技术总结
本发明公开了一种异质结太阳能电池，包含：p型微晶硅层，具有受光面及相对于该受光面的背光面；第一纳米银线层，形成在该p型微晶硅层的受光面上；第一n型非晶氧化层，形成在该纳米银线层上；i型微晶硅薄膜层，形成在该p型微晶硅层的背光面上；第二n型非晶氧化层，形成在该i型微晶硅薄膜层上；以及第二纳米银线层，形成在该第二n型非晶氧化层上。由于第一、第二n型非晶氧化层及第一、第二纳米银线层的透光度、导电度及反射率较现有技术为佳，从而可使得本发明在光电转换与单位成本得到非常大的竞争优势。
技术研发人员：陈玉鸿;刘俊岑;刘永宗;林宸澄
受保护的技术使用者：财团法人工业技术研究院
文档号码：201610659357
技术研发日：2013.12.06
技术公布日：2017.12.08