一种提高颜色纯度的oled结构及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种提高颜色纯度的OLED结构，包括基板；金属阳极层，制备于基板上；有机发光层，制备于金属阳极层上，有机发光层中分别设置有第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件；阴极层，制备于有机发光层上；彩色反射层，制备于金属阳极层与有机发光层之间，彩色反射层包括第一颜色反光器件、第二颜色反光器件以及第三颜色反光器件，且第一颜色反光器件、第二颜色反光器件以及第三颜色反光器件分别设置于对应第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件的位置；以及透明阳极层，制备于金属阳极层与有机发光层之间并包覆彩色反射层。本发明通过三种色彩的反光器件，吸收色彩不纯的光色，从而提高OLED阳极的反射效率，提高OLED的颜色纯度。
【专利说明】一种提高颜色纯度的OLED结构及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明关于一种OLED结构，尤其是指一种提高颜色纯度的OLED结构及其制备方法。
【背景技术】
[0002]随着有机材料和制备工艺技术的发展，近些年基于OLED技术的产品在市场上逐渐显现。由于OLED具备节能、环保、并可大面积制备，以及与柔性衬底很好的兼容等特点，业界预测AMOLED显示技术将会是下一代平板显示的主流技术，也会是柔性显示和柔性照明的必然选择。OLED显示或者照明产品的优劣主要取决于OLED器件的性能的好坏。
[0003]传统技术中，针对顶发光OLED技术，主要是采用溅射工艺沉积反射率较高的金属材料作为金属阳极，比如Ag，Al等材料，但是这些材料有一个很大的缺陷，在不同的波长条件下反射率是不同的，一般在红光波段下反射率最高，绿光波段次之，蓝光波段下反射率最低。
[0004]如图1所示，传统的OLED结构，包括基板90、制备于基板90上的阳极91、制备于阳极91上的有机层92以及制备于有机层92上的阴极93。其中R、G、B三种色彩的发光器件采用同一种金属阳极材料，并且由于顶发光OLED会有微腔效应的存在，那么R、G、B三种色彩的发光器件的微腔强度就会存在差异。所以这就会使得顶发光OLED的发光效率受到反射率的影响而存在差异，进而影响OLED的颜色纯度。
[0005]所以如何改善并提高OLED阳极的反射效率，进而提高OLED的颜色纯度，是本领域的一个重要课题。
【发明内容】
[0006]有鉴于上述问题，本发明提供了一种提高颜色纯度的OLED结构，包括:
[0007]基板；
[0008]金属阳极层，制备于所述基板上；
[0009]有机发光层，制备于所述金属阳极层上，所述有机发光层中分别设置有第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件；
[0010]阴极层，制备于所述有机发光层上；
[0011]彩色反射层，制备于所述金属阳极层与所述有机发光层之间，所述彩色反射层包括第一颜色反光器件、第二颜色反光器件以及第三颜色反光器件，且所述第一颜色反光器件、第二颜色反光器件以及第三颜色反光器件分别设置于对应所述第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件的位置。其中，第一颜色、第二颜色、第三颜色分别对应R色、G色、B色；以及
[0012]透明阳极层，制备于所述金属阳极层与所述有机发光层之间并包覆所述彩色反射层。
[0013]本发明提高颜色纯度的OLED结构的进一步改进在于，所述有机发光层制备于所述金属阳极层上并接触于所述透明阳极层。
[0014]本发明提高颜色纯度的OLED结构的进一步改进在于，所述彩色反射层的材料为导电聚合物材料、绝缘聚合物材料或导电金属合金材料。
[0015]本发明提高颜色纯度的OLED结构的进一步改进在于，所述彩色反射层的厚度为100nm-200nmo
[0016]本发明提高颜色纯度的OLED结构的进一步改进在于，所述透明阳极层的材料为ITOo
[0017]本发明提高颜色纯度的OLED结构的进一步改进在于，所述透明阳极层的厚度为10nm_50nmo
[0018]本发明还提供了一种OLED结构的制备方法，包括以下步骤:
[0019]提供基板；
[0020]在所述基板上沉积金属阳极层，并对所述金属阳极层图形化；
[0021]在所述金属阳极层上沉积彩色反射层并对所述彩色反射层图形化，所述彩色反射层包括第一颜色反光器件、第二颜色反光器件以及第三颜色反光器件；
[0022]在所述彩色反射层上沉积透明阳极层使所述透明阳极层包覆所述彩色反射层，并对所述透明阳极层图形化；
[0023]在所述透明阳极层上制备有机发光层，并在所述有机发光层中分别制作第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件，且所述第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件分别设置于对应所述第一颜色反光器件、第二颜色反光器件以及第三颜色反光器件的位置；
[0024]在所述有机发光层上制备阴极层。
[0025]本发明OLED结构的制备方法的进一步改进在于，所述金属阳极层的材料为Au、Ag、Cu、Fe、Al、Mo、W、Ti中的一种或多种的合金或叠层。
[0026]本发明OLED结构的制备方法的进一步改进在于，所述彩色反射层的材料为导电聚合物材料、绝缘聚合物材料或导电金属合金材料。
[0027]本发明OLED结构的制备方法的进一步改进在于，所述透明阳极层的材料为ΙΤ0。
[0028]本发明通过在金属阳极层上制备一层彩色反射层，彩色反射层对应R、G、B三种色彩的发光器件分别设置R、G、B三种色彩的反光器件。以红光为例，从光学原理来说红色材料只会反射红光，并且会吸收其余波段的光。由于顶发光OLED存在微腔效应，在光来回震荡的过程中，色彩不纯的光色会被彩色反射层中的R色反光器件吸收，只反射红光，从而提高了 OLED阳极的反射效率。蓝光和绿光同样如此，如此OLED阳极对RGB三色的反射率都可达到最高化，从而提高了 OLED的颜色纯度，得到较高纯度的OLED器件。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1是现有的OLED结构的示意图。
[0030]图2是本发明的提高颜色纯度的OLED结构的示意图。
[0031]图3是本发明的提高颜色纯度的OLED结构显示出彩色反射层内部后的示意图。【具体实施方式】
[0032]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0033]配合参看图2所示，本发明提供的提高颜色纯度的OLED结构，包括:
[0034]基板10 ；
[0035]金属阳极层20，制备于所述基板10上；
[0036]有机发光层50，制备于所述金属阳极层20上，所述有机发光层50中分别设置有第一颜色(R色)发光器件、第二颜色(G色)发光器件以及第三颜色(B色)发光器件；
[0037]彩色反射层30，制备于所述金属阳极层20与所述有机发光层50之间，结合图3所示，所述彩色反射层30包括第一颜色(R色)反光器件301、第二颜色(G色)反光器件302以及第三颜色(B色)反光器件303，且所述第一颜色(R色)反光器件301、第二颜色(G色)反光器件302以及第三颜色(B色)反光器件303分别设置于对应所述第一颜色(R色)发光器件、第二颜色(G色)发光器件以及第三颜色(B色)发光器件的位置；
[0038]透明阳极层40，制备于所述金属阳极层20与所述有机发光层50之间并包覆于所述彩色反射层30上；
[0039]阴极层60,制备于所述有机发光层50上。
[0040]本发明的OLED结构的制备方法步骤如下:
[0041]1、提供基板；
[0042]2、在基板上采用磁控溅射或者真空热蒸镀工艺沉积金属阳极层，金属阳极材料可以是Au、Ag、Cu、Fe、Al、Mo、W、Ti中的一种或多种的合金或叠层。金属阳极层的厚度优选在1nm?200nm之间；
[0043]3、采用光刻工艺对金属阳极层图形化；
[0044]4、在金属阳极层上沉积彩色反射层，所述彩色反射层包括第一颜色反光器件、第二颜色反光器件以及第三颜色反光器件。彩色反射层的材料可以是导电聚合物材料或是绝缘聚合物材料或是导电金属合金材料，可采用涂布工艺或印刷工艺或溅射工艺或化学气相沉积工艺制备，彩色反射层的厚度优选在10nm?200nm之间。其中，若彩色反射层为绝缘材料，则必须要求彩色反射层的面积小于金属阳极的面积；若彩色反射层为导电材料，则彩色反射层与金属阳极面积一致或不一致都可以；
[0045]5、采用光刻工艺对彩色反射层图形化；
[0046]6、采用磁控溅射工艺在彩色反射层上沉积ITO作为透明阳极层，透明阳极层包覆所述彩色反射层，透明阳极层的厚度要求在1nm?50nm之间；
[0047]7、采用光刻工艺对透明阳极层图形化；
[0048]8、在透明阳极层上制备有机发光层，所述有机发光层中分别设置有第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件，且所述第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件分别设置于对应所述第一颜色反光器件、第二颜色反光器件以及第三颜色反光器件的位置；
[0049]9、在有机发光层上制备阴极层。
[0050]本发明在金属阳极层上制备一层彩色反射层，彩色反射层对应R、G、B三种色彩的发光器件分别设置R、G、B三种色彩的反光器件。以红光为例，从光学原理来说红色材料只会反射红光，并且会吸收其余波段的光。由于顶发光OLED存在微腔效应，在光来回震荡的过程中，色彩不纯的光色会被彩色反射层中的R色反光器件吸收，只反射红光，从而提高了OLED阳极的反射效率。蓝光和绿光同样如此，如此OLED阳极对RGB三色的反射率都可达到最高化，从而提高了 OLED的颜色纯度，得到较高纯度的OLED器件。
[0051]以上所述仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种提高颜色纯度的OLED结构，包括: 基板； 金属阳极层，制备于所述基板上； 有机发光层，制备于所述金属阳极层上，所述有机发光层中分别设置有第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件； 阴极层，制备于所述有机发光层上； 其特征在于所述OLED结构进一步包括: 彩色反射层，制备于所述金属阳极层与所述有机发光层之间，所述彩色反射层包括第一颜色反光器件、第二颜色反光器件以及第三颜色反光器件，且所述第一颜色反光器件、第二颜色反光器件以及第三颜色反光器件分别设置于对应所述第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件的位置；以及 透明阳极层，制备于所述金属阳极层与所述有机发光层之间并包覆所述彩色反射层。
2.如权利要求1所述的提高颜色纯度的OLED结构，其特征在于所述有机发光层制备于所述金属阳极层上并接触于所述透明阳极层。
3.如权利要求1所述的提高颜色纯度的OLED结构，其特征在于所述彩色反射层的材料为导电聚合物材料、绝缘聚合物材料或导电金属合金材料。
4.如权利要求3所述的提高颜色纯度的OLED结构，其特征在于所述彩色反射层的厚度为 100nm-200nm。
5.如权利要求1至4中任一项所述的提高颜色纯度的OLED结构，其特征在于所述透明阳极层的材料为ΙΤ0。
6.如权利要求5所述的提高颜色纯度的OLED结构，其特征在于所述透明阳极层的厚度为 10nm_50nmo
7.—种OLED结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤: 提供基板； 在所述基板上沉积金属阳极层，并对所述金属阳极层图形化； 在所述金属阳极层上沉积彩色反射层并对所述彩色反射层图形化，所述彩色反射层包括第一颜色反光器件、第二颜色反光器件以及第三颜色反光器件； 在所述彩色反射层上沉积透明阳极层使所述透明阳极层包覆所述彩色反射层，并对所述透明阳极层图形化； 在所述透明阳极层上制备有机发光层，并在所述有机发光层中分别制作第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件，且所述第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件分别设置于对应所述第一颜色反光器件、第二颜色反光器件以及第三颜色反光器件的位置； 在所述有机发光层上制备阴极层。
8.如权利要求7所述的OLED结构的制备方法，其特征在于所述金属阳极层的材料为Au、Ag、Cu、Fe、Al、Mo、W、Ti中的一种或多种的合金或叠层。
9.如权利要求7所述的OLED结构的制备方法，其特征在于所述彩色反射层的材料为导电聚合物材料、绝缘聚合物材料或导电金属合金材料。
10.如权利要求7所述的OLED结构的制备方法，其特征在于所述透明阳极层的材料为
ITOo
【文档编号】H01L51/50GK104167495SQ201410377191
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年8月1日 优先权日:2014年8月1日
【发明者】洪飞 申请人:上海和辉光电有限公司