技术总结
本发明公开了一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、LiF层、钝化层1、有机绝缘层PTFE、钝化层2和漏极，所述漏极与PTFE间设有钝化层2，所述PTFE与AlGaN掺杂层上设有ITO栅电极，所述ITO栅电极与源极间设有钝化层1，所述钝化层1与源极间设有LiF层，所述源极和LiF层上设有Al金属层。本发明使用PTFE和ITO所形成的偶极子层，降低了该区域场的2DEG的浓度，改变了栅漏区域的电场分布，提高了器件的击穿电压。
技术研发人员：冯倩;董良;代波;杜锴;郑雪峰;杜鸣;张春福;马晓华;郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201410312108
技术研发日：2014.07.02
技术公布日：2017.01.25