一种4g多制式五频合路器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种4G多制式五频合路器，在谐振腔体的左侧设有耦合测试口和ANT端口，所述的CDMA端口包括有七个大功率谐振电容且七个大功率谐振电容之间采用开窗口的形式耦合，所述的GSM900端口包括有七个大功率谐振电容和三个远端带外抑制控制元件，远端带外抑制控制元件的作用主要用于控制带外杂散频率材料为铜，所述的LTE端口包括有六个大功率谐振电容，所述的WCDMA端口包括有七个大功率谐振电容和一个容性耦合窗口，所述的GSM1800端口包括有六个大功率谐振电容和一个感性耦合窗口。本实用新型外型尺寸小、设计美观、成本低、加工方便、信号专输通畅、专为恶劣环境而设计，因而使用寿命长，安装维护方便。
【专利说明】一种4G多制式五频合路器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子信息和移动通讯【技术领域】，尤其涉及一种4G多制式五频合路器。
【背景技术】
[0002]合路器是一种能够把多种信号合成一路信号的器件，多频合路器的功能主要是为了适应各种运营商对多频段、多制式移动通信及无线传输的天线共用和分布系统的要求，实现双频段、三频段直至六频段的合路功能，现有的五频合路器结构限制较多，体积大，成本高，不实用。
实用新型内容
[0003]本实用新型目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种4G多制式五频合路器。
[0004]本实用新型是通过以下技术方案实现的:
[0005]一种4G多制式五频合路器，包括有谐振腔体和铝盖板，在谐振腔体的左侧设有耦合测试口和ANT端口，在谐振腔体的右侧设有CDMA端口、GSM900端口、LTE端口、WCDMA端口和GSM1800端口，所述的CDMA端口包括有七个大功率谐振电容且七个大功率谐振电容之间采用开窗口的形式耦合，所述的GSM900端口包括有七个大功率谐振电容和三个远端带外抑制控制元件，远端带外抑制控制元件的作用主要用于控制带外杂散频率材料为铜，所述的LTE端口包括有六个大功率谐振电容，所述的WCDMA端口包括有七个大功率谐振电容和一个容性耦合窗口，所述的GSM1800端口包括有六个大功率谐振电容和一个感性耦合窗口，所述的耦合测试口采用导电棒通过谐振腔体与ANT端口形成耦合，导电棒两端均设有支撑介质，以防止导电棒直接与腔体短路，所述的谐振腔体的信号输入端口为Din型接头，所述的Din型接头通过镀银铜线与所述的多个大功率谐振电容连接。
[0006]所述的谐振腔体和铝盖板之间通过M3螺钉连接，使其可以更好的与腔体密封，防止信号的泄漏，谐振腔体和铝盖板外表面均镀有银。
[0007]所述的大功率谐振电容材料为45#钢，表面进行镀银处理。
[0008]本实用新型的优点是:本实用新型的输入与输出端通过射频同轴组件直接连接各端口，内部采用大功率谐振电容并采用温普效应，材料为45号钢材使高温工作环境可达85°C，低温工作环境可达-40°C，其功率容量可达到平均功率50dBm，峰值功率可达53dBm，外型尺寸小、设计美观、成本低、加工方便、信号专输通畅、专为恶劣环境而设计，因而使用寿命长，安装维护方便。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]如图1所示，一种4G多制式五频合路器，包括有谐振腔体I和铝盖板2，在谐振腔体I的左侧设有耦合测试口 3和ANT端口 4，在谐振腔体I的右侧设有CDMA端口 5、GSM900端口 6、LTE端口 7、WCDMA端口 8和GSM1800端口 9，所述的CDMA端口 5包括有七个大功率谐振电容10且七个大功率谐振电容10之间采用开窗口的形式耦合，所述的GSM900端口 6包括有七个大功率谐振电容10和三个远端带外抑制控制元件11，远端带外抑制控制元件11的作用主要用于控制带外杂散频率材料为铜，所述的LTE端口 7包括有六个大功率谐振电容10，所述的WCDMA端口 8包括有七个大功率谐振电容10和一个容性耦合窗口 12，所述的GSM1800端口 9包括有六个大功率谐振电容10和一个感性耦合窗口 13，所述的耦合测试口 3采用导电棒14通过谐振腔体I与ANT端口 4形成耦合，导电棒14两端均设有支撑介质15，以防止导电棒14直接与腔体短路，所述的谐振腔体I的信号输入端口为Din型接头，所述的Din型接头通过镀银铜线16与所述的多个大功率谐振电容10连接。
[0011]所述的谐振腔体I和铝盖板2之间通过M3螺钉连接，使其可以更好的与腔体密封，防止信号的泄漏，谐振腔体I和铝盖板2外表面均镀有银。
[0012]所述的大功率谐振电容10材料为45#钢，表面进行镀银处理。
【权利要求】
1.一种4G多制式五频合路器，其特征在于:包括有谐振腔体和铝盖板，在谐振腔体的左侧设有耦合测试口和ANT端口，在谐振腔体的右侧设有CDMA端口、GSM900端口、LTE端口、WCDMA端口和GSM1800端口，所述的CDMA端口包括有七个大功率谐振电容且七个大功率谐振电容之间采用开窗口的形式耦合，所述的GSM900端口包括有七个大功率谐振电容和三个远端带外抑制控制元件，所述的LTE端口包括有六个大功率谐振电容，所述的WCDMA端口包括有七个大功率谐振电容和一个容性耦合窗口，所述的GSM1800端口包括有六个大功率谐振电容和一个感性耦合窗口，所述的耦合测试口采用导电棒通过谐振腔体与ANT端口形成耦合，导电棒两端均设有支撑介质，所述的谐振腔体的信号输入端口为Din型接头，所述的Din型接头通过镀银铜线与所述的多个大功率谐振电容连接。
2.根据权利要求1所述的一种4G多制式五频合路器，其特征在于:所述的谐振腔体和铝盖板之间通过M3螺钉连接，谐振腔体和铝盖板外表面均镀有银。
3.根据权利要求1所述的一种4G多制式五频合路器，其特征在于:所述的大功率谐振电容材料为45#钢，表面进行镀银处理。
【文档编号】H01P1/213GK203983433SQ201420385595
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2014年7月11日 优先权日:2014年7月11日
【发明者】董后友 申请人:董后友