异质结太阳能电池的制作方法

技术特征：
1.一种异质结太阳能电池，包含：p型微结晶硅层，具有受光面及相对于该受光面的背光面；第一纳米银线层，形成在该p型微晶硅层的受光面上；第一n型非晶氧化层，形成在该纳米银线层上；i型微晶硅薄膜层，形成在该p型微结晶硅层的背光面上；第二n型非晶氧化层，形成在该i型微晶硅薄膜层上；第二纳米银线层，形成在该第二n型非晶氧化层上；i型非晶硅薄膜层，形成于该第一n型非晶氧化层上；p型非晶硅层，形成在该i型非晶硅薄膜层上；透明导电层，形成于该p型非晶硅层上；以及玻璃基板，形成于该透明导电层上。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该i型微晶硅薄膜层及p型微晶硅层为形成时通入氢气的结构，该第一及第二n型非晶氧化层为经热退火处理的结构。3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该第一及第二n型非晶氧化层为于100℃至1000℃间进行热退火处理的结构。4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该第一及第二n型非晶氧化层为含铟、镓、锌或氧的结构。5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该透明导电层为氮化硅、二氧化硅、铟锡氧化物或氧化锌所组成的结构。6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，该i型非晶硅薄膜层与p型非晶硅层为形成时通入氢气的结构。