一种降低遮光提升高宽比的两次印刷结构的制作方法

文档序号:11956241阅读:721来源:国知局
一种降低遮光提升高宽比的两次印刷结构的制作方法与工艺

本发明涉及一种印刷结构,尤其是一种降低遮光提升高宽比的两次印刷结构。



背景技术:

随着能源危机和环境污染的日益加重,已经成为急需解决的全球性问题。为了解决这个问题,开发新能源是解决这一问题的主要方法之一。目前,太阳能电池是现今大规模商业化的绿色能源。

在太阳能电池制造领域,电池的转换效率首当其冲占第一主导地位,每年各界都在为提升转换效率做研究,而减少遮光提升高宽比的两次印刷越来越被行业大众接受,因为这也是最直接最有效的提升转换效率的有效途径,因此,大力推行两次印刷很有必要。



技术实现要素:

为了克服现有技术的不足,本发明提供一种降低遮光提升高宽比的两次印刷结构,该印刷结构减少遮光,增加对光的吸收,提高短路电流和增加栅线的高宽比,减小电流在传送的电阻,提高填充因子,来实现提升电池转换效率;效率提升目标至少在0.1%以上。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是;

一种降低遮光提升高宽比的两次印刷结构,用于对电池片的主栅和副栅进行优化改善,包括电池片,所述电池片的正面设有正电极、主栅和副栅,所述正电极通过主栅相互隔开,主栅呈镂空状,副栅呈层形结构设置在电池正面;首先对主栅进行镂空设计和对副栅实行走细栅线的方法,同时也可以降低湿重成本和又实现了减少遮光这两种需求,所述方法是将正电极网版进行优化改善。其次是对细栅线进行分部两次印刷,第一次印刷与电池片接触面,做为底层;第二次印刷第二层的主栅和细栅,而细栅要印刷在第一层上面,(完全重合)作为上层;达到需求高度。

所述副栅包括第一层副栅和第二层副栅,所述第一层副栅包括上表面和下表面,第二层副栅包括上表面和下表面,所述第一层副栅的下表面与电池片的正面相接触,所述第一层副栅的上表面与第二层副栅的下表面相接触。

所述第一层副栅的下表面与电池片的接触面积大于所述第二层副栅的下表面与第一层副栅上表面的接触面积;所述副栅网版设计线宽选择在26+/-3μm;所述副栅第一层副栅和第二层副栅的线宽差异控制+/-2μm以内。

所述主栅镂空状为分段镂空;所述主栅的选择为分段镂空设计,即增加光的吸收,降低湿重成本。

本发明的有益效果:该印刷结构减少遮光,增加对光的吸收,提高短路电流和增加栅线的高宽比,减小电流在传送的电阻,提高填充因子,来实现提升电池转换效率;效率提升目标至少在0.1%以上。

附图说明

下面结合附图和实施例进一步说明。

图1本发明主栅镂空示意图;

图2本发明实施例的副栅两次印刷侧面示意图;

图3发明实施例的副栅两次印刷两层叠加横截面剖析示意图。

具体实施方式

如图1-图3所示的一种降低遮光提升高宽比的两次印刷结构,用于对电池片的主栅2和副栅进行优化改善,包括电池片6,所述电池片6的正面3设有正电极1、主栅2和副栅,所述正电极1通过主栅2相互隔开,主栅2呈镂空状,副栅呈层形结构设置在电池正面3。

所述副栅包括第一层副栅5和第二层副栅4,所述第一层副栅5包括上表面和下表面,第二层副栅4包括上表面和下表面,所述第一层副栅5的下表面与电池片的正面相接触,所述第一层副栅4的上表面与第二层副栅5的下表面相接触。

所述第一层副栅4的下表面与电池片6的接触面积大于所述第二层副栅4的下表面与第一层副栅5上表面的接触面积;所述副栅网版设计线宽选择在26+/-3μm;所述副栅第一层副栅5和第二层副栅4的线宽差异控制+/-2μm以内;两次印刷副栅重叠部位,应该成梯形结构,底层实际宽度应该比上层宽度大,这样才能使印刷上层时正银完全印刷在底层上面,才能到达增加高宽比的目的。所以在做两次印刷时对印刷质量的要求极为重要,保证两层能够很好的重叠在一起。

所述主栅2镂空状为分段镂空;所述主栅2的选择为分段镂空设计,即增加光的吸收,降低湿重成本。

本发明涉及一种降低遮光提升高宽比的两次印刷结构,所述将减少正电极1在太能电池片蓝膜上的遮光面积,达到增加接收光照面积,增加对光照的有效吸收,完成光谱响应;要做到减少遮光面积只有在正电极1与电池片6接触上做想法,一种是在正电极1主栅2做成分段镂空,另一种是将副栅做成细栅,两者结合将有效的增加了对光照的接收面积,很好的完成对光照的吸收,从而提高短路电流(Isc)。而提升栅线高宽比是通过丝网完成两次印刷达到增加副栅高度,降低副栅的传送电阻(Rs),提高填充因子(FF),实现两次印刷最终到达提高太阳能电池的转换效率(EFF)。

本发明已经通过上述实施例进行了说明,但应当理解的是,上述实施例只是用于举例和说明的目的,而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是,本发明并不局限于上述实施例,根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改,这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。

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