技术特征：
技术总结
本发明提供了一种射频三极管的制备方法和射频三极管，其中，制备方法包括：在衬底上依次形成外延层、氧化层和图形化的氮化硅层；通过热氧化工艺处理外延层以形成场氧化层；去除氮化硅层；在指定区域上形成图形化的氧化硅掩膜；对第一多晶硅层进行第一次P型离子注入；形成氮化硅介质层；刻蚀氧化硅掩膜层上方的第一多晶硅层和氮化硅介质层；通过第二次P型离子注入工艺依次形成第二离子掺杂区；形成侧墙结构；在侧墙结构和第二离子掺杂区上方形成第二多晶硅层；对第二多晶硅层进行离子注入以形成第三离子掺杂区；在形成第三离子掺杂区的衬底上形成金属电极。通过本发明技术方案，避免了硅栅过刻对外延层的损耗，提升了器件可靠性。
技术研发人员：马万里
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.02.23
技术公布日：2017.08.29