技术总结
本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及制备方法，其中，高电子迁移率晶体管包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层包括沟道层和异质结构，异质界面形成二维电子气；位于所述半导体层上两端的源极和漏极；位于所述源极和漏极之间的所述半导体层上的第一介质层；位于所述第一介质层上相互绝缘的多个条形浮栅，用于存储电子，得到增强型高电子迁移率晶体管，其中所述多个条形浮栅垂直于沟道长度方向且平行排列；包覆所述多个条形浮栅和所述第一介质层的第二介质层；位于所述第二介质层上的控制栅。本发明解决了增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的工艺控制难度高和工艺重复性差的问题，提高了半导体器件的稳定性。
技术研发人员：蒋苓利;沈忱;于洪宇;李涛;纪冬梅
受保护的技术使用者：南方科技大学;苏州珂晶达电子有限公司
文档号码：201610851217
技术研发日：2016.09.26
技术公布日：2016.11.23