一种路灯专用防雷二极管的制作方法
【专利摘要】一种路灯专用防雷二极管，涉及半导体元器件生产【技术领域】，包括二极管本体，所述二极管本体外部封装塑料，该防雷二极管具有防过压保护性能，使得路灯免受瞬时雷击损坏，同时，本实用新型具有导通电压低、反应迅速、故障排除后可自行恢复的特点，大大提高了路灯电路工作的稳定性，解决了雷电天气极易其他恶劣天气，路灯不能够正常工作的问题。
【专利说明】一种路灯专用防雷二极管
【技术领域】
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[0001]本实用新型涉及半导体元器件生产【技术领域】，具体涉及一种路灯专用防雷二极管。
【背景技术】
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[0002]在城镇化建设过程中，路灯作为一种重要的公共设施，广泛应用在建设工程当中，现有技术的路灯内部采用的是普通的半导体发光二极管，在一般环境，普通的半导体发光二极管路灯应用是足够了，但是遇到恶劣环境，比如雷电、大风、暴雨等自然灾害频繁活动的时间或地区，普通的半导体发光二极管由于耐受电流的限制，以及自身材质的影响，往往经受不住电流突然增大或减弱超负荷工作，导致路灯不能正常工作甚至损坏，一个路灯损坏，导致其他路灯都不能够正常工作，维修不易，造成人力二次劳动，以及物料资源的浪费。
实用新型内容:
[0003]本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有的技术缺陷，提供一种结构合理的路灯专用防雷二极管，该防雷二极管具有防过压保护性能，使得路灯免受瞬时雷击损坏，同时，本实用新型具有导通电压低、反应迅速、故障排除后可自行恢复的特点，大大提高了路灯电路工作的稳定性，解决了雷电天气极易其他恶劣天气，路灯不能够正常工作的问题。
[0004]本实用新型所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现:
[0005]一种路灯专用防雷二极管，包括二极管本体，所述二极管本体外部封装塑料，其特征在于:
[0006]所述二极管还包括硅晶片，所述硅晶片两侧设有焊片，所述焊片与硅晶片之间设置过压保护芯片，通过过压保护芯片与硅晶片连接。
[0007]所述焊片还包括导电体，所述导电体设置在焊片的一侧，所述导电体和焊片外表面通过塑料封装。
[0008]所述防雷二极管正向工作电流为10A，最高反向电压为6V。
[0009]本实用新型的有益效果为，提供一种结构合理的路灯专用防雷二极管，该防雷二极管具有防过压保护性能，使得路灯免受瞬时雷击损坏，同时，本实用新型具有导通电压低、反应迅速、故障排除后可自行恢复的特点，大大提高了路灯电路工作的稳定性，解决了雷电天气极易其他恶劣天气，路灯不能够正常工作的问题。
【专利附图】
【附图说明】
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[0010]图1、图2为本实用新型的侧视图。
[0011]图3为本实用新型过压保护芯片的俯视图。
[0012]图示中:1-二极管、11-硅晶片、12-过压保护芯片、13-焊片、14-导电体、2-塑料夕卜壳。【具体实施方式】:
[0013]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0014]如图1所示，一种路灯专用防雷二极管，包括二极管I本体，所述二极管本体外部封装塑料外壳2，其特征在于:
[0015]如图2、图3所不,所述_■极管I还包括娃晶片11，所述娃晶片11两侧设有焊片13，所述焊片13与硅晶片11之间设置过压保护芯片12，通过过压保护芯片12与硅晶片11连接。
[0016]所述焊片13还包括导电体14，所述导电体14设置在焊片13的一侧，所述导电体14和焊片13外表面通过塑料外壳2封装。
[0017]所述防雷二极管I正向工作电流为10A，最高反向电压为6V。
[0018]本实用新型用于路灯内部，具有防过压保护性能，使得路灯免受瞬时雷击损坏，同时，本实用新型具有导通电压低、反应迅速、故障排除后可自行恢复的特点，大大提高了路灯电路工作的稳定性，解决了雷电天气极易其他恶劣天气，路灯不能够正常工作的问题。
[0019]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种路灯专用防雷二极管，包括二极管本体，所述二极管本体外部封装塑料，其特征在于: 所述二极管还包括硅晶片，所述硅晶片两侧设有焊片，所述焊片与硅晶片之间设置过压保护芯片，通过过压保护芯片与硅晶片连接； 所述焊片还包括导电体，所述导电体设置在焊片的一侧，所述导电体和焊片外表面通过塑料封装。
2.根据权利要求1所述的一种路灯专用防雷二极管，其特征在于，所述二极管正向工作电流为10A。
3.根据权利要求1所述的一种路灯专用防雷二极管，其特征在于，所述二极管最高反向电压为6V。
【文档编号】H01L33/00GK203967087SQ201420280817
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年5月27日 优先权日:2014年5月27日
【发明者】郑欣 申请人:安徽中鑫半导体有限公司