π型高频高精度10瓦21dB衰减片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种π型高频高精度性10瓦21dB衰减片，其包括一氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mm×2.5mm×0.635mm,氮化铝陶瓷基片的背面厚膜印刷有一层厚膜银浆料，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，所述衰减电路采用π型电路原型进行设计。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值,通过优化电路结构设计提高了π型10瓦21dB衰减片的微波性能获得了更小的驻波比以及更好的衰减精度。π型10瓦21dB衰减片，使用频率高、衰减精度高，驻波比小，可达到目前的4G网络的应用要求。
【专利说明】π型高频高精度10瓦21dB衰减片
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种衰减片，特别涉及一种型高频高精度10瓦21dB衰减片。
【背景技术】
[0002]目前集成了多个膜状电阻为一体，通过电阻及线路不同设计的衰减片广泛应用于雷达，卫星通讯，电子对抗等军事工业和移动电话、PCS和商用基站市场领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。
[0003]在国外，特别是欧美国家，对衰减片和负载片研发生产都要比国内起步早很多，无论在产品的丰富性还是产品微波特性上都处于比较优势地位。同时国内市场上现有的衰减片系列少，衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
【发明内容】
[0004]针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻值满足50.8 Ω ±3%，在3G频段以内衰减精度为21 ±0.7dB,驻波要求输入、输出端在1.2以内，能够满足目前4G网络的应用要求的π型高频高精度10瓦21dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。
[0005]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案:
[0006]一种Ji型高频高精度10瓦21dB衰减片，包括一氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mmX2.5mmX0.635mm,氮化铝陶瓷基片的背面厚膜印刷有一层厚膜银浆料，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，所述衰减电路采用π型电路原型进行设计。
[0007]优选的，所述衰减片基片采用低热阻氮化铝陶瓷基片。
[0008]优选的，所述衰减电路采用双层高致密性保护膜技术。
[0009]上述技术方案具有如下有益效果:π型高频高精度10瓦21dB衰减片，低热阻氮化铝陶瓷基片的应用，增加了其散热的速度，从而提高其功率容量，在更小的尺寸获得了更大的功率，实现了元器件小型化的发展目标，同时因为尺寸变小，单位面积基片可以生产更多的衰减片，提高了生产效率。高精度厚膜印刷技术的应用，即使进行9道印刷产品性能的一致性仍然得到了好的保证，双层高致密性保护膜技术的应用，提高了产品微波性能的稳定性。优化的电路结构设计，提闻了裳减精度，减小了驻波比，提闻了广品的各项微波性能，使产品性能指标得到提高，在微波性能提高的同时满足了产品的功率容量要求，改产品的衰减精度达到了 3G以内21±0.7dB,驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于4G网络。
[0010]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1为本发明实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
[0013]如图1所示，该π型高频高精度10瓦21dB衰减片，包括一尺寸为5mmX 2.5mmX 0.635mm的低热阻氮化铝陶瓷基板I，低热阻氮化铝陶瓷基板I的背面印刷有银浆，低热阻氮化铝陶瓷基板I的正面印刷有银浆导线2及膜状电阻Rl、R2、R3，R4、R5，膜状电阻Rl、R2、R3、R4、R5通过银浆导线连接形成衰减电路，衰减电路通过端涂银浆与背部银浆层连接，从而使衰减电路形成通路。该衰减电路沿陶瓷基板的中心线对称，膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5上印刷有绿色保护膜3，银浆导线2及绿色保护膜3的上表面还印刷有高致密性保护膜4，这样可对银浆导线2及膜状电阻Rl、R2、R3、R4、R5形成保护。
[0014]该Ji型高频高精度10瓦21dB衰减片要求输入端和接地的阻值为50.8Ω ±3%，输出端和接地端的阻值为50.8 Ω ±3%。信号从输入端进入衰减片，经过5个黑色膜状电阻Rl、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。
[0015]该π型高频高精度10瓦21dB衰减片，低热阻氮化铝陶瓷基片的应用，增加了其散热的速度，从而提高其功率容量，在更小的尺寸获得了更大的功率，实现了元器件小型化的发展目标，同时因为尺寸变小，单位面积基片可以生产更多的衰减片，提高了生产效率。高精度厚膜印刷技术的应用，即使进行9道印刷产品性能的一致性仍然得到了好的保证，双层高致密性保护膜技术的应用，提高了产品微波性能的稳定性。优化的电路结构设计，提闻了裳减精度，减小了驻波比，提闻了广品的各项微波性能，使广品性能指标得到提高，在微波性能提高的同时满足了产品的功率容量要求，改产品的衰减精度达到了 3G以内21±0.7dB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于4G网络。
[0016]以上对本发明实施例所提供的一种η型闻频闻精度10瓦21dB裳减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种H型高频高精度10瓦21dB衰减片，其特征在于:其包括一氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mmX2.5mmX0.635mm,氮化铝陶瓷基片的背面厚膜印刷有一层厚膜银浆料，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，所述衰减电路采用π型电路原型进行设计。
2.根据权利要求1所述的η型高频高精度10瓦21dB衰减片，其特征在于:所述衰减片基片采用低热阻氮化铝陶瓷基片。
3.根据权利要求1所述的η型高频高精度10瓦21dB衰减片，其特征在于:所述衰减电路采用双层高致密性保护膜技术。
【文档编号】H01P1/22GK104241774SQ201410235156
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年5月29日 优先权日:2014年5月29日
【发明者】不公告发明人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司