芯片发光面积利用率高的交流高压的发光芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供芯片发光面积利用率高的交流高压的发光芯片，包括：绝缘衬底、至少一个单元芯片组、焊盘；单元芯片组包括第一发光整流单元芯片、第二发光整流单元芯片、第三发光整流单元芯片、第四发光整流单元芯片、至少一个公共发光单元芯片；公共发光单元芯片包括第一组电极和第二组电极；焊盘包括第一焊盘和第二焊盘；第一发光整流单元芯片、公共发光单元芯片的第一组电极、第二发光整流单元芯片形成第一串串联连接发光单元；第四发光整流单元芯片、公共发光单元芯片的第二组电极、第三发光整流单元芯片形成第二串串联连接发光单元；第一串和第二串串联连接发光单元反向并联，与第一和第二焊盘形成电连接，使得公共发光单元芯片在交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率。
【专利说明】芯片发光面积利用率高的交流高压的发光芯片
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及应用于LED和OLED照明的芯片发光面积利用率高的、低频闪的交流高压的发光芯片。
【背景技术】
[0002]降低LED和OLED照明灯具成本的方法之一是采用交流电流驱动的交流芯片，方案之一是反向并联方案(美国专利:8053791，美国专利:13/890878，韩国专利:1020090011325，美国专利:7586129,美国专利:8062916,韩国专利:1020080030045,等)，该方案采用把两串串联的直流电流驱动的单元芯片反向并联，形成一个交流芯片。其不足之处在于，(I)芯片发光面积利用率只有50%，在交流电的正半周和负半周，分别只有一串单元芯片发光，另一串单元芯片不发光；(2)存在频闪；(3)发光效率较低。
[0003]需要一种芯片发光面积利用率较高、能减轻频闪的、发光效率较高的采用交流电流驱动的高压发光芯片。
实用新型内容
[0004]本实用新型的首要目的是提供一种芯片发光面积利用率较高的发光芯片。
[0005]第二个目的是提供一种能减轻频闪的交流高压发光芯片。
[0006]在达到上述两个目的的同时，得到发光效率较高的发光芯片。
[0007]本实用新型提供一种把芯片发光面积利用率提高到60+%的交流电流驱动的高压发光芯片:芯片发光面积利用率的极限可以达到66.7%，比传统的50%的芯片发光面积的利用率提高了 33.3%。
[0008]本实用新型进一步提供一种在保持发光面积利用率60+%的同时，减轻频闪的交流高压发光芯片。
[0009]发光芯片的一个实施实例，包括:
[0010]绝缘衬底；
[0011]一个单元芯片组；一对焊盘；
[0012]单元芯片组包括第一发光整流单元芯片；第二发光整流单元芯片；第三发光整流单元芯片；第四发光整流单元芯片；一个公共发光单元芯片；
[0013]公共发光单元芯片分别包括第一组电极和第二组电极；
[0014]一对焊盘包括第一焊盘和第二焊盘；
[0015]第一发光整流单元芯片、第二发光整流单元芯片、第三发光整流单元芯片、第四发光整流单元芯片和公共发光单元芯片形成在绝缘衬底上，并且彼此分开；
[0016]第一发光整流单元芯片、公共发光单元芯片的第一组电极、第二发光整流单元芯片形成第一串串联连接发光单元；
[0017]第四发光整流单元芯片、公共发光单元芯片的第二组电极、第三发光整流单元芯片形成第二串串联连接发光单元；
[0018]其中，第一串串联连接发光单元和第二串串联连接发光单元反向并联，与第一焊盘和第二焊盘形成电连接，使得发光芯片可以直接被交流电流驱动，使得公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。
[0019]一个实施实例:发光芯片包括LED发光芯片和OLED发光芯片。
[0020]一个实施实例:包括:
[0021]绝缘衬底；
[0022]N个单元芯片组，N彡2 ;与N个单元芯片组相对应的N对焊盘；
[0023]N个单元芯片组中的第M单元芯片组包括:第Ml发光整流单元芯片，第M2发光整流单元芯片，第M3发光整流单元芯片，第M4发光整流单元芯片，第M公共发光单元芯片，其中，N彡M彡2。
[0024]N个单元芯片组中的N个第M公共发光单元芯片分别包括第一组电极和第二组电极；
[0025]与第M个单元芯片组相对应的第M对焊盘包括第Ml焊盘和第M2焊盘；
[0026]第M个单元芯片组的第Ml发光整流单元芯片、第M2发光整流单元芯片、第M3发光整流单元芯片、第M4发光整流单元芯片和第M公共发光单元芯片形成在所述绝缘衬底上，并且彼此分开；
[0027]第Ml发光整流单元芯片、第M公共发光单元芯片的第一组电极、第M2发光整流单元芯片形成第M-1串串联连接发光单元；
[0028]第M4发光整流单元芯片、第M公共发光单元芯片的第二组电极、第M3发光整流单元芯片形成第M-2串串联连接发光单元；
[0029]其中，第M-1串串联连接发光单元和第M-2串串联连接发光单元反向并联，与相对应的第Ml焊盘和第M2焊盘形成电连接，使得第M单元芯片组可以直接被从第M对焊盘输入的交流电流驱动，使得第M公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。
[0030]一个实施实例:从一对焊盘输入的交流电流的相位与从另一对焊盘输入的交流电流的相位有一个预定角度不同，使得从一个单元芯片组发出的光与从另一个单元芯片组发出的光互相叠加，降低频闪。
[0031]—个实施实例:一种发光芯片,包括:
[0032]绝缘衬底；
[0033]一个单元芯片组；一对焊盘；
[0034]单元芯片组包括第一发光整流单元芯片；第二发光整流单元芯片；第三发光整流单元芯片；第四发光整流单元芯片；x个公共发光单元芯片，X彡2:
[0035]每个公共发光单元芯片分别包括第一组电极和第二组电极；
[0036]任意两个公共发光单元芯片之间有第一中间发光整流单元芯片和第二中间发光整流单元芯片，共有(X-1)个第一中间发光整流单元芯片，共有(X-1)个第二中间发光整流单兀芯片；
[0037]第一中间发光整流单元芯片与相邻的两个公共发光单元芯片的第一组电极串联，第二中间发光整流单元芯片与相邻的两个公共发光单元芯片的第二组电极串联；
[0038]一对焊盘包括第一焊盘和第二焊盘；
[0039]第一发光整流单元芯片、第二发光整流单元芯片、第三发光整流单元芯片、第四发光整流单元芯片、X个公共发光单元芯片、(X-1)个第一中间发光整流单元芯片、(X-1)个第二中间发光整流单元芯片形成在绝缘衬底上，并且彼此分开；
[0040]第一发光整流单元芯片、每一个公共发光单元芯片的第一组电极、(X-1)个第一中间发光整流单元芯片、第二发光整流单元芯片形成第一串串联连接发光单元；
[0041]第四发光整流单元芯片、每一个公共发光单元芯片的第二组电极、(X-1)个第二中间发光整流单元芯片、第三发光整流单元芯片形成第二串串联连接发光单元；
[0042]其中，第一串串联连接发光单元和第二串串联连接发光单元反向并联，与第一焊盘和第二焊盘形成电连接，使得发光芯片可以直接被交流电流驱动，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。
[0043]一个实施实例:发光芯片，包括:
[0044]绝缘衬底；
[0045]P个单元芯片组，P彡2 ;与P个单元芯片组相对应的P对焊盘；
[0046]P个单元芯片组中的第Q个单元芯片组包括:第Ql发光整流单元芯片；第02发光整流单元芯片；第Q3发光整流单元芯片；第Q4发光整流单元芯片；其中，P彡Q彡2 ;
[0047]P个单元芯片组的每一个单元芯片组分别包括X个公共发光单元芯片，X彡2:
[0048]每一个公共发光单元芯片分别包括第一组电极和第二组电极；
[0049]P个单元芯片组中的每一组单元芯片中的任意两个公共发光单元芯片之间有第一中间发光整流单元芯片和第二中间发光整流单元芯片，共有(X-1)个第一中间发光整流单元芯片，共有(X-1)个第二中间发光整流单元芯片；第一中间发光整流单元芯片与相邻的两个公共发光单元芯片的第一组电极串联，第二中间发光整流单元芯片与相邻的两个公共发光单元芯片的第二组电极串联；
[0050]与第Q个单元芯片组相对应的第Q对焊盘包括第Ql焊盘和第Q2焊盘；
[0051]P组单元芯片的全部发光整流单元芯片、全部公共发光单元芯片、全部第一中间发光整流单元芯片、全部第二中间发光整流单元芯片形成在绝缘衬底上，并且彼此分开；
[0052]P个单元芯片组中的第Q个单元芯片组的第Ql发光整流单元芯片、X个公共发光单元芯片的第一组电极、(X-1)个第一中间发光整流单元芯片、第Q2发光整流单元芯片形成第Q-1串串联连接发光单元。
[0053]P个单元芯片组中的第Q个单元芯片组的第Q4发光整流单元芯片、X个公共发光单元芯片的第二组电极、(X-1)个第二中间发光整流单元芯片、第Q3发光整流单元芯片形成第Q-2串串联连接发光单元；
[0054]其中，第Q-1串串联连接发光单元和第Q-2串串联连接发光单元反向并联，与相对应的第Ql焊盘和第Q2焊盘形成电连接，使得第Q单元芯片组可以直接被从第Q对焊盘输入的交流电流驱动，使得第Q单元芯片组的X个公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。
[0055]一个实施实例:从一对焊盘输入的交流电流的相位与从另一对焊盘输入的交流电流的相位有一个预定角度不同，使得从一个单元芯片组发出的光与从另一个单元芯片组发出的光互相叠加，降低频闪。
[0056]任意两个输入的交流电流的相位差的角度是从一组角度中选出，包括:90°，80。,72° ,60° ,48° ,45° ,40° ,36° ,30° ,24° ,22.5° ,20° , 18° , 16° , 15° , 12°，
10。 ，9。，8。 ，6。 ，5。 ，4。 ，3。 ，2。 ，1。。
[0057]注:本实用新型的发光芯片包括LED单元芯片和OLED单元芯片。
【专利附图】
【附图说明】
[0058]图la、图lb、图1c分别展示传统的反向并联交流半导体芯片的等效电路图。
[0059]图2a、图2b、图2c分别展示本实用新型的发光芯片的实施实例的等效电路图和示意图。
[0060]图3a展示传统的反向并联交流半导体芯片的等效电路图。
[0061]图3b和图3c分别展示本实用新型的发光芯片的实施实例的等效电路图和示意图。
[0062]图4展示本实用新型的发光芯片的实施实例的示意图。
[0063]图5展示本实用新型的发光芯片的实施实例的示意图。
[0064]图中的数字符号代表的含义如下:
[0065]100表示本实用新型的发光芯片，
[0066]1aUOb分别表示一对外界交流电流输入端的第一焊盘和第二焊盘，
[0067]20a、20b分别表示另一对外界交流电流输入端的第一焊盘和第二焊盘，
[0068]11、12、13、14、15分别表示发光芯片的一串串联连接的发光单元，
[0069]IlaUlb分别表示一个发光整流单元芯片的整流部分和发光部分，
[0070]21、22、23、24、25分别表示的发光芯片的一串串联连接的发光单元，
[0071]21a、21b分别表示一个发光整流单元芯片的整流部分和发光部分，
[0072]50、60a、60b、70a、70b、80、90分别表示公共发光单元芯片，
[0073]101、102、103、104分别表示一个单元芯片组的第一发光整流单元芯片、第二发光整流单元芯片、第三发光整流单元芯片、第四发光整流单元芯片，
[0074]101a、102a、103a、104a分别表示一个单元芯片组的第一发光整流单元芯片、第二发光整流单元芯片、第三发光整流单元芯片、第四发光整流单元芯片，
[0075]101b、102b、103b、104b分别表示一个单元芯片组的第一发光整流单元芯片、第二发光整流单元芯片、第三发光整流单元芯片、第四发光整流单元芯片，
[0076]112、122分别表示一个单元芯片组的第一和第二中间发光整流单元芯片，
[0077]112a、122a分别表示一个单元芯片组的第一和第二中间发光整流单元芯片，
[0078]112b、122b分别表示一个单元芯片组的第一和第二中间发光整流单元芯片，
[0079]501和502分别表不公共发光单兀芯片50的第一组电极的第一和第二电极，
[0080]511和512分别表不公共发光单兀芯片50的第二组电极的第一和第二电极，
[0081]601和602分别表不公共发光单兀芯片60的第一组电极的第一和第二电极，
[0082]611和612分别表示公共发光单元芯片60的第二组电极的第一和第二电极，
[0083]601a和602a分别表不公共发光单兀芯片60a的第一组电极的第一和第二电极，
[0084]701和702分别表不公共发光单兀芯片70的第一组电极的第一和第二电极，
[0085]711和712分别表示公共发光单元芯片70的第二组电极的第一和第二电极，
[0086]701a和702a分别表不公共发光单兀芯片70a的第一组电极的第一和第二电极，
[0087]801和802分别表不公共发光单兀芯片80的第一组电极的第一和第二电极，
[0088]811和812分别表示公共发光单元芯片80的第二组电极的第一和第二电极，
[0089]901和902分别表不公共发光单兀芯片90的第一组电极的第一和第二电极，
[0090]911和912分别表示公共发光单元芯片90的第二组电极的第一和第二电极，
【具体实施方式】
[0091]为使本实用新型的实施实例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型的实施实例中的附图，对本实用新型的实施实例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施实例是本实用新型的一部分实施实例，而不是全部的实施实例。基于本实用新型中的实施实例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施实例，都属于本实用新型保护的范围。
[0092]图la、图lb、图1c分别展示传统的反向并联交流半导体芯片的等效电路的示意图。第一串串联的直流单元芯片11、12、13和第二串串联的直流单元芯片21、22、23反向并联，与交流电流输入端的第一焊盘1a和第二焊盘1b连接。把每个直流单元芯片按照功能分解为两部分，一部分起到整流的作用(如Ila和21a所示)，另一部分起到发光的作用(如Ilb和21b所示)。每个直流单元芯片只有一半时间有电流流过。因此，芯片发光面积的利用率只有50%，发光效率低。
[0093]图2a、图2b、图2c分别展示本实用新型的发光芯片的一个实施实例的等效电路图和示意图。为了提高芯片发光面积利用率，提高发光效率，本实用新型提供一种新的发光芯片100，S卩，把图1a中的第一串串联的直流单元芯片中的一个单元芯片12和第二串串联的直流单元芯片中的一个单元芯片22合并成一个具有两组电极的公共发光单元芯片50，使得公共发光单元芯50不再具有整流功能，但是，公共发光单元芯片50在交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积的利用率，提高发光效率。
[0094]图2b展示:发光芯片100包括:绝缘衬底(未在图中标示)、一个单元芯片组和一对焊盘。单元芯片组包括:第一发光整流单元芯片101、第二发光整流单元芯片102、第三发光整流单元芯片103、第四发光整流单元芯片104、公共发光单元芯50。一对焊盘包括:第一焊盘1a和第二焊盘10b。第一发光整流单元芯片101、第二发光整流单元芯片102、第三发光整流单元芯片103、第四发光整流单元芯片104、公共发光单元芯50、第一焊盘1a和第二焊盘10b，形成在绝缘衬底上，彼此分开。
[0095]串联第一发光整流单元芯片101、公共发光单元芯50的第一组电极501和502、第二发光整流单元芯片102形成第一串串联连接的发光单元。串联第四发光整流单元芯片104、公共发光单元芯50的第二组电极511和512、第三发光整流单元芯片103形成第二串串联连接的发光单元。
[0096]第一串串联连接的发光单元和第二串串联连接的发光单元反向并联，与第一焊盘1a和第二焊盘1b电连接。
[0097]交流电流的正半周从第一焊盘1a输入，流经第一串串联连接的发光单元，从第二焊盘1b输出。
[0098]交流电流的负半周从第二焊盘1b输入，流经第二串串联连接的发光单元，从第一焊盘1a输出。
[0099]在交流电流的正半周和负半周，公共发光单元芯50都发光，因此，提高了芯片发光面积的利用率，提高发光效率。
[0100]一个实施实例:设置第一发光整流单元芯片101、第二发光整流单元芯片102、第三发光整流单元芯片103、第四发光整流单元芯片104、公共发光单元芯50的面积相同，芯片发光面积的利用率达到60%，比传统的50%的芯片发光面积的利用率提高了 20%。
[0101]第一焊盘1a和第二焊盘1b可以形成在绝缘衬底上，如图2b所示。或者第一焊盘1a形成在第一发光整流单元芯片101和第三发光整流单元芯片103上；第二焊盘1b形成在第二发光整流单元芯片102和第四发光整流单元芯片104上，如图2c所示。
[0102]图3a展示传统的反向并联交流半导体芯片的等效电路图。图3b和图3c分别展示本实用新型的发光芯片的实施实例的等效电路图和示意图。
[0103]传统的交流芯片的结构之一如图3a所示:第一串串联连接的发光整流单元11、12、13、14、15和第二串串联连接的发光整流单元21、22、23、24、25反向并联，与交流电流输入端的第一焊盘和第二焊盘1a和1b连接。因此，每个发光整流单元只有一半时间有电流流过。因此，芯片发光面积的利用率只有50%。
[0104]为了提高芯片发光面积的利用率，把第一串串联的发光整流单元中的一个单元芯片12和第二串串联的发光整流单元中的一个单元芯片22合并成一个具有两组电极的公共发光单元芯片60;把第一串串联的发光整流单元中的一个单元芯片14和第二串串联的发光整流单元中的一个单元芯片24合并成一个具有两组电极的公共发光单元芯片70，如图3b所示。使得公共发光单元芯片60和70不再具有整流功能，但是，公共发光单元芯片60和70在交流电流的正半周和负半周都发光，因此，提高芯片发光面积的利用率，提高发光效率。
[0105]图3c展示:发光芯片100包括:绝缘衬底(未在图中标示)、一个单元芯片组和一对焊盘。单元芯片组包括:第一发光整流单元芯片101、第二发光整流单元芯片102、第三发光整流单元芯片103、第四发光整流单元芯片104、公共发光单元芯60、公共发光单元芯70、第一中间发光整流单元芯片112、第二中间发光整流单元芯片122、第一焊盘1a和第二焊盘 1b0
[0106]第一发光整流单元芯片101、第二发光整流单元芯片102、第三发光整流单元芯片103、第四发光整流单元芯片104、公共发光单元芯60、公共发光单元芯70、第一中间发光整流单元芯片112、第二中间发光整流单元芯片122、第一焊盘1a和第二焊盘10b，形成在绝缘衬底上，彼此分开。
[0107]串联第一发光整流单元芯片101、公共发光单元芯60的第一组电极601和602、第一中间发光整流单元芯片112、公共发光单元芯70的第一组电极701和702、第二发光整流单元芯片102形成第一串串联连接的发光单元。
[0108]串联第四发光整流单元芯片104、公共发光单元芯70的第二组电极711和712、第二中间发光整流单元芯片122、公共发光单元芯60的第二组电极611和612、第三发光整流单元芯片103形成第二串串联连接的发光单元。
[0109]第一串串联连接的发光单元和第二串串联连接的发光单元反向并联，与第一焊盘1a和第二焊盘1b电连接。
[0110]交流电流的正半周从第一焊盘1a输入，流经第一串串联连接的发光单元，从第二焊盘1b输出。
[0111]交流电流的负半周从第二焊盘1b输入，流经第二串串联连接的发光单元，从第一焊盘1a输出。
[0112]在交流电流的正半周和负半周，公共发光单元芯60和公共发光单元芯70都发光，因此，提闻了芯片发光面积的利用率，提闻发光效率。
[0113]一个实施实例:设置第一发光整流单元芯片101、第二发光整流单元芯片102、第三发光整流单元芯片103、第四发光整流单元芯片104、公共发光单元芯60、公共发光单元芯70、第一发光整流单元芯片101、第二中间发光整流单元芯片122的面积相同，芯片发光面积的利用率达到62.5%，比传统的50%的芯片发光面积的利用率提高了 25%。
[0114]注:一个发光芯片可以包括X个公共发光单元芯片，X彡2。每个公共发光单元芯片具有两组电极；任意两个公共发光单元芯片之间，设置两个中间发光整流单元芯片，使得第一中间发光整流单元芯片与相邻的两个公共发光单元芯片的第一组电极串联，第二中间发光整流单元芯片与相邻的两个公共发光单元芯片的第二组电极串联。有(X-1)个第一中间发光整流单元芯片，有(X-1)个第二中间发光整流单元芯片。
[0115]图4展示本实用新型的发光芯片的实施实例的示意图。图4展示的实施实例与图2c展示的实施实例相类似。不同之处在于:图2c展示的实施实例包括一个单元芯片组和一对焊盘，而图4展示的实施实例包括两个单元芯片组和两对焊盘，因此，可以同时输入两个交流电流。设置两个交流电流的相位，使得两个单元芯片组发出的光互相叠加，减轻频闪。
[0116]发光芯片100包括:绝缘衬底(未在图中展示)，第一单元芯片组，第二单元芯片组，第一对焊盘，第二对焊盘。
[0117]第一单元芯片组包括:第一发光整流单元芯片101a，第二发光整流单元芯片102a，第三发光整流单元芯片103a，第四发光整流单元芯片104a，一个公共发光单元芯片80。
[0118]串联第一发光整流单元芯片101a、公共发光单元芯片80的第一组电极801和802、第二发光整流单元芯片102a形成第一串串联连接的发光单元。
[0119]串联第四发光整流单元芯片104a、公共发光单元芯片80的第二组电极811和812、第三发光整流单元芯片103a形成第二串串联连接的发光单元。
[0120]第一对焊盘包括:第一焊盘1a,第二焊盘10b。
[0121]第二个单元芯片组包括:第一发光整流单元芯片101b，第二发光整流单元芯片102b，第三发光整流单元芯片103b，第四发光整流单元芯片104b，一个公共发光单元芯片90。
[0122]串联第一发光整流单元芯片101b、公共发光单元芯片90的第一组电极901和902、第二发光整流单元芯片102b形成第M-1串串联连接的发光单元。
[0123]串联第四发光整流单元芯片104b、公共发光单元芯片90的第二组电极911和912、第三发光整流单元芯片103b形成第M-2串串联连接的发光单元。
[0124]第二对焊盘包括:第一焊盘20a，第二焊盘20b。
[0125]第一交流电流的正半周从第一焊盘1a输入，流经第一单元芯片组的第一串串联连接的发光单元，从第二焊盘1b输出。
[0126]第一交流电流的负半周从第二焊盘1b输入，流经第一单元芯片组的第二串串联连接的发光单兀，从第一焊盘1a输出。
[0127]第二交流电流的正半周从第一焊盘20a输入，流经第二单元芯片组的第M-1串串联连接的发光单元，从第二焊盘20b输出。
[0128]第二交流电流的负半周从第二焊盘20b输入，流经第二单元芯片组的第M-2串串联连接的发光单兀，从第一焊盘20a输出。
[0129]在第一交流电流的正半周和负半周，公共发光单元芯80都发光，在第二交流电流的正半周和负半周，公共发光单元芯90都发光，因此，提高了芯片发光面积的利用率。
[0130]一个实施实例:第一和第二交流电流的相位差是90°。
[0131]注:一个发光芯片可以包括N个单元芯片组，以及与N个单元芯片组相对应的N对焊盘，N彡2，图4展示的发光芯片包括2个单元芯片组，N=2。
[0132]图5展示的发光芯片的实施实例与图3c展示的实施实例相类似。不同之处在于:图3c展示的实施实例包括一个单元芯片组和一对焊盘，而图5展示的实施实例包括两个单元芯片组和两对焊盘，因此，可以同时输入两个交流电流。设置两个交流电流的相位，使得两个单元芯片组发出的光互相叠加，减轻频闪。
[0133]发光芯片100包括:绝缘衬底(未在图中展示)，第一单元芯片组，第二个单元芯片组，第一对焊盘，第二对焊盘。
[0134]第一单元芯片组包括:第一发光整流单元芯片101a、第二发光整流单元芯片102a、第三发光整流单元芯片103a、第四发光整流单元芯片104a、公共发光单元芯片60a、公共发光单元芯片70a、第一中间发光整流单元芯片112a、第二中间发光整流单元芯片122a。第一对焊盘包括:第一焊盘10a、第二焊盘10b。
[0135]串联第一发光整流单元芯片101a、公共发光单元芯60a的第一组电极601a和602a、第一中间发光整流单元芯片112a、公共发光单元芯70a的第一组电极701a和702a、第二发光整流单元芯片102a形成第一串串联连接的发光单元。
[0136]串联第四发光整流单元芯片104a、公共发光单元芯70a的第二组电极、第二中间发光整流单元芯片122a、公共发光单元芯片60a的第二组电极、第三发光整流单元芯片103a形成第二串串联连接的发光单元。
[0137]第二个单元芯片组包括:第一发光整流单元芯片101b、第二发光整流单元芯片102b、第三发光整流单元芯片103b、第四发光整流单元芯片104b、公共发光单元芯片60b、公共发光单元芯片70b、第一中间发光整流单元芯片112b、第二中间发光整流单元芯片122b。第二对焊盘包括:第一焊盘20a、第二焊盘20b。
[0138]串联第一发光整流单元芯片101b、公共发光单元芯60b的第一组电极、第一中间发光整流单元芯片112b、公共发光单元芯70b的第一组电极、第二发光整流单元芯片102b形成第Q-1串串联连接的发光单元。
[0139]串联第四发光整流单元芯片104b、公共发光单元芯70b的第二组电极、第二中间发光整流单元芯片122b、公共发光单元芯片60b的第二组电极、第三发光整流单元芯片103b形成第Q-2串串联连接的发光单元。
[0140]第一交流电流的正半周从第一焊盘1a输入，流经第一单元芯片组的第一串串联连接的发光单元，从第二焊盘1b输出。
[0141]第一交流电流的负半周从第二焊盘1b输入，流经第一单元芯片组的第二串串联连接的发光单兀，从第一焊盘1a输出。
[0142]第二交流电流的正半周从第一焊盘20a输入，流经第二单元芯片组的第Q-1串串联连接的发光单元，从第二焊盘20b输出。
[0143]第二交流电流的负半周从第二焊盘20b输入，流经第二单元芯片组的第Q-2串串联连接的发光单兀，从第一焊盘20a输出。
[0144]在第一交流电流的正半周和负半周，公共发光单元芯60a和70a都发光,在第二交流电流的正半周和负半周，公共发光单元芯60b和70b都发光，因此，提高了芯片发光面积的利用率。
[0145]一个实施实例:第一和第二交流电流的相位差是90°。
[0146]注:(I) 一个发光芯片可以包括P个单元芯片组，以及与P个单元芯片组相对应的P个焊盘，P彡2。
[0147](2) 一个发光芯片可以包括P个单元芯片组，每个单元芯片组包括X个公共发光单元芯片，任意两个相邻的公共发光单元芯片之间，有两个中间发光整流单元芯片，两个中间发光整流单元芯片分别与两个相邻的公共发光单元芯片的第一组合第二组电极串联。
[0148]最后应说明的是:以上实施实例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施实例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述实施实例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施实例技术方案的精神和范围。
【权利要求】
1.一种发光芯片，包括: 绝缘衬底； 一个单元芯片组；一对焊盘； 其特征是，所述单元芯片组包括第一发光整流单元芯片；第二发光整流单元芯片；第三发光整流单元芯片；第四发光整流单元芯片；一个公共发光单元芯片； 所述公共发光单元芯片包括第一组电极和第二组电极； 所述一对焊盘包括第一焊盘和第二焊盘； 所述第一发光整流单元芯片、所述第二发光整流单元芯片、所述第三发光整流单元芯片、所述第四发光整流单元芯片和所述公共发光单元芯片形成在所述绝缘衬底上，并且彼此分开； 所述第一发光整流单元芯片、所述公共发光单元芯片的所述第一组电极、所述第二发光整流单元芯片形成第一串串联连接发光单元； 所述第四发光整流单元芯片、所述公共发光单元芯片的所述第二组电极、所述第三发光整流单元芯片形成第二串串联连接发光单元； 其中，所述第一串串联连接发光单元和第二串串联连接发光单元反向并联，与所述第一焊盘和第二焊盘形成电连接，使得所述发光芯片可以直接被交流电流驱动，使得所述公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。
2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征是，所述发光芯片包括LED发光芯片和OLED发光芯片。
3.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征是，所述发光芯片，包括:N个单元芯片组，N ^ 2 ； 与所述N个单元芯片组相对应的N对焊盘； 所述N个单元芯片组中的第M单元芯片组包括:第Ml发光整流单元芯片；第M2发光整流单元芯片；第M3发光整流单元芯片;第M4发光整流单元芯片；第M公共发光单元芯片；其中，N彡M彡2 ; 所述N个单元芯片组中的N个所述公共发光单元芯片分别包括第一组电极和第二组电极； 与所述第M个单元芯片组相对应的第M对焊盘包括第Ml焊盘和第M2焊盘； 所述第M个单元芯片组的所述第Ml发光整流单元芯片、所述第M2发光整流单元芯片、所述第M3发光整流单元芯片、所述第M4发光整流单元芯片和所述第M公共发光单元芯片形成在所述绝缘衬底上，并且彼此分开； 所述第Ml发光整流单元芯片、所述第M公共发光单元芯片的所述第一组电极、所述第M2发光整流单元芯片形成第M-1串串联连接发光单元；所述第M4发光整流单元芯片、所述第M公共发光单元芯片的所述第二组电极、所述第M3发光整流单元芯片形成第M-2串串联连接发光单元；其中，所述第M-1串串联连接发光单元和第M-2串串联连接发光单元反向并联，与相对应的所述第Ml焊盘和第M2焊盘形成电连接，使得所述第M单元芯片组可以直接被从所述第M对焊盘输入的交流电流驱动，使得所述第M公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。
4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征是，从一对所述焊盘输入的交流电流的相位与从另一对所述焊盘输入的交流电流的相位有一个预定角度不同，使得从一个单元芯片组发出的光与从另一个单元芯片组发出的光互相叠加，降低频闪。
5.一种发光芯片，包括: 绝缘衬底； 一个单元芯片组；一对焊盘； 其特征是，所述单元芯片组包括第一发光整流单元芯片；第二发光整流单元芯片；第三发光整流单元芯片；第四发光整流单元芯片；X个公共发光单元芯片，X彡2 ; 每个所述公共发光单元芯片分别包括第一组电极和第二组电极； 任意两个所述公共发光单元芯片之间有第一中间发光整流单元芯片和第二中间发光整流单元芯片，共有X减I个所述第一中间发光整流单元芯片，共有X减I个所述第二中间发光整流单元芯片； 所述第一中间发光整流单元芯片与相邻的两个所述公共发光单元芯片的所述第一组电极串联，所述第二中间发光整流单元芯片与相邻的两个所述公共发光单元芯片的所述第二组电极串联； 所述一对焊盘包括第一焊盘和第二焊盘； 所述第一发光整流单元芯片、所述第二发光整流单元芯片、所述第三发光整流单元芯片、所述第四发光整流单元芯片、所述X个公共发光单元芯片、所述X减I个第一中间发光整流单元芯片和所述X减I个第二中间发光整流单元芯片形成在所述绝缘衬底上，并且彼此分开； 所述第一发光整流单元芯片、X个所述公共发光单元芯片的所述第一组电极、X减I个所述第一中间发光整流单元芯片、所述第二发光整流单元芯片形成第一串串联连接发光单元; 所述第四发光整流单元芯片、X个所述公共发光单元芯片的所述第二组电极、X减I个所述第二中间发光整流单元芯片、所述第三发光整流单元芯片形成第二串串联连接发光单元; 其中，所述第一串串联连接发光单元和第二串串联连接发光单元反向并联，与所述第一焊盘和第二焊盘形成电连接，使得所述发光芯片可以直接被交流电流驱动，使得每一个所述公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。
6.根据权利要求5所述的发光芯片，其特征是，所述发光芯片包括LED发光芯片和OLED发光芯片。
7.根据权利要求5所述的发光芯片，其特征是，所述发光芯片，包括: P个单元芯片组，P彡2 ; 与所述P个单元芯片组相对应的P对焊盘； 所述P个单元芯片组中的第Q个单元芯片组包括--第Ql发光整流单元芯片；第Q2发光整流单元芯片；第Q3发光整流单元芯片；第Q4发光整流单元芯片；其中，P彡Q彡2 ; 所述P个单元芯片组的每一个单元芯片组分别包括X个公共发光单元芯片，X彡2 ； 每一个所述公共发光单元芯片分别包括第一组电极和第二组电极； 所述P个单元芯片组中的每一组单元芯片中的任意两个所述公共发光单元芯片之间有第一中间发光整流单元芯片和第二中间发光整流单元芯片，共有X减I个所述第一中间发光整流单元芯片，共有X减I个所述第二中间发光整流单元芯片；所述第一中间发光整流单元芯片与相邻的两个所述公共发光单元芯片的所述第一组电极串联，所述第二中间发光整流单元芯片与相邻的两个所述公共发光单元芯片的所述第二组电极串联； 与所述第Q个单元芯片组相对应的第Q对焊盘包括第Ql焊盘和第Q2焊盘； 所述P组单元芯片的全部所述发光整流单元芯片、全部所述公共发光单元芯片、全部所述第一中间发光整流单元芯片、全部所述第二中间发光整流单元芯片形成在所述绝缘衬底上,并且彼此分开； 所述P个单元芯片组中的第Q个单元芯片组的所述第Ql发光整流单元芯片、所述X个公共发光单元芯片的所述第一组电极、X减I个所述第一中间发光整流单元芯片、所述第Q2发光整流单元芯片形成第Q-1串串联连接发光单元； 所述P个单元芯片组中的第Q个单元芯片组的所述第Q4发光整流单元芯片、所述X个公共发光单元芯片的所述第二组电极、X减I个所述第二中间发光整流单元芯片、所述第Q3发光整流单元芯片形成第Q-2串串联连接发光单元； 其中，所述第Q-1串串联连接发光单元和第Q-2串串联连接发光单元反向并联，与相对应的所述第Ql焊盘和第Q2焊盘形成电连接，使得所述第Q单元芯片组可以直接被从所述第Q对焊盘输入的交流电流驱动，使得所述第Q单元芯片组的所述X个公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。
8.根据权利要求7所述的发光芯片，其特征是，从一对所述焊盘输入的交流电流的相位与从另一对所述焊盘输入的交流电流的相位有一个预定角度不同，使得从一个单元芯片组发出的光与从另一个单元芯片组发出的光互相叠加，降低频闪。
【文档编号】H01L25/04GK204045582SQ201420086679
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年2月22日 优先权日:2014年2月22日
【发明者】彭晖 申请人:张涛, 彭晖