技术特征：
技术总结
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：在通道层上形成包含铟和锌的金属氧化物的第一子层；形成包含金属的第二子层覆盖于所述第一子层上；形成包含铟和锌的金属氧化物的第三子层覆盖于所述第二子层上；所述第一子层、第二子层和第三子层蚀刻形成一凹槽贯穿所述第一子层、第二子层和第三子层,以形成通过凹槽得以间隔的源极与漏极；沿第三子层指向第一子层的方向，该凹槽的尺寸逐渐变小。
技术研发人员：林欣桦;施博理;高逸群;万昌峻;张炜炽;吴逸蔚
受保护的技术使用者：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
技术研发日：2016.09.08
技术公布日：2017.07.21