1.一种射频RF信号合成器(100)，其特征在于，所述合成器(100)包括：
轴对称周期波导装置(102)，所述轴对称周期波导装置(102)包括：
圆筒(120)；
同轴地设置在所述圆筒(120)内的中心导体(106)，所述中心导体(106)由一对正交对称平面(108)限定；和
闭合所述圆筒(120)的端部并与所述中心导体(106)电耦合的短路壁(110)；
至少一对磁回路耦合元件(116)，其相对于限定所述中心导体(106)的所述一对正交对称平面(108)的对称平面设置在所述圆筒(120)内；
多个延伸穿过所述短路壁(110)中相应开口(111)的输入端口(P1，P2，P2，P4)，所述多个输入端口(P1，P2，P3，P4)中的每个将信号馈送给所述至少一对磁回路耦合元件(116)中的对应一个；和
输出端口(130)，所述输出端口(130)设置在所述合成器(100)远离所述短路壁(110)的一侧上，所述输出端口(130)配置用于输出来自所述多个输入端口(P1，P2，P3，P4)的信号的合成功率。
2.根据权利要求1所述的射频信号合成器，其特征在于，其中，所述圆筒(120)包括导电圆筒(122)，所述至少一对磁回路耦合元件(116)承载在电介质卡(114)上。
3.根据权利要求2所述的射频信号合成器(100)，其特征在于，其中，所述至少一对磁回路耦合元件(116)布置在，优选印刷在所述电介质卡(114)的第一侧上。
4.根据权利要求2-3中任一项所述的射频信号合成器(100)，其特征在于，其中，所述至少一对磁回路耦合元件(116)中的一对彼此共面设置且与所述对称平面共面设置。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的射频信号合成器(100)，其特征在于，其中，所述共面的一对磁回路耦合元件(116)的第一磁回路元件与所述共面的一对磁回路耦合元件(116)的第二磁回路耦合元件相对于所述中心导体(106)等距设置。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的射频信号合成器(100)，其特征在于，包括在所述电介质卡(114)的第二侧上的导电轨道(118)，所述导电轨道(118)与所述多个输入端口(P1，P2，P3，P4)中的每个耦合。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的射频信号合成器，其特征在于，其中，所述电介质卡(114)设置在所述中心导体(106)的电介质卡接收槽(112)中。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的射频信号合成器(100)，其特征在于，其中，所述至少一对磁回路耦合元件(116)的磁回路耦合元件包括8字形的磁回路耦合元件。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的射频信号合成器，其特征在于，其中，限定所述中心导体(106)的所述一对正交对称平面(108)的至少第一正交平面穿过所述至少一对磁回路耦合元件(116)的所有磁回路耦合元件。
10.根据权利要求1所述的射频信号合成器(100)，其特征在于，其中，所述圆筒(120)包括电介质圆筒(312)，所述至少一对磁回路耦合元件(116)的磁回路耦合元件(316)布置在，优选印刷在所述电介质圆筒(312)的表面上。
11.根据权利要求10所述的射频信号合成器(100)，其特征在于，包括布置在，优选印刷在所述电介质圆筒(312)表面上的导电轨道(318)，所述导电轨道(318)与所述多个输入端口(PI，P2，P3，P4)中的每个耦合以便将信号馈送给所述磁回路耦合元件(316)中的对应一个。
12.根据权利要求10或11所述的射频信号合成器(100)，其特征在于，其中，所述磁回路耦合元件(316)相对于所述中心导体(306)彼此等距设置。
13.根据前述权利要求中任一项所述的射频信号合成器(100)，其特征在于，其中，所述轴对称周期波导装置(102)支持混合波信号。
14.根据前述权利要求中任一项所述的射频信号合成器(100)，其特征在于，其中，所述轴对称周期波导装置(102)的内部体积由所述一对正交对称平面(108)分成至少一对隔室(140，150)，其中，所述至少一对隔室(140，150)中的隔室具有专用磁回路耦合元件和输入端口。
15.根据前述权利要求中任一项所述的射频信号合成器(100)，其特征在于，其中，所述轴对称周期混合波导装置(102)是杆上圆盘式天线组件。