低膨胀系数氮化铝10瓦28dB衰减片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种低膨胀系数氮化铝10瓦28dB衰减片，其包括一尺寸为长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的高导热低膨胀系数氮化绍材料基板，氮化铝材料的背面印刷有氮化铝专用银浆，氮化铝材料基板的正面印刷有数个电阻及氮化铝专用银浆导线，银浆导线连接5个电阻形成TT型衰减电路，5个电阻相应位置印刷一层高温烧结玻璃膜。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和表面电阻率来获得需要的衰减值，通过导线的设计，来获得较好的驻波特性。该大功率氮化铝材料基板10W-28dB衰减片热膨胀系数低，使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求，且改善了电路的设计，使得衰减精度达到了3G以内28±ldB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于4G网络。
【专利说明】低膨胀系数氮化铝1〇瓦28dB衰减片
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种氮化铝衰减片，特别涉及一种低膨胀系数氮化铝1〇瓦28dB衰减 片。
【背景技术】
[0002]目前集成了多个膜状电阻为一体，通过电阻及线路不同设计的衰减片广泛应用于 雷达，卫星通讯，电子对抗等军事工业和移动电话、PCS和商用基站市场领域。使用负载片 只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要 的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。
[0003] 在国外，特别是欧美国家，对衰减片和负载片研发生产都要比国内起步早很多，无 论在产品的丰富性还是产品微波特性上都处于比较优势地位。同时国内市场上现有的衰减 片系列少，衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元 件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到 要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
【发明内容】
[0004] 针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻值满足 50Ω ±3%，在3G频段以内衰减精度为28±ldB，驻波要求输入、输出端在1. 15以内，能够 满足目前4G网络的应用要求的低膨胀系数氮化铝1〇瓦28dB衰减片，取代国外同类产品， 并在特性上填补国内产品的空白。
[0005]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案： 一种低膨胀系数氮化铝10瓦28dB衰减片，其特征在于：其包括一尺寸为长5圓、宽 2· 5_、厚度1mm的高导热低膨胀系数氮化铝材料基板，氮化铝材料的背面印刷有氮化铝专 用银浆，氮化铝材料基板的正面印刷有数个电阻及氮化铝专用银浆导线，银浆导线连接5 个电阻形成TT型衰减电路，5个电阻相应位置印刷一层高温烧结玻璃膜。通过改变衰减电 路中阻值的尺寸大小和表面电阻率来获得需要的衰减值，通过导线的设计，来获得较好的 驻波特性。
[0006]优选的，所述衰减片基板采用高导热低膨胀系数氮化铝材料基板。
[0007] 优选的，所述衰减线路采用5个电阻结构的双TT型衰减电路。
[0008]上述技术方案具有如下有益效果：低膨胀系数氮化铝10瓦28dB衰减片采用了低 膨胀系数的氮化铝陶瓷，这样使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合 要求，提高了产品的功率。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻 被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，使得衰减精度达到了 3G以内 28±ldB,驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于4G网络。
[0009]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段， 并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。 本发明的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011] 下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
[0012] 如图1所示，该低膨胀系数氮化铝10瓦28dB衰减片，包括一长5. 0mm、宽2. 5mm、 厚度1. 0mm的氮化铝材料基板1，氮化铝材料基板1的背面印刷有氮化铝专用银浆，氮化铝 材料基板1的正面印刷有氮化铝专用银浆电路2及膜状电阻Rl、R2、R3, R4、R5,膜状电阻 1?1、1?2、1?3、1?4、1?5通过氮化铝专用银浆导线连接形成衰减电路，衰减电路通过端涂银浆与背 导层连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿陶瓷基板的中心线对称，膜状电阻R1、 R2、R3、R4、R5上印刷有高温烧结玻璃膜3,氮化铝专用银浆电路2及高温烧结玻璃膜3的 上表面还印刷有一层树脂保护膜4,这样可对氮化铝专用银浆电路2及膜状电阻R1、R2、R3、 R4、R5形成保护。
[0013] 该低膨胀系数氮化铝10瓦28dB衰减片要求输入端和接地的阻值为50 Ω ± 3 %，输 出端和接地端的阻值为50Ω ±3%。信号从输入端进入衰减片，经过5个黑色膜状电阻R1、 R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。
[0014] 该低膨胀系数氮化铝10瓦28dB衰减片采用了低膨胀系数的氮化铝陶瓷，这样使 得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求，提高了产品的功率。同时避 免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉 的风险，改善了电路的设计，使得衰减精度达到了 3G以内28±ldB,驻波满足市场要求，从 而使得产品可以应用于4G网络。 ^
[0015]以上对本发明实施例所提供的一种低膨胀系数氮化错10瓦28dB衰减片进行了详 细介绍,对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范 围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设 计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1_ 一种低膨胀系数氮化铝10瓦28dB衰减片，其特征在于：其包括一尺寸为长5mm、宽 2· 5_、厚度1mm的闻导热低膨胀系数氮化错材料基板，氮化错材料的背面印刷有氮化招专 用银菜，氮化错材料基板的正面印刷有数个电阻及氮化银专用银衆导线，银菜导线连接 5 个电阻形成TT型哀减电路，5个电阻相应位置印刷一层高温烧结玻璃膜；通过改变衰减电 路中阻值的尺寸大小和表面电阻率来获得需要的衰减值，通过导线的设计，来获得较好的 驻波特性。
2.根据权利要求1所述的低膨胀系数氮化错1〇瓦28dB衰减片，其特征在于：所述衰 减片基板采用高导热低膨胀系数氮化铝材料基板。
3·根据权利要求1所述的低膨胀系数氮化铝10瓦28dB衰减片，其特征在于：所述衰 减线路采用5个电阻结构的双ττ型衰减电路。
【文档编号】H01P1/22GK104218291SQ201410235141
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年5月29日 优先权日:2014年5月29日
【发明者】不公告发明人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司