1.一种半导体光检测元件，其特征在于，
是具有包含相互相对的第一及第二主面的半导体基板的半导体光检测元件，
所述半导体光检测元件包含：
以盖革模式动作并且形成于所述半导体基板内的多个雪崩光电二极管；
相对于对应的所述雪崩光电二极管串联连接并且配置于所述半导体基板的第一主面侧的灭弧电阻；
电连接有所述多个灭弧电阻的第一电极；及
电连接于所述第一电极且自所述第一主面侧至所述第二主面侧为止贯通所述半导体基板而形成的贯通电极，
所述多个灭弧电阻经由一个所述第一电极而与一个所述贯通电极电连接，所述多个雪崩光电二极管以分别与所述灭弧电阻串联连接的形式，互相并联连接并电连接于一个所述贯通电极，
所述半导体光检测元件具备与所述半导体光检测元件相对配置并且具有与所述半导体基板的所述第一主面相对的主面的玻璃基板。
2.如权利要求1所述的半导体光检测元件，其特征在于，
各所述雪崩光电二极管具有：
第一导电型的所述半导体基板；
第二导电型的第一半导体区域，其形成在所述半导体基板的所述第一主面侧；
第二导电型的第二半导体区域，其形成在所述第一半导体区域内且杂质浓度比所述第一半导体区域高；以及
第四电极，其配置在所述半导体基板的所述第一主面侧且将所述第二半导体区域与所述灭弧电阻电连接，
各所述第四电极经由对应的所述灭弧电阻而电连接于所述第一电极。