光导天线、拍摄装置、成像装置以及计测装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及能够提高载流子迁移率并且产生强度大的太赫兹波光导天线、拍摄装置、成像装置以及计测装置。被照射光脉冲而产生太赫兹波的光导天线具备：第1层，其由半绝缘性基板构成；第2层，其位于上述第1层上并且由具有比上述半绝缘性基板的载流子迁移率小的载流子迁移率的材料构成；以及第1电极以及第2电极，其位于上述第2层上并且对上述第1层施加电压，上述光导天线具有在上述第1层上形成有上述第2层的第1区域以及在上述第1层上未形成上述第2层的第2区域，上述第2区域在俯视时位于上述第1电极和上述第2电极之间，上述第2区域被照射上述光脉冲。
【专利说明】光导天线、拍摄装置、成像装置以及计测装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及光导天线、拍摄装置、成像装置以及计测装置。
【背景技术】
[0002]近年来，具有IOOGHz以上30THz以下的频率的电磁波即太赫兹波受到关注。太赫兹波例如能够用于成像、分光计测等各种计测、无损检测等。
[0003]产生该太赫兹波的太赫兹波产生装置例如具有:光脉冲产生装置，其产生具有亚皮秒(数百飞秒)左右的脉冲宽度的光脉冲；以及光导天线(Photo Conductive Antenna:PCA )，其被由光脉冲产生装置产生的光脉冲照射而产生太赫兹波。
[0004]例如，专利文献I记载有一种光导天线，该光导天线具备:半绝缘性GaAs基板；GaAs (LT-GaAs)层，该GaAs (LT-GaAs)层是通过低温MBE (分子束外延法)形成在半绝缘性GaAs基板上的；以及一对电极，该一对电极形成在LT-GaAs层上。并且，专利文献I记载有如下内容:在LT-GaAs层被激发的自由载流子在由偏置电压形成的电场中被加速而产生电流，通过该电流的变化来产生太赫兹波。
[0005]优选在上述的光导天线中产生的太赫兹波的强度大，由此例如能够实现检测灵敏度高的成像装置、计测装置。
[0006]专利文献1:日本特开2009-124437号公报
[0007]已知在光导天线中产生的太赫兹波的强度取决于光导天线中脉冲光受光部的电子迁移率(载流子迁移率)。即，受光部的载流子迁移率越大，在光导天线中产生的太赫兹波的强度越大。
[0008]在专利文献I的光导天线中，存在如下的情况，即，由于LT-GaAs层的载流子迁移率小，所以不能产生强度大的太赫兹波，不能实现检测灵敏度高的成像装置、计测装置。
【发明内容】
[0009]本发明的几个方式的目的之一在于，能够提供一种与以往相比提高了载流子迁移率并产生强度大的太赫兹波的光导天线。另外，本发明的几个方式的目的之一在于，提供一种具备上述光导天线的拍摄装置、成像装置以及计测装置。
[0010]本发明的光导天线是被照射光脉冲而产生太赫兹波的光导天线，具备:第I层，该第I层由半绝缘性基板构成；第2层，该第2层位于上述第I层上，并且由具有比上述半绝缘性基板的载流子迁移率小的载流子迁移率的材料构成；以及第I电极以及第2电极，该第I电极以及第2电极位于上述第2层上，并且对上述第I层施加电压，上述光导天线具有在上述第I层上形成有上述第2层的第I区域以及在上述第I层上未形成上述第2层的第2区域，从上述第I层以及上述第2层的层叠方向俯视时，上述第2区域位于上述第I电极和上述第2电极之间，上述第2区域被照射上述光脉冲。
[0011]根据这样的光导天线，由半绝缘性基板构成的第I层被照射光脉冲。半绝缘性基板的载流子迁移率比构成第2层的材料的载流子迁移率大。因此，这样的光导天线能够提高载流子迁移率，能够产生强度大的太赫兹波。
[0012]并且，在这样的光导天线中，在第I层和第I电极以及第2电极之间设有第2层，第2层由具有比构成第I层的半绝缘性基板的载流子迁移率小的载流子迁移率的材料构成。因此，能够减小在第I层内生成的载流子(电子)到达第I电极以及第2电极的可能性。即，通过第2层，能够提高在第I层内生成的载流子在到达第I电极以及第2电极之前湮灭的可能性。其结果，这样的光导天线能够具有高耐压。
[0013]根据本发明的光导天线，也可以为，在上述俯视时，上述第I电极具有从上述第I电极向上述第2电极一侧突出的第I突出部，在上述俯视时，上述第2电极具有从上述第2电极向上述第I电极一侧突出的第2突出部，在上述俯视时被上述第I突出部和上述第2突出部夹着的区域设置有上述第I区域和上述第2区域。
[0014]根据这样的光导天线，能够产生强度大的太赫兹波。
[0015]根据本发明的光导天线，也可以为，上述第I电极以及上述第2电极对上述第I层施加直流电压，上述第I电极是正极，上述第2电极是负极，在上述俯视时，上述第2区域和上述第I突出部之间的距离大于上述第2区域和上述第2突出部之间的距离。
[0016]根据这样的光导天线，能够提高在第I层内生成的电子在到达第I电极(正极)之前湮灭的可能性。其结果，这样的光导天线能够具有高耐压。
[0017]根据本发明的光导天线，也可以为，上述第I电极以及上述第2电极对上述第I层施加交流电压，在上述俯视时，上述第2区域和上述第I突出部之间的距离与上述第2区域和上述第2突出部之间的距离相等。
[0018]根据这样的光导天线，能够提高在第I层内生成的电子到达正极之前湮灭的可能性。其结果，这样的光导天线能够具有高耐压。
[0019]根据本发明的光导天线，也可以为，在上述俯视时，上述第I电极具有从上述第I电极向上述第2电极一侧突出的第I突出部，在上述俯视时，上述第2电极具有从上述第2电极向上述第I电极一侧突出的第2突出部，上述俯视时被上述第I突出部和上述第2突出部夹着的区域是上述第2区域。
[0020]根据本发明的光导天线，也可以具备设置于上述第I层的表面的覆盖层。
[0021]根据这样的光导天线，通过覆盖层，能够抑制漏电流的产生，能够具有高耐压。
[0022]根据本发明的光导天线，也可以为在上述第2层的表面形成凹部，上述第I电极以及上述第2电极被设置在上述凹部上。
[0023]根据这样的光导天线，能够提高通过第I电极以及第2电极施加给第I层的电压。因此，这样的光导天线能够产生强度更大的太赫兹波。
[0024]本发明的太赫兹波产生装置具备产生上述光脉冲的光脉冲产生装置以及被上述光脉冲照射而产生上述太赫兹波的技术方案I?7中任意一项所述的光导天线。
[0025]根据这样的太赫兹波产生装置，由于具备本发明的光导天线，所以能够产生强度大的太赫兹波。
[0026]本发明的拍摄装置具备:光脉冲产生装置，其产生上述光脉冲；技术方案I?7中任意一项所述的光导天线，上述光导天线被上述光脉冲照射而产生上述太赫兹波；太赫兹波检测部，其检测从上述光导天线射出并透过对象物的上述太赫兹波、或者从上述光导天线射出并被对象物反射了的上述太赫兹波；以及存储部，其存储上述太赫兹波检测部的检测结果。
[0027]根据这样的拍摄装置，由于具备本发明的光导天线，所以能够具有高检测灵敏度。
[0028]本发明的成像装置具备:光脉冲产生装置，其产生上述光脉冲；技术方案I?7中任意一项所述的光导天线，上述光导天线被上述光脉冲照射而产生上述太赫兹波；太赫兹波检测部，其检测从上述光导天线射出并透过对象物的上述太赫兹波、或者从上述光导天线射出并被对象物反射了的上述太赫兹波；以及图像形成部，其基于上述太赫兹波检测部的检测结果，来生成上述对象物的图像。
[0029]根据这样的成像装置，由于具备本发明的光导天线，所以能够具有高检测灵敏度。
[0030]本发明的计测装置具备:光脉冲产生装置，其产生上述光脉冲；技术方案I?7中任意一项所述的光导天线，上述光导天线被上述光脉冲照射而产生上述太赫兹波；太赫兹波检测部，其检测从上述光导天线射出并透过对象物的上述太赫兹波、或者从上述光导天线射出并被对象物反射了的上述太赫兹波；以及计测部，其基于上述太赫兹波检测部的检测结果，来对上述对象物进行计测。
[0031 ] 根据这样的计测装置，由于具备本发明的光导天线，所以能够具有高检测灵敏度。【专利附图】
【附图说明】
[0032]图1是示意性地表示第I实施方式的光导天线的剖视图。
[0033]图2是示意性地表示第I实施方式的光导天线的俯视图。
[0034]图3是表示低温生长GaAs (LT-GaAs)以及半绝缘性GaAs (S1-GaAs)中的电场强度和载流子速度的关系的曲线图。
[0035]图4是表示LT-GaAs以及S1-GaAs中的电场强度和载流子移动距离的关系的曲线图。
[0036]图5是示意性地表示第I实施方式的光导天线的剖视图。
[0037]图6是示意性地表示第I实施方式的光导天线的俯视图。
[0038]图7是示意性地表示第I实施方式的光导天线的制造工序的剖视图。
[0039]图8是示意性地表示第I实施方式的光导天线的制造工序的剖视图。
[0040]图9是示意性地表示第I实施方式的光导天线的制造工序的剖视图。
[0041]图10是示意性地表示第I实施方式的光导天线的制造工序的剖视图。
[0042]图11是示意性地表示第I实施方式的光导天线的制造工序的剖视图。
[0043]图12是示意性地表示第I实施方式的变形例的光导天线的剖视图。
[0044]图13是示意性地表示第2实施方式的光导天线的剖视图。
[0045]图14是示意性地表示第2实施方式的光导天线的俯视图。
[0046]图15是示意性地表示第2实施方式的第I变形例的光导天线的剖视图。
[0047]图16是示意性地表示第2实施方式的第I变形例的光导天线的俯视图。
[0048]图17是示意性地表示第2实施方式的第2变形例的光导天线的剖视图。
[0049]图18是示意性地表示第2实施方式的第2变形例的光导天线的俯视图。
[0050]图19是示意性地表示第2实施方式的第3变形例的光导天线的剖视图。
[0051]图20是示意性地表示第2实施方式的第3变形例的光导天线的俯视图。
[0052]图21是示意性地表示第2实施方式的第4变形例的光导天线的剖视图。[0053]图22是示意性地表示第2实施方式的第5变形例的光导天线的剖视图。
[0054]图23是示意性地表示第3实施方式的太赫兹波产生装置的图。
[0055]图24是示意性地表示第4实施方式的成像装置的框图。
[0056]图25是示意性地表示第4实施方式的成像装置的太赫兹波检测部的俯视图。
[0057]图26是表示对象物的在太赫兹频段的光谱的曲线图。
[0058]图27是表示对象物的物质A、B、以及C的分布的图像的图。
[0059]图28是示意性地表示第5实施方式的计测装置的框图。
[0060]图29是示意性地表示第6实施方式的拍摄装置的框图。
[0061]图30是示意性地表示第6实施方式的拍摄装置的立体图。
【具体实施方式】
[0062]以下，使用附图对本发明的优选实施方式进行说明。此外，以下说明的实施方式并不不当地限定权利要求书所记载的本发明的内容。另外，以下所说明的全部构成未必都是本发明的必要构成要件。
[0063]1.第I实施方式
[0064]1.1.光导天线
[0065]首先，参照附图对第I实施方式的光导天线进行说明。图1是示意性地表示第I实施方式的光导天线100的剖视图。图2是示意性地表示第I实施方式的光导天线100的俯视图。此外，图1是图2的1-1线剖视图。
[0066]如图1以及图2所示，光导天线100具备第I层10、第2层20、第I电极30以及第2电极34。
[0067]第I层10由半绝缘性基板构成。此处，所谓“半绝缘性基板”是由化合物半导体构成的基板，是指高电阻(比电阻是107Ω.Cm以上)的基板。具体而言，构成第I层10的半绝缘性基板是不包含(未掺杂)杂质的GaAs基板、InP基板。构成第I层10的GaAs基板(半绝缘性GaAs基板)、InP基板(半绝缘性InP基板)也可以是化学计量的状态。S卩，构成GaAs基板的Ga和As可以以1:1的比例存在，构成InP基板的In和P可以以1:1的比例存在。此外，构成第I层10的半绝缘性基板也可以是InAs基板或者InSb基板。
[0068]第2层20位于第I层10上。光导天线100具有在第I层10上形成第2层20的第I区域3和在第I层10上未形成第2层20的第2区域5。从第I层10以及第2层20的层叠方向俯视时(以下也简称“俯视时”)，第I区域3是与第2层20重叠的区域，第2区域5是不与第2层20重叠的区域。
[0069]在第2层20形成有开口部22。开口部22的形状没有特别限定，但在图2所示的例子中是长方形。开口部22是以第I层10的表面11露出的方式贯通第2层20而形成的。SP，开口部22的底面由表面11来规定。第2区域5是在俯视时与开口部22重叠的区域。换言之，第2区域5是由开口部22规定的区域。俯视时，第2区域5位于第I电极30和第2电极34之间。
[0070]第2层20由具有比构成第I层10的半绝缘性基板的载流子迁移率小的载流子迁移率的材料构成。此处，所谓“载流子迁移率”是载流子(电子以及空穴)在固体物质中移动时，在单位电场强度之下每单位时间移动的距离，指载流子在固体物质中移动的容易度。[0071]具体而言，构成第2层20的材料是具有再复合中心的半导体材料、氧化硅、氮化硅等绝缘性材料。此处，所谓“再复合中心”由于施主以及受主以外的杂质、晶格缺陷等引起的能级，发挥使电子和空穴再复合的中介的作用。构成第2层20的半导体材料的比电阻低于构成第I层10的半绝缘性基板的比电阻。
[0072]构成第2层20的半导体材料具有再复合中心即可，没有特别限定，具体而言，是低温生长的GaAs (LT-GaAs)、不包含(未掺杂)杂质的GaAs (i_GaAs)、AlGaAs、掺杂氧的GaAs或者InP。
[0073]此处,所谓“LT-GaAs”是在低温中生长的GaAs,在 MBE(Molecular Beam Epitaxy:分子束外延)法中生长的情况下，生长温度为200°C?300°C左右。LT-GaAs包含比平衡状态的溶解度(solubility)数位多的大约latm%的过剩As。该过剩As凝结,从而LT-GaAs具有成为再复合中心的缺陷。例如，也可以通过向处于化学计量状态的GaAs离子注入As，来形成具有再复合中心的GaAs。
[0074]除了 LT-GaAs以外，包含有凝结物的InAs、AlAs、ZnTe、ZnSe也能够作为具有再复合中心的半导体材料，用于构成第2层20的材料。
[0075]LT-GaAs的载流子迁移率(电子迁移率)是IOOcm2 / Vs左右，载流子寿命(电子产生至湮灭为止的时间)是0.2ps左右，载流子饱和速度(相对于电场强度成为饱和状态的电子的速度)是3X104m / s左右。另一方面，半绝缘性GaAs的载流子迁移率是2000cm2 / Vs左右，载流子寿命是200ps左右，载流子饱和速度是2X105m / s左右。这样，LT-GaAs具有比半绝缘性GaAs小的载流子迁移率。此外，这些数值是一个例子，存在根据诸条件而变更的情况。
[0076]此处，图3是表示LT-GaAs以及半绝缘性GaAs (S1-GaAs)中电场强度和载流子速度的关系的曲线图。图4是表示LT-GaAs以及S1-GaAs中电场强度和载流子移动距离的关系的曲线图。从图3以及图4，可知S1-GaAs与LT-GaAs相比，载流子速度以及载流子移动距离也大。此外，能够通过使载流子速度乘以载流子寿命来计算出载流子移动距离。
[0077]如图1以及图2所示，第I电极30以及第2电极34位于第2层20上。S卩，第2层20位于电极30、34和第I层10之间。电极30、34是对第I层10施加电压的电极。电极30、34既可以向第I层10施加直流(DC)电压，也可以向第I层10施加交流(AC)电压。电极30、34可以与第2层20欧姆接触。对于第2层20的厚度而言，只要能够通过电极30、34向第I层10施加电压即可，没有特别限定，是能够将第2层20成膜的最小膜厚以上即可。膜厚根据成膜方法而不同，例如为数nm以上Ιμπι以下。电极30、34的材质例如为金、钼、钛、招、铜、铬。此外，在使用金的情况下，有时为了增加粘附力也在将铬成膜的基础上形成金。
[0078]俯视时，第I电极30具有从第I电极30向第2电极34侧突出的第I突出部32。在图示的例子中，第I电极30具有基部33，第I突出部32从基部33突出。俯视时，第2电极34具有从第2电极34向第I电极30侧突出的第2突出部36。在图示的例子中，第2电极34具有基部37，第2突出部36从基部37突出。电极30、34相对于如下的虚拟直线(未图示)线对称，该虚拟直线是沿着与从第I电极30朝向第2电极34的方向正交的方向的虚拟直线，且通过俯视时被突出部32、36夹着的区域7的中心C。
[0079]在图示的例子中，第I突出部32以及第2突出部36的平面形状是长方形(即偶极型)，但并没有特别限定，例如也可以是梯形(即领蝴蝶结型)。同样，基部33、37的平面形状也并不限定于长方形。在图示的例子中，俯视时被第I突出部32和第2突出部36夹着的区域7是第2区域5。即，在俯视时被突出部32、36夹着的区域7未设置第I区域3，如图1所示，第I突出部32具有与规定开口部22的内面的第2层20的侧面同一水平面的侧面，第2突出部36具有与规定开口部22的内面的第2层20的侧面同一水平面的侧面。
[0080]第I突出部32和第2突出部36之间的距离例如是I μ m以上100 μ m以下，更具体而言，是5 μ m左右。在光导天线100中产生的(从光导天线100辐射出)太赫兹波的光谱取决于电极30、34的形状。
[0081]接下来，对光导天线100的动作进行说明。在通过电极30、34对第I层10施加了电压的状态下，向第2区域5的第I层10照射光脉冲L。此处，所谓“光脉冲”指强度在短时间内急剧变化的光。光脉冲L的脉冲宽度(半高宽FWHM)没有特别限定，例如为Ifs (飞秒)以上800fs以下。
[0082]由于光脉冲L的照射，在第I层10中瞬时生成载流子(电子以及空穴)。载流子因被电极30、34施加的电压而加速地移动，在第I层10中瞬间产生电流(光电流)。而且，产生具有与光电流的时间变化成比例的强度的太赫兹波。光电流的时间变化与构成第I层10的半绝缘性基板的载流子迁移率成比例。因此，在光导天线100中产生与构成第I层10的半绝缘性基板的载流子迁移率成比例的太赫兹波。此外，所谓“太赫兹波”指频率为IOOGHz以上30THz以下的电磁波，特别指300GHz以上3THz以下的电磁波。
[0083]在将第I电极30作为正极，第2电极34作为负极，通过电极30、34向第I层10施加直流电压的情况下，如图1以及图2所示，优选光脉冲L照射比第2电极34靠第I电极30侧。即，优选俯视时，照射光脉冲L而生成载流子的载流子生成位置P和第I电极30之间的距离(最短距离)比载流子生成位置P和第2电极34之间的距离(最短距离)大。在载流子生成位置P处生成的载流子(电子)朝向第I电极30 (正极)侧，但通过增大载流子生成位置P和第I电极30之间的距离，能够提高电子在到达第I电极30之前湮灭的可能性。
[0084]例如，在使光脉冲L照射正极侧的情况下，载流子生成位置P和正极之间的距离变小，生成的电子到达正极的可能性变高。因此，耐压降低。
[0085]在通过电极30、34对第I层10施加了交流电压的情况下，如图5以及图6所示，优选光脉冲L照射俯视时的电极30、34间的中间点。即，优选俯视时，照射光脉冲L而生成载流子的载流子生成位置P和第I电极30之间的距离与载流子生成位置P和第2电极34之间的距离相等。在交流电压中，正极负极在电极30、34中切换。因此，电子的移动方向翻转。因此，通过向电极30、34间的中间点照射光脉冲L，能够提高在载流子生成位置P处生成的电子到达正极之前湮灭的可能性。
[0086]例如，若载流子生成位置P位于电极30、34中的任一侧(若偏离电极30、34间的中间点)，则载流子生成位置P和正极之间的距离有时会变小，耐压有时会降低。此外，图5是图6所示的V-V线剖视图。
[0087]由于半绝缘性GaAs的电子迁移率大于LT-GaAs的电子迁移率，所以如上述那样，从提高耐压的观点来说，特别优选确定出照射光脉冲L的位置(载流子生成位置P)。
[0088]此外，并不限定于图1以及图5所示的例子，光脉冲L也可以照射俯视时被突出部32,36夹着的区域6整体。
[0089]光导天线100，例如具有以下的特征。
[0090]根据光导天线100，向由半绝缘性基板构成的第I层10照射光脉冲L。半绝缘性基板的载流子迁移率大于构成第2层20的材料的载流子迁移率。因此，与向第2层20照射光脉冲L的情况相比，光导天线100能够提高载流子迁移率，并且能够产生(辐射出)强度大的太赫兹波。更具体而言，与向第2层20照射光脉冲L的情况相比，光导天线100能够产生I位以上的强度大的太赫兹波。
[0091]并且，在光导天线100中，在第I层10和电极30、34之间设有第2层20，第2层20由具有比构成第I层10的半绝缘性基板的载流子迁移率小的载流子迁移率的材料构成。因此，能够减小在第I层10内生成的载流子(电子)到达电极30、34的可能性。即，通过第2层20，能够提高在第I层10内生成的载流子在到达电极30、34之前湮灭的可能性。其结果，光导天线100能够具有高耐压。并且，若载流子到达电极，则存在在光导天线中产生的太赫兹波的光谱变形，从而不能得到所希望的光谱形状的情况，但在光导天线100中，能够避免这样的问题。
[0092]根据光导天线100，电极30、34能够对第I层10施加直流电压，使光脉冲L照射第2电极34 (负极)侧。由此，能够提高在第I层10内生成的电子在到达第I电极30 (正极)之前湮灭的可能性。其结果，光导天线100能够具有高耐压。
[0093]根据光导天线100，电极30、34能够对第I层10施加交流电压，使光脉冲L照射电极30、34间的中间点。由此，能够提高在第I层10内生成的电子在到达正极之前湮灭的可能性。其结果，光导天线100能够具有高耐压。
[0094]1.2.光导天线的制造方法
[0095]接下来，参照附图对第I实施方式的光导天线的制造方法进行说明。图7?图10是示意性地表示第I实施方式的光导天线100的制造工序的剖视图，与图1对应。
[0096]如图7所示，在第I层10上形成第2层20。第2层20例如通过MBE法、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:金属有机化学气相沉积)法形成。在构成第2层20的材料是LT-GaAs的情况下，MBE法的生长温度例如为200°C?270°C，MOCVD法的生长温度例如为400°C?700°C。在通过MBE法、MOCVD法将LT-GaAs成膜之后，例如可以在三氢化砷环境中，以600°C?800°C进行热处理。在通过MOCVD法将LT-GaAs成膜的情况下，Ga的来源可以是TEGa (三乙基)，As的来源可以是TBAs (叔丁基砷)。
[0097]如图8所示，在第2层20上形成规定形状的掩模层Ml。掩模层Ml的材质例如为光致抗蚀剂、氧化娃(Si02)。例如通过旋转涂胶法、CVD (Chemical Vapor Deposition:化学气相沉积)法形成掩模层Ml。
[0098]如图9所示，将掩模层Ml作为掩模，蚀刻第2层20，并使第I层10的表面11露出。也可以通过该蚀刻稍稍去除第I层10。然后，例如利用已知的方法去除掩模层Ml。
[0099]如图10所不,在露出的第I层10的表面11形成规定形状的掩模层M2。掩模层M2的材质以及形成方法可以与掩模层Ml相同。接下来，在掩模层M2上以及第2层20上形成电极层30a。例如由真空蒸镀法来形成电极层30a。
[0100]如图1所示，例如利用已知的方法来去除(剥离)掩模层M2。由此，形成于掩模层M2表面的电极层30a也被去除，能够形成电极30、34。[0101]通过以上的工序，能够制造出光导天线100。
[0102]此外，在光导天线100的制造方法中，如图11所示，也可以在第I层10上形成规定形状的掩模层M3，在未形成掩模层M3的第I层10的表面11上选择性地使第2层20外延生长。掩模层M3的材质以及形成方法也可以与掩模层Ml相同。
[0103]1.3.变形例
[0104]接下来，参照附图对第I实施方式的变形例的光导天线进行说明。图12是示意性地表示第I实施方式的变形例的光导天线110的剖视图，与图1对应。以下，在光导天线110中，对具有与上述的光导天线100的构成部件相同功能的部件标注相同的附图标记，并省略其详细说明。
[0105]如图12所示，在光导天线110中，在具备覆盖层112这方面与光导天线100不同。覆盖层112设置于第I层10的表面11。更具体而言，覆盖层112设置于俯视时被第I突出部32和第2突出部36夹着的区域7 (第2区域5)。在图示的例子中，覆盖层112还设置于电极30、34的表面以及第2层20的表面。
[0106]覆盖层112能够透过光脉冲L。覆盖层112的材质例如为氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)、树脂。覆盖层112例如由CVD法来形成。
[0107]根据光导天线110，通过覆盖层112，能够抑制漏电流的产生，能够具有高耐压。例如若第I层10的表面11露出，则存在在表面11附着杂质，形成漏电路径的情况。其结果，有时会产生漏电流。在光导天线110中就能够避免这样的问题。
[0108]2.第2实施方式
[0109]2.1.光导天线
[0110]接下来，参照附图对第2实施方式的光导天线进行说明。图13是示意性地表示第2实施方式的光导天线200的剖视图。图14是示意性地表示第2实施方式的光导天线200的俯视图。此外，图13是图14的XII1-XIII线剖视图。以下，在光导天线200中，对具有与上述的光导天线100的构成部件相同功能的部件标注相同的附图标记，并省略其详细说明。
[0111]如图1以及图2所示，在光导天线100中，俯视时被第I突出部32和第2突出部36夹着的区域7是第2区域5。即，在俯视时被突出部32、36夹着的区域7未设置第I区域3，如图1所示，第I突出部32具有与规定开口部22内面的第2层20的侧面同一水平面的侧面，第2突出部36具有与规定开口部22内面的第2层20的侧面同一水平面的侧面。
[0112]与此相对，在光导天线200中，如图13以及图14所示，在俯视时被突出部32、36夹着的区域7设置有第I区域3和第2区域5。
[0113]设定有多个规定第2区域5的开口部22。在图14所示的例子中，设置有16个开口部22，但其个数没有特别限定，也可以是一个。在图14所示的例子中，开口部22的平面形状是圆形，但其形状没有特别限定，也可以是四边形、无边形、六边形、椭圆。多个开口部22的平面形状既可以彼此相同也可以不同。另外，开口部22的位置也没有特别限定，在图示的例子中，优选将多个开口部22配置成相邻的开口部22的间隔相等。
[0114]在光导天线200中，如图13所示，光脉冲L也可以照射俯视时被突出部32、36夹着的区域7整体。由此，能够在第I层10中以及第2层20中生成载流子。此外，虽然未图示，但光脉冲L也可以选择性地照射第2区域5。[0115]根据光导天线200，通过改变开口部22的大小、个数，能够调整被光脉冲L照射的第I层10的面积。因此，能够通过改变开口部22的大小、个数，来控制从光导天线200辐射出的太赫兹波的强度。并且，在光导天线200中，能够通过改变开口部22的大小、间隔，来控制从光导天线200辐射出的太赫兹波的频率。
[0116]2.2.光导天线的制造方法
[0117]接下来，对第2实施方式的光导天线的制造方法进行说明。第2实施方式的光导天线200的制造方法与上述的光导天线100的制造方法基本相同。因此，省略其详细说明。
[0118]2.3.变形例
[0119]2.3.1.第 I 变形例
[0120]接下来，参照附图对第2实施方式的第I变形例的光导天线进行说明。图15是示意性地表示第2实施方式的第I变形例的光导天线210的剖视图。图16是示意性地表示第2实施方式的第I变形例的光导天线210的俯视图。此外，图15是图14的XV-XV线剖视图。
[0121]以下，在光导天线210中，对具有与上述的光导天线100、200的构成部件相同功能的部件标注相同的附图标记，并省略其详细说明。该情况，对于以下所示的变形例的光导天线220,230,240也相同。
[0122]在光导天线210中，如图15以及图16所示，与光导天线200相比，在突出部32、36附近未设置规定第2区域5的开口部22。具体而言，在突出部32、36间距离是5 μ m左右的情况下，在光导天线210中，俯视时第I突出部32和开口部22之间的距离(最短距离)以及第2突出部36和开口部22之间的距离(最短距离)相隔2 μ m左右(突出部32、36间距离的40%左右)以上。
[0123]根据光导天线210，与光导天线200相比，能够使通过照射光脉冲L而在第I层10内生成的载流子的生成位置至电极30、34的距离变大。因此，能够提高在第I层10内生成的载流子在到达电极30、34之前湮灭的可能性。其结果，光导天线210能够具有高耐压。
[0124]2.3.2.第 2 变形例
[0125]接下来，参照附图对第2实施方式的第2变形例的光导天线进行说明。图17是示意性地表示第2实施方式的第2变形例的光导天线220的剖视图。图18是示意性地表示第2实施方式的第2变形例的光导天线220的俯视图。此外，图17是图18的XVI1-XVII线剖视图。
[0126]在光导天线200中，如图13以及图14所示，设置有多个开口部22 (第2区域5)。与此相对，在光导天线220中，如图17以及图18所示，例如设置有一个开口部22 (第2区域5)。
[0127]在光导天线220中，俯视时第2区域5和第I突出部32之间的距离(最短距离)LI大于第2区域5和第2突出部36之间的距离(最短距离)L2。S卩，第2区域5被设置于比第I突出部32靠第2突出部36侧。在图示的例子中，距离L2是零(O)。即，第2突出部36具有与规定开口部22的内面的第2层20的侧面同一水平面的侧面。换言之，在俯视时，第2突出部36与开口部22相接。
[0128]此外，虽然未图示，但第2突出部36也可以不具有与规定开口部22的内面的第2层20的侧面同一水平面的侧面，在俯视时，第2突出部36和开口部22分离。[0129]另外，虽然未图示，但如果距离LI大于距离L2，则也可以在俯视时被突出部32、36夹着的区域7设置多个开口部22 (第2区域5)。
[0130]在光导天线220中，电极30、34向第I层10施加直流电压。第I电极30是正极，第2电极34是负极。
[0131]根据光导天线220，在第I层10内生成的载流子(电子)朝向第I电极30 (正极)侦U。因此，在光导天线220中，通过使距离LI大于距离L2，与光导天线200相比，能够提高在第I层10内生成的电子在到达第I电极30 (正极)之前湮灭的可能性。其结果，光导天线220能够具有高耐压。
[0132]2.3.3.第 3 变形例
[0133]接下来，参照附图对第2实施方式的第3变形例的光导天线进行说明。图19是示意性地表示第2实施方式的第3变形例的光导天线230的剖视图。图20是示意性地表示第2实施方式的第3变形例的光导天线230的俯视图。此外，图19是图20的XIX-XIX线首1J视图。
[0134]在光导天线200中，如图13以及图14所示，设置有多个开口部22 (第2区域5)。与此相对，在光导天线230中，如图19以及图20所示，例如设置有一个第2区域5(开口部22)。
[0135]在光导天线230中，俯视时第2区域5和第I突出部32之间的距离(最短距离)LI与第2区域5和第2突出部36之间的距离(最短距离)L2相等。在图示的例子中，第2区域5 (开口部22)被设置成与俯视时被突出部32、36夹着的区域7的中心C重叠。
[0136]此外，虽然未图示，但如果距离LI和距离L2相等，则也可以在俯视时被突出部32、36夹着的区域7设置多个开口部22 (第2区域5)。
[0137]在光导天线230中，电极30、34对第I层10施加交流电压。即，在光导天线230中，切换电极30、34的正极负极。
[0138]根据光导天线230，在第I层10内生成的电子的移动方向翻转。因此，通过使距离LI和距离L2相等，从而能够提高在第I层10内生成的电子在到达正极之前湮灭的可能性。其结果，光导天线230能够具有高耐压。
[0139]2.3.4.第 4 变形例
[0140]接下来，参照附图对第2实施方式的第4变形例的光导天线进行说明。图21是示意性地表示第2实施方式的第4变形例的光导天线240的剖视图，与图13对应。
[0141]在光导天线240中，如图21所示，在第2层20形成有凹部24这方面与光导天线200不同。由第2层20的面规定凹部24的底面。例如通过光刻法以及蚀刻法形成凹部24。
[0142]在光导天线240中，电极30、34被设置于凹部24。即，位于电极30、34之下的第2层20的厚度小于未位于电极30、34之下的第2层20的厚度。可以将电极30、34的整体设置于凹部24，也可以仅将电极30、34的突出部32、36设置于凹部24。凹部24的平面形状与突出部32、36重叠的形状即可，其没有特别限定。
[0143]根据光导天线240，由于电极30、34被设置于凹部24，所以与光导天线200相比，能够提高通过电极30、34施加给第I层10的电压。因此，光导天线240能够产生强度更大的太赫兹波。
[0144]2.3.5.第 5 变形例[0145]接下来，参照附图对第2实施方式的第5变形例的光导天线进行说明。图22是示意性地表示第2实施方式的第5变形例的光导天线250的剖视图，与图13对应。以下，在光导天线250中，对具有与上述的光导天线100、110、200的构成部件相同功能的部件标注同的附图标记，并省略其详细说明。
[0146]在光导天线250中，如图22所示，在具备覆盖层112这方面与光导天线200不同。覆盖层112被设置于第I层10的表面11。在图示的例子中，覆盖层112还设置于第2层20的表面以及电极30、34的表面。
[0147]根据光导天线250，通过覆盖层112能够抑制漏电流的产生，能够具有高耐压。例如若第I层10的表面11露出，则存在在表面11附着杂质，形成漏电路径的情况。其结果，存在产生漏电流的情况。在光导天线250中就能够避免这样的问题。
[0148]3.第3实施方式
[0149]接下来，参照附图对第3实施方式的太赫兹波产生装置进行说明。图23是示意性地表示第3实施方式的太赫兹波产生装置300的图。
[0150]如图23所示，太赫兹波产生装置300具备光脉冲产生装置310和本发明的光导天线。以下，对作为本发明的光导天线，使用了光导天线100的例子进行说明。
[0151]光脉冲产生装置310产生作为激励光的光脉冲。光脉冲产生装置310能够照射光导天线100。光脉冲产生装置310产生的光脉冲的宽度例如为Ifs以上800fs以下。作为光脉冲产生装置310，例如使用飞秒光纤激光器、钛蓝宝石激光器。
[0152]如上述那样，光导天线100被照射光脉冲而能够产生太赫兹波。
[0153]由于太赫兹波产生装置300具备光导天线100，所以能够产生强度大的太赫兹波。
[0154]4.第4实施方式
[0155]接下来，参照附图对第4实施方式的成像装置400进行说明。图24是表示第4实施方式的成像装置400的框图。图25是示意性地表示成像装置400的太赫兹波检测部420的俯视图。图26是表示对象物的在太赫兹频段的光谱的曲线图。图27是表示对象物的物质A、B、以及C的分布的图像的图。
[0156]如图24所示，成像装置400具备产生太赫兹波的太赫兹波产生部410、检测从太赫兹波产生部410射出并透过对象物O的太赫兹波、或者从太赫兹波产生部410射出并被对象物O反射了的太赫兹波的太赫兹波检测部420以及基于太赫兹波检测部420的检测结果，来生成对象物O的图像即图像数据的图像形成部430。
[0157]作为太赫兹波产生部410，能够使用本发明的太赫兹波产生装置。以下，对作为本发明的太赫兹波产生装置，使用太赫兹波产生装置300的情况进行说明。
[0158]作为太赫兹波检测部420，使用具备使目标波长的太赫兹波通过的滤光器40、和对通过滤光器40的上述目标波长的太赫兹波进行检测的检测部44的部件。另外，作为检测部44，例如使用将太赫兹波转换为热量进行检测的部件，即使用将太赫兹波转换为热量并能够检测出该太赫兹波的能量(强度)的部件。作为这样的检测部，例如列举有热电传感器、辐射热计测计等。此外，太赫兹波检测部420的构成并不限定于上述的构成。
[0159]另外，滤光器40具有二维配置的多个像素(单位滤光器部)42。即，各像素42被配置成行列状。
[0160]另外，各像素42具有使波长彼此不同的太赫兹波通过的多个区域，即具有使通过的太赫兹波的波长(以下，也称为“通过波长”)彼此不同的多个区域。此外，在图示的构成中，各像素42具有第I区域421、第2区域422、第3区域423以及第4区域424。
[0161]另外，检测部44具有分别与滤光器40的各像素42的第I区域421、第2区域422、第3区域423以及第4区域424对应地设置的第I单元检测部441、第2单元检测部442、第3单元检测部443以及第4单元检测部444。各第I单元检测部441、各第2单元检测部442、各第3单元检测部443以及各第4单元检测部444分别将通过各像素42的第I区域421、第2区域422、第3区域423以及第4区域424的太赫兹波转换为热量进行检测。由此，能够在各像素42中分别可靠地检测出四个目标波长的太赫兹波。
[0162]接下来，对成像装置400的使用例进行说明。
[0163]首先，假设成为分光成像的对象的对象物O由3种物质A、B以及C构成。成像装置400进行该对象物 O的分光成像。另外，此处作为一个例子，太赫兹波检测部420检测被对象物O反射了的太赫兹波。
[0164]另外，在太赫兹波检测部420的滤光器40的各像素42中，使用第I区域421以及第2区域422。在将第I区域421的通过波长设为λ 1，将第2区域422的通过波长设为λ 2,将被对象物O反射了的太赫兹波的波长λ I的分量的强度设为α I,将波长λ 2的分量的强度设为α 2时，以其强度α2和强度α I的差值(α 2_ α I)能够相互显著地区分物质Α、物质B和物质C的方式设定上述第I区域421的通过波长λ I以及第2区域422的通过波长入2。
[0165]如图26所示，在物质A中，由对象物O反射了的太赫兹波的波长λ 2的分量的强度α2和波长λ I的分量的强度α I的差值(α 2_ α I)为正值。另外，在物质B中，强度α2和强度α I的差值(α 2-α I)为零。另外,在物质C中，强度α 2和强度α I的差值(α 2_α I)为负值。
[0166]在利用成像装置400进行对象物O的分光成像时，首先通过太赫兹波产生部410产生太赫兹波，使该太赫兹波照射对象物O。然后,用太赫兹波检测部420检测被对象物O反射了的太赫兹波作为α I以及α2。该检测结果发送给图像形成部430。此外，针对对象物O的整体进行向该对象物O照射太赫兹波以及检测被对象物O反射了的太赫兹波。
[0167]在图像形成部430中，基于上述检测结果，计算出通过滤光器40的第2区域422的太赫兹波的波长λ 2的分量的强度α 2和通过第I区域421的太赫兹波的波长λ I的分量的强度α?的差值(α2_α1)。而且，将对象物O中上述差值成为正值的部位判断确定为物质Α，将上述差值为零的部位判断确定为物质B，将上述差值为负值的部位判断确定为物质C。
[0168]另外，如图27所示，在图像形成部430中，制作出表示对象物O的物质Α、Β、以及C的分布的图像的图像数据。将该图像数据从图像形成部430发送给未图示的显示器，在该显示器中显示表示对象物O的物质Α、B、以及C的分布的图像。该情况下，例如将对象物O的物质A分布的区域显示成黑色，物质B分布的区域显示成灰色，物质C分布的区域显示成白色而进行颜色区分。在该成像装置400中，如上述那样，能够同时进行构成对象物O的各物质的辨认和该各物质的分布测定。
[0169]此外，成像装置400的用途并不局限于上述内容，例如通过对人照射太赫兹波，检测透过该人或者反射了的太赫兹波，并在图像形成部430中进行处理，能够辨别出该人是否持有手枪、刀、违法药物等。
[0170]根据成像装置400，具备能够产生强度大的太赫兹波的光导天线100。因此，成像装置400能够具有高检测灵敏度。
[0171]5.第5实施方式
[0172]接下来，参照附图对第5实施方式的计测装置500进行说明。图28是表示第5实施方式的计测装置500的框图。
[0173]以下，在第5实施方式的计测装置500中，对具有与上述的第4实施方式的成像装置400的构成部件相同功能的部件标注相同的附图标记，并省略其详细说明。该情况在以下所示的第6实施方式的拍摄装置600中也相同。
[0174]如图28所示，计测装置500具备产生太赫兹波的太赫兹波产生部410、检测从太赫兹波产生部410射出并透过对象物O的太赫兹波、或者从太赫兹波产生部410射出并被对象物O反射了的太赫兹波的太赫兹波检测部420以及基于太赫兹波检测部420的检测结果来计测对象物O的计测部510。
[0175]接下来，对计测装置500的使用例进行说明。在利用计测装置500进行对象物O的分光计测时，首先通过太赫兹波产生部410产生太赫兹波，并使该太赫兹波照射对象物O。然后，利用太赫兹波检测部420检测透过对象物O的太赫兹波或者被对象物O反射了的太赫兹波。该检测结果被发送至计测部510。此外，针对对象物O的整体进行向该对象物O照射太赫兹波以及检测透过对象物O的太赫兹波或者被对象物O反射了的太赫兹波。
[0176]在计测部510中，根据上述检测结果来把握通过构成滤光器40的各像素42的第I区域421、第2区域422、第3区域423、以及第4区域424的太赫兹波各自的强度，进行对象物O的成分及其分布的分析等。
[0177]根据计测装置500，具备能够产生强度大的太赫兹波的光导天线100。因此，计测装置500能够具有高检测灵敏度。
[0178]6.第6实施方式
[0179]接下来，参照附图对第6实施方式的拍摄装置600进行说明。图29是表示第6实施方式的拍摄装置600的框图。图30是示意性地表示第6实施方式的拍摄装置600的立体图。
[0180]如图29以及图30所示，拍摄装置600具备产生太赫兹波的太赫兹波产生部410、检测从太赫兹波产生部410射出并被对象物O反射了的太赫兹波、或者从太赫兹波产生部410射出并透过对象物O的太赫兹波的太赫兹波检测部420以及存储太赫兹波检测部420的检测结果的存储部610。而且，这些各部410、420、610被收纳于拍摄装置600的壳体620。另外，拍摄装置600具备使由对象物O反射了的太赫兹波聚集(成像)于太赫兹波检测部420的透镜(光学系统)630、以及用于将由太赫兹波产生部410产生的太赫兹波向壳体620外部射出的窗部640。透镜630、窗部640由使太赫兹波透过/折射的硅、石英、聚乙烯等材料构成。此外，窗部640可以是如狭缝那样仅设置有开口的结构。
[0181]接下来，对拍摄装置600的使用例进行说明。在利用拍摄装置600拍摄对象物O时，首先通过太赫兹波产生部410产生太赫兹波，并使该太赫兹波照射对象物O。然后，通过透镜630将被对象物O反射了的太赫兹波聚集(成像)于太赫兹波检测部420进行检测。该检测结果被发送至存储部610并由其加以存储。此外，针对对象物O的整体进行向该对象物O照射太赫兹波以及检测被对象物O反射了的太赫兹波。另外，也可以将上述检测结果例如发送给个人计算机等外部装置。在个人计算机中，能够基于上述检测结果进行各处理。
[0182]根据拍摄装置600，具备能够产生强度大的太赫兹波的光导天线100。因此，拍摄装置600能够具有高检测灵敏度。
[0183]除了上述之外，具备本发明的光导天线的太赫兹波产生装置能够应用在医疗领域，能够贡献于各种治疗以及早期发现。例如，能够贡献于癌症诊察的精度提高、DNA、蛋白质的分析精度的提高。此外，本发明的光导天线也可以应用于检测太赫兹波的太赫兹波检测装置。
[0184]上述的实施方式以及变形例是一个例子，并不局限于这些实施方式以及变形例。例如，也能够适当地组合各实施方式以及各变形例。
[0185]本发明包含与在实施方式中说明的构成实际相同的构成(例如，功能、方法以及结果相同的构成，或者目的以及效果相同的构成)。另外，本发明包含置换了在实施方式中说明的构成的非本质部分的构成。另外，本发明包含起到与在实施方式中说明的构成相同作用效果的构成或者能够实现相同目的的构成。另外，本发明包含对在实施方式中说明的构成附加已知技术的构成。
[0186]附图标记说明
[0187]3...第I区域，5…第2区域，7…俯视时被突出部夹着的区域，10...第I层，1L...表面，20...第2层，22...开口部，24...凹部，30...第I 电极，30a…电极层，32...第I突出部，33...基部,34…第2电极，36...第2突出部，37...基部,40...滤光器,42...像素,44...检测部，100、11(>..光导天线，112吣覆盖层，200、210、220、230、240、25(>..光导天线，30(>..太赫兹波产生装置，310…光脉冲产生装置，400…成像装置，410…太赫兹波产生部，420…太赫兹波检测部，421…第I区域，422…第2区域，423…第3区域，424…第4区域，430…图像形成部，441…第I单元检测部，442…第2单元检测部，443…第3单元检测部，444…第4单元检测部，500…计测装置，510…计测部，600…拍摄装置，610…存储部，620…壳体，630…透镜，640…窗部。
【权利要求】
1.一种光导天线，其特征在于， 所述光导天线被照射光脉冲而产生太赫兹波，具备: 第I层，其由半绝缘性基板构成； 第2层，其位于所述第I层上，并且由具有比所述半绝缘性基板的载流子迁移率小的载流子迁移率的材料构成；以及 第I电极以及第2电极，其位于所述第2层上，并且对所述第I层施加电压， 所述光导天线具有在所述第I层上形成有所述第2层的第I区域以及在所述第I层上未形成所述第2层的第2区域， 在从所述第I层以及所述第2层的层叠方向俯视时，所述第2区域位于所述第I电极和所述第2电极之间， 所述第2区域被照射所述光脉冲。
2.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于， 在所述俯视时，所述第I电极具有从所述第I电极向所述第2电极一侧突出的第I突出部， 在所述俯视时，所述第2电极具有从所述第2电极向所述第I电极一侧突出的第2突出部， 在所述俯视时被所述第I突出部和所述第2突出部夹着的区域，设置有所述第I区域和所述第2区域。
3.根据权利要求2所述的光导天线，其特征在于， 所述第I电极以及所述第2电极对所述第I层施加直流电压， 所述第I电极是正极， 所述第2电极是负极， 在所述俯视时，所述第2区域和所述第I突出部之间的距离大于所述第2区域和所述第2突出部之间的距离。
4.根据权利要求2所述的光导天线，其特征在于， 所述第I电极以及所述第2电极对所述第I层施加交流电压， 在所述俯视时，所述第2区域和所述第I突出部之间的距离与所述第2区域和所述第2突出部之间的距离相等。
5.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于， 在所述俯视时，所述第I电极具有从所述第I电极向所述第2电极一侧突出的第I突出部， 在所述俯视时，所述第2电极具有从所述第2电极向所述第I电极一侧突出的第2突出部， 所述俯视时被所述第I突出部和所述第2突出部夹着的区域是所述第2区域。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的光导天线，其特征在于， 具备设置于所述第I层的表面的覆盖层。
7.根据权利要求1~6中任意一项所述的光导天线，其特征在于， 在所述第2层的表面形成有凹部， 所述第I电极以及所述第2电极被设置于所述凹部。
8.一种太赫兹波产生装置，其特征在于，具备: 光脉冲产生装置，其产生所述光脉冲；以及 权利要求1~7中任意一项所述的光导天线，所述光导天线被所述光脉冲照射而产生所述太赫兹波。
9.一种拍摄装置，其特征在于，具备: 光脉冲产生装置，其产生所述光脉冲； 权利要求1~7中任意一项所述的光导天线，所述光导天线被所述光脉冲照射而产生所述太赫兹波； 太赫兹波检测部，其检测从所述光导天线射出并透过对象物的所述太赫兹波、或者从所述光导天线射出并被对象物反射了的所述太赫兹波；以及存储部，其 存储所述太赫兹波检测部的检测结果。
10.一种成像装置，其特征在于，具备: 光脉冲产生装置，其产生所述光脉冲； 权利要求1~7中任意一项所述的光导天线，所述光导天线被所述光脉冲照射而产生所述太赫兹波； 太赫兹波检测部，其检测从所述光导天线射出并透过对象物的所述太赫兹波、或者从所述光导天线射出并被对象物反射了的所述太赫兹波；以及 图像形成部，其基于所述太赫兹波检测部的检测结果，来生成所述对象物的图像。
11.一种计测装置，其特征在于，具备: 光脉冲产生装置，其产生所述光脉冲； 权利要求1~7中任意一项所述的光导天线，所述光导天线被所述光脉冲照射而产生所述太赫兹波； 太赫兹波检测部，其检测从所述光导天线射出并透过对象物的所述太赫兹波、或者从所述光导天线射出并被对象物反射了的所述太赫兹波；以及 计测部，其基于所述太赫兹波检测部的检测结果，来计测所述对象物。
【文档编号】H01S1/02GK104009369SQ201410061324
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2014年2月24日 优先权日:2013年2月27日
【发明者】竹中敏 申请人:精工爱普生株式会社