1.一种集成双反馈的半导体混沌激光器，其特征在于，包括顺次排列且共轴的平面透镜光纤（1）、DFB激光器（2）和高性能光电探测器（3）；
所述DFB激光器（2）的两侧端面均为出射端面；DFB激光器（2）靠近平面透镜光纤（1）一侧的端面为自然解理端面，镀增透膜，使其反射率为0.01；
所述DFB激光器（2）靠近所述高性能光电探测器（3）一侧的端面为自然解理端面，镀增反膜，使该端面的反射率为0.5-0.9；
所述平面透镜光纤（1）靠近所述DFB激光器（2）一侧的端面镀反射率为0.9的透反膜，使从DFB激光器（2）传入平面透镜光纤（1）的光的一部分能够反射回DFB激光器（2），使其产生混沌激光，另一部分经由所述平面透镜光纤（1）输出；
所述高性能光电探测器（3）靠近所述DFB激光器（2）一侧的端面镀反射率为0.9的透反膜；
所述平面透镜光纤（1）与所述DFB激光器（2）相邻端面之间的直线距离≤12μm；
所述高性能光电探测器（3）与所述DFB激光器（2）相邻端面之间的直线距离≤12μm。
2.如权利要求1所述的一种集成双反馈的半导体混沌激光器，其特征在于，所述高性能光电探测器（3）采用高性能PIN探测器，带宽大于10GHz，灵敏度小于-30dBm。
3.如权利要求1或2所述的一种集成双反馈的半导体混沌激光器，其特征在于，所述平面透镜光纤（1）与所述DFB激光器（2）相邻端面之间的直线距离和高性能光电探测器（3）与所述DFB激光器（2）相邻端面之间的直线距离的差值为±2μm。