高频模块的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及具有多个滤波器元件的高频模块。
【背景技术】
[0002]为了只让所需的频率的高频信号通过并使该所需频率以外的高频信号衰减，具有无线通信功能的便携设备等中设有滤波电路。
[0003]例如，专利文献1中记载了具有多个SAW滤波器的滤波电路。具体地说，在专利文献
1的滤波电路的输入端子和输出端子之间串联连接有多个SAW滤波器。在连接被串联连接的各SAW滤波器的连接线和接地之间还分别连接有SAW滤波器。
[0004]为了改善通带以外的衰减特性，专利文献1中所记载的滤波电路将电感或电感与电容的串联电路(称为校正电路)与SAW滤波器的串联电路並列连接。这时调整校正电路，从而使得通过由SAW滤波器组构成的电路部传送的通带以外的高频信号(抑制对象信号)和通过校正电路传送的抑制对象信号的振幅一致而相位相反。基于此，抑制对象信号在由SAW滤波器组构成的电路部和校正电路之间的连接点被抵消，不会从输出端子输出。
现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1:特开2012-109818号公报
【发明内容】
发明要解决的技术问题
[0006]但是，在上述结构中，除了由主要具有滤波器功能的SAW滤波器组构成的电路部以夕卜，还必须仅仅为了改善衰减特性而设置由电感或电感与电容的串联电路构成的校正电路。
[0007]因此，滤波电路的构成元件增多，滤波电路变得大型化，不适合要求小型化的当前的便携终端等。
[0008]本发明旨在提供具有通带以外的衰减特性优异的小型滤波电路的高频模块。 解决技术问题的手段
[0009]本发明涉及包括第一外部连接端子，第二外部连接端子，连接在第一外部连接端子和第二外部连接端子之间的滤波器部，连接在第一外部连接端子或第二外部连接端子中的至少一个与滤波器部之间的匹配元件的高频模块，并具有如下特征。
[0010]滤波器部包括与第一外部连接端子连接的第一端子，与第二外部连接端子连接的第二端子，以及串联连接在第一端子和第二端子之间的多个滤波器元件。将多个滤波器元件中一端的滤波器元件与第一端子相连接的一端的连接部、将多个滤波器元件中另一端的滤波器元件与第二端子相连接的另一端的连接部、以及将相邻的滤波器元件之间相连接的中间的连接部中的至少一个与匹配元件之间被电感性耦合或电容性耦合。
[0011]在这种结构中，除了通过多个滤波器部传送高频信号的主传送路径以外，还形成通过由连接部和匹配元件产生的电感性耦合或电容性耦合的路径的副传送路径。副传送路径由电感性耦合或电容性耦合的耦合度形成与主传送路径不同的振幅特性和相位特性，通过调整副传送路径的振幅特性和相位特性，可以调整高频模块的传输特性。基于此，即使不另外设置电感和电容，也能调整高频模块的传输特性，例如可以改善衰减特性。
[0012]此外，本发明的高频模块优选地具有如下结构。互相电感性耦合或电容性耦合的连接部和匹配元件中，产生电感性耦合或电容性耦合从而使得滤波器部的通带以外的阻抗改变。
[0013]如这种结构所示，通过适当调整耦合形态和耦合度，可以不使带通特性改变而使通过带以外的特性即衰减特性改变。
[0014]此外，本发明的高频模块优选地具有如下结构。互相电感性耦合或电容性耦合的连接部和匹配元件中，产生电感性耦合或电容性耦合从而使得滤波器部的通带以外的衰减极点频率改变。
[0015]作为衰减特性的调整方式，在这种结构中衰减极点频率被调整。
[0016]此外，本发明的高频模块中，匹配元件可以是串联连接在第一外部连接端子和第一端子之间、或者串联连接在第二外部连接端子和第二端子之间的串联连接型匹配元件。
[0017]此外，本发明的高频模块中，匹配元件可以是连接在将第一外部连接端子和第一端子相互连接的连接线与接地之间、或者连接在将第二外部连接端子和第二端子相互连接的连接线与接地之间的并联连接型匹配元件。
[0018]这些结构中，示出了匹配元件的具体连接形态。通过适当地确定这些连接形态，可以在适当地进行滤波器部和外部电路之间的阻抗匹配的同时，适当地进行上述的衰减特性调整。
[0019]此外，本发明的高频模块中连接部优选由线形导体图案来形成。
[0020]在这种结构中，连接部能以简单的构造实现，可以将滤波器部和高频模块形成小型。
[0021]此外，本发明的高频模块中包括第三端子和第二滤波器部，第二滤波器部可以被连接在将第一端子和该第一端子所连接的滤波器元件的连接线与第三端子之间。
[0022]这种结构可以实现将第一端子作为共用端子、且将第二端子和第三端子作为独立端子的合成分波器。
[0023]此外，本发明的高频模块也可以是如下的结构。高频模块包括在其第一主面上形成了构成滤波器部的IDT电极以及连接部的平板状的滤波器基板，与该滤波器基板的第一主面隔开间隔地对置的平板状的覆盖层，具有从第一主面突出且贯通覆盖层的形状的连接电极，以及安装或形成了匹配元件的叠层基板。滤波器基板被配置成使其第一主面侧面朝向叠层基板的安装面。滤波器基板经由连接电极连接到叠层基板。
[0024]在这种结构中，高频模块可以用由WLP(Wafer Level Package:晶片级封装)构成的滤波器部和叠层基板来实现。基于此，可以将高频模块形成为小型。
[0025]此外，本发明的高频模块也可以为如下的结构。匹配元件是安装于叠层基板的安装面的安装型元件。连接部被设置在滤波器基板的第一主面的第一边附近。安装型元件被安装在滤波器基板的第一边附近。
[0026]这种结构表现出在匹配元件为安装型元件时使用WLP的高频模块的具体结构例。通过这种结构，可以确实地实现匹配元件和连接部之间的耦合。
[0027]此外，本发明的高频模块优选地具有如下结构。匹配元件包括长方体形状的壳体和在该壳体内形成的俯视观察时由大致成矩形的周边外形构成的螺旋形导体。匹配元件被配置成使得壳体的长边与滤波器基板的第一边平行。
[0028]这种结构便于获得匹配元件和连接部之间的耦合，也容易调整到所需的耦合量。
[0029]此外，本发明的高频模块也可以是如下的结构。匹配元件由在叠层基板的安装面或内部形成的导体图案来构成，俯视观察时，该导体图案和连接部至少有一部分相重叠。
[0030]这种结构中，示出了匹配元件由叠层基板上形成的导体图案构成时使用WLP的高频模块的具体结构例。这种结构可以确实地实现匹配元件和连接部之间的耦合。此外，由于不是匹配元件作为安装型电路元件安装在叠层基板上的形态，因而，不需要用于安装该匹配元件的平面空间，可以减小高频模块的平面形状。
[0031]此外，本发明的高频模块也可以是如下的结构。高频模块包括在第一主面上形成了构成滤波器部的IDT电极以及连接部的平板状的滤波器基板，设置在该滤波器基板的第一主面侧且安装了该滤波器基板的第一主面侧的平板状的滤波器安装用基板。匹配元件被形成于该滤波器安装用基板。
[0032]这种结构示出了以CSP(Chip Sized Package:芯片尺寸封装)来实现高频模块的情况。
[0033]根据本发明，可以实现包括具有优异的通带以外的衰减特性的小型滤波电路的高频模块。
【附图说明】
[0034]图1是表示根据本发明实施方式的高频模块的第一电路例的电路框图。
图2是表示根据本发明实施方式的高频模块的第二电路例的电路框图。
图3是表示根据本发明实施方式的高频模块的第三电路例的电路框图。
图4是表示根据本发明实施方式的高频模块的第四电路例的电路框图。
图5是表示图1至图4所示的高频模块的匹配元件的具体例的电路图。
图6是表示使匹配元件与连接导体的耦合度改变时高频模块的带通特性变化的曲线图。
图7是由双工器结构构成的高频模块的等效电路图。
图8是表示使匹配元件与连接导体的耦合度改变时高频模块的第二外部连接端子和第三外部连接端子之间的隔离变化的曲线图。
图9是表示高频模块的第一结构的主要结构的立体概念图。
图10是表示高频模块的第一结构的主要结构的俯视概念图。
图11是表示高频模块的第二结构的主要结构的立体概念图。
图12是表示高频模块的第三结构的主要结构的立体概念图。
【具体实施方式】
[0035]参照【附图说明】本发明实施方式的高频模块。图1是表示根据本发明实施方式的高频模块的第一电路例的电路框图。图2是表示根据本发明实施方式的高频模块的第二电路例的电路框图。图3是表示根据本发明实施方式的高频模块的第三电路例的电路框图。图4是表示根据本发明实施方式的高频模块的第四电路例的电路框图。图5(A)、图5(B)、图5(C)、图5(D)是表示第一外部连接端子侧的匹配元件的具体例的电路图。图5(E)、图5(F)、图5(G)、图5(H)是表示第二外部连接端子侧的匹配元件的具体例的电路图。
[0036]首先，对于图1至图4分别示出的高频模块11、12、13、14共同的电路结构进行说明。
[0037]高频模块丨丨、12、13、14包括第一外部连接端子P1、第二外部连接端子P2和滤波器部20。滤波器部20连接在第一外部连接端子P1和第二外部连接端子P2之间。
[0038]滤波器部20包括第一端子P21和第二端子P22。第一端子P21经由后述的串联连接型匹配元件或并联连接型匹配元件连接到第一外部连接端子P1。第二端子P22经由后述的串联连接型匹配元件或并联连接型匹配元件连接到第二外