技术总结
在所描述实例中，一种LDMOS装置(1200)包含：至少一个漂移区域(1222)，其安置于半导体衬底(1210)的一部分中；至少一个隔离结构(1252)，其位于所述半导体衬底(1210)的表面处；D阱区域，其邻近所述至少一个漂移区域(1222)的一部分而定位，且所述漂移区域(1222)与所述D阱区域的相交点形成第一导电性类型与第二导电性类型之间的结(1226)；栅极结构(1282)，其安置于所述半导体衬底(1210)上方；源极触点区域(S)，其安置于所述D阱区域的表面上；漏极触点区域(D)，其邻近所述隔离结构(1252)而安置；及双缓冲器区域，其包含：第一隐埋式层(1228)，其位于所述D阱区域及所述漂移区域(1222)下面且被掺杂成所述第二导电性类型；及第二高电压深扩散层(1218)，其位于所述第一隐埋式层(1228)下面且被掺杂成所述第一导电性类型。
技术研发人员：蔡军
受保护的技术使用者：德州仪器公司
文档号码：201580042187
技术研发日：2015.08.07
技术公布日：2017.05.10