1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区域和第二区域，所述衬底的第一区域和第二区域表面分别具有鳍部；
在所述衬底内形成隔离沟槽，所述隔离沟槽位于第一区域和第二区域之间；
在所述衬底表面和所述隔离沟槽内形成隔离层，所述隔离层填充所述隔离沟槽，所述隔离层还位于所述鳍部的部分侧壁表面，且所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面；
在所述第一区域的衬底和鳍部内形成第一阱区；
在所述第二区域的衬底和鳍部内形成第二阱区；
其中，所述第二区域的鳍部包括下拉鳍部和传输鳍部，所述下拉鳍部用于形成下拉晶体管，所述传输鳍部用于形成传输晶体管，所述第一区域的鳍部包括上拉鳍部，所述上拉鳍部用于形成上拉晶体管；
所述第二阱区的形成步骤包括：在形成所述隔离层之后，在隔离层和鳍部表面形成第三掩膜层，所述第三掩膜层暴露出第二区域的隔离层和鳍部；以所述第三掩膜层为掩膜，采用离子注入工艺在所述第二区域的衬底和鳍部内形成第二阱区；以所述第三掩膜层为掩膜，采用离子注入工艺在所述下拉鳍部和传输鳍部内掺杂防穿通离子，所述防穿通离子用于阻止后续形成于鳍部内的源区和漏区底部之间发生穿通。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述隔离层之后，形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于部分鳍部的侧壁和顶部表面；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源区和漏区。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的形成步骤包括：形成横跨所述鳍部的伪栅极结构，所述伪栅极结构位于部分鳍部的侧壁和顶部表面，所述伪栅极结构包括伪栅极层；在所述隔离层表面、鳍部的侧壁和顶部表面、以及伪栅极结构的侧壁表面形成介质层，所述介质层暴露出所述伪栅极层的顶部表面；去除所述伪栅极层，在所述介质层内形成栅极开口；在所述栅极开口的内壁表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成填充满所述栅极开口的栅极层。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成伪栅极结构之后，形成所述介质层之前，在所述伪栅极结构两侧的鳍部内形成源区和漏区。
5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述栅极层之前，在第一区域的栅介质层表面形成第一功函数层，在所述第一功函数层表面形成栅极层；在第二区域的栅介质层表面形成第二功函数层，在所述第二功函数层表面形成栅极层。
6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极层的材料为金属和金属化合物中的一种或多种组合；所述栅介质层的材料为高k介质材料；所述伪栅极层的材料为多晶硅。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底和鳍部的形成步骤包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区域和第二区域；在所述基底第一区域和第二区域的部分表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖需要形成鳍部的对应区域；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底，在所述基底内形成若干沟槽，相邻沟槽之间的基底形成鳍部，所述沟槽和鳍部底部的基底形成衬底。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阱区的形成步骤包括：在形成所述隔离层之后，在隔离层和鳍部表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出第一区域的隔离层和鳍部；以所述第二掩膜层为掩膜，采用离子注入工艺在所述第一区域的衬底和鳍部内形成第一阱区。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，隔离层的形成步骤包括：在所述衬底和鳍部表面形成隔离膜，所述隔离膜的表面高于所述鳍部的顶部表面；平坦化所述隔离膜；在平坦化所述隔离膜之后，回刻蚀所述隔离膜以形成所述隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面。
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离膜的材料为氧化硅；所述隔离膜的形成工艺为流体化学气相沉积工艺。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离沟槽的形成步骤包括：在所述衬底和鳍部表面形成第四掩膜层；所述第四掩膜层暴露出第一区域和第二区域之间的部分衬底表面；以所述第四掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成隔离沟槽；在形成隔离沟槽之后，去除所述第四掩膜层。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离沟槽的深度为20纳米～100纳米。
13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阱区和第二阱区的底部到衬底表面的距离为130纳米～200纳米。
14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阱区内具有n型离子；所述第二阱区内具有p型离子。