技术总结
本发明揭示了一种刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的系统，其包括宽光谱光源、滤波器、刻蚀电源、刻蚀溶液、阴极板，刻蚀溶液、阴极板、刻蚀电源和刻蚀样品之间串联形成刻蚀回路，将刻蚀样品位于器件栅电极下端的势垒层AlxGa(1‑x)N通过电化学的方法全部刻蚀，减弱势垒层的极化效应从而将二维电子气耗尽，实现HEMT器件在零栅偏压的时候处于关断状态，达到由常开型HEMT器件向常关型HEMT器件的转变，并且通过使用滤波器调节光源的波长，实现电化学刻蚀势垒层的自停止。本发明还揭示了一种刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的方法。本发明有效地实现了增强型HEMT，且其具有工艺简单，刻蚀自停止，重复性高，成本低廉，刻蚀损伤小，易于进行大规模生产等特点。
技术研发人员：张志利;张宝顺;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮
受保护的技术使用者：苏州能屋电子科技有限公司
文档号码：201510160921
技术研发日：2015.04.07
技术公布日：2016.11.23