技术总结
本发明公开提升发光二极管芯片亮度的透明导电层制作方法，包括：通过干法刻蚀发光二极管芯片外延层；在外延层上制作氧化铟锡薄膜导电层；在氧化铟锡薄膜导电层上蒸镀厚度为5‑10nm的镍层；对镍层进行退火处理，在氧化铟锡薄膜导电层表面上形成均匀分布的球状镍颗粒；利用球状镍颗粒为掩膜，刻蚀氧化铟锡薄膜导电层，在氧化铟锡薄膜导电层表面形成均匀的凹状矩形坑；去除球状镍颗粒；在氧化铟锡薄膜导电层上涂覆负性光刻胶，经过曝光、显影后露出电极区；采用电子束真空蒸镀法在电极区蒸镀金属电极；对金属电极进行剥离得到发光二极管芯片电极，去除负性光刻胶。本发明提升了光二极管芯片的亮度。
技术研发人员：李胤强;徐平
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
技术研发日：2016.05.17
技术公布日：2018.10.26