1.一种图案化方法，其特征在于，所述方法包括：
在基材上形成一硬光掩膜层；
在所述硬光掩膜层上形成一定向自组装材料层；
在所述定向自组装材料层上形成一纳米压印层；
以具有一压印形成表面的一模板压印所述纳米压印层，以于所述纳米压印层上形成一压印区域及一非压印区域；
于所述非压印区域上形成一改质层；
提供一能量，使所述定向自组装材料层中的高分子材料产生自组聚合排列，以形成多个改质区域；
移除所述改质层、所述纳米压印层、并选择性移除所述定向自组装材料层中部分的所述改质区域，以形成一第一图案；以及
将所述第一图案转移至所述硬光掩膜层，以形成一图案化的硬光掩膜层。
2.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述非压印区域暴露出所述定向自组装材料层的部分上表面。
3.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述定向自组装材料层的材料包括：嵌段共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚丁二烯、聚羟基苯乙烯、聚二甲基硅氧烷、或前述的组合。
4.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述模板的所述压印形成表面为具有一纳米尺寸的一压印图案，其中所述纳米尺寸介于1000～10nm。
5.根据权利要求4所述的图案化方法，其特征在于，所述压印图案包括：孔洞、圆柱、线、片、或前述的组合。
6.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述改质层的材料包括：含有一亲水性官能基或一疏水性官能基的材料，其中所述亲水性官能基包括：-OH、-COOH、-CONH-、-CONH2、SO3H、或其他具备亲水性质的材料，其中所述疏水性官能基包括：-O-、-Si、-F、苯环、或其他具备疏水性质的材料。
7.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述接触表面的性质包括亲水性质、疏水性质、温感性质、或酸碱感应性质。
8.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述改质区域包括具有一第一性质的一第一改质区域和具有一第二性质的一第二改质区域。
9.根据权利要求8所述的图案化方法，其特征在于，所述第一性质和所述第二性质分别独立地包括亲水性质、疏水性质、温感性质、或酸碱感应性质，其中所述第一性质和所述第二性质不同。
10.根据权利要求8所述的图案化方法，其特征在于，所述第一改质区域由所述定向自组装材料层中与所述改质层接触的高分子材料沿着所述改质层所形成的区域以及位于所述纳米压印层下方规则排列的部分高分子材料所形成的区域所构成。
11.根据权利要求8所述的图案化方法，其特征在于，所述第二改质区域由所述定向自组装材料层中位于改质层下方未与改质层接触的高分子材料所形成的区域以及位于所述纳米压印层下方规则排列的另一部分高分子材料所形成的区域所构成。
12.根据权利要求8所述的图案化方法，其特征在于，其中位于所述纳米压印层下方的所述第一改质区域和所述第二改质区域的尺寸分别小于所述模板的所述压印形成表面的一尺寸。