同轴低通滤波器的制造方法
【专利摘要】本实用新型适用于通信领域，提供了一种同轴低通滤波器，一根金属导体，所述金属导体包括交错间隔串接设置的多个低阻抗的电容结构和多个高阻抗的电感结构，所述电容结构的厚度由所述金属导体两端到中间递增，所述金属导体的外面包裹着塑料层，所述低阻抗电容结构的轴向垂直面方向的截面是扁平形状。借此，本实用新型实现了紧凑的结构、可在低通滤波器中自由选择垂直或者水平放置。
【专利说明】同轴低通滤波器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及通信【技术领域】，尤其涉及一种同轴低通滤波器。
【背景技术】
[0002]在微波通信行业，很多场合(尤其是基站天馈单元)需要用到低通滤波器(LowPass Filter，简称LPF)作为高频抑制的器件。这种用作高频抑制的LPF通常采用的结构形式截面形状是圆形或者是正方形的结构形式。
[0003]传统的圆形或者是正方形的结构有其优点，如结构简单，实现起来很方便、成本较低(仅圆形形式)，但是也有其缺点，如体积较大，需要在滤波器里面占用较大的面积，在如今天馈滤波器产品指标越来越趋于理论值的今天，减小除了带通滤波器以外的单元的体积是一件非常有意义和非常有必要的工作，这些单元包括LPF、COUPLER (耦合器)等。
[0004]综上可知，现有技术在实际使用上，显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。
实用新型内容
[0005]针对上述的缺陷，本实用新型的目的在于提供一种，克服上述现有圆形或者是正方形的结构形式的LPF体积较大，需要在滤波器里面占用较大的面积的缺陷，提供一种结构紧凑，可自由选择垂直或者水平占用滤波器体积，从而达到最优化滤波器结构的目的。
[0006]为了实现上述目的，本实用新型提供一种同轴低通滤波器，其特征在于，包括:
[0007]—根金属导体，所述金属导体包括交错间隔串接设置的多个低阻抗的电容结构和多个高阻抗的电感结构，所述电容结构的厚度由所述金属导体两端到中间递增，所述金属导体的外面包裹着塑料层，所述低阻抗电容结构的轴向垂直面方向的截面是扁平形状。
[0008]根据本实用新型所述的同轴低通滤波器，所述截面是矩形。
[0009]根据本实用新型所述的同轴低通滤波器，所述金属导体结构包裹所述塑料层后的窄边宽度小于和/或等于3.7_。
[0010]根据本实用新型所述的同轴低通滤波器，所述电感结构的直径是0.6mm?1.5_。
[0011]根据本实用新型所述的同轴低通滤波器，所述塑料层是铁氟龙。
[0012]根据本实用新型所述的同轴低通滤波器，所述铁氟龙塑料结构的厚度为0.1mm?
0.5mmο
[0013]根据本实用新型所述的同轴低通滤波器，所述金属导体的两端的输出端口和输入端口的金属棒的直径介于所述电容结构的所述窄边宽度与所述电感结构的直径之间。
[0014]根据本实用新型所述的同轴低通滤波器，所述金属导体的所述输出端口和所述输入端口处的所述电容结构是薄板，且包覆于所述塑料层内。
[0015]本实用新型通过设计成超扁平的糖葫芦结构的LPF，包括一根金属导体，这跟金属导体是由一组截面超扁平的低阻抗电容结构和圆形的细直径的高阻抗的电感结构交错间隔串接而成，同时在这根金属导体结构的外面完整的包裹着一层很薄的铁氟龙塑料结构。【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1A是本实用新型同轴低通滤波器的结构示意图的俯视图；
[0017]图1B是本实用新型同轴低通滤波器的结构示意图的主视图；
[0018]图1C是本实用新型同轴低通滤波器的结构示意图的左视图；
[0019]图2是本实用新型同轴低通滤波器的频点响应示意图之一；
[0020]图3是本实用新型同轴低通滤波器的频点响应示意图之二。
【具体实施方式】
[0021]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0022]克服上述现有圆形或者是正方形的结构形式的LPF体积较大，需要在滤波器里面占用较大的面积的缺陷，提供一种结构紧凑，可自由选择垂直或者水平占用滤波器体积，从而达到最优化滤波器结构的目的。
[0023]如图1A至图1C所示，本实用新型提供一种同轴低通滤波器，包括:一根金属导体100，金属导体100包括交错间隔串接设置的多个低阻抗的电容结构20和多个高阻抗的电感结构30，电容结构20的厚度由金属导体100两端到中间递增，金属导体100的外面包裹着塑料层，低阻抗电容结构20的截面是扁平形状。在图1C中是矩形，但本实用新型不限定于矩形，还是其它扁平形状，如弧形，弓形，其中本图所述截面的两窄边宽度接近电感结构30的直径，但具体实施时取决于介质频率，越高越扁，则有可能小于电感结构30的直径。在实际使用中还需配合对应尺寸的管腔，容纳在其中，选择水平或者竖直的放置。
[0024]所述截面是金属导体100的轴向垂直面方向。在减小截面面积的同时，适当调整电容结构20的厚度。金属导体100结构包裹所述塑料层后的所述截面的两窄边宽度小于和/或等于3.7mm，包裹部分在外观上看起来是一个长方体，如图1B中，显示的是具有最小窄边宽度，没有显示电容结构的厚度，上下两边的外径即是3.7_。
[0025]本实用新型优选的是，电感结构30的直径是0.6mm?1.5mm，如图所示，电感结构30的直径要小于电容结构20。相对应地，所述电容结构20的截面也需要接近这个尺寸，最小化截面的面积。
[0026]更进一步地，包裹在电容结构20和电感结构30组成的葫芦串的所述塑料层是铁氟龙。不同于现有技术的是，使用铁氟龙塑料改善低通滤波器的外部的绝缘特性，所述铁氟龙塑料结构的厚度为0.1mm?0.5mmο如图1C中，长边因为包裹了所述铁氟龙塑料结构，夕卜径达到9.9mm,短边包括该结构外径达到3.7_。
[0027]优选的是金属导体100的两端的输出端口和输入端口的金属棒的直径介于电容结构20的所述窄边宽度与电感结构30的直径之间，数值可以是2mm。所述输出端口和所述输入端口处的电容结构20是薄板，且包覆于所述塑料层内。另一方面既然用LC电路构成的低通滤波器，电感量和电路的体积一般都比较大，但频率在兆赫以上时可以做到小型化，有实用价值。
[0028]本发明一实施例优选的，同轴低通滤波器包括一根金属导体100,金属导体100包括一组低阻抗的电容结构20和高阻抗的电感结构30交错间隔串接而成，金属导体100由整个细圆的电感和电容结构20交错串接；包裹着的塑料层防止内部结构与滤波器的金属外壳连接。不同于现有技术的是，电容结构20的截面采用的是矩形，将尺寸缩小，与电感结构30间隔排列构成低通滤波器的高阻抗部分和低阻抗部分，构成低通滤波器的I阶，一般选为3?5阶。每节电感长度根据需要调整，可以把低通滤波器的外径降到3.7_左右。电容结构20变成长方体。由于受放大器频率特性和寄生电容的影响，在制作电容结构20与电感结构30的连接处时须注意一些处理。
[0029]在本优选实施例中，各段高阻抗电感结构30同样需要选择合适的金属，可以是铜，其连接轴与低阻抗的电容结构20共用，为电容结构20的内导体的延伸形成，即各段电容结构20和电感结构30会共用一个连接轴，其中位于高阻抗的电感结构30的连接轴就是该电感结构30的内导体，包括连接到输入端口和输出端口的套设在连接轴的金属薄板40。如图1A、图1B、图1C中所示，本实用新型同轴低通滤波器的俯视图、主视图、左视图，
[0030]改善低通滤波器的高频带抑制性能，需要抑制电容结构20中的高次模。如图2和图3所示，本实用新型同轴低通滤波器在各个频点的响应情况，在相同长度的情况下，与现有技术的同轴低通滤波器在抑制通带外远端高次谐波时的性能不同，扁平化设计后的本实用新型所述的同轴低通滤波器能够达到70.519dB，可见在相同长度尺寸限制的情况下，本实用新型所述的同轴低通滤波器对寄生通带和高次模的抑制效果很好。
[0031]综上所述，本实用新型通过超扁平化设计成糖葫芦结构LPF，包括一根金属导体，这跟金属导体是由一组截面超扁平的低阻抗电容结构和圆形的细直径的高阻抗的电感结构交错间隔串接而成，同时在这根金属导体结构的外面完整的包裹着一层很薄的铁氟龙塑料结构，结构紧凑，可自由选择垂直或者水平占用滤波器体积，从而达到最优化滤波器结构的目的。
[0032]当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种同轴低通滤波器，其特征在于，包括: 一根金属导体，所述金属导体包括交错间隔串接设置的多个低阻抗的电容结构和多个高阻抗的电感结构，所述电容结构的厚度由所述金属导体两端到中间递增，所述金属导体的外面包裹着塑料层，所述低阻抗电容结构的轴向垂直面方向的截面是扁平形状。
2.根据权利要求1所述的同轴低通滤波器，其特征在于，所述截面是矩形。
3.根据权利要求2所述的同轴低通滤波器，其特征在于，所述金属导体结构包裹所述塑料层后的所述截面的两窄边宽度小于和/或等于3.7mm。
4.根据权利要求3所述的同轴低通滤波器，其特征在于，所述电感结构的直径是0.6mm ?1.5mm0
5.根据权利要求1所述的同轴低通滤波器，其特征在于，所述塑料层是铁氟龙。
6.根据权利要求5所述的同轴低通滤波器，其特征在于，所述铁氟龙塑料结构的厚度为 0.1mm ?0.5mmο
7.根据权利要求3所述的同轴低通滤波器，其特征在于，所述金属导体的两端的输出端口和输入端口的金属棒的直径介于所述电容结构的所述窄边宽度与所述电感结构的直径之间。
8.根据权利要求7所述的同轴低通滤波器，其特征在于，所述金属导体的所述输出端口和所述输入端口处的所述电容结构是薄板，且包覆于所述塑料层内。
【文档编号】H01P1/202GK203787540SQ201320877645
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2013年12月27日 优先权日:2013年12月27日
【发明者】游伟 申请人:摩比天线技术（深圳）有限公司, 摩比通讯技术（吉安）有限公司, 摩比科技(西安)有限公司