高散热性发光二极管支架的制作方法
【专利摘要】本实用新型提出一种高散热性发光二极管支架，其包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，所述引线框架包括相互间隔的正电极框架和负电极框架，所述正电极框架和负电极框架的底面至少部分区域具有图案结构，所述基座是热硬化性树脂基座。该发光二极管支架中，在引线框架的底面具有图案结构，大大增加底面的表面积，如通过导热胶与散热器件结合时，结合更加紧密，可大幅降低热阻，提高散热效率。进一步地，基座是热硬化性树脂基座，热硬化性树脂比传统材料如热塑性树脂具有更好的散热能力。
【专利说明】高散热性发光二极管支架
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及发光器件，具体涉及一种高散热性发光二极管支架。
【背景技术】
[0002]发光二极管器件由于具有发光效率高、体积小、无污染等特点，正被广泛应用于电视背光、图文显示屏、装饰照明等领域。随着芯片、封装胶水、支架等原物料价格的降低，芯片发光效率的不断提高，发光二极管已经开始进入商业照明、家居照明等室内照明领域。
[0003]发光二极管器件通常包括支架和发光芯片，支架包括基座和引线框架，两者围成反射结构，具有一个反射凹腔，发光芯片即设于反射凹腔的底部，基座通常采用绝缘材料制成，引线框架包括正负电极。这种结构的发光二极管器件通常面临的一个难题是散热性问题。因为，基座一般为热塑性材料制成，而热塑性材料散热性差，同时由于发光二极管器件尺寸紧凑小巧，金属引线框架不能有效地将发光芯片发出的热量传导出去，从而造成发光二极管器件整体散热效果差。
实用新型内容
[0004]有鉴于此，提供一种热阻小、散热效率闻的闻散热性发光二极管支架。
[0005]一种高散热性发光二极管支架，其包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，所述引线框架包括相互间隔的正电极框架和负电极框架，所述正电极框架和负电极框架的底面至少部分区域具有图案结构，所述基座是热硬化性树脂基座。
[0006]进一步地，所述正电极框架和负电极框架的底面相对于反射凹腔的部分区域或全部区域具有图案结构。
[0007]进一步地，所述正电极框架和负电极框架的整个底面具有图案结构。
[0008]进一步地，所述图案结构为多个微槽结构、微型凸点阵列、花纹结构中的任意一种或两种以上的组合。
[0009]进一步地，所述引线框架底面的面积为上表面面积的1.5倍以上。
[0010]进一步地，所述正电极框架和负电极框架之间具有间隙，所述正电极框架和负电极框架上具有与间隙相通的沟槽，所述沟槽和间隙内填充有绝缘部件。
[0011]进一步地，所述沟槽由引线框架的第一侧面贯穿到与第一侧面相对的第二侧面，所述沟槽由引线框架底面靠近间隙的边缘向内凹陷形成，所述引线框架的底面与所述第一侧面相交处内凹有与沟槽相通的第一侧凹槽，所述引线框架的底面与所述第二侧面相交处内凹有与沟槽相通的第二侧凹槽。
[0012]进一步地，所述沟槽由引线框架的第一侧面贯穿到与第一侧面相对的第二侧面，所述沟槽由引线框架上表面靠近间隙的边缘向内凹陷形成，所述引线框架的上表面与所述第一侧面相交处内凹有与沟槽相通的第一侧凹槽，所述引线框架的上表面与所述第二侧面相交处内凹有与沟槽相通的第二侧凹槽。[0013]进一步地，所述第一侧凹槽和第二侧凹槽内分别填充有绝缘层，所述基座、绝缘部件及绝缘层是用热硬化性环氧树脂一体成型的结构。
[0014]进一步地，所述基座包括覆盖于引线框架结合面的上基座和包覆于引线框架侧面的下基座，所述下基座和绝缘部件及绝缘层为一体成型的结构。
[0015]上述发光二极管支架中，在正电极框架和负电极框架的底面至少部分区域具有图案结构，大大增加底面的表面积，如通过导热胶与散热器件结合时，结合更加紧密，可大幅降低热阻，提高散热效率。进一步地，基座是热硬化性树脂基座，热硬化性树脂比传统材料如热塑性树脂具有更好的散热能力。这样，基座和引线框架构成一个立体化的散热途径，相较于现有的支架，上述支架的散热效率将成倍增加，大幅提高其散热性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型实施例一的高散热性发光二极管支架的立体结构的示意图。
[0017]图2为本实用新型实施例一的高散热性发光二极管支架的剖视结构示意图。
[0018]图3为本实用新型实施例一的高散热性发光二极管支架的俯视结构示意图。
[0019]图4为本实用新型实施例一的高散热性发光二极管支架的底视图。
[0020]图5为本实用新型实施例一的高散热性发光二极管支架的引线框架底面视角立体结构示意图。
[0021]图6为本实用新型实施例二的高散热性发光二极管支架的引线框架底面视角立体结构示意图。
[0022]图7为本实用新型实施例三的高散热性发光二极管支架的引线框架底面视角立体结构示意图。
【具体实施方式】
[0023]以下将结合附图及【具体实施方式】对本实用新型进行详细说明。
[0024]请参阅图1到图5，示出本实用新型实施例一的高散热性发光二极管支架100，其包括线框架2和基座1，引线框架2和基座I限定一个反射凹腔4，所述引线框架2包括相互间隔的正电极框架21和负电极框架22，所述正电极框架21和负电极框架22的底面至少部分区域具有图案结构，所述基座I是热硬化性树脂基座。
[0025]进一步地，正电极框架21和负电极框架22的底面相对于反射凹腔4的部分区域或全部区域具有图案结构。优选地，如图4和5所示，正电极框架21和负电极框架22的整个底面分别具有图案结构213、223。具体地，图案结构213、223为多个微槽结构、微型凸点阵列、花纹结构中的任意一种或两种以上的组合。在图4和5所示的实施例中，图案结构213、223为多个微槽结构。优选地，引线框架2的底面面积为上表面面积的1.5倍以上。引线框架底面的面积为上表面面积的1.5倍以上，以进一步提高底面的散热面积。具体可通过设置图案结构的分布、尺寸等来达到底面面积的提升。图案结构的深度或高度可以是引线框架2整体厚度的1/3。因此，引线框架2底面的图案设计是为了增加其与散热部件接触的面积，图案可以是任意凹或凸或凹凸组合的结构，并不限于本实施例的具体示例。
[0026]进一步地，如图2、5所示，正电极框架21和负电极框架22之间具有间隙24，正电极框架21和负电极框架22上具有与间隙24相通的沟槽25，沟槽25和间隙24内填充有绝缘部件26。具体地，如图2和5所示，沟槽25由引线框架2底面靠近间隙24的边缘向内凹陷形成，以下描述皆以此为例说明。当然，在另一实施例中，沟槽25可以由引线框架2上表面靠近间隙24的边缘向凹陷形成，即将图中所示的沟槽25等相关结构和位置倒置即可，在此不再赘述。
[0027]如图4和5所示，沟槽25由引线框架2的第一侧面201贯穿到与第一侧面201相对的第二侧面202，引线框架2的底面或上表面与第一侧面201相交处内凹有与沟槽25相通的第一侧凹槽203，引线框架2的底面或上表面与第二侧面202相交处内凹有与沟槽25相通的第二侧凹槽204。图中以沟槽25是形成于引线框架2底面为例，两个侧凹槽203、204则形成于引线框架2的底面与第一、第二侧面201、202相交处。第一侧凹槽203沿着整个第一侧面201方向延伸，第二侧凹槽204沿着整个第二侧面202方向延伸，由此沟槽25和第一侧凹槽203、第二侧凹槽204构成工字形槽。间隙24和沟槽25组合的截面呈T字形。这样，提高外界水分、氧气、杂质进入支架100内部的难度，提高支架100的可靠性。如图5所示，第一侧凹槽203和第二侧凹槽204内分别填充有绝缘层。绝缘层为热硬化性环氧树脂层。优选地，基座1、绝缘部件26及绝缘层是用热硬化性环氧树脂一体成型的结构。具体地，基座I是热硬化性环氧树脂基座，绝缘部件26和绝缘层是热硬化性环氧树脂层。
[0028]如图2所示，基座I包括覆盖于引线框架2结合面的上基座I和包覆于引线框架2侧面的下基座1，下基座I和绝缘部件26及绝缘层为一体成型的结构，并且可以是与引线框架2通过模压成型的结构。
[0029]请参阅图6，示出本实用新型实施例二的高散热性发光二极管支架的引线框架2，实施例二的支架与实施例一的支架结构基本相同，图6和图1-5中相同的标号表不相同的元件，两个实施例不同之处在于引线框架2的底面结构。本实施例中，引线框架2的底面图案结构213、223为多个微型凸点阵列结构。凸点的高度优选为框架2整体厚度的1/3。微型凸点阵列中凸点的密度越密集越好。
[0030]请参阅图7，示出本实用新型实施例三的高散热性发光二极管支架的引线框架2，实施例三的支架与实施例一的支架结构基本相同，图7和图1-5中相同的标号表不相同的元件，两个实施例不同之处在于引线框架2的底面结构。本实施例三中，引线框架2的底面图案结构213、223为花纹。花纹可以是阴纹或阳纹，图示为波纹形状，还可以是凹陷或凸起的三角形、十字形等纹理。
[0031]在上述高散热性发光二极管支架100中，在正电极框架21和负电极框架22的底面至少部分区域具有图案结构，大大增加底面的表面积，如通过导热胶与散热器件结合时，结合更加紧密，可大幅降低热阻，提高散热效率。进一步地，基座I是热硬化性树脂基座，热硬化性树脂比传统材料如热塑性树脂具有更好的散热能力。这样，基座I和引线框架2构成一个立体化的散热途径，相较于现有的支架，上述支架100的散热效率将成倍增加，大幅提高其散热性能。
[0032]需要说明的是，本实用新型并不局限于上述实施方式，根据本实用新型的创造精神，本领域技术人员还可以做出其他变化，这些依据本实用新型的创造精神所做的变化，都应包含在本实用新型所要求保护的范围之内。
【权利要求】
1.一种高散热性发光二极管支架，其包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，所述引线框架包括相互间隔的正电极框架和负电极框架，其特征在于，所述正电极框架和负电极框架的底面至少部分区域具有图案结构，所述基座是热硬化性树脂基座。
2.如权利要求1所述的高散热性发光二极管支架，其特征在于，所述正电极框架和负电极框架的底面相对于反射凹腔的部分区域或全部区域具有图案结构。
3.如权利要求1所述的高散热性发光二极管支架，其特征在于，所述正电极框架和负电极框架的整个底面具有图案结构。
4.如权利要求1所述的高散热性发光二极管支架，其特征在于，所述图案结构为多个微槽结构、微型凸点阵列、花纹结构中的任意一种或两种以上的组合。
5.如权利要求4所述的高散热性发光二极管支架，其特征在于，所述引线框架底面的面积为上表面面积的1.5倍以上。
6.如权利要求1所述的高散热性发光二极管支架，其特征在于，所述正电极框架和负电极框架之间具有间隙，所述正电极框架和负电极框架上具有与间隙相通的沟槽，所述沟槽和间隙内填充有绝缘部件。
7.如权利要求6所述的高散热性发光二极管支架，其特征在于，所述沟槽由引线框架的第一侧面贯穿到与第一侧面相对的第二侧面，所述沟槽由引线框架底面靠近间隙的边缘向内凹陷形成，所述引线框架的底面与所述第一侧面相交处内凹有与沟槽相通的第一侧凹槽，所述引线框架的底面与所述第二侧面相交处内凹有与沟槽相通的第二侧凹槽。
8.如权利要求6所述的高散热性发光二极管支架，其特征在于，所述沟槽由引线框架的第一侧面贯穿到与第一侧面相对的第二侧面，所述沟槽由引线框架上表面靠近间隙的边缘向内凹陷形成，所述引线框架的上表面与所述第一侧面相交处内凹有与沟槽相通的第一侧凹槽，所述引线框架的上表面与所述第二侧面相交处内凹有与沟槽相通的第二侧凹槽。
9.如权利要求7或8所述的高散热性发光二极管支架，其特征在于，所述第一侧凹槽和第二侧凹槽内分别填充有绝缘层，所述基座、绝缘部件及绝缘层是用热硬化性环氧树脂一体成型的结构，所述基座是热硬化性环氧树脂基座，所述绝缘部件和绝缘层是热硬化性环氧树脂层。
10.如权利要求9所述的高散热性发光二极管支架，其特征在于，所述基座包括覆盖于引线框架结合面的上基座和包覆于引线框架侧面的下基座，所述下基座和绝缘部件及绝缘层为一体成型的结构。
【文档编号】H01L33/48GK203721760SQ201320890704
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日
【发明者】程志坚 申请人:深圳市斯迈得光电子有限公司