域的所述第I层的所述第3绕线图案的所述I匝被邻接设置于被卷绕于所述第I卷绕区域的所述第I层的所述第I绕线图案中最接近于所述长边方向上的所述一端的匝，被卷绕于所述第2卷绕区域的所述第I层的所述第4绕线图案的所述I匝被邻接设置于被卷绕于所述第2卷绕区域的所述第I层的所述第2绕线图案中最接近于所述长边方向上的所述另一端的匝。根据该结构，能够将从第2绕线的第2层向第I层的陷入部分设置于卷芯部Ila的长边方向的两端部。因此，能够谋求Scd的降低并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0026]在本实用新型中，优选被卷绕于所述第I卷绕区域的所述第I层的所述第3绕线图案的所述I匝被邻接设置于被卷绕于所述第I卷绕区域的所述第I层的所述第I绕线图案中最接近于所述长边方向上的所述另一端的匝，被卷绕于所述第2卷绕区域的所述第I层的所述第4绕线图案的所述I匝被邻接设置于被卷绕于所述第2卷绕区域的所述第I层的所述第2绕线图案中最接近于所述长边方向上的所述一端的匝。根据该结构，能够将从第2绕线的第2层向第I层的陷入部分设置于卷芯部Ila的长边方向的中央部。因此，能够谋求Scd的降低并且能够实现高品质的共模滤波器。[0027]在本实用新型中，优选第I以及第2绕线在所述卷芯部上在所述长边方向上交替地卷绕。根据该结构，能够在所谓双线绕组的绕线构造中降低Scd并且实现高品质的共模滤波器。
[0028]在本实用新型中，优选所述卷芯部进一步包含与所述第I以及第2卷绕区域不同的第3卷绕区域，所述第I绕线进一步包含被卷绕于所述第3卷绕区域的第5绕线图案，所述第2绕线进一步包含被卷绕于所述第3卷绕区域的第6绕线图案。在此情况下，所述第5绕线图案的匝数优选为所述第I绕线图案的匝数的一半以下，所述第6绕线图案的匝数优选为所述第3绕线图案的匝数的一半以下。或者，所述第5以及第6绕线图案的匝数分别优选为2匝以下。
[0029]根据本实用新型，能够提供一种既能够实现模式转换特性的降低又能够获得高电感的共模滤波器。
【专利附图】
【附图说明】
[0030]图1是表示本实用新型的第I实施方式所涉及的表面安装型共模滤波器I的外观构造的大致立体图。
[0031]图2是共模滤波器I的基本电路图。
[0032]图3A以及图3B是较图2所表示的共模滤波器I更为详细的等价电路图。
[0033]图4A以及图4B是用于说明关于一对绕线之间的分布电容的模式图。
[0034]图5A以及图5B是表示共模滤波器的分布电容的产生模型的等价电路图。
[0035]图6是示意性地表示共模滤波器I的绕线构造的截面图。
[0036]图7是示意性地表示本实用新型的第2实施方式所涉及的共模滤波器2的绕线构造的截面图。
[0037]图8A?图8D是用于说明共模滤波器2的绕线构造的模式图，特别是图8A?图SC是表示一对绕线的邻接匝间的位置关系的示意图，图8D是说明不同匝间电容的示意图。
[0038]图9是示意性地表示本实用新型的第3实施方式所涉及的共模滤波器3的绕线构造的截面图。
[0039]图1OA?图1OD是用于说明共模滤波器3的绕线构造的模式图，特别是图1OA?图1OC是表示一对绕线的邻接匝间的位置关系的示意图，图1OD是说明不同匝间电容的示意图。
[0040]图11是表示本实用新型的第4实施方式所涉及的共模滤波器4的绕线构造的截面图。
[0041]图12A?图12D是用于说明共模滤波器4的绕线构造的模式图，特别是图12A?图12C是表示一对绕线的邻接匝间的位置关系的示意图，图12D是说明不同匝间电容的示意图。
[0042]图13是示意性地表示本实用新型的第5实施方式所涉及的共模滤波器5的绕线构造的截面图。
[0043]图14A?图14D是用于说明共模滤波器5的绕线构造的模式图，特别是图14A?图14C是表示一对绕线的邻接匝间的位置关系的示意图，图14D是说明不同匝间电容的示意图。[0044]图15A以及图15B是示意性地表示本实用新型的第6实施方式所涉及的共模滤波器6的绕线构造的截面图，特别是图15A是表示绕线构造的截面图，图15B是说明不同匝间电容的示意图。
[0045]图16是示意性地表示本实用新型的第7实施方式所涉及的共模滤波器7的绕线构造的截面图。
[0046]图17是示意性地表示本实用新型的第8实施方式所涉及的共模滤波器8的绕线构造的截面图。
[0047]图18是示意性地表示本实用新型的第9实施方式所涉及的共模滤波器9的绕线构造的截面图。
[0048]图19是示意性地表示本实用新型的第10实施方式所涉及的共模滤波器21的详细结构的大致平面图。
[0049]图20A以及图20B是图19所表示的共模滤波器21的大致截面图，特别是图20A是沿着A1-A1 ’线的截面图，图20B是沿着A2?A2’线的截面图。
[0050]图21是表示本实用新型的第11实施方式所涉及的共模滤波器22的结构的大致截面图。
[0051]图22是表示本实用新型的第12实施方式所涉及的共模滤波器23的结构的大致截面图。
[0052]图23是表示本实用新型的第13实施方式所涉及的共模滤波器24的结构的大致平面图。
[0053]图24A以及图24B是图23所表示的共模滤波器24的大致截面图，特别是图24A是沿着A1-A1 ’线的截面图，图24B是沿着A2?A2’线的截面图。
[0054]图25是表示本实用新型的第14实施方式所涉及的共模滤波器25的结构的大致平面图。
[0055]图26A以及图26B是图25所表示的共模滤波器25的大致截面图，特别是图26A是沿着A1-A1 ’线的截面图，图26B是沿着A2?A2’线的截面图。
【具体实施方式】
[0056]以下，一边参照附图一边对本实用新型的优选实施方式进行详细的说明。
[0057]图1是表示本实用新型的第I实施方式所涉及的表面安装型共模滤波器I的外观构造的大致立体图。还有，在本实施方式中，如图1所示，将后面所述的一对凸缘部11b，Ilc的相对方向称作为y方向，将后面所述的在上面libs, lies的面内与y方向相垂直的方向称作为X方向，将与X方向和y方向的两者相垂直的方向称作为Z方向。
[0058]如图1所示，共模滤波器I具备鼓形芯11、被安装于鼓形芯11的板状芯12、被卷绕于鼓形芯11的绕线W1，W2 (第I以及第2绕线)而构成。鼓形芯11具备截面为矩形的棒状的卷芯部11a、被设置于卷芯部Ila的两端的凸缘部11b，11c，并具有这些构件被一体化了的构造。板状芯12与凸缘部11b，Ilc的下面(上面libs, lies的相反侧的面)相固定。共模滤波器I以使鼓形芯11的凸缘部11b，Ilc的上面libs, lies与电路基板相对的状态被表面安装。
[0059]鼓形芯11以及板状芯12由导磁率比较高的磁性材料、例如N1-Zn类铁氧体或Mn-Zn类铁氧体的烧结体所构成。还有，Mn-Zn类铁氧体等的导磁率高的磁性材料通常固有电阻低并且具有导电性。
[0060]在凸缘部Ilb的上面Ilbs形成有2个端子电极E1，E2，在凸缘部Ilc的上面Ilcs形成有2个端子电极E3，E4。端子电极E1，E2从X方向的一端侧起按这个顺序被配置。同样，端子电极E3，E4从X方向的一端侧起按这个顺序被配置。在端子电极El?E4上，绕线Wl, W2的各个端部由热压接而被接线。
[0061]绕线Wl，W2为覆盖导线，以互相相同的卷绕方向被卷绕于卷芯部Ila并构成线圈导体。绕线W1，W2的匝数也互为相同。在本实施方式中，绕线W1，W2由单层的双线绕组来进行卷绕。另外，将空间(space)设置于位于卷芯部Ila的大致中间的邻接匝之间，由此构成空间区域SI。关于该点，在后面再作详细的说明。空间区域SI以外的部分，邻接匝彼此紧贴而被卷绕。绕线Wl的一端(凸缘部Ilb侧的端部)Wla、另一端(凸缘部Ilc侧的端部)Wlb分别被接线于端子电极E1，E3。另外，绕线W2的一端(凸缘部Ilb侧的端部)W2a、另一端(凸缘部Ilc侧的端部)W2b分别被接线于端子电极E2，E4。
[0062]图2是共模滤波器I的基本电路图。
[0063]如图2所示，共模滤波器I具有被连接于端子电极El与E3之间的电感器IOa和被连接于端子电极E2与E4之间的电感器IOb互相磁耦合的结构。电感器10a，IOb分别由绕线Wl，W2所构成。在由该结构而将端子电极El，E2作为输入端并将端子电极E3，E4作为输出端的情况下，从输入端输入的差分信号由于共模滤波器I而基本上不受影响并且从输出端被输出。另一方面，从输入端输入的共模噪声由于共模滤波器I而发生大衰减，并基本上不向输出端输出。
[0064]在此，共模滤波器一般具有将被输入到共模滤波器的输入端的差分信号的一部分转换成共模噪声而从输出端输出这样的性质。该性质因为当然不是所希望的，所以有必要将被转换成共模噪声的差分信号的比例(上述模式转换特性Scd)抑制为某种程度以下的值。另外，与此分开，对于共模滤波器来说，有必要尽可能增多卷绕数。为了以小尺寸来获得必要的电感，在本实施方式的共模滤波器I中，通过在其卷绕方向的大致中间地点使绕线W1，W2的位置关系倒过来并解除不同匝间电容的偏倚从而能够解决上述问题。以下，进行详细的说明。
[0065]图3是较图2所表示的共模滤波器I更为详细的等价电路图。
[0066]如图3A所示，共模滤波器I除了本来的电感L之外还具有与电感L相并联的电阻R0以及电容Q。进一步具有横跨由绕线W1，W2形成的一对电感L、L之间而产生的分布电容Cp图3B是为了便于说明而将图3A的共模滤波器I分割成2块的示意图，被分割的电感分别成为L/2。另外，并联电阻成为&/2，并联电容成为2Q。
[0067]图4是用于说明关于一对绕线之间的分布电容的模式图。
[0068]如图4A所示，例如在被双线绕组的一对绕线的同一匝之间产生分布电容C1，在邻接匝间的间隔d较宽的情况下不会产生其间的分布电容。另一方面，如图4B所示，在邻接匝间的间隔d较窄的情况下会产生横跨邻接匝间进行分布的分布电容(不同匝间电容)C2。SP，在一对绕线之间会产生分布电容C1, C2的双方。
[0069]图5是表示共模滤波器的分布电容的产生模型的等价电路图。
[0070]如图5A所示，在由实施了通常的双线绕组的一对绕线W1，W2构成的共模滤波器中，在将一对线圈(电感L)在其中间位置分割为2部分的情况下，各个线圈成为2个电感L/2的串联连接。然后，在一对线圈上产生同一匝间的分布电容C1和邻接匝间的分布电容C2 (参照图4)。在此,分布电容C2配合于线圈的分割而能够分成一个块的分布电容C21和另一个块的分布电容C22，这些分布电容C21，C22均与绕线W2侧的线圈相并联地产生，由此，仅是由绕线W2形成的LC电路的共振点发生变化，模式转换特性Scd也变大。
[0071]另一方面，如图5B所示，在中间位置使实施了双线绕组的一对绕线W1，W2的卷绕顺序倒过来，在此情况下，一个块的分布电容C21与绕线Wl侧的线圈相并联地产生，另一个块的分布电容C22与绕线W2侧的线圈相并联地产生。由此，由绕线Wl形成的LC电路的共振点和由绕线W2形成的LC电路的共振点的双方发生变化，但是2个共振点的平衡不发生变化。因此，能够降低Scd。另外，因为能够缩窄邻接匝间的间隔d，所以能够增加匝数来提高电感。这是由于，即使缩窄邻接匝间的间隔d并产生邻接匝间的分布电容C2也能够如以上所述降低Scd。
[0072]还有，以上的说明是2根绕线为双线绕组的情况下的说明，但是层绕的情况也相同。接着，对共模滤波器I的构造进行详细的说明。
[0073]图6是示意性地表示共模滤波器I的绕线构造的截面图。还有，该图为模式图，其形状、构造、各个匝的位置等与实物微妙地不同。
[0074]如图6所示，共模滤波器I具备由双线绕组而被卷绕于鼓形芯11的卷芯部Ila的一对绕线Wl，W2。所谓双线绕组，是指一根一根交替配置第I以及第2绕线绕线Wl，W2的卷绕方法，在必要的情况下优选使用初级.次级的紧密结合。
[0075]第I绕线Wl从卷芯部Ila的长边方向的一端朝着另一端按顺序被卷绕从而构成第I线圈，第2绕线W2在与第I绕线Wl相平行的状态下从卷芯部Ila的长边方向的一端朝着另一端按顺序被卷绕从而构成与第I线圈相磁耦合的第2线圈。因为第I以及第2线圈的卷绕方向相同，所以由流向第I线圈的电流产生的磁通量的方向和由流向第2线圈的电流产生的磁通量的方向成为相同，整体的磁通量增强。第I以及第2线圈由以上的结构而构成共模滤波器。
[0076]第I绕线Wl和第2绕线W2实质上为相同的匝数，并且均优选为偶数匝。本实施方式的绕线W1，W2都为6匝。还有，为了提高电感而可以尽可能增多匝数。
[0077]—对绕线W1，W2构成在位于卷芯部Ila的长边方向的一端侧的第I卷绕区域ARl内进行设置的第I绕线块BKl和在位于卷芯部Ila的长边方向的另一端侧的第2卷绕区域AR2内进行设置的第2绕线块BK2。在第I卷绕区域ARl与第2卷绕区域AR2之间设置有空间区域SI，第I绕线块BKl和第2绕线块BK2被空间区域SI分割。
[0078]第I卷绕区域BKl由下述绕线图案的组合构成:由以第I匝数mi=3被卷绕于第I卷绕区域ARl的第I绕线Wl构成的第I绕线图案WPl和由同样以第I匝数mi=3被卷绕于第I卷绕区域ARl的第2绕线W2构成的第3绕线图案WP3。另外，第2绕线块BK2由下述绕线图案的组合构成:由以第2匝数m2=3被卷绕于第2卷绕区域AR2的第I绕线Wl构成的第2绕线图案WP2和由同样以第2匝数m2=3被卷绕于第2卷绕区域AR2的第2绕线W2构成的第4绕线图案WP4。S卩，第I以及第2绕线W1，W2的第I?第3匝构成第I绕线块BK1，第I以及第2绕线W1，W2的第4?第6匝构成第2绕线块BK2。
[0079]如图所示，第I绕线块BKl内的绕线W1，W2的同一匝分别位于左侧以及右侧，一边维持该位置关系一边被紧密地卷绕，但是在第2绕线块BK2上位置关系发生颠倒，绕线W1，W2的同一匝彼此分别位于右侧以及左侧，一边维持该位置关系一边被紧密地卷绕。
[0080]即，相对于构成第I绕线块BKl的第I绕线Wl的第1、第2以及第3匝的卷芯轴向的位置分别是第2绕线W2的第1、第2以及第3匝的左侧(靠近卷芯部Ila的一端)，构成第2绕线块BK2的第I绕线Wl的第4、第5以及第6匝的卷芯轴向的位置分别是第2绕线W2的第4、第5以及第6匝的右侧(靠近卷芯部Ila的另一端)。
[0081]如以上所述为了使第I以及第2绕线W1，W2的位置关系颠倒过来而有必要在从第I卷绕区域ARl向第2卷绕区域AR2移动的途中使两根绕线W1，W2进行交叉。上述空间区域SI作为使绕线W1，W2进行交叉的区域而被使用。另外，在这样使第I以及第2绕线Wl, W2进行互相交叉的情况下，绕线W1，W2的终端部的位置关系与始端部相比较发生了颠倒，就这样则会产生不能够连接于所对应的端子电极E3，E4 (参照图1)的情况。在这样的情况下，可以再次使绕线W1，W2的终端部进行交叉而与分别被连接于端子电极E1，E2的绕线W1，W2的始端部的位置关系相同(平行)。该点在以下所表示的其他实施方式中也相同。
[0082]于是，在本实施方式中，第I卷绕区域内ARl的第2绕线W2的第Ii1匝^为I以上Hi1-1以下的任意的数)与第I绕线Wl的第ηι+1匝之间的第I线间距离D1短于第I绕线Wl的第Ii1匝与第2绕线W2的第ηι+1匝之间的第2线间距离D2。另外，第2卷绕区域AR2内的第I绕线Wl的第n2匝(112为mi+l以上以下的任意的数)与第2绕线W2的第n2+l匝之间的第3线间距离D3短于第2绕线W2的第n2匝与第I绕线Wl的第n2+l匝之间的第4线间距离D4。还有，所谓“线间距离”是指平行的2根绕线的中心间距离(间距)。线间距离D1以及D3等于第I以及第2绕线Wl，W2的同一匝上的线间距离。
[0083]例如，在第I 卷绕区域ARl中，第2绕线W2的第I匝接触于第I绕线Wl的第2匝，但是第I绕线Wl的第I匝不接触于第2绕线W2的第2匝。因此，第2绕线W2的第I匝与第I绕线Wl的第2匝之间的第I线间距离D1短于第I绕线Wl的第I匝与第2绕线W2的第2匝之间的第2线间距离D2。于是，这样的关系在绕线Wl，W2的第2-第3匝之间也成立。
[0084]另一方面，在第2卷绕区域AR2中，第I绕线Wl的第4匝接触于第2绕线W2的第5匝，但是第2绕线W2的第4匝不接触于第I绕线Wl的第5匝。因此，第I绕线Wl的第4匝与第2绕线W2的第5匝之间的第3线间距离D3短于第2绕线W2的第4匝与第I绕线Wl的第5匝之间的第4线间距离D4。于是，这样的关系在绕线W1，W2的第5-第6匝之间也成立。
[0085]如以上所述，在第I卷绕区域ARl中，第2绕线W2的第Ii1匝与第I绕线Wl的第rii+l匝的电容耦合变强，并且分布电容C21变大。另一方面，在第2卷绕区域AR2中，第I绕线Wl的第n2匝与第2绕线W2的第n2+l匝的电容耦合变强，并且分布电容C22变大。总之，横跨不同的匝之间而产生的分布电容(不同匝间电容洇为相对于绕线W1，W2的双方均匀地产生，所以能够抑制绕线W1，W2的阻抗的不平衡。因此，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0086]图7是示意性地表示本实用新型的第2实施方式所涉及的共模滤波器2的绕线构造的截面图。另外，图8是用于说明共模滤波器2的绕线构造的模式图。
[0087]如图7所示，共模滤波器2具备由2层层绕而被卷绕于鼓形芯11的卷芯部Ila的一对绕线Wl，W2。第I绕线Wl从卷芯部Ila的长边方向的一端朝着另一端按顺序被卷绕并构成第I线圈，第2绕线W2也从卷芯部Ila的一端朝着另一端按顺序被卷绕并构成与第I线圈相磁耦合的第2线圈。因为第I以及第2线圈的卷绕方向相同，所以由流向第I线圈的电流产生的磁通量的方向和由流向第2线圈的电流产生的磁通量的方向成为相同，整体的磁通量增强。第I以及第2线圈由以上所述结构而构成共模滤波器。
[0088]第I以及第2绕线W1，W2实质上为相同匝数，并且均优选为偶数匝。本实施方式的绕线Wl，W2都为8匝。还有，为了提高电感而可以尽可能增多匝数。
[0089]一对绕线Wl，W2构成在位于卷芯部Ila的长边方向的一端侧的第I卷绕区域ARl内进行设置的第I绕线块BKl和在位于卷芯部Ila的长边方向的另一端侧的第2卷绕区域AR2内进行设置的第2绕线块BK2。在第I卷绕区域ARl与第2卷绕区域AR2之间设置有空间区域SI，第I绕线块BKl和第2绕线块BK2被空间区域SI分割。
[0090]第I卷绕区域BKl由下述绕线图案的组合构成:由以第I匝数mi=4被卷绕于第I卷绕区域ARl的第I绕线Wl构成的第I绕线图案WPl和由同样以第I匝数mi=4被卷绕于第I卷绕区域ARl的第2绕线W2构成的第3绕线图案WP3。另外，第2绕线块BK2由下述绕线图案的组合构成:由以第2匝数m2=4被卷绕于第2卷绕区域AR2的第I绕线Wl构成的第2绕线图案WP2和由同样以第2匝数m2=4被卷绕于第2卷绕区域AR2的第2绕线W2构成的第4绕线图案WP4。S卩，第I以及第2绕线W1，W2的第I?第4匝构成第I绕线块BK1，第I以及第2绕线W1，W2的第5?第8匝构成第2绕线块BK2。
[0091 ] 在第I绕线块BKl中，第I绕线Wl的第I?第4匝构成被直接卷绕于卷芯部I Ia的表面的第I层绕线层，并且在线间没有间隙地紧密地进行卷绕。第2绕线W2的第I?第3匝构成被重叠卷绕于第I层绕线层的第2层绕线层，特别是一边嵌入到第I绕线Wl的线间的山谷之间一边被卷绕。例如，第2绕线W2的第I匝位于第I绕线Wl的第I匝与第2匝之间的山谷之间，第2匝位于第I绕线Wl的第2匝与第3匝之间的山谷之间，第3匝位于第I绕线Wl的第3匝与第4匝之间的山谷之间。这样，第2绕线W2的各个匝的轴向(卷芯部Ila的长边方向)的位置与第I绕线Wl的同一匝的位置不一致。
[0092]第2绕线W2的第4匝以及第5匝为在第2层上卷绕不完的剩余匝，被直接卷绕于卷芯部Ila的表面并构成第I层绕线层。第2绕线W2的第4匝接触于第I绕线Wl的第4匝的旁边并被卷绕，并成为第I绕线块BKl的一部分。第2绕线W2的第5匝接触于第I绕线Wl的第5匝的旁边并被卷绕，并成为第2绕线块BK2的一部分。
[0093]第2绕线W2的第4匝和第5匝本来被形成于第2层是理想的。但是，在将第2层的各匝配置于第I层的邻接匝间的山谷之间的情况下，因为缺少支撑第2绕线W2的剩余匝的第I绕线Wl的2匝中的一个，所以不能够维持第2层的位置(position)。因此，作为现实的构造，对于第4以及第5匝，采用从最初卷绕溃塌的状态。
[0094]在第2绕线块BK2中，第I绕线Wl的第5?第8匝构成被直接卷绕于卷芯部I Ia的表面的第I层绕线层，并且在线间没有间隙地紧密地进行卷绕。第2绕线W2的第6?第8匝构成被重叠卷绕于第I层绕线层的第2层绕线层，特别是一边嵌入到第I绕线Wl的线间的山谷之间一边被卷绕。例如，第2绕线W2的第6匝位于第I绕线Wl的第5匝与第6匝之间的山谷之间，第7匝位于第I绕线Wl的第6匝与第7匝之间的山谷之间，第8匝位于第I绕线Wl的第7匝与第8匝之间的山谷之间。S卩，第2绕线W2的各个匝的轴向(卷芯部Ila的长边方向)的位置与第I绕线Wl的同一匝的位置不一致。[0095]如图所示，第I绕线块BKl内的第I以及第2绕线W1，W2的同一匝分别位于左侧以及右侧，一边维持该位置关系一边被紧密地卷绕，但是在第2绕线块BK2上位置关系发生颠倒，第I以及第2绕线W1，W2的同一匝彼此分别位于右侧以及左侧，一边维持该位置关系一边被紧密地卷绕。
[0096]S卩，相对于构成第I绕线块BKl的第I绕线Wl的第1、第2、第3以及第4匝的卷芯轴向的位置分别是第2绕线W2的第1、第2、第3以及第4匝的左侧(靠近卷芯部Ila的一端)，构成第2绕线块BK2的第I绕线Wl的第5、第6、第7以及第8匝的卷芯轴向的位置分别是第2绕线W2的第5、第6、第7以及第8匝的右侧(靠近卷芯部Ila的另一端)。
[0097]如以上所述为了使第I以及第2绕线Wl，W2的位置关系颠倒过来而有必要在从第I卷绕区域ARl向第2卷绕区域AR2移动的途中使两根绕线Wl，W2进行交叉。上述空间区域SI作为使绕线W1，W2进行交叉的区域而被使用。
[0098]另外，在本实施方式中，第I卷绕区域ARl内的第2绕线W2的第Ii1匝U1为I以上Hi1-1以下的任意的数)与第I绕线Wl的第ηι+1匝之间的第I线间距离D1短于第I绕线Wl的第Ii1匝与第2绕线W2的第ηι+1匝之间的第2线间距离D2。另外，第2卷绕区域AR2内的第I绕线Wl的第n2匝(112为mi+l以上以下的任意的数)与第2绕线W2的第n2+l匝之间的第3线间距离D3短于第2绕线W2的第n2匝与第I绕线Wl的第n2+l匝之间的第4线间距离D4。
[0099]例如，如图8A所示，在第I卷绕区域ARl中，第2绕线W2的第I匝接触于第I绕线Wl的第2匝，但是第I绕线Wl的第I匝不接触于第2绕线W2的第2匝。因此，第2绕线W2的第I匝与第I绕线Wl的第2匝之间的第I线间距离D1短于第I绕线Wl的第I匝与第2绕线W2的第2匝之间的第2线间距离D2。于是，这样的关系如图SB，图SC所示，在绕线Wl，W2的第2-第3匝之间或在第3-第4匝之间也成立。
[0100]另一方面，如图8A所示，在第2卷绕区域AR2中，第I绕线Wl的第5匝接触于第2绕线W2的第6匝，但是第2绕线W2的第5匝不接触于第I绕线Wl的第6匝。因此，第I绕线Wl的第5匝与第2绕线W2的第6匝之间的第3线间距离D3短于第2绕线W2的第5匝与第I绕线Wl的第6匝之间的第4线间距离D4。于是，这样的关系如图SB，图SC所示在绕线Wl，W2的第6-第7匝之间或在第7-第8匝之间也成立。
[0101]其结果，如图8D所示，在第I卷绕区域ARl中，第2绕线W2的第Ii1匝与第I绕线Wl的第rii+Ι匝的电容耦合变强，并且分布电容C21变大。另一方面，在第2卷绕区域AR2中，第I绕线Wl的第n2匝与第2绕线W2的第n2+l匝的电容耦合变强，并且分布电容C22变大。总之，横跨不同的匝之间而产生的分布电容(不同匝间电容)因为相对于绕线W1，W2的双方均匀地产生，所以能够抑制绕线Wl，W2的阻抗的不平衡。因此，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0102]在上述第2实施方式中，应该被重叠卷绕于第I层绕线层之上的第2绕线的剩余匝陷入到第I以及第2绕线块之间的空间区域SI侧(内侧)，但是也可以陷入到卷芯部的两端侧(外侧)。
[0103]图9是示意性地表示本实用新型的第3实施方式所涉及的共模滤波器3的绕线构造的截面图。另外，图10是用于说明共模滤波器3的绕线构造的模式图。
[0104]如图9所示，共模滤波器3的特征在于，第2绕线W2构成被直接卷绕于卷芯部Ila的表面的第I层绕线层，第I绕线Wl被重叠卷绕于第I层绕线层并构成第2层绕线层，但是，在第I层绕线层上没有重叠卷绕完的第I绕线Wl的剩余匝陷入到卷芯部Ila的两端侧。与第2实施方式相同，Hi1=Hi2=L还有，与第2实施方式相比较，使第I以及第2绕线W1，W2的上下位置颠倒是为了使最终的线间距离D1?D4的关系与第2实施方式相一致，并且为了便于说明。第I绕线与第2绕线的关系是相对的关系，例如在使第I以及第2绕线的上下位置与第2实施方式相同的情况下，后面所述的线间距离D1?D4的关系变成相反，但是在本质上不改变本实用新型。
[0105]在第I绕线块BKl中，第2绕线W2的第I?第4匝构成被直接卷绕于卷芯部Ila的表面的第I层绕线层，并且在线间没有间隙地紧密地进行卷绕。第I绕线Wl的第2?第4匝构成被重叠卷绕于第I层绕线层的第2层绕线层，特别是一边嵌入到第2绕线W2的线间的山谷之间一边被卷绕。例如，第I绕线Wl的第2匝位于第2绕线W2的第I匝与第2匝之间的山谷之间，第3匝位于第2绕线W2的第2匝与第3匝之间的山谷之间，第4匝位于第2绕线W2的第3匝与第4匝之间的山谷之间。S卩，第I绕线Wl的各个匝的轴向(卷芯部Ila的长边方向)的位置与第2绕线W2的同一匝的位置不一致。
[0106]第I绕线Wl的第I匝以及第8匝为在第2层上卷绕不完的剩余匝，被直接卷绕于卷芯部Ila的表面并构成第I层绕线层。第I绕线Wl的第I匝接触于第2绕线W2的第I匝的旁边并被卷绕，并成为第I绕线块BKl的一部分。第I绕线Wl的第8匝接触于第2绕线W2的第8匝的旁边并被卷绕，并成为第2绕线块BK2的一部分。
[0107]第I绕线Wl的第I匝和第8匝本来被形成于第2层是理想的。但是，在将第2层的各匝配置于第I层的邻接匝间的山谷之间的情况下，因为缺少支撑第I绕线Wl的剩余匝的第2绕线W2的2匝中的一个，所以不能够维持第2层的位置。因此，作为现实的构造，对于第I以及第8匝，采用从最初卷绕溃塌的状态。
[0108]在第2绕线块BK2中，第2绕线W2的第5?第8匝构成被直接卷绕于卷芯部Ila的表面的第I层绕线层，并且在线间没有间隙地紧密地进行卷绕。第I绕线Wl的第5?第7匝构成被重叠卷绕于第I层绕线层的第2层绕线层，特别是一边嵌入到第2绕线W2的线间的山谷之间一边被卷绕。详细来说，第I绕线Wl的第5匝位于第2绕线W2的第5匝与第6匝之间的山谷之间，第6匝位于第2绕线W2的第6匝与第7匝之间的山谷之间，第7匝位于第2绕线W2的第7匝与第8匝之间的山谷之间。这样，第I绕线Wl的各个匝的轴向(卷芯部Ila的长边方向)的位置与第2绕线W2的同一匝的位置不一致。
[0109]如图所示，第I绕线块BKl内的第I以及第2绕线W1，W2的同一匝分别位于左侧以及右侧并且一边维持该位置关系一边被紧密地卷绕，但是在第2绕线块BK2上位置关系发生颠倒，第I以及第2绕线Wl，W2的同一匝彼此分别位于右侧以及左侧并且一边维持该位置关系一边被紧密地卷绕。
[0110]S卩，相对于构成第I绕线块BKl的第I绕线Wl的第1、第2、第3以及第4匝的卷芯轴向的位置分别是第2绕线W2的第1、第2、第3以及第4匝的左侧(靠近卷芯部Ila的一端)，构成第2绕线块BK2的第I绕线Wl的第5、第6、第7以及第8匝的卷芯轴向的位置分别是第2绕线W2的第5、第6、第7以及第8匝的右侧(靠近卷芯部Ila的另一端)。
[0111]如以上所述为了使第I以及第2绕线Wl，W2的位置关系颠倒过来而有必要在从第I卷绕区域ARl向第2卷绕区域AR2移动的途中使两根绕线Wl，W2进行交叉。上述空间区域SI作为使绕线W1，W2进行交叉的区域而被使用。
[0112]另外，在本实施方式中，第I卷绕区域ARl内的第2绕线W2的第Ii1.U1为I以上Hi1-1以下的任意的数)与第I绕线Wl的第ηι+1匝之间的第I线间距离D1短于第I绕线Wl的第Ii1匝与第2绕线W2的第ηι+1匝之间的第2线间距离D2。另外，第2卷绕区域AR2内的第I绕线Wl的第n2匝(112为mi+l以上以下的任意的数)与第2绕线W2的第n2+l匝之间的第3线间距离D3短于第2绕线W2的第n2匝与第I绕线Wl的第n2+l匝之间的第4线间距离D4。
[0113]例如，如图1OA所示，在第I卷绕区域ARl中，第2绕线W2的第I匝接触于第I绕线Wl的第2匝，但是第I绕线Wl的第I匝不接触于第2绕线W2的第2匝。因此，第2绕线W2的第I匝与第I绕线Wl的第2匝之间的第I线间距离D1短于第I绕线Wl的第I匝与第2绕线W2的第2匝之间的第2线间距离D2。于是，这样的关系如图10B，图1OC所示在绕线Wl，W2的第2-第3匝之间或在第3-第4匝之间也成立。
[0114]另一方面，如图1OA所示，在第2卷绕区域AR2中，第I绕线Wl的第5匝接触于第2绕线W2的第6匝，但是第2绕线W2的第5匝不接触于第2绕线W2的第6匝。因此，第I绕线Wl的第5匝与第2绕线W2的第6匝之间的第3线间距离D3短于第2绕线W2的第5匝与第I绕线Wl的第6匝之间的第4线间距离D4。于是，这样的关系如图10B，图1OC所示在绕线Wl，W2的第6-第7匝之间或在第7-第8匝之间也成立。
[0115]其结果，如图1OD所示，在第I卷绕区域ARl中，第2绕线W2的第Ii1匝与第I绕线Wl的第ηι+1匝的电容耦合变强，并且分布电容C21变大。另一方面，在第2卷绕区域AR2中，第I绕线Wl的第n2匝与第2绕线W2的第n2+l匝的电容耦合变强，并且分布电容C22变大。总之，横跨不同的匝之间而产生的分布电容(不同匝间电容)因为相对于绕线W1，W2的双方均匀地产生，所以能够抑制绕线W1，W2的阻抗的不平衡。因此，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现闻品质的共|旲滤波器。
[0116]上述第I?第3实施方式所涉及的共模滤波器I?3，包含了绕线Wl，W2的位置关系的第I绕线块BKl的绕线构造和第2绕线块BK2的绕线构造相对于边界线B实质上为左右对称，但是，如以下所表示的那样，在本实用新型中并不要求包含了绕线Wl，W2的位置关系的绕线构造的对称性。
[0117]图11是表示本实用新型的第4实施方式所涉及的共模滤波器4的绕线构造的截面图。另外，图12是用于说明共模滤波器4的绕线构造的模式图。
[0118]如图11所示，共模滤波器4的特征在于，在第I绕线块BKl的第I层以及第2层上分别使用第I以及第2绕线Wl，W2，在第2绕线块BK2的第I层以及第2层上分别使用第2以及第I绕线W2，Wl，在第2绕线块BK2上使第I绕线块BKl的绕线Wl，W2的位置关系上下翻转。另外，第I以及第2绕线块BK1，BK2都将第2层的绕线的最终匝作为剩余匝而陷入到卷芯部Ila的表面。总之，共模滤波器4的特征在于，具有组合了第2实施方式所涉及的共模滤波器2的第I绕线块BKl和第3实施方式所涉及的共模滤波器3的第2绕线块BK2的绕线构造。在本实施方式中也是Hi1=In2=L
[0119]在第I卷绕区域ARl与第2卷绕区域AR2之间设置有空间区域SI，第I绕线块BKl和第2绕线块BK2被空间区域SI分割。
[0120]在第I绕线块BKl中，第I绕线Wl的第I?第4匝构成被直接卷绕于卷芯部I Ia的表面的第I层绕线层，并且在线间没有间隙地紧密地进行卷绕。第2绕线W2的第I?第3匝构成被重叠卷绕于第I层绕线层的第2层绕线层，特别是一边嵌入到第I绕线Wl的线间的山谷之间一边被卷绕。例如，第2绕线W2的第I匝位于第I绕线Wl的第I匝与第2匝之间的山谷之间，第2匝位于第I绕线Wl的第2匝与第3匝之间的山谷之间，第3匝位于第I绕线Wl的第3匝与第4匝之间的山谷之间。这样，第2绕线W2的各个匝的轴向(卷芯部Ila的长边方向)的位置与第I绕线Wl的同一匝的位置不一致。
[0121]第2绕线W2的第4匝被直接卷绕于卷芯部Ila的表面并构成第I层绕线层。第2绕线W2的第4匝接触于第I绕线Wl的第4匝的旁边并被卷绕，并成为第I绕线块BKl的一部分。
[0122]第I绕线Wl的第8匝被直接卷绕于卷芯部Ila的表面并构成第I层绕线层。第I绕线Wl的第8匝接触于第2绕线W2的第8匝的旁边并被卷绕，并成为第2绕线块BK2的一部分。
[0123]第2绕线W2的第4匝和第I绕线Wl的第8匝本来被形成于第2层是理想的。但是，在将第2层的各匝配置于第I层的邻接匝间的山谷之间的情况下，因为第2层的I匝变成剩余匝并且对于剩余匝来说缺少支撑其的第I层的2匝中的一个，所以不能够维持第2层的位置。因此，作为现实的构造，对于第4以及第5匝，采用从最初卷绕溃塌的状态。
[0124]在第2绕线块BK2中，第2绕线W2的第5?第8匝构成被直接卷绕于卷芯部I Ia的表面的第I层绕线层，并且在线间没有间隙地紧密地进行卷绕。第I绕线Wl的第5?第7匝构成被重叠卷绕于第I层绕线层的第2层绕线层，特别是一边嵌入到第2绕线W2的线间的山谷之间一边被卷绕。例如第I绕线Wl的第5匝位于第2绕线W2的第5匝与第6匝之间的山谷之间，第6匝位于第2绕线W2的第6匝与第7匝之间的山谷之间，第7匝位于第2绕线W2的第7匝与第8匝之间的山谷之间。这样，第I绕线Wl的各个匝的轴向(卷芯部Ila的长边方向)的位置与第2绕线W2的同一匝的位置不一致。
[0125]如图所示，第I绕线块BKl内的第I以及第2绕线Wl，W2的同一匝分别位于左侧以及右侧并且一边维持该位置关系一边被紧密地卷绕，但是在第2绕线块BK2上位置关系发生颠倒，第I以及第2绕线Wl，W2的同一匝彼此分别位于右侧以及左侧并且一边维持该位置关系一边被紧密地卷绕。
[0126]S卩，相对于构成第I绕线块BKl的第I绕线Wl的第1、第2、第3以及第4匝的卷芯轴向的位置分别是第2绕线W2的第1、第2、第3以及第4匝的左侧(靠近卷芯部Ila的一端)，构成第2绕线块BK2的第I绕线Wl的第5、第6、第7以及第8匝的卷芯轴向的位置分别是第2绕线W2的第5、第6、第7以及第8匝的右侧(靠近卷芯部Ila的另一端)。
[0127]如以上所述为了使第I以及第2绕线Wl，W2的位置关系颠倒过来而有必要在从第I卷绕区域ARl向第2卷绕区域AR2移动的途中使两根绕线Wl，W2进行交叉。上述空间区域SI作为使绕线W1，W2进行交叉的区域而被使用。
[0128]而且，在本实施方式中，第I卷绕区域ARl内的第2绕线W2的第Ii1.U1为I以上Hi1-1以下的任意的数)与第I绕线Wl的第ηι+1匝之间的第I线间距离D1短于第I绕线Wl的第Ii1匝与第2绕线W2的第ηι+1匝之间的第2线间距离D2。另外，第2卷绕区域AR2内的第I绕线Wl的第n2匝(112为mi+l以上以下的任意的数)与第2绕线W2的第n2+l匝之间的第3线间距离D3短于第2绕线W2的第n2匝与第I绕线Wl的第n2+l匝之间的第4线间距离D4。
[0129]例如，如图12A所示，在第I卷绕区域ARl中，第2绕线W2的第I匝接触于第I绕线Wl的第2匝，但是第I绕线Wl的第I匝不接触于第2绕线W2的第2匝。因此，第2绕线W2的第I匝与第I绕线Wl的第2匝之间的第I线间距离D1短于第I绕线Wl的第I匝与第2绕线W2的第2匝之间的第2线间距离D2。于是，这样的关系如图12B，图12C所示在绕线Wl，W2的第2-第3匝之间或在第3-第4匝之间也成立。
[0130]另一方面，如图12A所示，在第2卷绕区域AR2中，第I绕线Wl的第5匝接触于第2绕线W2的第6匝，但是第2绕线W2的第5匝不接触于第I绕线Wl的第6匝。因此，第I绕线Wl的第5匝与第2绕线W2的第6匝之间的第3线间距离D3短于第2绕线W2的第5匝与第I绕线Wl的第6匝之间的第4线间距离D4。于是，这样的关系如图12B，图12C所示在绕线Wl，W2的第6-第7匝之间或在第7-第8匝之间也成立。
[0131]其结果，如图12D所示，在第I卷绕区域ARl中，第2绕线W2的第Ii1匝与第I绕线Wl的第ηι+1匝的电容耦合变强，并且分布电容C21变大。另一方面，在第2卷绕区域AR2中，第I绕线Wl的第n2匝与第2绕线W2的第n2+l匝的电容耦合变强，并且分布电容C22变大。总之，横跨不同的匝之间而产生的分布电容(不同匝间电容)因为相对于绕线W1，W2的双方均匀地产生，所以能够抑制绕线W1，W2的阻抗的不平衡。因此，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现闻品质的共|旲滤波器。
[0132]图13是示意性地表示本实用新型的第5实施方式所涉及的共模滤波器5的绕线构造的截面图。另外，图14是用于说明共模滤波器5的绕线构造的模式图。
[0133]如图13所示，共模滤波器5的特征在于，在第I绕线块BKl的第I层以及第2层上分别使用第2以及第I绕线W2，W1，在第2绕线块BK2的第I层以及第2层上分别使用第I以及第2绕线Wl，W2，在第2绕线块BK2上使第I绕线块BKl的绕线Wl，W2的位置关系上下翻转。另外，第I以及第2绕线块BK1，BK2都将第2层的绕线的开始匝作为剩余匝而陷入到卷芯部Ila的表面。总之，共模滤波器5的特征在于，具有组合了第3实施方式所涉及的共模滤波器3的第I绕线块BKl和第2实施方式所涉及的共模滤波器2的第2绕线块BK2的绕线构造。在本实施方式中也是Hi1=In2=L
[0134]在第I卷绕区域ARl与第2卷绕区域AR2之间设置有空间区域SI，第I绕线块BKl和第2绕线块BK2被空间区域SI分割。
[0135]在第I绕线块BKl中，第2绕线W2的第I?第4匝构成被直接卷绕于卷芯部I Ia的表面的第I层绕线层，并且在线间没有间隙地紧密地进行卷绕。第I绕线Wl的第2?第4匝构成被重叠卷绕于第I层绕线层的第2层绕线层，特别是一边嵌入到第I绕线Wl的线间的山谷之间一边被卷绕。例如，第I绕线Wl的第2匝位于第2绕线W2的第I匝与第2匝之间的山谷之间，第3匝位于第2绕线W2的第2匝与第3匝之间的山谷之间，第4匝位于第2绕线W2的第3匝与第4匝之间的山谷之间。这样，第2绕线W2的各个匝的轴向(卷芯部Ila的长边方向)的位置与第I绕线Wl的同一匝的位置不一致。
[0136]第I绕线Wl的第I匝被直接卷绕于卷芯部Ila的表面并构成第I层绕线层。第I绕线Wl的第I匝接触于构成第I绕线块BKl的第2绕线W2的第I匝的旁边并被卷绕，并成为第I绕线块BKl的一部分。
[0137]第2绕线W2的第5匝被直接卷绕于卷芯部Ila的表面并构成第I层绕线层。第2绕线W2的第5匝接触于构成第2绕线块BK2的第I绕线Wl的第5匝的旁边并被卷绕，并成为第2绕线块BK2的一部分。
[0138]第I绕线Wl的第I匝和第2绕线W2的第5匝本来被形成于第2层是理想的。但是，在将第2层的各匝配置于第I层的邻接匝间的山谷之间的情况下，因为第2层的I匝变成剩余匝并且对于剩余匝来说缺少支撑其的第I层的2匝中的一个，所以不能够维持第2层的位置。因此，作为现实的构造，对于第4以及第5匝，采用从最初卷绕溃塌的状态。
[0139]在第2绕线块BK2中，第I绕线Wl的第5~第8匝构成被直接卷绕于卷芯部I Ia的表面的第I层绕线层，并且在线间没有间隙地紧密地进行卷绕。第2绕线W2的第6~第8匝构成被重叠卷绕于第I层绕线层的第2层绕线层，特别是一边嵌入到第I绕线Wl的线间的山谷之间一边被卷绕。例如第2绕线W2的第6匝位于第I绕线Wl的第5匝与第6匝之间的山谷之间，第?匝位于第I绕线Wl的第6匝与第7匝之间的山谷之间，第8匝位于第I绕线Wl的第7匝与第8匝之间的山谷之间。这样，第I绕线Wl的各个匝的轴向(卷芯部Ila的长边方向)的位置与第2绕线W2的同一匝的位置不一致。
[0140]如图所示，第I绕线块BKl内的第I以及第2绕线W1，W2的同一匝分别位于左侧以及右侧并且一边维持该位置关系一边被紧密地卷绕，但是在第2绕线块BK2上位置关系发生颠倒，第I以及第2绕线Wl，W2的同一匝彼此分别位于右侧以及左侧并且一边维持该位置关系一边被紧密地卷绕。
[0141]即，相对于构成第I绕线块BKl的第I绕线Wl的第1、第2、第3以及第4匝的卷芯轴向的位置分别是第2绕线W2的第1、第2、第3以及第4匝的左侧(靠近卷芯部Ila的一端)，构成第2绕线块BK2的第I绕线Wl的第5、第6、第7以及第8匝的卷芯轴向的位置分别是第2绕线W 2的第5、第6、第7以及第8匝的右侧(靠近卷芯部Ila的另一端)。
[0142]如以上所述为了使第I以及第2绕线W1，W2的位置关系颠倒过来而有必要在从第I卷绕区域ARl向第2卷绕区域AR2移动的途中使两根绕线Wl，W2进行交叉。上述空间区域SI作为使绕线W1，W2进行交叉的区域而被使用。
[0143]而且，在本实施方式中，第I卷绕区域ARl内的第2绕线W2的第Ii1匝U1为I以上Hi1-1以下的任意的数)与第I绕线Wl的第ηι+1匝之间的第I线间距离D1短于第I绕线Wl的第Ii1匝与第2绕线W2的第ηι+1匝之间的第2线间距离D2。另外，第2卷绕区域AR2内的第I绕线Wl的第n2匝(112为mi+l以上以下的任意的数)与第2绕线W2的第n2+l匝之间的第3线间距离D3短于第2绕线W2的第n2匝与第I绕线Wl的第n2+l匝之间的第4线间距离D4。
[0144]例如如图14A所示，在第I卷绕区域ARl中，第2绕线W2的第I匝接触于第I绕线Wl的第2匝，但是第I绕线Wl的第I匝不接触于第2绕线W2的第2匝。因此，第2绕线W2的第I匝与第I绕线Wl的第2匝之间的第I线间距离D1短于第I绕线Wl的第I匝与第2绕线W2的第2匝之间的第2线间距离D2。于是，这样的关系如图14B，C所示在绕线Wl, W2的第2-第3匝之间或在第3-第4匝之间也成立。
[0145]另一方面，如图14A所示，在第2卷绕区域AR2中，第I绕线Wl的第5匝接触于第2绕线W2的第6匝，但是第2绕线W2的第5匝不接触于第I绕线Wl的第6匝。因此，第I绕线Wl的第5匝与第2绕线W2的第6匝之间的第3线间距离D3短于第2绕线W2的第5匝与第I绕线Wl的第6匝之间的第4线间距离D4。于是，这样的关系如图14B，C所示在绕线Wl，W2的第6-第7匝之间或在第7-第8匝之间也成立。
[0146]其结果，如图14D所示，在第I卷绕区域ARl中，第2绕线W2的第Ii1匝与第I绕线Wl的第ηι+1匝的电容耦合变强，并且分布电容C21变大。另一方面，在第2卷绕区域AR2中，第I绕线Wl的第n2匝与第2绕线W2的第n2+l匝的电容耦合变强，并且分布电容C22变大。总之，横跨不同的匝之间而产生的分布电容(不同匝间电容)因为相对于绕线W1，W2的双方均匀地产生，所以能够抑制绕线W1，W2的阻抗的不平衡。因此，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现闻品质的共|旲滤波器。
[0147]图15是示意性地表示本实用新型的第6实施方式所涉及的共模滤波器6的绕线构造的截面图。
[0148]图15所表示的共模滤波器6是第2实施方式所涉及的共模滤波器2的变形例，其特征在于，第I以及第2 绕线Wl，W2的匝数是奇数匝(在这里是9匝)。因此，第I卷绕区域BKl由下述的绕线图案的组合构成:由以第I匝数mi=4被卷绕于第I卷绕区域ARl的第I绕线Wl构成的第I绕线图案和由同样以第I匝数mi=4被卷绕于第I卷绕区域ARl的第2绕线W2构成的第3绕线图案。另外，第2绕线块BK2由下述的绕线图案的组合构成:由以第2匝数m2=5被卷绕于第2卷绕区域AR2的第I绕线Wl构成的第2绕线图案和由同样以第2匝数m2=5被卷绕于第2卷绕区域AR2的第2绕线W2构成的第4绕线图案。
[0149]在本实施方式中，因为第2绕线块BK2更多I胆，所以不同匝间电容的平衡比第I实施方式稍差一些。但是，如果与现有的完全不能够获得平衡的绕线构造相比较的话，则能够大幅地提高不同匝间电容的平衡，并且其效果是显著的。特别是因为绕线W1，W2的匝数越大则不同匝间电容的平衡效果越大，所以I匝之差的影响被稀释而基本上可以被忽略不计。
[0150]第I绕线块BKl中的第I以及第2绕线Wl，W2的匝数Hi1与第2绕线块BK2中的第I以及第2绕线Wl，W2的匝数m2之差Im1-Hi21优选为第I绕线Wl (或者第2绕线W2)的总匝数的1/4以下。例如，在第I以及第2绕线Wl，W2的总匝数(1?+!?)均为10匝的时候，上述匝数的差Im1-Hi2I优选为2.5匝以下(严格来说是2匝以下)。这是由于，在匝数的差超过绕线的总匝数的1/4的情况下不能够忽视其影响，噪声降低效果变得不充分，但是在为1/4以下的情况下双方的绕线的阻抗的不平衡比较小且实用上没有问题。
[0151]再有，上述匝数的差(Im1-Hi2I)不管第I绕线Wl (或者第2绕线W2)的总匝数如何，更加优选为2匝以下，特别优选为I匝以下。如果不是有意地设置匝数的差的话则在大多的情况下匝数的差再大也在2匝以内，并且通常认为能够控制在I匝以内。这是由于，如果在该范围内的话，则阻抗的不平衡的影响非常小，并且与没有匝数的差的情况相比较基本上没有改变。
[0152]还有，本实施方式是使第2实施方式所涉及的共模滤波器2的第I以及第2绕线Wl, W2的匝数为奇数匝的情况下的变形例，但是也可以在第3~第5实施方式所涉及的共模滤波器3~5中使第I以及第2绕线Wl，W2的匝数为奇数匝。
[0153]图16是示意性地表示本实用新型的第7实施方式所涉及的共模滤波器7的绕线构造的截面图。
[0154]如图16所示，共模滤波器7的特征在于，进一步具备被配置于比第I绕线块BKl更靠近卷芯部的长边方向的中央的第3绕线块BK3、被配置于比第2绕线块BK2更靠近卷芯部的长边方向的中央的第4绕线块BK4，第3以及第4绕线块BK3，BK4具有单层双线绕组构造，第I绕线块BKl和第3绕线块BK3被第I子空间分割，第2绕线块BK2和第4绕线块BK4被第2子空间分割。以下，进行详细的说明。
[0155]本实施方式所涉及的共模滤膜波器7与上述各个实施方式相同，具备被卷绕于鼓形芯11的卷芯部Ila的一对绕线W1，W2。第I绕线Wl从卷芯部Ila的长边方向的一端朝着另一端按顺序被卷绕并构成第I线圈，第2绕线W2也从卷芯部Ila的一端朝着另一端按顺序被卷绕并构成与第I线圈相磁耦合的第2线圈。因为第I以及第2线圈的卷绕方向相同，所以由流向第I线圈的电流所产生的磁通量的方向和由流向第2线圈的电流所产生的磁通量的方向成为相同，整体的磁通量增强。第I以及第2线圈由以上的结构而构成共模滤波器。
[0156]第I以及第2绕线W1，W2实质上为相同匝数，并且均优选为偶数匝。本实施方式的绕线W1，W2都是12匝。还有，为了提高阻抗而可以尽可能增多匝数。
[0157]一对绕线Wl，W2构成被设置于位于卷芯部Ila的长边方向的一端侧的第I卷绕区域ARl内的第I绕线块BK1、同样被设置于第I卷绕区域ARl内的第3绕线块BK3、被设置于位于卷芯部Ila的长边方向的另一端侧的第2卷绕区域AR2内的第2绕线块BK2、同样被设置于第2卷绕区域AR2内的第4绕线块BK4。
[0158]在本实施方式中，分别构成第I以及第2绕线块BK1，BK2的第I以及第2绕线Wl, W2的匝数都是4匝，分别构成第3以及第4绕线块BK3，BK4的第I以及第2绕线Wl，W2的匝数都是2匝。
[0159]第I绕线块BKl比第3绕线块BK3更位于卷芯部Ila的长边方向的一端侧，第3绕线块BK3比第I绕线块BKl更位于卷芯部Ila的中央侧。同样，第2绕线块BK2比第4绕线块BK4更位于卷芯部Ila的长边方向的另一端侧，第4绕线块BK4比第2绕线块BK2更位于卷芯部Ila的中央侧。第I绕线块BKl、第3绕线块BK3、第4绕线块BK4以及第2绕线块BK2从卷芯部Ila的一端朝着另一端按这个顺序被设置。
[0160]在第I卷绕区域ARl与第2卷绕区域AR2之间设置有空间区域SI，在第I以及第2卷绕区域AR1，AR2之间互相邻接的第3以及第4绕线块BK3，BK4被空间区域SI分割。再有，在第I卷绕区域ARl内，第I子空间SSl被设置于第I绕线块BKl与第3绕线块BK3之间，两者被第I子空间SSl分割。同样，在第2卷绕区域AR2内，第2子空间SS2被设置于第2绕线块BK2与第4绕线块BK4之间，两者被第2子空间SS2分割。
[0161]第I绕线块BKl由下述的绕线图案的组合构成:由以匝数mn=4被卷绕于第I卷绕区域ARl的第I绕线Wl构成的绕线图案、和由同样以匝数mn=4被卷绕于第I卷绕区域ARl的第2绕线W2构成的绕线图案。
[0162]构成第I绕线块BKl的第I绕线Wl的第I?第4匝构成被直接卷绕于卷芯部I Ia的表面的第I层绕线层，并且在线间没有间隙地紧密地进行卷绕。第2绕线W2的第I?第3匝构成被重叠卷绕于第I层绕线层的第2层绕线层，特别是一边嵌入到第I绕线Wl的线间的山谷之间一边被卷绕。第2绕线W2的第4匝为在第2层上卷绕不完的剩余匝，被直接卷绕于卷芯部Ila的表面并构成第I层绕线层。第2绕线W2的第4匝接触于第I绕线Wl的第4匝的旁边并被卷绕，并成为第I绕线块BKl的一部分。
[0163]第2绕线块BK2由下述的绕线图案的组合构成:由以匝数m21=4被卷绕于第2卷绕区域AR2的第I绕线Wl构成的绕线图案和由同样以匝数m21=4被卷绕于第2卷绕区域AR2的第2绕线W2构成的绕线图案。
[0164]构成第2绕线块BK2的第I绕线Wl的第9?第12匝构成被直接卷绕于卷芯部Ila的表面的第I层绕线层，并且在线间没有间隙地紧密地进行卷绕。第2绕线W2的第10?第12匝构成被重叠卷绕于第I层绕线层的第2层绕线层，特别是一边嵌入到第I绕线Wl的线间的山谷之间一边被卷绕。第2绕线W2的第9匝为在第2层上卷绕不完的剩余匝，被直接卷绕于卷芯部Ila的表面并构成第I层绕线层。第2绕线W2的第9匝接触于第I绕线Wl的第9匝的旁边并被卷绕，并成为第2绕线块BK2的一部分。
[0165]第2绕线W2的第4匝和第9匝本来被形成于第2层是理想的。但是，在将第2层的各匝配置于第I层的邻接匝间的山谷之间的情况下，因为缺少支撑第2绕线W2的剩余匝的第I绕线Wl的2匝中的一个，所以不能够维持第2层的位置。因此，作为现实的构造，对于第4以及第9匝，采用从最初卷绕溃塌的状态。
[0166]本实施方式所涉及的第I以及第2绕线块BK1，BK2的绕线构造是图7所表示的2层层绕构造，但是也可以采用图9、图11或者图13所表示的其他的2层层绕构造。
[0167]接着，对第3以及第4绕线块BK3，BK4进行说明。
[0168]在本实施方式中，相对于第I以及第2绕线块BK1，BK2由2层层绕构成，第3以及第4绕线块BK3，BK4由单层的双线绕组构成。再有，第I绕线块BKl和第3绕线块BK3被第I子空间SSl分割，第2绕线块BK2和第4绕线块BK4被第2子空间SS2分割。
[0169]第3绕线块BK3由下述的绕线图案的组合构成:由在第I卷绕区域ARl以匝数m12=2被卷绕的第I绕线Wl构成的绕线图案和由同样以匝数m12=2被卷绕于第I卷绕区域ARl的第2绕线W2构成的绕线图案。构成第3绕线块BK3的第I以及第2绕线Wl，W2的第5以及第6匝构成被直接卷绕于卷芯部Ila的表面的单层的双线绕组，并且在线间没有间隙地紧密地进行卷绕。
[0170]第4绕线块BK4由下述的绕线的组合构成:在第2卷绕区域AR2以匝数m22=2被卷绕的第I绕线Wl和同样以匝数m22=2被卷绕于第2卷绕区域AR2的第2绕线WZ。构成第4绕线块BK4的第I以及第2绕线Wl，W2的第7以及第8匝构成被直接卷绕于卷芯部Ila的表面的单层的双线绕组，并且在线间没有间隙地紧密地进行卷绕。
[0171]因此，如图所示，第I绕线Wl在第I卷绕区域ARl中构成由第I匝数
形成的第I绕线图案WPl,并且在第2卷绕区域AR2中构成由第2阻数m2 (m2=m21+m22)形成的第2绕线图案WP2。同样，第2绕线W2在第I卷绕区域ARl中构成由第I匝数Hi1形成的第3绕线图案WP3，并且在第2卷绕区域AR2中构成由第2匝数m2形成的第4绕线图案WP4。
[0172]在本实施方式中，第I以及第3绕线块BK1，BK3内的第I以及第2绕线W1，W2的同一匝也分别位于左侧以及右侧，并且一边维持该位置关系一边被卷绕。在第4以及第2绕线块BK4，BK2上该位置关系被颠倒，第I以及第2绕线Wl，W2的同一匝彼此分别位于右侧以及左侧，并且一边维持该位置关系一边被卷绕。
[0173]S卩，构成第I绕线块BKl的第I绕线Wl的第1、第2、第3以及第4匝的卷芯轴向的位置分别是第2绕线W2的第1、第2、第3以及第4匝的左侧(靠近卷芯部Ila的一端)。第I绕线Wl的第5、第6匝的卷芯轴向的位置也分别是第2绕线W2的第5、第6匝的左侧。[0174]相对于此，构成第2绕线块BK2的第I绕线Wl的第9、第10、第11以及第12匝的卷芯轴向的位置分别是第2绕线W2的第9、第10、第11以及第12匝的右侧(靠近卷芯部Ila的另一端)。第I绕线Wl的第7、第8匝的卷芯轴向的位置也分别是第2绕线W2的第
7、第8匝的右侧。
[0175]如以上所述为了使第I以及第2绕线Wl，W2的位置关系颠倒过来而有必要在从第I卷绕区域ARl向第2卷绕区域AR2移动的途中使两根绕线Wl，W2进行交叉。上述空间区域SI作为使绕线W1，W2进行交叉的区域而被使用。
[0176]另外，在本实施方式中，第I卷绕区域ARl内的第2绕线W2的第Ii1匝U1为I以上Hi1-1以下的任意的数)与第I绕线Wl的第ηι+1匝之间的第I线间距离D1短于第I绕线Wl的第Ii1匝与第2绕线W2的第ηι+1匝之间的第2线间距离D2。该关系不仅在第I绕线块BKl而且在第3绕线块BK3或在两块的边界也成立。另外，第2卷绕区域AR2内的第I绕线Wl的第n2匝(n2为mi+l以上以下的任意的数)与第2绕线W2的第n2+l匝之间的第3线间距离D3短于第2绕线W2的第n2匝与第I绕线Wl的第n2+l匝之间的第4线间距离D4。该关系不仅在第2绕线块BK2而且在第4绕线块BK4或在两块的边界也成立。
[0177]如以上所述，在本实施方式中，相对于在第I卷绕区域ARl中第2绕线W2的第Ii1匝与第I绕线Wl的第n1+1匝的电容耦合变强并且分布电容C21变大，在第2卷绕区域AR2中第I绕线Wl的第n2匝与第2绕线W2的第n2+1匝的电容耦合变强并且分布电容C22变大。总之，横跨不同匝间而产生的分布电容(不同匝间电容)因为相对于绕线W1，W2的双方均匀地产生，所以能够抑制绕线W1，W2的阻抗的不平衡。因此，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现闻品质的共|旲滤波器。
[0178]再有，在本实施方式中，在为了从第I绕线块BKl切换到第2绕线块BK2而使绕线Wl, W2交叉的时候，一度将2层层绕转换成单层绕线并将子空间设置于2层层绕与单层绕线之间，由此，因为零零碎碎地将多个空间设置于第I绕线块BKl与第2绕线块BK2之间，所以当在第I以及第2卷绕区域AR1，AR2的边界上使绕线Wl，W2进行交叉的时候能够缩短从交叉前的匝到交叉后的匝的移动距离。即，能够缩窄第I卷绕区域ARl与第2卷绕区域AR2之间的空间区域SI的宽度，并且在绕线的卷绕操作时能够减小刚刚使绕线Wl，W2进行交叉之后的匝的卷绕开始位置的偏差。由此，不仅绕线的卷绕操作变得容易而且能够降低共模滤波器的特性的偏差。
[0179]图17是示意性地表示本实用新型的第8实施方式所涉及的共模滤波器8的绕线构造的截面图。
[0180]如图17所示，共模滤波器8的特征在于，将第3子空间SS3设置于图17的共模滤波器7的第3绕线块BK3的邻接匝之间，并且将第4子空间SS4设置于第4绕线块BK4的邻接匝之间。本实施方式的情况下，因为绕线块BK3，BK4内的邻接匝的边界位置分别只有一个地方，所以第3以及第4子空间SS3，SS4也各只有一个，但是在第3以及第4绕线块BK3, BK4的匝数较多的情况下也可以分别将第3以及第4子空间SS3，SS4设置于多个邻接匝的边界位置。
[0181]这样，在本实施方式中，将子空间设置于单层绕线的邻接匝之间，由此，因为进一步零零碎碎地将多个空间设置于第I绕线块BKl与第2绕线块BK2之间，所以当在第I以及第2卷绕区域AR1，AR2的边界上使绕线Wl，W2进行交叉的时候能够进一步缩短从交叉前的匝到交叉后的匝的移动距离。即，能够进一步缩窄第I卷绕区域ARl与第2卷绕区域AR2之间的空间区域SI的宽度，并且在绕线的卷绕操作时能够进一步减小刚刚使绕线Wl，W2进行交叉之后的匝的卷绕开始位置的偏差。由此，不仅绕线的卷绕操作变得容易而且能够降低共模滤波器的特性的偏差。
[0182]图18是示意性地表示本实用新型的第9实施方式所涉及的共模滤波器9的绕线构造的截面图。
[0183]如图18所示，共模滤波器9是第2实施方式所涉及的共模滤波器2的应用例，其特征在于，将图18所表示的第I以及第2绕线块BK1，BK2的组合作为单位绕线构造U，将多个(在这里是2个)该单位绕线构造U设置于卷芯部Ila上。在本实施方式中具有2个单位绕线构造Ul, U2，由第I以及第2绕线Wl，W2构成的绕线构造被4个绕线块分割。在第I以及第2绕线Wl，W2的匝数非常多的情况(例如80胆)下并且在将其细分割的情况(例如20匝X4)下，比粗分割的情况(例如40匝X2)更能够提高不同匝间电容的平衡。因此，能够降低模式转换特性Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0184]还有，本实施方式是第2实施方式所涉及的共模滤波器2的应用例，但是作为第1、第3?第8实施方式所涉及的共模滤波器1、3?8的应用例也是可以的，并且进一步将它们适当组合也是可以的。
[0185]图19是表示共模滤波器21的详细结构的大致平面图。另外，图20是图19所表示的共模滤波器21的大致截面图，A是沿着A1-A1 ’线的截面图，B是沿着A2?A2’线的截面图。
[0186]如图19以及图20所示，共模滤波器21具备由所谓层绕而被卷绕于鼓形芯11的卷芯部Ila的一对绕线Wl，W2。第I绕线Wl被直接卷绕于卷芯部Ila的表面并构成第I层绕线层(第I层)，第2绕线W2除去一部分而构成被重叠卷绕于第I层的外侧的第2层绕线层(第2层)。第I绕线Wl和第2绕线W2实质上是相同匝数(在这里是12匝)。
[0187]由一对绕线W1，W2构成的绕线构造构成被设置于位于卷芯部Ila的长边方向的一端侧的第I卷绕区域ARl的第I绕线块BK1、被设置于位于卷芯部Ila的长边方向的另一端侧的第2卷绕区域AR2的第2绕线块BK2。第I绕线Wl的第I?第6匝(第I绕线图案)以及第2绕线W2的第I?第6匝(第3绕线图案)构成第I绕线块BKl，第I绕线Wl的第7?第12匝(第2绕线图案)以及第2绕线W2的第7?第12匝(第4绕线图案)构成第2绕线块BK2。
[0188]第I绕线Wl从卷芯部Ila的一端朝着另一端按顺序被卷绕。特别是在第I以及第2卷绕区域AR1，AR2内，第I绕线Wl在线间没有间隙并且被紧密地卷绕。另一方面，在位于第I卷绕区域ARl与第2卷绕区域AR2之间的空间区域SI，将空间设置于第I绕线块BKl与第2绕线块BK2之间。S卩，绕线Wl的第I?第6匝被紧密卷绕并且将空间设置于第6匝与第7匝之间，第7?第12匝再次被紧密卷绕。
[0189]第2绕线Wl也从卷芯部Ila的一端朝着另一端按顺序被卷绕，但是一边嵌入到被形成于第I绕线Wl的线间的山谷之间一边被卷绕。即，第2绕线W2不是被配置于与其同一匝的第I绕线Wl的正上方并且卷芯部Ila的长边方向的位置互相不一致。第2绕线W2的第I匝位于第I绕线Wl的第I匝与第2匝之间的山谷之间，直至第5匝为止被重叠卷绕于由第I绕线Wl构成的绕线层之上。[0190]第2绕线W2的第6匝陷入到第I绕线块BKl与第2绕线块BK2之间的空间从而接触于卷芯部Ila的表面，并且不是成为第2层而是成为第I层的一部分。第7匝也与第6匝相同。第2绕线W2的第6匝和第7匝本来被形成于第2层是理想的，但是，在将空间设置于第I绕线Wl的第6匝与第7匝之间的情况下，因为缺少支撑第2绕线W2的第I绕线Wl的2匝中的一个，所以不能够维持第2层的位置。因此，作为现实的构造，对于第6以及第7匝，采用从最初卷绕溃塌的状态。
[0191]第2绕线W2的第8?第12匝再次一边嵌入到被形成于第I绕线Wl的线间的山谷之间一边被卷绕。第2绕线W2的第8匝位于第I绕线Wl的第7匝与第8匝之间的山谷之间，直至第12匝为止被重叠卷绕于由第I绕线Wl构成的绕线层之上。
[0192]以上是12匝的情况，但是如果将其一般化的话则变成如以下所述那样。在将第I以及第2卷绕区域AR1，AR2中的第I以及第2绕线Wl，W2的匝数都设为η (η为正数)的时候，在第I卷绕区域ARl的第I层上，分别卷绕有η匝的第I绕线Wl (第I绕线图案)和I匝的第2绕线W2 (第3绕线图案)，另外，在第I卷绕区域ARl的第2层上，卷绕有η_1匝的第2绕线(第3绕线图案)。同样，在第2卷绕区域AR2的第I层上，分别卷绕有η匝的第I绕线Wl (第2绕线图案)和I匝的第2绕线W2 (第4绕线图案)，另外，在第2卷绕区域AR2的第2层上，卷绕有η-1匝的第2绕线W2 (第4绕线图案)。
[0193]如图所示，第I绕线块BKl的绕线构造和第2绕线块ΒΚ2的绕线构造相对于边界线B是互相对称的形状(左右对称)。特别是第I绕线块BKl内的绕线W1，W2的位置关系和第2绕线块BK2内的绕线Wl，W2的位置关系为左右对称，但是，第I绕线块BKl内以及第2绕线块BK2内的第I以及第2绕线Wl，W2的位置关系非左右对称。
[0194]例如，处于与第I绕线块BKl的第I绕线Wl的第I?第6匝相对称的关系的是第2绕线块BK2的第I绕线Wl的第12?第7匝，都是第I绕线W1。另外，处于与第I绕线块BKl的第2绕线W2的第I?第5匝相对称的关系的是第2绕线块BK2的第2绕线W2的第12?第8匝，都是第2绕线W2。再有，处于与第I绕线块BKl的第I绕线Wl的第6匝相对称的关系的是第2绕线块BK2的第I绕线Wl的第7匝，都是第I绕线Wl。还有，对称性在卷绕开始或卷绕结束的位置上怎么也会溃塌，但是这样一点点对称性的偏差在允许范围内。
[0195]如以上所述，在由第I以及第2绕线Wl，W2构成的绕线构造包含绕线的位置关系并成为左右对称的情况下，因为横跨不同的匝之间而产生的分布电容(不同匝间电容)均匀地产生于绕线W1，W2的双方，所以能够抑制绕线W1，W2的阻抗的不平衡。因此，能够降低Scd (由于差分信号成分被转换成共模而引起的噪声)并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0196]再有，如本实施方式那样，在将空间设置于第I块与第2块之间的情况下，能够容易地实现左右对称的绕线构造，并且能够充分地降低不同匝间电容的影响。因此，能够充分地降低Scd并能够实现高品质的共模滤波器。
[0197]在上述实施方式中，列举了左右的对称性是完全的情况，但是并不一定有必要是完全对称，也可以包含一部分非对称部分。
[0198]图21是表示本实用新型的第11实施方式所涉及的共模滤波器22的结构的大致截面图。
[0199]如图21所示，共模滤波器22的特征在于，第I以及第2绕线W1，W2的匝数为13匝(奇数匝)，绕线构造的对称性在卷芯部Ila的长边方向的一方的端部上发生溃塌。从第I到第12匝为止与第10实施方式相同。在本实施方式中，继第12匝还设置第13匝，第I绕线Wl的第13匝(第5绕线图案)以及第2绕线W2的第13匝(第6绕线图案)构成被设置于第3卷绕区域AR3的第3绕线块BK3。
[0200]在将第2以及第3绕线块BK2，BK3作为一个绕线块BK4来看的情况下，在第I绕线块BKl与第4绕线块BK4之间不存在严格的对称性。在将第I以及第2绕线Wl，W2作为13匝的情况下不能够分成均等。但是，在本实施方式中，分成左侧6匝和右侧7匝，从而右侧7匝中的6匝和左侧的6匝具有左右对称的关系。在第I绕线块BKl内的第I?第6匝与第2绕线块BK2的第7?第12匝之间确保对称性，作为非对称部分的第3绕线块BK3的匝数比较少，所以不会较大地受到非对称部分的影响，并且能够取得与第10实施方式相同的效果。
[0201]在由第I以及第2绕线Wl，W2构成的绕线构造相对于第I以及第2绕线块进一步包含非对称的第3绕线块的情况，第3绕线块BK3中的第I以及第2绕线Wl，W2 (第5，第6绕线图案)的匝数分别优选为第I以及第2绕线块BK1，BK2的各个中的第I以及第2绕线W1，W2的匝数的一半以下。例如在如图所示第I以及第2绕线块BK1，BK2中的W1，W2的匝数都是6匝的情况下，第3绕线块BK3中的绕线W1，W2的匝数分别优选为3匝以下。在非对称部分的匝数超过对称部分的匝数的一半的情况下不能够忽视其影响，并且噪声降低效果变得不充分，但是在一半以下的情况下双方的绕线的阻抗的不平衡比较小并且实用上没有问题。
[0202]第3绕线块BK3中的第I以及第2绕线Wl，W2的匝数不管第I以及第2绕线块BKl, BK2内的绕线的匝数如何，都特别优选为2匝以下。如果不是有意地打算成为非对称的话，那么在大多的情况下可以认为能够将非对称部分的匝数收敛到2匝以内，如果在该范围内的话，则阻抗的不平衡的影响非常小，与没有非对称部分的情况相比较基本上没有变化。
[0203]图22是表示本实用新型的第12实施方式所涉及的共模滤波器23的结构的大致截面图。
[0204]如图22所示，共模滤波器23的特征在于，第I以及第2绕线W1，W2的匝数为13匝(奇数匝)，绕线构造的对称性在卷芯部Ila的长边方向的中央部发生溃塌。第I以及第2绕线Wl，W2的第I?第6匝与第10实施方式相同。在第2绕线W2的第6匝的旁边卷绕有第I绕线Wl的第7匝(第5绕线图案)，在第I绕线Wl的第7匝的旁边卷绕有第2绕线W2的第7匝(第6绕线图案)。第I以及第2绕线Wl，W2的第7匝都被设置于第I层，并构成被设置于第3卷绕区域AR3的第3绕线块BK3。之后，第I以及第2绕线Wl，W2的第8?第13匝与第10实施方式中的第7?第12匝相同地被卷绕。
[0205]在将第I绕线块BKl和第3绕线块BK3的第I绕线Wl的第7匝作为一个绕线块BK4并且将第2绕线块BK2和第3绕线块BK3的第2绕线W2的第7匝作为另一个绕线块BK5来看的情况下，在第4绕线块BK4与第5绕线块BK5之间不存在严格的对称性。但是，在第I绕线块BKl内的第I?第6匝与第2绕线块BK2的第7?第12匝之间确保对称性，作为非对称部分的第3绕线块BK3的匝数比较少，所以与第11实施方式相同，不会较大地受到非对称部分的影响，能够取得与第10实施方式相同的效果。[0206]还有，在本实施方式中，不将空间设置于第I绕线块BKl与第2绕线块BK2之间，但是也可以如第10实施方式那样设置空间。在将空间设置于第I绕线块BKl与第2绕线块BK2之间的情况下能够容易地实现左右对称的绕线构造，并且能够充分地降低不同匝间电容的影响，因此，能够充分降低Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0207]图23是表示本实用新型的第13实施方式所涉及的共模滤波器24的结构的大致平面图。另外，图24是图23所表示的共模滤波器24的大致截面图，A是沿着A1?A/线的截面图，B是沿着A2?A2’线的截面图。
[0208]如图23以及图24所示，共模滤波器24的特征在于，从第2绕线W2的第2层陷入到第I层的陷入部分不是被设置于卷芯部Ila的长边方向的中央部而是被设置于两端部。
[0209]第I绕线Wl从卷芯部Ila的一端朝着另一端按顺序被卷绕。特别是第I绕线Wl的第I?第12匝在线间没有间隙而且紧密地被卷绕，不设置第6匝与第7匝之间的空间。即，在第I绕线块BKl与第2绕线块BK2之间不设置线间的空间。
[0210]第2绕线W2也从卷芯部Ila的一端朝着另一端按顺序被卷绕，但是一边嵌入到被形成于第I绕线Wl的线间的山谷之间一边被卷绕。第2绕线W2的第I匝和第12匝陷入到第I层并接触于卷芯部Ila的表面，不是第2层而是成为第I层的一部分。
[0211]第2绕线W2的第2匝位于第I绕线Wl的第I匝与第2匝之间的山谷之间，直至第6匝为止被重叠紧密地卷绕于由第I绕线Wl构成的绕线层之上。第6匝位于第I绕线的第5匝与第6匝之间的山谷之间。
[0212]第7匝飞过I个下一卷绕位置(山谷之间)而被配置，位于第I绕线Wl的第7匝与第8匝之间的山谷之间，直至第11匝为止一边嵌入到被形成于第I绕线Wl的线间的山谷之间一边被卷绕。最终匝即第12匝与第I匝相同陷入到第I层并接触于卷芯部Ila的表面，从而不是第2层而是成为第I层的一部分。
[0213]如图所示，第I绕线块BKl的绕线构造和第2绕线块BK2的绕线构造相对于边界线B为互相对称的形状(左右对称)。特别是第I绕线块BKl内的绕线W1，W2的位置关系和第2绕线块BK2内的绕线Wl，W2的位置关系为左右对称。但是，第I绕线块BKl内以及第2绕线块BK2内的第I以及第2绕线Wl，W2的位置关系不是左右对称。
[0214]例如，处于与第I绕线块BKl的第2绕线W2的第I匝相对称的关系的是第2绕线块BK2的第2绕线W2的第12匝，都是第2绕线W2。另外，处于与第I绕线块BKl的第I绕线Wl的第I?第6匝相对称的关系的是第2绕线块BK2的第I绕线Wl的第12?第7匝，都是第I绕线Wl。再有，处于与第I绕线块BKl的第2绕线W2的第2?第6匝相对称的关系的是第2绕线块BK2的第2绕线W2的第11?第7匝，都是第2绕线W2。还有，对称性在卷绕开始或卷绕结束的位置上怎么也会溃塌，但是这样一点点对称性的偏差在允许范围内。
[0215]如以上所述，在由第I以及第2绕线Wl，W2构成的绕线构造包含绕线的位置关系并成为左右对称的情况下，因为不同匝间电容在绕线W1，W2的双方均匀地产生，所以能够抑制绕线Wl，W2的阻抗的不平衡。因此，与第10实施方式相同，能够降低Scd并且能够实现闻品质的共1旲滤波器。
[0216]图25是表示本实用新型的第14实施方式所涉及的共模滤波器25的结构的大致平面图。另外，图26是图25所表示的共模滤波器25的大致截面图，A是沿着A1?A/线的截面图，B是沿着A2~A2’线的截面图。
[0217]如图25以及图26所示，共模滤波器25的特征在于，一对绕线由所谓双线绕组而被卷绕。所谓双线绕组，是指I根I根交替配置第I以及第2绕线Wl，W2的卷绕方法，优选被用于初级?次级的紧密结合为必要的情况。第I绕线Wl和第2绕线W2在互相平行的状态下在卷芯部Ila的长边方向上被卷绕并构成第I层绕线层。第I绕线Wl和第2绕线W2实质上为相同匝数(在这里是6匝)。
[0218]由一对绕线W1，W2构成的绕线构造具有被设置于卷芯部Ila的长边方向的一端侧的第I绕线块BKl和被设置于卷芯部Ila的长边方向的另一端侧的第2绕线块BK2。第I以及第2绕线Wl，W2的第I~第3匝构成第I绕线块BK1，第I以及第2绕线Wl，W2的第4~第6匝构成第2绕线块BK2。
[0219]在第I块(第I~第3匝)中，第I绕线Wl位于左侧，第2绕线W2位于右侧，并且以该顺序在线间没有间隙地进行紧密卷绕，但是在第2块(第4~第6匝)中位置关系颠倒，第2绕线W2位于左侧，第I绕线Wl位于右侧，并且以该顺序在线间没有间隙地进行紧密卷绕。
[0220]如图所示，第I绕线块BKl的绕线构造和第2绕线块BK2的绕线构造相对于边界线B为互相对称的形状(左右对称)。特别是第I绕线块BKl内的绕线W1，W2的位置关系和第2绕线块BK2内的绕线Wl，W2的位置关系为左右对称。但是，第I绕线块BKl内以及第2绕线块BK2内的第I以及第2绕线Wl，W2的位置关系不是左右对称。
[0221]例如，处于与第I绕线块BKl的第I绕线Wl的第1、第2以及第3匝相对称的关系的是第2绕线块BK2的 第I绕线Wl的第6、第5以及第4匝，都是第I绕线Wl。另外，处于与第I绕线块BKl的第2绕线W2的第1、第2以及第3匝相对称的关系的是第2绕线块BK2的第2绕线W2的第6、第5以及第4匝，都是第2绕线W2。还有，对称性在卷绕开始或卷绕结束的位置上怎么也会溃塌，但是这样一点点对称性偏差在允许范围内。
[0222]如以上所述，在由第I以及第2绕线Wl，W2构成的绕线构造包含绕线的位置关系并成为左右对称的情况下，因为不同匝间电容相对于绕线W1，W2的双方均匀地产生，所以能够抑制绕线Wl，W2的阻抗的不平衡。因此，能够降低Scd并且能够实现高品质的共模滤波器。
[0223]再有，如本实施方式那样，在将空间设置于第I块与第2块之间的情况下，能够进一步扩大由左右对称构造起到的效果，并且能够充分地降低Scd。
[0224]本实用新型并不限定于以上的实施方式，只要是在不脱离本实用新型的宗旨的范围内可以增加各种各样的变更，这些变更当然包含于本实用新型。
[0225]例如，在上述实施方式中，作为一对绕线被卷绕的芯而使用鼓形芯，但是本实用新型中的芯并不限定于鼓形芯，只要是具有相对于一对绕线的卷芯部的芯的话则不管怎样的形状的芯都是可以的。关于卷芯部的截面形状，也不一定必须是矩形，六边形、八边形、圆形以及椭圆形等都是可以的。另外，各个绕线的匝数也可以多于上述实施方式。例如，可以以层绕来作为30~50匝，并且电感成为200~400 μ H左右，也可以以双线绕组来作为15~25匝，并且电感成为100~200 μ H。
[0226]另外，在上述实施方式中，在空间区域SI内使第I以及第2绕线W1，W2进行交叉，但是绕线Wl，W2进行交叉的地点并不限定于空间区域SI，例如也可以在即将卷绕于卷芯部Ila之前使从空间区域SI移向第2卷绕区域AR2移动的绕线Wl，W2进行交叉。再有，绕线W2,W2的交叉如果是可以的话则也可以省略空间区域SI。
[0227]另外，在上述实施方式中，将第I卷绕区域中的第I以及第2绕线Wl，W2的第I匝数Hi1作为正的整数(4匝、6匝等)，同样将所述第2卷绕区域中的第I以及第2绕线Wl，W2的第2匝数m2作为正的整数，但是并不一定有必要是正的整数，如果是正数的话则随便几匝都可以。因此，例如即使是4.5匝那样的不成整数的匝数也可以。
【权利要求】
1.一种共模滤波器，其特征在于: 具备: 卷芯部，在长边方向的一端侧以及另一端侧分别具有第I以及第2卷绕区域； 第I线圈，由卷绕于所述卷芯部的第I绕线所构成；以及第2线圈，由以与所述第I绕线相同的匝数卷绕于所述卷芯部的第2绕线所构成，所述第I绕线具有以第I匝数Hi1卷绕于所述第I卷绕区域的第I绕线图案、以第2匝数m2卷绕于所述第2卷绕区域的第2绕线图案， 所述第2绕线具有以所述第I匝数Hi1卷绕于所述第I卷绕区域的第3绕线图案、以所述第2匝数m2卷绕于所述第2卷绕区域的第4绕线图案， 在所述第I卷绕区域，所述第2绕线的第Ii1匝与所述第I绕线的第ηι+1匝之间的第I线间距离D1短于所述第I绕线的第Ii1匝与所述第2绕线的第叫+1匝之间的第2线间距离D2, H1为I以上Hi1-1以下的任意的数， 在所述第2卷绕区域，所述第I绕线的第n2匝与所述第2绕线的第n2+l匝之间的第3线间距离D3短于所述第2绕线的第n2匝与所述第I绕线的第n2+l匝之间的第4线间距离D4, n2为ii^+l以上以下的任意的数。
2.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第I以及第2绕线被双线绕组于所述卷芯部。
3.如权利要求2所述的共模滤波器，其特征在于: 在所述第I卷绕区域，所述第I绕线和所述第2绕线的同一匝彼此分别位于所述卷芯部的所述一端侧以及所述另一端侧， 在所述第2卷绕区域，所述第I绕线和所述第2绕线的同一匝彼此分别位于所述卷芯部的所述另一端侧以及所述一端侧。
4.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第I以及第2绕线构成直接卷绕于所述卷芯部的表面的第I层绕线层和重叠卷绕于所述第I层绕线层的第2层绕线层， 在所述第I卷绕区域， 所述第I绕线的第I~第M1匝被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层， 所述第2绕线的第I~第Hi1-1匝被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层， 所述第2绕线的第Hl1匝一边邻接于所述第I绕线的第Hl1匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面， 在所述第2卷绕区域， 所述第I绕线的第mdl~第1?+!?阻被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层， 所述第2绕线的第mjl匝一边邻接于所述第I绕线的第mi+l匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面， 所述第2绕线的第mi+2~第mi+m2匝被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层。
5.如权利要求4所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第2绕线的第I~第Hi1-1匝一边嵌入到由所述第I绕线的同一匝和下一匝形成的所述第I层绕线层的山谷之间一边被卷绕， 所述第2绕线的第mi+2~第mi+m2匝一边嵌入到由所述第I绕线的同一匝和前一匝形成的所述第I层绕线层的山谷之间一边被卷绕。
6.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第I以及第2绕线构成被直接卷绕于所述卷芯部的表面的第I层绕线层和被重叠卷绕于所述第I层绕线层的第2层绕线层， 在所述第I卷绕区域， 所述第I绕线的第I~第Hi1匝被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层， 所述第2绕线的第I匝一边邻接于所述第I绕线的第I匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面， 所述第2绕线的第2~第Hi1匝被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层， 在所述第2卷绕区域 ， 所述第I绕线的第mdl~第1?+!?阻被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层， 所述第2绕线的第mi+l~第mi+m2-l匝被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层， 所述第2绕线的第HiJm2匝一边邻接于所述第I绕线的第1?+!?匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面。
7.如权利要求6所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第2绕线的第2~第Hi1匝一边嵌入到由所述第I绕线的同一匝和前一匝形成的所述第I层绕线层的山谷之间一边被卷绕， 所述第2绕线的第mjl~第HiJm2-1匝一边嵌入到由所述第I绕线的同一匝和下一匝形成的所述第I层绕线层的山谷之间一边被卷绕。
8.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第I以及第2绕线构成被直接卷绕于所述卷芯部的表面的第I层绕线层和被重叠卷绕于所述第I层绕线层的第2层绕线层， 在所述第I卷绕区域， 所述第I绕线的第I~第Hi1匝被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层， 所述第2绕线的第I~第Hi1-1匝被重叠卷绕于所述第I层绕线层并构成所述第2层绕线层， 所述第2绕线的第Hl1匝一边邻接于所述第I绕线的第Hl1匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面， 在所述第2卷绕区域， 所述第2绕线的第mdl~第1?+!?阻被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第I层绕线层， 所述第1绕线的第m1+l~第m1+m2-l匝被重叠卷绕于所述第1层绕线层并构成所述第2层绕线层， 所述第1绕线的第1?+!?匝一边邻接于所述第2绕线的第H1Jm2匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面。
9.如权利要求8所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第2绕线的第1~第H11-1匝一边嵌入到由所述第1绕线的同一匝和下一匝形成的所述第1层绕线层的山谷之间一边被卷绕， 所述第1绕线的第mjl~第H1Jm2-1匝一边嵌入到由所述第2绕线的同一匝和下一匝形成的所述第1层绕线层的山谷之间一边被卷绕。
10.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第1以及第2绕线构成被直接卷绕于所述卷芯部的表面的第1层绕线层和被重叠卷绕于所述第1层绕线层的第2层绕线层， 在所述第1卷绕区域， 所述第1绕线的第1~第H11匝被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第1层绕线层， 所述第2绕线的第1匝一边邻接于所述第1绕线的第1匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面， 所述第2绕线的第2~第H11匝被重叠卷绕于所述第1层绕线层并构成所述第2层绕线层， 在所述第2卷绕区域， 所述第2绕线的第mdl~第1?+!?阻被直接卷绕于所述卷芯部的表面并构成所述第1层绕线层， 所述第1绕线的第mjl匝一边邻接于所述第2绕线的第mjl匝一边被直接卷绕于所述卷芯部的表面， 所述第1绕线的第m1+2~第m1+m2匝被重叠卷绕于所述第1层绕线层并构成所述第2层绕线层。
11.如权利要求10所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第2绕线的第2~第H11匝一边嵌入到由所述第1绕线的同一匝和前一匝形成的所述第1层绕线层的山谷之间一边被卷绕， 所述第1绕线的第1^+2~第m1+m2匝一边嵌入到由所述第2绕线的同一匝和前一匝形成的所述第1层绕线层的山谷之间一边被卷绕。
12.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于: 所述卷芯部进一步包含位于所述第1卷绕区域与所述第2卷绕区域之间的空间区域。
13.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第1匝数H11与所述匝数H12的差为第1绕线Wl或者第2绕线W2的总匝数的1/4以下。
14.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第1匝数H11与所述第2匝数m2的差为2匝以下。
15.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第I匝数Hi1与所述第2匝数m2的差为I匝以下。
16.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第I匝数Hl1和所述第2匝数Hl2相同，
17.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第I以及第3绕线图案构成第I绕线块， 所述第2以及第4绕线图案构成第2绕线块， 在所述卷芯部设置有多个由所述第I以及第2绕线块的组合构成的单位绕线构造。
18.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第I以及第3绕线图案构成第I绕线块、配置于比所述第I绕线块更靠近所述卷芯部的轴向的中央并且具有与所述第I绕线块不同的绕线构造的第3绕线块， 所述第2以及第4绕线图案构成第2绕线块、配置于比所述第2绕线块更靠近所述卷芯部的轴向的中央并且具有与所述第2绕线块不同的绕线构造的第4绕线块， 所述第I以及第2绕线块具有2层层绕构造， 所述第3以及第4绕线块具有单层双线绕组构造， 所述第I绕线块和所述第3绕线块被第I子空间分割，所述第2绕线块和所述第4绕线块被第2子空间分割。
19.如权利要求18所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第3绕线块的至少一个邻接匝被第3子空间分割， 所述第4绕线块的至少一个邻接匝被第4子空间分割。
20.一种共模滤波器，其特征在于: 具备: 卷芯部，在长边方向的一端侧以及另一端侧分别具有第I以及第2卷绕区域； 第I线圈，由卷绕于所述卷芯部的第I绕线所构成；以及第2线圈，由以与所述第I绕线相同的匝数卷绕于所述卷芯部的第2绕线所构成，所述第I绕线具有卷绕于所述第I卷绕区域的第I绕线图案、卷绕于所述第2卷绕区域的第2绕线图案， 所述第2绕线具有卷绕于所述第I卷绕区域的第3绕线图案、卷绕于所述第2卷绕区域的第4绕线图案， 由所述第I以及第3绕线图案构成的第I绕线块的绕线构造和由所述第2以及第4绕线图案构成的第2绕线块的绕线构造相对于所述第I以及第2绕线区域的边界为互相对称形状， 所述长边方向上的所述第I以及第3绕线图案的同一匝的位置互相不同， 所述长边方向上的所述第2以及第4绕线图案的同一匝的位置互相不同。
21.如权利要求20所述的共模滤波器，其特征在于: 所述卷芯部进一步包含位于所述第I卷绕区域与所述第2卷绕区域之间的空间区域。
22.如权利要求20所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第I绕线被卷绕于所述卷芯部上的第I层，所述第2绕线被卷绕于所述第I层上的第2层。
23.如权利要求22所述的共模滤波器，其特征在于: 在将所述第I至第4绕线图案的匝数设为η匝的时候， 在所述第I卷绕区域，在所述第I层卷绕有η匝的所述第I绕线图案并且卷绕有I匝的所述第3绕线图案，在所述第2层卷绕有η-1匝的所述第3绕线图案， 在所述第2卷绕区域，在所述第I层卷绕有η匝的所述第2绕线图案并且卷绕有I匝的所述第4绕线图案，在所述第2层卷绕有η-1匝的所述第4绕线图案。
24.如权利要求23所述的共模滤波器，其特征在于: 卷绕于所述第I卷绕区域的所述第I层的所述第3绕线图案的所述I匝邻接地设置于卷绕于所述第I卷绕区域的所述第I层的所述第I绕线图案中最接近于所述长边方向上的所述一端的匝， 卷绕于所述第2卷绕区域的所述第I层的所述第4绕线图案的所述I匝邻接地设置于卷绕于所述第2卷绕区域的所述第I层的所述第2绕线图案中最接近于所述长边方向上的所述另一端的匝。
25.如权利要求23所述的共模滤波器，其特征在于: 卷绕于所述第I卷绕区域的所述第I层的所述第3绕线图案的所述I匝邻接地设置于卷绕于所述第I卷绕区域的所述第I层的所述第I绕线图案中最接近于所述长边方向上的所述另一端的匝， 卷绕于所述第2卷绕区域的所述第I层的所述第4绕线图案的所述I匝邻接地设置于卷绕于所述第2卷绕区域的所述第I层的所述第2绕线图案中最接近于所述长边方向上的所述一端的匝。
26.如权利要求20所述的共模滤波器，其特征在于: 第I以及第2绕线在所述卷芯部上在所述长边方向上交替地卷绕。
27.如权利要求20所述的共模滤波器，其特征在于: 所述卷芯部进一步包含与所述第I以及第2卷绕区域不同的第3卷绕区域， 所述第I绕线进一步包含卷绕于所述第3卷绕区域的第5绕线图案， 所述第2绕线进一步包含卷绕于所述第3卷绕区域的第6绕线图案。
28.如权利要求27所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第5绕线图案的匝数为所述第I绕线图案的匝数的一半以下， 所述第6绕线图案的匝数为所述第3绕线图案的匝数的一半以下。
29.如权利要求27所述的共模滤波器，其特征在于: 所述第5以及第6绕线图案的匝数分别为2匝以下。
【文档编号】H01F17/04GK203746604SQ201320843036
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2013年12月19日 优先权日:2012年12月19日
【发明者】友成寿绪, 小林努, 有光一统, 小间屋佑磨 申请人:Tdk株式会社