本发明涉及无天线的结构，特别涉及一种基于电子设备的金属壳绕线模块组成的近场通讯解决方案。
背景技术：
nfc是一种提供轻松、安全、迅速的通信的无线连接技术，nfc具有距离近、带宽高、能耗低等特点。其次，nfc与现有非接触智能卡技术兼容，目前已经成为得到越来越多主要厂商支持的正式标准。再次，nfc还是一种近距离连接协议，提供各种设备间轻松、安全、迅速而自动的通信。与无线世界中的其他连接方式相比，nfc是一种近距离的私密通信方式，常规nfc天线如图1～2所示，包括线圈10，基材11和线圈馈点12，通常还需添加磁性材料13去实现更好的性能。nfc在门禁、公交、手机支付等领域内发挥着巨大的作用。大部分nfc手机为内置nfc芯片，外加nfc天线，随着电子设备如手机环境越来越恶劣，手机内部空间越来越小，很少有给出外加nfc天线的空间，手机金属后壳将会变的主流，常规nfc天线在金属后壳环境下的性能都会遭到严重干扰，因为金属后壳对电磁场的屏蔽使常规nfc天线形成涡流，因此有必要提出一种基于金属后壳无天线的结构来解决目前的难题，使用电子设备如手机原本有的金属来辐射nfc性能，不需要nfc天线，故而可以满足手机为金属后壳的环境，具有节省成本，同时不改变机器外观，节约电子设备如手机空间，型结构简单，性能优越等特点。
技术实现要素：
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种节省成本，同时不改变机器外观，节约空间，型结构简单，性能优越的基于电子设备的金属壳绕线模块组成的nfc组件。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：一种基于电子设备的金属壳绕线模块组成的nfc组件，包括电子设备的金属壳和绕线模块，其特征在于，所述的金属壳分为两段：上半部金属和下半部金属，所述的绕线模块包括二根导电线，该二根导电的二端其中一端的一根连接上半部金属另一根连接下半部金属，另一端的二根导电线连接nfc电路的二个馈点形成通路充当线圈。
所述的二根导电线采用二股导电线替换。
所述的上半部金属和下半部金属之间导通。
所述的上半部金属和下半部金属之间设有缝隙。
所述的上半部金属和下半部金属之间的缝隙距离为1～3mm。
所述的上半部金属和下半部金属导通并连接电容。
所述的绕线模块一端设有连接处a和连接处b，另一端设有连接处c和连接处d，所述的上半部金属设有连接处e，所述的下半部金属设有连接处f，其中连接处a与连接处e通过导线连接，连接处b与连接处f通过导线连接，所述的连接处c和连接处d分别与nfc电路的二个馈点连接。
所述的连接处a与连接处e之间设有第一电感，所述的连接处b与连接处f之间设有第二电感。
所述的第一电感和第二电感的大小值在20-200纳亨。
各连接处的连接方式为焊接和/或连接器连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：巧妙地利用电子设备如手机等后壳金属，利用上半部金属和下半部金属充当线圈进行电磁辐射，利用上半部金属和下半部金属等同导电线连接二根导电线或二股导电线从而等效成天线的线圈，具有节省成本，同时不改变机器外观,节约空间，模型结构简单，性能优越等特点。
附图说明
图1为常规nfc线圈走线简化结构示意图；
图2为常规nfc线圈走线在磁性材料上方的平视结构示意图；
图3为本发明基于电子设备的金属壳绕线模块组成的nfc组件结构俯视图；
图4为本发明基于电子设备的金属壳绕线模块组成的nfc组件结构斜视图；
图5为本发明通电后的电流走向示意图；
图6为本发明通电后上半部金属与下半部金属辐射的电流走向示意图；
图7为本发明产生的虚拟磁场。
图中：1、上半部金属；2、下半部金属；3、绕线模组；4、连接处a；5、连接处b；6、连接处c；7、连接处d；8、连接处f；9、连接处e；10、线圈；11、基材；12、线圈馈点；13、磁性材料；14、第二电感；15、第一电感，16、磁场。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
如图3～4所示，一种基于电子设备的金属壳绕线模块组成的nfc组件，包括电子设备的金属壳和绕线模块，所述的金属壳分为两段：上半部金属1和下半部金属2，上半部金属1和下半部金属2之间设有缝隙且导通。上半部金属1和下半部金属2之间的缝隙距离为1～3mm。
所述的绕线模块3包括二根导电线，该二根导电的二端其中一端的一根连接上半部金属1另一根连接下半部金属2，另一端的二根导电线连接nfc电路的二个馈点形成通路充当线圈，具体为：绕线模块3一端设有连接处a4和连接处b5，另一端设有连接处c6和连接处d7，所述的上半部金属1设有连接处e9，所述的下半部金属2设有连接处f8，其中连接处a4与连接处e9通过导线连接，连接处b5与连接处f8通过导线连接，所述的连接处c6和连接处d7分别与nfc电路的二个馈点连接。所述的连接处a4与连接处e9之间设有第一电感15，所述的连接处b5与连接处f8之间设有第二电感14。所述的第一电感15和第二电感14的大小值在20-200纳亨。各连接处的连接方式为焊接。
导电线通电后电流走向如图5所示箭头，利用上半部金属1和下半部金属2形成的缝隙进行电磁辐射，如图6所示，形成的磁场16如图7所示，可以看出，在本实施例中巧妙地应用上半部金属1和下半部金属2充当线圈，使用手机原本有的金属来辐射nfc性能，不需要nfc天线，故而可以满足手机为金属后壳的环境，具有节省成本，同时不改变机器外观,节约手机空间，型结构简单，性能优越等特点。
实施例2
所述的绕线模组采用二股导电线替换二根导电线。所述的上半部金属和下半部金属导通并连接电容。各连接处的连接方式为焊接和/或连接器连接。其余同实施例1。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变形而不脱离本发明的精神和范围。这样倘若本发明的这些修改和变形属于本发明的权利要求及其等同技术的范围内，则本发明也意图包涵这些改动在内。